破解高频高压高温难题，永铭电容器成为第三代半导体最佳拍档

　　11月8日，第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会(CPEEC)与中国电源学会第二十八届学术年会(CPSSC)在深圳国际会展中心宝安馆盛大启幕!

　　永铭电子携四大核心应用领域解决方案——新能源汽车电子、AI服务器、光伏储能、电机驱动(机器人/无人机/伺服电机)重磅亮相20号馆，现场人流如织，技术交流氛围热烈!

　　演讲亮点深度解读：电容器如何成为第三代半导体的“关键引擎”

　　在8日下午14:00的专题演讲中，永铭电子工程总监程永以《第三代半导体新方案中电容器的创新应用》为主题发表的专题演讲，核心聚焦于一个行业痛点：如何让电容器这一关键被动元件，跟上第三代半导体(GaN/SiC)高频、高压、高温的技术步伐，从而真正释放其性能潜力。演讲指出，“匹配”与“可靠性”是关键所在。永铭的创新并非简单替换，而是从材料、结构到应用级的协同设计，通过“高容量密度、低ESR、高可靠性、小体积”等核心技术优势，直面极端工况挑战，为先进功率器件提供坚实的“能量基石”与“稳压核心”。

　　四大实战案例深度解析

　　1、AI服务器电源方案 · 与纳微GaN协同设计

　　挑战：高频开关(>100kHz)、极大纹波电流(>6A)、高温环境(>75℃)

　　解决方案：采用IDC3系列低ESR电解电容，ESR≤95mΩ，105℃环境下寿命达12000小时

　　成效：整机体积减小60%，效率提升1%~2%，温升降低10℃、

　　2、英飞凌GaN MOS 480W轨道电源 · 取代日系Rubycon

　　挑战：-40℃~105℃宽温运行、高频纹波电流冲击

　　解决方案：电容低温容衰率<10%，可耐受纹波电流7.8A

　　成效：通过-40℃低温启动及高低温循环测试，通过率100%，满足轨道行业10年以上使用寿命要求

　　3、新能源车载DC-Link电容 · 适配安森美300kW电机控制器

　　挑战：开关频率>20kHz，dV/dt > 50V/ns，环境温度>105℃

　　解决方案：ESL<3.5nH，125℃寿命超过1万小时，单位体积容量提升30%

　　成效：整机效率达98.5%以上，功率密度突破45kW/L，续航提升约5%

　　4、兆易创新3.5kW充电桩方案 · 永铭电容深度配合

　　挑战：PFC开关频率70kHz，LLC开关频率94kHz~300kHz，输入侧纹波电流高达17A以上，芯子温升严重影响寿命

　　解决方案：采用多极耳并联结构降低ESR/ESL，结合GD32G553 MCU与GaNSafe/GeneSiC器件，实现137W/in³功率密度

　　成效：系统峰值效率96.2%，PF值0.999，THD仅2.7%，满足电动汽车充电桩高可靠性及10~20年使用寿命需求

　　展会现场，聚焦第三代半导体对电容器提出的高频、高压、高温严苛要求，永铭展台化身为专业务实的技术交流平台。工程师团队与各方客户围绕电容在高频下的稳定性、高温环境中的长效可靠性等核心议题，展开了热烈而深入的探讨。

　　现场互动高效、对接精准，充分印证了市场对高性能国产电容不断增长的需求，以及对永铭产品实力与技术方案的高度认可

　　专家团莅临，共鉴国产芯实力

　　展会下午，永铭展台迎来重磅专家团到访交流。美国弗吉尼亚理工大学工程院院士、台达电子研发主任及上海海事大学、浙江大学、西安交通大学教授等一行，在参观过程中对永铭的技术成果给予了高度关注。

　　专家们尤为看好永铭新一代锂离子超级电容(LIC)在英伟达AI服务器GB300 BBU备用电源中的创新应用。该方案直面GPU功率突变与高温寿命挑战，以内阻<1mΩ、10分钟快充、100万次循环的性能，实现体积与重量大幅缩减，并支持15–21kW峰值功率。

　　同时展出的还有永铭专为高功率AI服务器电源自主研发的IDC3系列液态牛角电容，其典型规格 450V 1400μF、尺寸30×70mm，具备更高耐压、更高容量密度与更长寿命，为AI服务器电源的功率密度与可靠性提升提供了关键支持。

　　此次多位顶尖专家的驻足与认可，是对永铭坚持自主创新、攻坚高端应用的最佳印证。