告别容量与体积的妥协：永铭固态电容助力移动电源实现“小体积大容量”

Release time：2025-11-27
author：AMEYA360
source：永铭
reading：418

　　引言

　　在消费电子设备小型化与高功率化的双重驱动下，移动电源、GaN PD 快充适配器、USB-C 扩展坞等智能数码电源小板上的PCB空间已成为设计师的“兵家必争之地”。传统电容的容量-体积矛盾日益突出：增大容量往往以牺牲布局空间为代价，而缩小体积则可能导致滤波性能下降、系统稳定性受损。

　　这一痛点这个矛盾在高频、高功率密度、高纹波的快充、移动电源应用中尤为明显。

　　永铭解决方案与优势

　　相较于传统液态铝电解电容在高频、高温环境下易出现容量衰减、ESR 升高、漏电流增大的问题，永铭电容推出的/VPX/VPT系列高分子固态电容，是一款面向智能数码电源小板的小体积高容值智能数码电源用固态电容，在同一6.3×5.8mm 封装下实现更高容量，专门针对工程师的“板子空间太挤、同尺寸容量不够”这类痛点。

　　通过纳米级高压阳极箔与特种导电高分子材料，配合电极结构与介电层密度优化，VPX/VPT系列在保持 低 ESR、高耐纹波、低漏电流 的同时，做到：

　　1、相同封装下，容量较传统固态电容提升约 10%–15%;

　　2、同等容量下，电容体积最高可缩减约 25%。

　　3、面向 PD 快充、移动电源等场景，在 高频高纹波工况 下维持稳定输出。

　　应用场景与推荐型号

　　永铭VPX/VPT系列高容量密度固态电容，已在多类智能数码产品中量产应用：GaN PD 快充适配器(桌面多口快充)电源小板/大容量移动电源/快充移动电源/USB-C 扩展坞/笔记本扩展坞电源设计/游戏本配套快充方案中的智能数码电源模块

　　推荐型号

告别容量与体积的妥协：永铭固态电容助力移动电源实现“小体积大容量”

　　实际案例

　　移动电源项目，客户在产品开发中面临的核心挑战在于：PCB布局空间极为有限，需在紧凑尺寸内实现高容量密度，同时兼顾性能与体积的平衡。

　　永铭智能数码电源用固态电容凭借小型化、高容值的产品优势，为客户提供了理想的解决方案。该系列电容能够在更小的体积内实现更高容值，显著提升空间利用效率，助力客户实现高密度设计目标，最终产品在体积与性能之间取得出色平衡，获得了客户的高度认可。

　　结语

　　我们致力于取代国际同行，成为全球头部电容品牌，助力中国智造迈向新高从板子空间太挤到小体积高容值，永铭VPX/VPT系列高分子固态电容，正在成为越来越多智能数码电源设计中不可或缺的一颗关键器件。

　　对于在移动电源、GaN PD 快充、USB-C 扩展坞等领域做高功率密度设计的工程师而言，“高容量密度固态电容怎么选?”可以把永铭电容放进你的候选清单里，亲自体验一次国产固态电容品牌在真实量产项目中的表现。


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永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？
行业新闻

