森国科：1200V/25A IGBT助力逆变焊机轻量设计、高效应用

Release time：2025-03-24
author：AMEYA360
source：森国科
reading：323

　　森国科推出的1200V/25A IGBT(选型：KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强，当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应，短路时间极短，仅5μs，最大工作结温扩大到175℃，有助于延长产品的使用寿命。IGBT芯片的沟槽栅场截止技术，进一步减小了正向导通时饱和压降值，优化了器件开关性能，在提高性能同时可使芯片做的更薄，有利于满足逆变频率高达20~30kHz的情况下，控制变压器体积，更便于运输搬运。

　　性能特点

　　最大结温：TJ =175°C

　　低集电极发射极饱和电压

　　易于并联使用

　　VCE(sat)正温度系数

　　低热阻

　　高鲁棒性

　　竞争优势

　　软开关能力

　　高效率

　　适用于高电压、大电流应用

　　应用领域

　　电焊机

　　不间断电源

　　电磁加热器

　　最大额定数值

森国科：1200V/25A IGBT助力逆变焊机轻量设计、高效应用

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森国科推出大功率IGBT分立器件
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森国科推出大功率IGBT分立器件

　　日前，森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。IGBT多被工程师们用来进行功率变换，以提高整体的用电效率和质量，因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见，IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放的等问题提供了关键支撑技术之一。　　森国科KG050Z12P1M1、KG075Z12P1M1 ，采用精细沟槽栅场截止型IGBT芯片结构，结构如下图示，在12寸硅晶圆生产制造。在实际场景应用中，它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。　　森国科IGBT采用软穿通FS层的设计，可有效提升开关速度，降低开关损耗;　　森国科采用精细沟槽栅元胞结构提升电流密度使的IGBT具有低导通压降，更小的导通损耗;　　森国科优化了终端结构设计和材料匹配，提升了器件的长期可靠性;　　森国科优化了芯片设计，使器件具备优秀的短路能力。　　森国科IGBT新品采用行业标准化的封装形式，便于器件在不间断电源、储能、光伏逆变器等多个领域的应用。具体应用可参考：　　1.IGBT在不间断电源(UPS)中的应用　　2.IGBT在光伏逆变器中的应用　　3.IGBT在变频器中的应用　　4.IGBT在储能中的应用　　5.IGBT在电焊机中的应用　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
2025-05-07 09:12 reading：180
森国科推出广泛用于
行业新闻

森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。　　碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。　　此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：　　交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
2025-05-07 09:09 reading：192
森国科推出650V 50A高速开关器件KG050N065LD-R
行业新闻

森国科推出650V 50A高速开关器件KG050N065LD-R

　　森国科推出的650V 50A IGBT具备业界领先的低传导损耗和高速开关性能，在交错式PFC电路中的应用中，与以往产品相比，轻负载时效率提升优势明显，重负载时效率提升了0.3%森国科IGBT系列产品提供多种封装和电流等级，以满足不同应用的需求。本期650V、50A产品提供TO-247-3L封装，在大功率应用中，TO-247-3L封装能够提供良好的热管理，延长设备使用寿命，提升综合性能。此外，它还具有良好的通用性和兼容性，能够适应多种电路设计和应用需求‌。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　高鲁棒性　　高逆变器效率　　竞争优势　　软开关能力　　高效率　　适用于高电压、大电流应用　　应用领域　　功率因数校正应用　　不间断电源　　光伏逆变器　　最大额定数值
2025-04-08 13:14 reading：286
森国科推出电焊机专用的1200V/40A IGBT芯片
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森国科推出电焊机专用的1200V/40A IGBT芯片

　　森国科推出的1200V 40A IGBT产品(型号：KG040N120HD-R)具有高效率、高可靠性和低功耗等优势，可与多种控制芯片兼容，方便与其他电子元件配合使用。这种兼容性简化了系统设计，降低了开发难度和成本广泛应用于工业焊接设备、功率因数校正应用等领域。　　性能特点　　最大结温：TJ =175°C　　低集电极发射极饱和电压　　易于并联使用　　VCE(sat)正温度系数　　低热阻　　高鲁棒性　　竞争优势　　高效率　　高可靠性　　低功耗　　应用领域　　功率因数校正应用　　电焊机　　最大额定数值
2025-04-02 13:33 reading：308
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