兆易创新GD55LX02GE系列荣膺“汽车电子·金芯奖之卓越产品奖”

Release time：2025-05-21
author：AMEYA360
source：兆易创新
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　　近日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。兆易创新旗下GD55LX02GE系列车规级SPI NOR Flash以出色的产品性能与可靠的产品质量，获得“2025汽车电子·金芯奖 卓越产品奖”。这一荣誉不仅是对兆易创新技术实力的权威背书，更是对公司在汽车电子领域砥砺深耕、创新赋能的有力证明。

兆易创新GD55LX02GE系列荣膺“汽车电子·金芯奖之卓越产品奖”

　　作为第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)的重要组成部分，“金芯奖”旨在推动汽车电子行业的创新与发展，为优秀企业和产品提供展示平台。此评选活动旨在树立国内汽车电子产业的创新标杆，同时为车企推荐一批技术领先、质量过硬、可靠性强的汽车电子企业与产品，加快推进汽车产业链、供应链融合发展。

　　此次获奖的GD55LX02GE系列车规级SPI NOR Flash，以1.8V 2Gb大容量、200MHz超高时钟频率及400MB/s数据吞吐率等核心优势，为汽车智能化发展提供强有力的支撑。该系列产品具有八通道DTR SPI接口，兼容单通道、八通道SPI指令集，支持XIP(Execute-In-Place)，以达到高效的代码数据读取。在安全方面，GD55LX02GE系列内置ECC算法与CRC校验功能，从最大程度上保障了产品的可靠性，从而有效延长了使用寿命。同时，GD55LX02GE的各项规格、指标完全符合JEDEC xSPI以及Xccela联盟的标准规范，在兼容现有SPI接口规格与操作方式的基础上，可通过DQS和DLP功能为高速系统设计提供保障。此外，GD55LX02GE支持标准的TFBGA24ball封装，最高温度规格可支持125℃，即便在极端温度环境下，也能充分保障工作稳定性。

　　在汽车电子领域，车用产品需遵循严格的功能安全标准。作为一款车规级芯片产品，GD55LX02GE系列已成功通过ISO 26262 ASIL D功能安全认证以及AEC-Q100认证，这标志着该系列产品在功能安全方面已达到国际先进水平，能够满足智能网联、智能座舱、自动驾驶等对性能有严格要求的汽车应用，为全球汽车电子市场提供优质、可靠的存储选择。

　　近年来，兆易创新持续加大对车用市场的研发投入，在存储和微控制器领域，形成了覆盖多元场景需求的产品矩阵，并获得了合作伙伴和主流车厂的广泛认可。展望未来，兆易创新将持续提升产品的性能、安全性与可靠性，以应对智能化、电动化趋势下汽车电子架构的复杂需求。公司还将进一步深化与全球产业链的协同创新，推动车规级芯片的生态共建，为全球汽车产业的高质量发展贡献力量。


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兆易创新与吉利汽车共建联合创新实验室，携手迈进汽车发展新时代
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兆易创新与吉利汽车共建联合创新实验室，携手迈进汽车发展新时代

　　4月7日，兆易创新(GigaDevice)与国内先进汽车制造商吉利汽车共建联合创新实验室。双方将建立长期稳固的战略合作伙伴关系，聚焦高性能MCU应用，为中国汽车产业的智能化发展注入技术源动能。　　(左)李传海 吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长　　(右)胡洪 兆易创新CEO　　联合创新实验室将整合吉利汽车与兆易创新的优势资源，聚焦车身、座舱、智驾、动力、底盘等关键领域，开展全方位的协同创新。兆易创新将依托在车规级存储和MCU等产品线的深厚技术积淀，围绕客户需求，通过精准的产品定义与解决方案的落地，为吉利汽车整车平台提供高性能、高可靠、高品质的底层硬件保障。　　(左)李传海 吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长　　(右)胡洪 兆易创新CEO　　(左一)果鹏 吉利汽车智能硬件中心产品管理和架构主任工程师　　(左二)蔡卫龙 吉利汽车智能硬件中心产品管理和架构负责人　　(左三)李传海 吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长　　(左四)韦浩 吉利汽车智能硬件中心主任　　(右四)李文雄 兆易创新副总裁、汽车事业部总经理　　(右三)胡洪 兆易创新CEO　　(右二)马思博 兆易创新副总裁、DRAM事业部总经理　　(右一)王海洋 兆易创新中国销售部总经理　　在车规芯片领域，兆易创新已构建起多元化的产品布局，其车规级存储与MCU均已实现规模化市场应用。截至目前，车规级Flash累计出货量超3亿颗，广泛应用于智能座舱、辅助驾驶等核心场景。在高算力微控制器方面，GD32A全系车规MCU累计出货量超800万颗，其中，GD32A7系列车规MCU已获得多个车型定点，覆盖多层级汽车应用。与此同时，兆易创新也在加速布局更高算力的下一代车规MCU产品，为中央计算等前沿架构提供可靠的算力保障。　　吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长李传海表示：“当前，芯片技术已成为驱动汽车产业迭代升级的核心力量。吉利期待依托双方优势深化汽车产业协同。此次联合实验室的成立，将有助于双方打通前瞻技术研究、产品选型与产业化落地链路，助力车规芯片技术在汽车场景的创新应用。我们愿与兆易创新务实推进各项合作落地，共同助力国产芯片与智能汽车产业深度融合、迈向全球化发展。”　　兆易创新CEO胡洪表示：“汽车产业的技术迭代与国产芯片的发展相辅相成、相互成就。兆易创新高度重视与吉利汽车的合作，并将持续加码在车规级芯片领域的研发投入。本次联合创新实验室的成立是见证双方长期合作、携手前行的重要里程碑，我们期待与吉利汽车在车规存储和MCU芯片等方向展开深度课题研究，以技术协同为纽带，赋能吉利汽车供应链体系的完善，共同探索汽车智能化发展的无限可能。”　　面向汽车AI融合发展的新时代，兆易创新与吉利汽车将依托联合创新实验室平台，持续深化从芯片定义到整车应用的紧密联动，聚焦技术创新与产业融合，推动中国智能汽车产业链迈向更高水平。　　联合创新实验室将整合吉利汽车与兆易创新的优势资源，聚焦车身、座舱、智驾、动力、底盘等关键领域，开展全方位的协同创新。兆易创新将依托在车规级存储和MCU等产品线的深厚技术积淀，围绕客户需求，通过精准的产品定义与解决方案的落地，为吉利汽车整车平台提供高性能、高可靠、高品质的底层硬件保障。
2026-04-14 13:22 reading：356
eMMC之外新选择！兆易创新推出大容量SPI NAND Flash
行业新闻