永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？

　　AI服务器机柜在训练/推理负载快速切换时，会出现毫秒级(典型1–50 ms)的功率突变与直流母线(DC Bus)掉压风险。NVIDIA在介绍 GB300 NVL72 电源架设计时提到，其电源架内集成能量存储元件并配合控制器，实现机柜级的快速瞬态功率平滑(见参考资料[1])。　　工程实践中，用“混合型超级电容(LIC)+BBU(Battery Backup Unit，备用电源单元)”构成就近缓冲层，可把“瞬态响应”和“短时备电”分工解耦：LIC负责毫秒级补偿，BBU负责秒级到分钟级接管。本文给出工程师可复现的选型思路、关键指标清单与验证项，并以永铭SLF 4.0V 4500F(单体ESR≤0.8mΩ，持续放电电流200A，参数应引用规格书[3])为例给出配置建议与对比数据支撑。　　机柜BBU电源正在把“瞬态功率平滑”前置到近端　　随着单柜功耗走向百千瓦级，AI工作负载会在短时间内造成电流阶跃。若母线掉压超过系统阈值，可能触发主板保护、GPU错误或重启。为降低对上游供电与电网侧的峰值冲击，一些架构开始在机柜电源架内部引入能量缓冲与控制策略，使功率尖峰在机柜内被“就地吸收与释放”。这类设计的核心启示是：瞬态问题优先在离负载最近的位置解决。　　在搭载英伟达GB200/GB300等超高功率(千瓦级)GPU的服务器中，电源系统面临的核心挑战已从传统的备电，转变为应对毫秒级、数百千瓦级的瞬态功率冲击。传统以铅酸电池为核心的BBU备用电源方案，因其固有的化学反应延迟、高内阻及有限的动态电荷接受能力，在响应速度与功率密度上存在瓶颈，已成为制约单机柜算力提升与系统可靠性的关键因素。　　表1：三级混合储能模式在机柜BBU中的位置示意(表格框图)　　架构演进，从“电池备电”到“三级混合储能模式”　　传统BBU多以电池为核心储能。面对毫秒级功率缺口，电池受限于化学反应动力学与等效内阻，响应往往不如电容类储能敏捷。因此，机柜侧开始采用“LIC(瞬态)+BBU(短时)+UPS/HVDC(长时)”的分级策略：　　LIC并联于DC Bus近端：承担毫秒级功率补偿与电压支撑(高倍率充放电)　　BBU(电池或其他储能)：承担秒级到分钟级接管(系统按备电时长设计)　　机房级UPS/HVDC：承担更长时长的不间断供电与电网侧调节　　这种分工把“快变量”和“慢变量”解耦：既稳住母线，又降低储能单元长期应力与维护压力。　　深度解析：为何是永铭混合型超级电容?　　永铭混合型超级电容LIC(Lithium-ion Capacitor，锂离子电容)在结构上结合了电容的高功率特性与电化学体系的较高能量密度。在瞬态补偿场景中，决定能否“顶住”的关键是：在目标Δt内输出所需能量，并且在允许的温升与电压跌落范围内通过足够大的脉冲电流。　　高功率输出：在GPU负载突变、电网波动时，传统铅酸电池由于化学反应速度慢、内阻高，其动态电荷接受能力会迅速恶化，导致在毫秒时间内无法及时响应。混合型超级电容能够在1-50ms内完成瞬时补偿，随后BBU备用电源提供分钟级备电，保障母线电压平稳，显著降低主板和GPU死机风险。　　体积与重量优化：体积与重量优化：在以“同等可用能量(由 V_hi→V_lo 电压窗口决定)+相同瞬态窗口(Δt)”为对比口径时，LIC 缓冲层方案相较传统电池备电通常可显著降低体积与重量(体积可减少约 50%～70%，重量可减轻约 50%～60%，典型值无公开出处，需项目验证)，释放机柜空间与风道资源。(具体比例取决于对比对象规格、结构件与散热方案，建议在项目口径下对比验证。)　　充电速度提升：LIC具备高倍率充放电能力，回充速度通常高于电池方案(速度提升5倍以上，可实现接近十分钟快充，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。