越来越多的客户选择使用Leiditech(雷卯电子)的PESD2ETH1GXT-Q来替代Nexperia(安世半导体)的PESD2ETH1GXT-Q、SEMTECH的RClamp10012PQ,尤其是在车载网络线路的ESD保护应用中。雷卯的产品不仅提供了更具竞争力的价格和更快的交货期,还在性能上表现出色,完全满足了汽车电子行业对高可靠性和抗静电能力的要求。
雷卯的PESD2ETH1GXT-Q优势:24V带回扫,VBR100V,钳位电压Vc 低至32.5V,能很好的保护后级电路,漏电流低,nA级别,满足IEC 61000-4-2,等级4 ,空气放电±25kV,接触放电±25kV。
判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点:
VRWM(最大工作电压) 是否接近;
抗静电能力是否接近;
VBR(击穿电压)是否接近;
CJ(结电容)是否接近;
封装类型是否一致或者兼容;
VC(钳位电压)是否接近。
雷卯的封装是SOT-23, nexperia封装是 SOT-23,SEMTECH的RClamp10012PQ的封装是DFN-5(1*2);
PCB布局上雷卯可以直接替换nexperia,无需修改电路板设计;
雷卯的 VRWM,VBR, CJ ,ESD(air,contact),VC等参数都几乎同nexperia的一样,优于SEMTECH的RClamp10012PQ,完全可以替代nexperia同型号产品和SEMTECH的RClamp10012PQ。
雷卯PESD2ETH1GXT-Q规格书主要参数部分展示如下:
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model | brand | Quote |
---|---|---|
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
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