随着科技的不断进步,无线充电技术已经成为现代生活中不可或缺的一部分。从智能手机到电动汽车,无线充电的应用场景越来越广泛。高效、紧凑的功率器件成为了市场的迫切需求。今天捷捷微电将深入探讨几款在无线充电领域表现出色的产品:MOSFET、JSFET和ESD静电防护器件,以及它们的技术优势和应用场景。
无线充电的核心元器件—JSFET
JSFET( Junction Field-Effect Transistor)是一种场效应晶体管,广泛应用于无线充电器中。它通过控制电流的流动来实现高效的能量传输。
JSFET在无线充电器中的优势
先进SGT工艺提供更优RDS(ON)及EAS
JSFET采用了先进的SGT(Shielded Gate Trench)工艺,这种工艺不仅提供了更优的RDS(ON)(导通电阻),还显著提升了EAS(单脉冲雪崩能量)。这意味着在相同的电压和电流条件下,JSFET能够减少能量损耗,提高充电效率。
成熟工艺带来的高可靠性
JSFET的生产工艺已经非常成熟,确保了产品的高可靠性。无论是在高温还是高湿环境下,JSFET都能稳定工作,延长了无线充电器的使用寿命。
双芯片封装,节省PCB尺寸及成本
JSFET采用双芯片封装技术,不仅节省了PCB(印刷电路板)的尺寸,还降低了生产成本。这对于追求轻薄设计的现代电子设备来说,无疑是一个巨大的优势。
无线充电器的工作原理
无线充电器的核心部件包括Gate Driver(栅极驱动器)、SBD(肖特基势垒二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和Feed Coil(馈电线圈)。这些部件协同工作,确保电能能够高效地从充电器传输到设备。
Gate Driver:控制MOSFET的开关,确保电流的精确控制。
SBD:用于防止电流反向流动,保护电路。
MOSFET:作为开关元件,控制电流的通断。
Feed Coil:通过电磁感应将电能传输到接收设备。
无线充电的核心元器件—MOSFET
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在无线充电技术中扮演着至关重要的角色。无线充电系统通常包括发射端(充电器)和接收端(设备),而 MOSFET 在这两个部分中都有广泛应用。
MOSFET-JMSL0315ARD 在无线充电中的应用
高效功率转换与能量传输
发射端与接收端:在无线充电系统中,MOSFET 用于发射端的高频逆变器电路,将直流电转换为交流电,并通过接收端的整流电路将交流电转换回直流电。高效的 MOSFET 能够显著减少能量损耗,提高充电效率。
低导通阻抗与快速开关:低导通阻抗(如 JMSL0315ARD 的 6.5mΩ)和快速开关特性(低 Ciss 和 Qg)是实现高效能量传输的关键,减少导通和开关损耗,提升系统整体性能。
热管理与系统可靠性
宽结温范围:MOSFET 的宽结温范围(如 -55°C 至 150°C)确保在各种环境条件下稳定工作,增强系统的可靠性。
散热与封装设计:小型化封装(如 DFN3030-8L)不仅节省空间,还优化散热性能,减少热阻,提高散热效率,确保系统长时间稳定运行。
系统集成与性能优化
紧凑型设计:MOSFET 的小型化封装和双芯半桥方案(如 JMSL0315ARD)简化电路设计,减少元件数量,满足现代无线充电设备的小型化和便携化需求。
低损耗与兼容性:通过优化 MOSFET 的电气参数(低 Rdson、低 Ciss 和低 Qg),降低导通和开关损耗,提高效率。同时,确保与市场上其他产品的兼容性,便于设计中的互换性和性能一致性。
JMSL0315ARD 凭借其紧凑型设计、优异的电气性能和可控的封装技术,成为无线充电应用中高性能 MOSFET 的理想选择。
无线充电的核心元器件—ESD静电防护器件
在无线充电场景中,Type-C接口常用于充电和数据传输的双重功能。无线充电系统通常需要高效的功率管理和稳定的数据传输,而Type-C接口的高集成度和快速充电能力使其成为理想选择。然而,无线充电设备在使用过程中频繁插拔Type-C接口,增加了静电放电的风险。因此,在设计无线充电设备时,必须充分考虑ESD保护措施,以确保Type-C接口在高速数据传输和高功率充电中的稳定性和耐用性。捷捷微电ESD静电防护器件通过优化电路设计和采用先进的ESD防护技术,可以有效提升Type-C接口在无线充电应用中的可靠性和用户体验。
ESD静电防护器件在无线充电中的典型特性
采用标准表面贴装式DFN2510封装
快速的响应时间
出色的箝位能力
漏电流小
不含卤素且符合RoHS及Reach测试标准
产品电容低至0.3pF以下,满足对Type-C的高速传输要求
ESD防护器件、JSFET和MOSFET在无线充电器中的应用,不仅显著提升了充电效率,还大幅增强了设备的可靠性和耐用性。ESD防护器件有效防止静电放电对敏感电路的损害,确保设备在频繁插拔和复杂环境下的稳定运行。JSFET和MOSFET则通过其低导通阻抗和快速开关特性,优化了功率转换效率,减少了能量损耗,从而提高了无线充电的整体性能。
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