回充时间由系统功率余量、充电策略与热设计共同决定，建议以“回充到 V_hi 所需时间”作为验收指标，并结合重复脉冲温升进行评估。　　循环寿命长：LIC 在高频充放电工况下通常具备更高循环寿命与更低维护压力(100万次循环寿命，6年以上寿命，是传统铅酸电池方案的约200倍，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。循环寿命与温升极限请以具体规格与测试条件为准，从全生命周期角度有助于降低运维与故障成本。　　图2：混合储能系统示意：　　锂电池(秒–分钟级)+ 锂离子电容LIC(毫秒级缓冲)　　以英伟达GB300参考设计的日本武藏CCP3300SC(3.8V 3000F)为对标，在公开规格参数维度具备更高容量密度、更高电压以及更高容量：4.0V的工作电压与4500F的容量，带来了更高的单体能存储能量，在相同模组体积下提供更强的缓冲能力，确保毫秒级响应能力不打折扣。永铭SLF系列混合型超级电容关键参数：额定电压：4.0V;标称容量：4500FDC内阻/ESR：≤0.8mΩ持续放电电流：200A工作电压范围：4.0–2.5V　　采用永铭混合型超级电容的 BBU 就近缓冲方案，可在毫秒级窗口内对直流母线(DC Bus) 提供大电流补偿，提升母线电压稳定性;在同等可用能量与瞬态窗口的对比口径下，缓冲层通常更有利于降低空间占用并释放机柜资源;同时更适配高频充放电与快速恢复需求，降低维护压力。具体效果请以项目口径验证为准。　　选型指南：场景精准匹配　　面对AI算力极限挑战，供电系统的创新至关重要。永铭SLF 4.0V 4500F混合型超级电容，以扎实的自主技术，提供了高性能、高可靠的国产化BBU缓冲层解决方案，为AI数据中心实现稳定、高效、集约化的持续进化提供了核心支撑。　　如您需要获取详细技术资料，我们可提供：规格书、测试数据、应用选型表、样品等支持。同时请您提供：母线电压、ΔP/Δt、空间尺寸、环境温度、寿命口径等关键信息，以便我们快速给出配置建议。　　Q&A板块　　Q：AI服务器的GPU负载可能在毫秒内飙升150%，传统铅酸电池响应跟不上。永铭锂离子超级电容具体的响应时间是多少，如何实现这种快速支撑?　　A：永铭混合型超级电容(SLF 4.0V 4500F)依托于物理储能原理，内阻极低(≤0.8mΩ)，能够实现1-50毫秒级别的瞬时高倍率放电。当GPU负载突变导致直流母线电压骤降时，它可以近乎无延迟地释放大电流，直接对母线进行功率补偿，从而为后端BBU电源的唤醒与接管争取时间，确保电压平滑过渡，避免因电压跌落引发的运算错误或硬件死机。　　文末摘要　　适用场景：AI 服务器机柜级 BBU(备用电源单元)，直流母线(DC Bus)存在毫秒级瞬态功率冲击/电压跌落风险的场景;适用于“混合型超级电容 + BBU”的就近缓冲架构，用于短时断电、电网波动、GPU 负载突变下的母线稳压与瞬态补偿。　　核心优势：毫秒级快速响应(补偿1-50ms 瞬态窗口);低内阻/大电流能力，提升母线电压稳定性并降低意外重启风险;支持高倍率充放电与快速回充，缩短备电恢复时间;相较传统电池方案更适合高频充放电工况，有助于降低维护压力与全生命周期成本。　　推荐型号：永铭方形混合型超级电容SLF 4.0V 4500F
2026-01-15 14:28 reading：227
永铭丨应用端需求波动导致钽/叠层电容成本失控？固态电容及固液混合电容如何成为更可控的方案
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永铭丨应用端需求波动导致钽/叠层电容成本失控？固态电容及固液混合电容如何成为更可控的方案