eMMC之外新选择！兆易创新推出大容量SPI NAND Flash

　　SPI NAND Flash新突破!兆易创新4Gb/8Gb大容量新品　　兆易创新推出GD5F4GM7/GD5F8GM8　　新一代、大容量SPINANDFlash为智能设备带来更高容量·更低功耗·更小尺寸
2026-04-03 09:58 reading：456
兆易创新荣膺“十大中国IC设计公司”及“年度MCU奖”，深厚积淀载誉前行
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兆易创新荣膺“十大中国IC设计公司”及“年度MCU奖”，深厚积淀载誉前行

　　3月31日，兆易创新(GigaDevice)在2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai 2026)同期举办的颁奖典礼上，荣获“十大中国IC设计公司”奖，其旗下基于Arm® Cortex®-M33内核的高性能微控制器GD32F50x系列，荣膺“2026年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖——年度MCU”。双项大奖的获得，有力印证了兆易创新在芯片设计领域的技术实力和市场地位。　　中国IC设计成就奖由AspenCore主办，已连续举办二十四载，旨在评选并表彰对推动中国电子产业创新做出杰出贡献的企业与产品，是中国电子工程师广泛认可的专业奖项之一。　　深耕多元产品布局　　加速构建全球业务版图　　此次荣获“十大中国IC设计公司”奖，彰显了业界对兆易创新研发能力与市场竞争力的充分肯定。依托存储、MCU、模拟、传感器的持续深耕，兆易创新已构建起多元化的产品矩阵，广泛覆盖工业、汽车、消费电子、物联网、PC与服务器、通信等不同应用领域。其中，SPI NOR Flash累计出货量超过310亿颗，全球市场占有率位居第二;GD32 MCU凭借74个系列、800余款型号的丰富产品线，在32-bit通用MCU领域跻身全球第七，累计出货量突破25亿颗。　　与此同时，为更高效地响应全球客户需求，兆易创新正全面提速国际化战略。继2025年在新加坡设立国际总部后，公司于2026年1月在香港联交所挂牌上市，成功构建起“A+H”的双资本平台。这一系列举措标志着兆易创新正通过国际资本与全球化运营的深度协同，持续夯实产品创新研发实力与市场竞争力，并将为全球电子产业链提供更具竞争力的产品及解决方案。　　推动智能化升级　　GD32F50x赋能多元应用　　本次获得“年度MCU”奖项的GD32F50x系列MCU，为数字电源、工业自动化、电机控制、扫地机、BMS、人形机器人等高可靠场景量身打造。其采用高性能Cortex®-M33内核，主频高达280MHz，配合最高1024KB Flash和192KB SRAM大容量存储，能够轻松应对复杂算法的实时运算需求。　　该系列产品提供安全启动和安全更新软件平台，配合用户安全存储区域等硬件安全特性，实现多级代码与数据的保护，可完成固件升级、完整性、真实性验证及防回滚检查。配套的STL软件测试库获得德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证，为对安全性要求严苛的应用提供了坚实的“芯”基础。　　此外，GD32F50x系列在功耗控制方面同样表现出色，通过设计三种省电模式，极大提升了设备的能效比。其增强的电磁兼容性与可靠性，也确保了在恶劣工业环境下的长效稳定运行。　　当前工业正经历向智能化、数字化的深刻变革，GD32F50x的获奖是业界对兆易创新产品的高度认可。展望未来，兆易创新将继续依托GD32 MCU丰富的产品矩阵与开发生态，与全球合作伙伴共同助力应用的创新升级。
2026-04-01 09:30 reading：584
兆易创新亮相 TCT 亚洲展，筑牢 3D 打印“芯”基石
行业新闻

