ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

Release time：2025-05-16
author：AMEYA360
source：ROHM
reading：1203

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，达到业界先进水平。

ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

　　新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。

　　新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如，对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81%，导通电阻可降低约33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50%。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。

　　另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。

　　新产品已于2025年4月开始暂以月产50万个的规模投入量产(样品价格500日元/个，不含税)。新产品在电商平台将逐步销售。

　　ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。未来，ROHM将继续致力于提供更加节省空间并进一步提升效率的产品，助力应用产品的小型化和节能化发展，为实现可持续发展社会贡献力量。

ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

　　<开发背景>

　　近年来，为缩短充电时间，智能手机等配备大容量电池的小型设备中，配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外，为了在快速充电时支持大电流，智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求，如最大电流为20A、击穿电压*5为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而，普通MOSFET产品若要满足这些要求，就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET，而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题，ROHM开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”，非常适用于大功率快速充电应用。

　　<产品主要特性>

ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

　　<应用示例>

      ・智能手机

・VR(Virtual Reality)眼镜

・小型打印机

      ・平板电脑

・可穿戴设备

・液晶显示器

      ・笔记本电脑

・掌上游戏机

・无人机


　　此外，新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。

　　<电商销售信息>

　　发售时间：2025年4月起

　　新产品在电商平台将逐步发售。

　　产品型号：AW2K21

　　<术语解说>

　　*1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)

　　一种采用金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，是FET中最常用的类型。

　　通常由“栅极”、“漏极”和“源极”三个引脚组成。其工作原理是通过向控制用的栅极施加电压，增加漏极流向源极的电流。

　　Nch MOSFET是一种通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。

　　共源结构的MOSFET内置两个MOSFET器件，它们共享源极引脚。

　　*2)导通电阻

　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。数值越小，工作时的损耗(功率损耗)越小。

　　*3)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)

　　在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。

　　*4)GaN HEMT

　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通的半导体材料Si(硅)相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。

　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。

　　*5)击穿电压

　　MOSFET漏极和源极之间可施加的最大电压。如果超过该电压，会发生绝缘击穿，导致器件无法正常工作。


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ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！
行业新闻

ROHM全面启动新型SiC塑封型模块的网售！

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。　　这些产品可通过Ameya360平台购买。　　<产品型号>样品价格型号TRCDRIVE pack™75,000日元/个（不含税）1200V　A type (Small) (BST400D12P4A101)HSDIP2015,000日元/个（不含税）750V 4in1 (BST91B1P4K01) 6in1 (BST91T1P4K01、BST47T1P4K01)1200V 4in1 (BST70B2P4K01)DOT-24710,000日元/个（不含税）1200V　半桥 (SCZ4011KTA)　　除上述型号外，其他型号的产品也将陆续发售。　　■TRCDRIVE pack™　　TRCDRIVE pack™是适用于300kW以下xEV(电动汽车)牵引逆变器的二合一(2in1)SiC塑封型模块。该系列产品搭载了低导通电阻的第4代SiC MOSFET，与普通的SiC塑封型模块相比，可实现1.5倍的业界超高功率密度，非常有助于电动汽车逆变器的小型化。另外，产品采用ROHM自有的引脚排列方式，仅需从顶部按压栅极驱动器电路板即可完成连接，有助于减少安装工时。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用的牵引逆变器　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”~助力xEV逆变器实现小型化!　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　■HSDIP20　　HSDIP20是非常适用于xEV用的车载充电器(OBC)、 电动汽车充电桩、服务器电源、AC伺服等应用的四合一(4in1)及六合一(6in1)结构的SiC模块。该系列产品包括750V耐压6款、1200V耐压7款型号。由于已在小型模块封装中内置各种大功率应用所需的功率转换基础电路，因此有助于缩短客户的设计周期并减小功率转换电路的规模。　　<应用示例>　　车载设备：OBC(车载充电器)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：电动汽车充电桩、V2X系统、AC伺服系统、服务器电源、　　光伏逆变器、功率调节器　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化!　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　■DOT-247　　DOT-247是适用于光伏逆变器、UPS等工业设备的二合一(2in1)SiC模块。该系列产品不仅保持了功率元器件广为采用的“TO-247”封装的通用性，还实现了更高的功率密度。另外，具有半桥和共源两种拓扑，可适配多种电路结构。通过采用搭载多个分立器件的功率转换电路，减少了元器件数量和安装面积，从而有助于实现应用产品的小型化并缩短设计周期。　　<应用示例>　　车载设备：ePTO(电动取力器)、FCV(燃料电池汽车)用的升压转换器　　工业设备：光伏逆变器、UPS(不间断电源装置)、AI服务器、数据中心、　　电动汽车充电桩、半导体继电器、eFuse　　<相关信息>　　・新闻发布：ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度　　・各种设计模型可通过ROHM官网的产品页面获取　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・TRCDRIVE pack™和EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2026-02-26 15:17 reading：290
ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度
行业新闻

ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度

　　近日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，推出二合一结构的SiC模块“DOT-247”，该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。　　目前，光伏逆变器虽以两电平逆变器为主流产品，但为了满足更高电压需求，对三电平NPC、三电平T-NPC以及五电平ANPC等多电平电路的需求正在日益增长。这些电路的开关部分混合采用了半桥和共源等拓扑结构，因此若使用以往的SiC模块进行适配，往往需要定制产品。针对这一课题，ROHM将作为多电平电路最小结构单元的上述两种拓扑集成为二合一模块。该模块不仅具备应对下一代功率转换电路的灵活性，还能实现比分立器件更小的电路。　　DOT-247采用将两个TO-247封装相连的造型，通过配备在TO-247结构上难以容纳的大型芯片，并采用ROHM自有的内部结构，实现了更低导通电阻。另外，通过优化封装结构，其热阻比TO-247降低了约15%，电感降低了约50%。由此，在半桥*1结构中，可实现使用TO-247时2.3倍的功率密度，并能以约一半的体积实现等效的功率转换电路。　　采用DOT-247的新产品有半桥和共源两种拓扑结构，可适配NPC电路*2和DC-DC转换器等多种电路配置。通过在这些配备多个分立器件的功率转换电路中使用该产品，可以减少元器件数量和安装面积，助力实现应用产品的小型化，并大幅削减安装工时和设计工时。　　产品阵容包括750V耐压的4款机型(SCZ40xxDTx)和1200V耐压的4款机型(SCZ40xxKTx)。新产品暂以月产1万个的规模投入量产(样品价格：20,000日元/个，不含税)。另外，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品，也计划开始提供样品。　　为了便于客户在应用设计时立即进行评估，ROHM将陆续提供评估板，敬请联系AMEYA360垂询。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　光伏逆变器、半导体继电器、UPS(不间断电源装置)、ePTO*3、FCV(燃料电池汽车)用升压转换器 AI服务器(eFuse)，EV充电桩等　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)半桥和共源　　由两个MOSFET构成的功率转换电路的基本结构。半桥是将MOSFET上下串联连接，并从其连接点中间输出的方式。通过高低边MOSFET交替进行开关动作，可以切换输出电压的正负极性，该结构作为逆变器和电机驱动电路等高效率功率转换的基本结构而被广泛使用。　　共源是将两个MOSFET的源极引脚相连，并从各自的漏极输出的方式。通过共接源极引脚可以简化栅极驱动电路，适用于多电平逆变器等应用场景。　　*2)NPC系列多电平电路的种类　　NPC(Neutral Point Clamped)是一种将输出电压分割为+、0、-三个电平，可降低开关器件上电压负载的多电平电路方式。产生这种“0V”状态所利用的是中点，即位于正电压和负电压中间位置的连接点。　　T-NPC(T-type NPC)采用将用于稳定中点的二极管替换为MOSFET等开关器件的结构，可实现更高效率的工作。ANPC(Active NPC)通过开关对中点电位本身进行主动控制，从而实现更平滑的输出波形和更高精度的功率转换。T-NPC和ANPC适用于要求更高输出功率和更高效率的应用场景。　　*3)ePTO(electric Power Take-Off)　　利用电动车辆的电机和电池电力来驱动车辆外部工作机器或设备(液压泵、压缩机等)的系统，是传统燃油车辆中使用的PTO(Power Take-Off)的电动化版本，正在环保型商用车和工程作业车中加速普及。
2026-02-26 14:55 reading：299
ROHM课堂 | 什么是节点分析法？
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ROHM课堂 | 什么是节点分析法？