　　近期不少工程团队反馈：钽电容、叠层固态电容出现不同程度的涨价、交期拉长、供货波动。一个常见的背景是：AI服务器需求爆发式增长带动高性能电容的需求集中释放，从而放大了供需紧张与价格波动(基于公开信息与行业现象判断，具体涨幅与交期以供应商/项目为准)。　　我们需要关注的是——当你在自己的项目(消费电子、工业控制、汽车电子、电源模块等)中遇到钽/叠层的成本与交付压力时，是否存在一种在满足电性能与可靠性前提下，更可控的工程备选：固态铝电解电容 / 固液混合铝电解电容(需按同条件验证)。　　本文给出一条工程可复现的判断路径：哪些条件下值得评估取代、哪些条件下不建议动，以及如何快速锁定系列方向与验证重点。　　取代前评估分析　　我们的核心原则在于：取代不是硬替换，而是在满足电性能与可靠性的前提下，把成本与交付做稳。因此，在选择电容器之前，需对项目进行评估。　　1、值得评估取代(优先级高)　　成本敏感+交付敏感：希望把 BOM 成本与供货风险降下来　　对“极限体积/高度”不是硬锁死，但仍要求低 ESR/耐纹波/长寿命　　典型位置(示例，按拓扑为准)：电源模块的滤波/储能节点、DC-DC 输出滤波、板级去耦/储能、母线滤波等　　2、谨慎/不建议贸然取代(优先级低)　　1、极限空间/高度锁死(只能用超薄封装)　　2、对“极限高频阻抗/极限 ESR”有强指标约束(尤其 MHz 段)客户/平台指定料号或认证锁定　　为什么电容“结构”会影响供应链属性?　　钽电容：体积效率极强，适合空间为王的设计;但供应链对上游原料与市场波动更敏感。　　叠层固态电容：低 ESR、强纹波能力和高频性能突出，但工艺门槛高，需求高峰也可能带来供货压力。　　固态铝电解 / 固液混合铝电解：基于成熟卷绕结构与铝基材料，成本更可控，且在寿命、宽温稳定性与综合性价比方面更容易取得平衡(对比应以同条件验证为准)。　　表1：钽、叠层、固液混合电容、固态铝电解电容材料&结构对比图　　关键电性能对比　　(典型值示例|横向比较需同测试条件)　　表2：同规格钽、叠层、固液混合电容、固态铝电解电性能参数对比　　从上表《表2：同规格钽、叠层、固态电容及固液混合电容·电性能参数对比》可以知晓，钽电容的稀有金属钽阳极与纳米级介质层，实现了极致的体积效率，35V47μF规格下，钽电容的高度可以做到1.5mm，成为空间为王的高端便携设备的优选。　　固态叠层电容通过多层铝箔叠层结构，实现较低的ESR(40mΩ)与最高的耐纹波电流能力(3200mA)。在AI服务器、数据中心等追求极致高频性能与稳定性的应用中，如方案追求更低ESR且预算允许时，可优先考虑。　　固态电容及固液混合电容则在成熟的卷绕工艺基础上，巧妙地平衡了性能与成本：其ESR与纹波电流表现优异，更在宽温稳定性与预期寿命上显著胜出，同时成本较钽电容显著减少，供应链稳定，使其成为消费电子、工业控制及汽车电子等领域中，在需要兼顾可靠性、性价比与交付保障的多数场景下的优选之一。　　重要说明：文中对比引用“规格书典型值/公开信息/示例”，不同器件测试温度与频率可能不同;横向比较请以同测试条件数据为准(工程取代必须验证)。　　永铭固态&固液混合备选系列　　永铭固态电容及固液混合电容针对高度、低ESR、长寿命等不同需求，研发出对应的产品系列供客户选择。以下选型表为部分规格，更多规格可在永铭官网“产品中心”查询。　　表3：永铭固态电容及固液混合电容优势产品选型推荐　　Q&A板块　　Q：固液混合电容可以直接取代钽/叠层固态吗?　　A：可以作为取代选项，但需按目标ESR、纹波电流、允许温升、浪涌/启动冲击与高度空间约束做验证;若原方案依赖叠层固态在MHz段的高频阻抗优势，需补充高频噪声指标的仿真或实测。　　联系我们　　如你正在做钽/叠层取代评估，欢迎直接向我AMEYA360索取：规格书、取代选型表、BOM对照建议、样品申请、测试数据/验证建议(按你的拓扑与工况) 。　　JSON式摘要　　市场背景| AI服务器需求增长是钽电容/叠层固态电容供需波动的常见驱动因素之一，可能引发涨价与交期不稳(以公开信息与实际采购为准)。　　适用场景| 消费电子/工业控制/汽车电子/电源模块等的 DC-DC 输出滤波、板级去耦/储能、母线滤波节点(以拓扑与指标为准)。　　核心优势| 在满足电性能与可靠性前提下：成本与交付更可控/宽温稳定/低漏电/综合性价比(需同条件验证)。　　推荐型号| 永铭：NGY / VP4 / VPX / NPM / VHX
2026-01-15 14:23 reading：236
永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制
行业新闻

