近日,华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破,PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片,采用ValueDual封装,6/8管并联设计,最低导通电阻1.6mΩ,兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势,在商用车主驱系统应用中表现优异。
一、产品核心特性
高阻断电压与低导通电阻
驱动简单易并联
低电感封装避免振荡
采用AMB技术
二、应用领域
xEV应用
电机驱动
智能电网、并网分布式发电
三、产品列表
第四代SiC MOS平台
已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时,通过设计和工艺创新,进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数,显著提升功率密度和运行效率,为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。
PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化,开发650V和1200V两个电压平台,推出十余个标准规格产品,同时搭配公司成熟的插件、贴片封装,包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装,产品综合性能表现优异,已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户,并实现批量供货,为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。
第四代SiC MOS产品列表
结语
依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累,以及IDM商业模式所具备的独特优势,PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级,不断优化产品性能。与此同时,积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式,最大化发挥SiC器件的优势。未来,PDBG将凭借领先的技术和优质的产品,助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级,为客户提供更具竞争力的产品选择。
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