　　什么是节点分析法?　　节点分析法(节点电压法、节点电位法)是一种电路分析技术，以电路中各节点(连接点)的电位作为未知量，运用基尔霍夫电流定律(KCL)建立联立方程进行求解。作为与网孔分析法同样重要的经典电路分析方法，即使是包含众多电阻和电源的复杂电路，利用该方法也能准确求出各节点的电压。本文将详细阐述节点分析法的具体计算步骤。　　节点分析法概述　　节点分析法是将电路中各节点的电位作为未知量进行定义，并运用基尔霍夫电流定律(KCL)来表示流入和流出该节点的电流总和的分析方法。随着电路复杂程度的增加，逐个追踪各个电流和电压的难度也越来越大。通过聚焦于节点间的电位差，可将问题以联立方程的形式进行简洁明了的处理。在下图示例中，未知节点被设为“节点V”，并将其电位作为未知量处理。　　节点与参考节点(基准节点)　　通常会选择电路中的任意一点作为参考节点(接地)。以该参考节点为参考点，将其他所有节点电压均定义为相对于该点的相对电位。由于未知量的数量等于“节点数减1”，因此即使电路规模庞大，也可有效缩减联立方程的规模。　　节点分析法的理论基础　　节点分析法主要结合基尔霍夫电流定律(KCL)和欧姆定律进行分析。KCL表明流入节点的电流总和等于流出节点的电流总和，而欧姆定律则揭示了电压与电流之间的线性关系。通过与这些定律相结合，为各节点建立方程并求解联立方程，即可完成整个电路的分析。　　基尔霍夫电流定律(KCL)的应用　　对于单一节点而言，流入该节点的电流总和与流出该节点的电流总和相等：　　i1+i2+⋯+in=0　　这是节点分析的基本方程。　　节点分析的基本步骤　　下面是分阶段实施节点分析的步骤及注意事项。即使是大规模的复杂电路，只要按步骤进行，也可高效率地求解未知节点电压。本节将详细阐述采用矩阵形式(矩阵法)的计算过程(含中间步骤)。　　第一步：选择参考节点　　将电路中的一个节点设为参考节点(接地，0V)。通常，选择连接元器件最多的节点或实际电路中用作接地端子的节点，可减少未知量，使计算更简单。　　参考节点选择要点　　· 选择连接多个元器件(电阻、电源、负载等)的节点更容易建立方程。　　· 在同时存在直流电(DC)和交流电(AC)的多电源混合电路中，可能有些复杂，但选择能使计算后的处理更简单的节点作为参考点更为有利。
2026-02-10 14:24 reading：449
ROHM课堂 | 什么是开关噪声?开关电源中产生的噪声及其对策
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ROHM课堂 | 什么是开关噪声?开关电源中产生的噪声及其对策

　　开关噪声是由电流突然通断(ON/OFF)切换引发的高频振铃，尤其常见于开关电源及高速工作的半导体器件中。这类噪声虽可通过优化电路板布线实现降噪，但针对泄漏的辐射噪声，需采取专门的应对措施。此外，平行布线之间会产生串扰，进而引发感应噪声。本文将以DC-DC转换器为例，由ROHM为您详细阐述开关噪声的产生原理、电子电路设计中开关噪声对电磁兼容性(EMC)等方面的影响，以及针对这些问题的有效解决方案。　　什么是开关噪声?　　开关噪声是电子电路及电源IC(集成电路)工作过程中，由不必要的电流波动引发的高频振铃。这类噪声常见于DC-DC转换器、AC-DC转换器等高速运行的半导体器件中。开关噪声可能降低电路稳定性，还可能引发电磁兼容性(EMC)中的电磁干扰(EMI)相关问题。　　开关噪声的产生原因　　开关噪声的常见原因是由开关电源等可高速通断的半导体器件工作所导致。由此会产生急剧的电流或电压变化，进而引发纹波与噪声。　　噪声对策(噪声消除与降低)　　针对开关噪声的降低与消除，可采取以下几项对策：　　1. 使用滤波器：通过低通滤波器或高通滤波器，去除不必要的频率成分。　　2. 配置电容器：在电路的关键位置配置电容器，吸收电压波动。　　3. 电路板布局的噪声对策：尽量缩短布线长度，通过优化布局降低开关噪声(传导噪声)。　　4. 缓冲电路：使用缓冲电路吸收振铃，从而可以降低开关噪声(辐射噪声)。　　5. 自举电路的噪声对策：插入电阻，能够降低开关噪声(辐射噪声)。　　噪声对策的重要性　　通过采取有效的开关噪声对策，电路的工作会更加稳定，性能也能得到提升。尤其在高精度电子设备及工业领域的应用中，开关噪声对策更是必不可少的。　　本文后续将以DC-DC转换器为例，详细讲解所产生的共模噪声和差模噪声的相关原因及对策，此外还会深入说明串扰的定义、以及缓冲电路等的辐射噪声应对方法。理解这一系列内容后，便能实施更高级别的噪声对策。　　DC-DC转换器中开关噪声的产生原理　　开关噪声的产生原因，是电子电路或电源IC工作过程中出现的不必要电流波动，进而引发高频振铃。下面将以DC-DC转换器为例，对开关噪声进行说明。　　首先，我们将借助同步整流型降压DC-DC转换器的等效电路，确认开关电流的路径。　　查看完整内容：https://techclass.rohm.com.cn/knowledge/emc/nowisee/18796?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=251217&openid=ot4DKs6HygwKJWbVFmco7o-TQNb0
2026-01-28 13:41 reading：420
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