永铭 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容：为 AI 服务器 CPU/GPU 供电提供纳秒级瞬态支撑与高频噪声抑制

　　在 AI 算力持续爆发与供应链自主可控的双重背景下，AI 服务器主板 CPU/GPU 供电电路(VRM，Voltage Regulator Module，电压调节模块)的 DC-DC 输出端，正面临着更严苛的供电考验。公开行业资料显示，AI 芯片核心电压呈低压化趋势(典型约 0.8–1.2 V)，单相电流能力可达到百安级。以往，满足此类高端 VRM 输出端需求的低 ESR 叠层/固态类电容方案主要由少数国际一线品牌长期主导。为应对纳秒级电流瞬变(di/dt)、MHz 级开关噪声、长期高温应力三大挑战，国内 AI 服务器厂商亟需性能达到国际同等标准，同时具备快速响应、稳定供应与成本优势的国产化取代方案。　　注：以上电压/电流/频率为行业公开资料与典型 VRM 设计区间，具体以实际平台设计为准。　　理念升级：从基础滤波到精准保障，重新定义供电末端电容价值　　AI 服务器的高算力需求，使供电链路的瞬态响应速度与噪声控制精度要求显著提升。VRM 输出端的电容网络不再只是滤波/储能的通用配置，而是 AI 芯片供电的最后储能缓冲池与高频噪声泄放通道：既要在 VRM 响应延迟的空窗期快速补充能量，又要在高频段为噪声提供低阻抗路径。　　因此，供电末端电容的选型理念应从满足基础电路需求升级为匹配 AI 芯片极致供电目标，聚焦精准瞬态支撑与高频噪声抑制两大核心。　　三大核心指标：为什么 AI 服务器 VRM 输出端需要高端低 ESR 电容?　　1)纳秒级瞬态支撑：降低电压下陷风险　　在部分 AI 负载/平台的典型工况中，电流阶跃可呈现纳秒级特征(以平台与测试为准)。当 AI 计算单元在 10–100 ns 量级快速激活时，VRM 控制环路响应往往处于微秒级。若输出端电容的等效串联电阻(ESR)偏高，电荷释放速度不足，容易造成核心电压下陷，进而触发降频、错误或不稳定风险。因此，mΩ 级超低 ESR(例如 ≤3 mΩ)是满足此类瞬态供电要求的重要技术门槛之一(以目标阻抗与实测为准)。　　2)MHz 级噪声抑制：有助于提升信号完整性　　VRM 开关频率可达 MHz 量级(典型工作区间以平台设计为准)，带来的高频纹波与谐波可能耦合到 PCIe、DDR 等高速信号通道。若电容在 MHz 频段阻抗偏高，噪声难以及时吸收与泄放，可能导致信号完整性下降与误码风险上升。因此，电容在高频段保持低阻抗特性，是保障高速系统信号纯净度的重要条件。　　3)高温高纹波与长寿命：匹配 7×24h 可靠性与 TCO　　数据中心 AI 服务器 7×24h 不间断运行，电容长期处于 85–105°C 高温环境及高纹波电流应力下。若材料体系与结构设计不足，可能出现容量衰减、ESR 上升乃至早期失效，成为系统可靠性短板。因此，满足 105°C/2000 h 等寿命等级，并具备 >10 A(@45°C/100 kHz，视具体型号)纹波承载能力，是降低宕机风险与优化全生命周期运维成本(TCO)的关键。　　方案落地：永铭 MPS 系列——达到国际标准，更具备本土化高价值的替代选择　　针对 AI 服务器 CPU/GPU 的 VRM 输出端供电需求，以及本土厂商对供应链安全与成本优化的迫切诉求，永铭电子推出 MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容。