兆易创新亮相 TCT 亚洲展，筑牢 3D 打印“芯”基石

　　亚太增材制造旗舰盛会 ——TCT 亚洲展完美收官。兆易创新携多款重磅产品及专项解决方案亮相展会，聚焦3D打印设备核心需求，全方位展示高效、稳定、可靠的底层技术，以国产 “芯” 实力为增材制造产业发展提供坚实可靠的支撑。　　针对增材制造行业高精度、高稳定性、智能化的发展趋势，兆易创新依托MCU、电机驱动、电源管理等核心产品线，推出覆盖整机应用、电源配套的全链路解决方案，精准匹配3D打印设备硬件需求。　　兆易创新展品核心亮点　　基于GD32H7系列MCU的多轴步进电机方案　　采用Cortex®-M7内核高性能GD32H737 100pin主控芯片　　主频600MHz，1MB Flash，512KB SRAM，512KB TCMRAM　　丰富的外设资源，3个ADC(20ch)，2个高级定时器，14个通用定时器，8个串口，82个GPIO等　　采用普通低成本H桥驱动实现4轴步进微步细分控制　　凭借GD32H7系列高算力和丰富资源，替代4路高成本步进细分控制芯片，实现整体成本降低　　自研XYZE四轴步进同步细分控制算法，最高2^14细分(插值)，带来平滑的正弦电流和优异的静音效果　　自研堵转检测算法，可实现无限位开关归零　　自研自适应降电流算法，降低电机功耗和温升　　最高打印速度600mm/s，最大加速度20000mm/s^2(某款机型，其它机型需适配实测)　　基于GD32F503系列MCU的喷嘴挤出机方案　　普通低成本H桥驱动实现步进电机电流闭环控制解决方案　　采用ARM Cortex®-M33内核的GD32F503CET6作为主控芯片，主频高达252MHz，LQFP48小封装　　步进电机细分控制，最高2^14细分(插值)　　24V直流供电，最大2A工作电流　　支持喷嘴加热和温度采样功能　　支持两个直流风扇控制功能　　支持SPI读取加速度计数据功能　　基于GD32H75E系列MCU的EtherCAT®伺服从站系统解决方案　　采用Cortex®-M7内核的高性能GD32H75E系列作为主控芯片，主频高达600MHz　　24V供电，额定功率240W，电机额定转速为3000rpm　　伺服驱动采用标准CiA 402协议，通过TwinCAT进行实时控制　　支持轮廓位置模式(PP)，30种原点回归模式(HM)和循环同步位置模式(CSP)　　在轮廓位置模式(PP)下采用梯形曲线规划　　结合原点开关和限位开关，实现30种回零模式　　速度观测器实时进行速度观测，提高了速度的平滑性和响应速度　　结合∑-∆调制器和HPDF模块实现In-line电流采样　　GD32 emWin GUI七寸驱屏方案　　主控为GD32H759，主频高达600MHz　　采用TLI驱动LCD，分辨率为1024*600 ，电容屏触摸　　采用16-bit SDRAM，SDRAM时钟高达166MHz　　外扩OSPI-NOR FLASH/SD卡扩展应用　　AVI格式视频播放功能　　Libmad MP3音频解码　　数字表盘及时间设定功能　　一键切换系统语言功能　　自定义控件GDChart功能展示　　GD30DR3001WGTR-K 电机驱动 Demo板　　支持4.5V ~ 40V超宽工作电压范围　　优秀的驱动能力，最高Peak 6A驱动能力，持续电流可达4A　　配置了Thermal-PAD　　支持可配的驱动电流调节功能(I-trip)，对负载实现多级过流保护功能　　具有欠压锁定、过流、过温度保护等多重保护功能　　GD30DR3001优化TRise 和TFall 时间，EMI处理上更为友好　　基于GD30DC1502WGTR-I 36V 3A的同步降压转换器Demo板　　输入电压范围：4.5V 至 36V　　恒定输出电流：3A　　低导通电阻 120mΩ / 80mΩ(高端 / 低端)　　静态电流：150µA　　恒定导通时间控制，实现快速环路响应　　开关频率：520kHz　　支持高达 98% 的大占空比　　内部软启动　　基准电压：0.8V　　支持预偏置输出启动　　全面保护功能：过流保护及打嗝模式、输出过压保护、FB 开短路保护、过温保护　　采用 ESOP8 封装　　基于GD30LD1002WETR-I 1.2A 6.5V的低输入电压LDO Demo板　　输入电压范围：1.4V 至 6.5V　　输出电压范围：0.5V 至 5.2V，通过电阻分压设置　　输出电压精度高：在全电压、负载及温度范围内精度为 ±1%　　超低压差：1.2A 负载下最大压差 200 mV　　支持限流功能、短路保护、使能功能　　采用DFN3*3-8封装
2026-03-27 13:10 reading：601
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