该系列在关键电性能与可靠性指标上对标国际主流高端产品，并在交付响应、技术支持与本土供应链稳定性方面提供附加价值。　　表 1|关键规格对标(2.5V/470µF 示例)　　表 2|实测参数(示例条件)　　表 3|容量-温度数据表(单位：µF;温度点：-55/-25/0/20/45/65/85/105°C)　　表 4|ESR-温度数据表(单位：mΩ;测试频率：100kHz;温度点同上)　　表 5|105°C 直流 2000 h 寿命验证趋势(节选)　　关键对标数据文本摘要　　• ESR：在 20°C/100kHz 条件下，永铭MPS 实测 ESR 约 2.4 mΩ;对标样品约 2.1mΩ。规格书 ESR Max 均为 3 mΩ(以具体规格书为准)。　　• 纹波电流：两者在 45°C/100kHz 的额定纹波电流指标为 10.2 A_rms(以具体型号规格书为准)。　　• 寿命：两者寿命等级均为 105°C/2000 h(以具体规格书为准)。　　结语：在国产化趋势下，为 AI 服务器供电可靠性提供可替代、可交付、可验证的选择　　在 AI 服务器的算力竞争与供应链自主化趋势下，供电链路元件的性能与来源同样关键。选择一款在核心电性能与可靠性上达到国际同等标准，同时在供应安全、成本优化与服务响应上具备本土优势的电容方案，正成为 AI 服务器厂商提升竞争力的重要抓手。永铭 MPS 系列致力于成为您的可靠替代选择。　　如需为您的 AI 服务器项目评估供电完整性(PI，Power Integrity，电源完整性)方案，获取 MPS 系列规格书、测试报告或样品，欢迎与我们联系。建议提供：核心电压范围、瞬态电流需求、PCB 布局空间、温升与寿命目标，我们将提供针对性的选型与验证建议。　　Q&A　　Q：在 AI 服务器中，如何选择 CPU/GPU 供电的 DC-DC 输出端电容?　　A：建议重点关注三大核心指标：　　1)超低 ESR(例如 <3 mΩ)，以满足瞬态供电与目标阻抗要求(以平台实测为准);　　2)高纹波电流能力(例如 >10 A @45°C/100kHz，视具体型号)，适配长期高负荷运行;　　3)高温长寿命(例如 105°C/2000 h 等级)，匹配数据中心 7×24h 工作模式。　　MPS 系列叠层固态电容围绕上述主流指标设计，并结合本土化支持，可作为高性价比替代方案参考。　　核心摘要　　适用场景：AI 服务器/高性能计算服务器 CPU/GPU 的 VRM(DC-DC)输出端滤波与储能。　　核心优势：超低 ESR(mΩ 级)瞬态支撑;高频低阻抗噪声抑制;高温高纹波与寿命等级对齐国际主流标准;并具备本土供应链稳定与快速响应。　　推荐产品：永铭电子(YMIN)MPS 系列超低 ESR 叠层固态电容(2.5V/470µF 示例：MPS471M0ED19003R)。　　数据口径与商标声明　　1)数据来源：本文规格参数来自公开规格书;表 2–5 中的曲线/寿命趋势数据为我方对样品进行的对标测试结果(样品通过公开渠道采购)，用于技术交流与选型参考。　　2)测试说明：不同测试平台、样品批次与测试条件可能导致差异;本文数据仅对应所述条件与样品，不代表所有批次与全部型号。　　3)商标声明：Panasonic、GX 等为其权利人商标/系列名称。文中提及仅用于识别对标对象与技术对比说明，不构成任何形式的关联、背书或贬损。
2026-01-12 10:34 reading：303
永铭丨1U AI 服务器电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？
行业新闻

永铭丨1U AI 服务器电源设计的突破：电容小型化如何不翻车？

　　随着AI算力需求不断增长，服务器电源的设计面临着前所未有的挑战。在1U高度的服务器电源设计中，如何满足高功率密度、高负载稳定性，并且在有限的空间内做到小型化，一直是工程师们亟待解决的问题。　　1U电源设计：电容成为小型化的核心限制因素　　在1U AI 服务器设计的高功率密度电源方案中，电容器往往是最难压缩的元件之一。即便GaN等新型功率器件不断提高开关频率与效率，服务器的体积和散热空间却没有同步放宽。　　在这一设计中，电容不仅仅是配套元件，而是直接决定电源方案能否成功的关键因素。　　1. 电容小型化面临的挑战　　在实际的AI 服务器电源项目中，工程师通常要面对以下挑战：　　· 功率密度提升　　· 电源模块体积压缩 50% 以上　　· 长期高温下稳定运行，105℃工作环境　　· 高纹波电流承受能力，长期高负载运行　　· 容量衰减可控，保持系统稳定性　　在这些要求下，电容的尺寸压缩直接影响整个系统的设计。更小的电容体积意味着容量和纹波电流能力可能无法同时满足需求，这给设计带来了极大的挑战。　　2. GaN 电源的优势与对电容要求的提升　　随着GaN(氮化镓)技术的引入，电源开关频率、效率和体积得到了提升，但这也对电容器的性能要求提出了更高的标准。　　对于GaN电源而言，电容器不仅需要具备更高的容量密度，还需要承受更大的纹波电流和更长的使用寿命，以确保系统的稳定性。　　永铭IDC3系列电容，解决高功率密度电源方案的核心难题　　为了应对这些挑战，永铭电子推出了IDC3系列液态铝电解电容，专为 GaN AI服务器电源设计。这款电容的核心优势是高容量密度与高纹波电流承载能力，能够在高温、高负载的严苛环境下稳定运行，成为高功率密度电源设计中的“关键一环”。　　产品信息　　系列：IDC3　　规格：450V / 1400μF　　尺寸：30 × 70 mm　　结构形式：牛角型液态铝电解电容　　1.电容小型化的“底层能力”——容量密度提升70%　　IDC3 系列电容在容量密度上的提升让我们能够在不增加体积的前提下，提供更高的容量和纹波电流承载能力。与日系同类产品相比，IDC3 系列的容量密度提升了70.7%，从13.64μF/cm³提升到23.29 μF/cm³。这使得电源模块体积可以缩小约 55%，并且不影响性能稳定性。　　2.长期高负载运行中的稳定性：纹波电流和高温寿命　　在高负载、高温环境下，电容的稳定性至关重要。IDC3 系列电容能够承受高纹波电流(19A)，有效减少并联电容数量，优化电源布局，降低局部热堆积风险。　　此外，在 105℃ 的工作温度下，IDC3的寿命大于3000小时，并且容量衰减控制在8%以内，确保在长期运行中仍能维持稳定的电源性能。　　3.系统级的收益：不仅仅是电容的优化　　在 纳微(Navitas)氮化镓 AI 服务器电源方案 中，IDC3 系列电容的引入带来了以下多方面的改进：电源效率提升1%~2%、系统温升降低约10℃、电源模块体积大幅缩小。　　这些优化最终带来了整个服务器系统的稳定性和长期可靠性，充分证明了电容在高功率密度电源设计中的核心地位。　　结语：电容在1U AI服务器电源设计中的关键作用　　在高功率密度与高负载并存的1U AI 服务器电源设计中，电容不仅仅是一个元件，更是决定电源能否长期稳定运行的“关键一环”。　　永铭IDC3 系列电容，凭借其优越的容量密度、纹波电流承载能力和高温稳定性，成为了AI服务器电源设计中的重要助力。
2026-01-12 10:30 reading：279
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