支持16位PWM调光,集成4路LED驱动,纳芯微氛围灯驱动NSUC1500点亮座舱新体验

Release time:2024-12-16
author:AMEYA360
source:纳芯微
reading:1249

  近日,纳芯微宣布其SoC产品系列NovoGenius家族迎来新成员——高集成度氛围灯驱动SoC产品NSUC1500-Q1。

  该产品通过集成ARM® Cortex®-M3内核与4路高精度电流型LED驱动,支持16位独立PWM调光和6位模拟调光功能,能够实现更精准的调光混色控制,并有效补偿光衰现象。此外,NSUC1500-Q1系列也满足AEC-Q100 Grade 1和CISPR 25 Class 5 EMC标准,确保了产品的高可靠性和灵活性。

  这一创新产品将助力打造更高效、更具创新性的智能座舱照明方案,为用户带来更加卓越的视觉体验。

  伴随汽车个性化创新的不断推进,未来的汽车将不再仅仅是交通工具,而是演变为充满情感与智能化的移动生活空间。智能座舱的快速发展,进一步激发了终端用户对更加智能、舒适驾乘体验的强烈需求。在此背景下,车内氛围的营造日益受到重视,用户期望通过氛围灯与其他座舱应用融合交互,来提升整个座舱的沉浸感和情感连接体验。

  座舱氛围灯的角色也随之悄然转变,它不再局限于传统的照明与装饰功能,而是成为了提升驾乘体验的核心要素。通过个性化的定制、智能响应行驶状态以及增强的智能互动功能,车内氛围灯能够显著加强驾乘者的沉浸感与归属感,为每一位营造出独一无二的驾乘氛围。

  NSUC1500-Q1是一款高集成度氛围灯驱动SoC,其内部不仅搭载了ARM® Cortex®-M3处理器核心,配备了4路LED驱动电路,还集成了高精度恒流源、信号控制以及LIN接口,使得每个LED的电流都能够得到精确控制,完美适配复杂多变的氛围灯设计需求,支持对大量灯珠进行灵活调控。借助内部的高精度PWM信号,NSUC1500-Q1能够实现更为细腻平滑的调光与混色效果,并且能够有效补偿RGB氛围灯因温度波动和长期使用老化而产生的亮度衰减,确保灯光效果的持久稳定与卓越表现。

支持16位PWM调光,集成4路LED驱动,纳芯微氛围灯驱动NSUC1500点亮座舱新体验

  高系统可靠性与保护机制

  NSUC1500-Q1在系统可靠性方面表现出色,不仅满足AEC-Q100 Grade 1的严格可靠性标准,而且内置了先进的片上系统级LED诊断与保护功能。这一设计进一步增强了系统的整体可靠性,确保了氛围灯系统在各种复杂环境下的稳定运行,为用户带来更加安心、可靠的驾乘体验。

  卓越的电气特性与应用灵活性

  在电气特性方面,NSUC1500-Q1展现出了非凡的适应性和灵活性。其LIN端口具备-40V~40V过反压耐压能力,确保了在高强度电气环境下的稳健运行。BVDD引脚则支持-0.3V~40V的耐压范围,能够直接接受汽车电池12V供电,极大地简化了系统设计流程,并显著提升了应用部署的灵活性。

  集成高精度ADC,提升信号处理能力

  NSUC1500-Q1内置高性能12位SAR ADC,为氛围灯驱动提供更精准的信号处理支持。在单端模式下,其差分非线性(DNL)控制在-1LSB至0.8LSB之间,积分非线性(INL)则控制在-1.1LSB至1.1LSB范围内,保证了信号处理的高精度和稳定性。而在差分模式下,NSUC1500-Q1的DNL和INL控制范围可达到为-0.8LSB至0.8LSB,能够实现复杂光效场景下更细腻流畅的色彩过渡和亮度调节。

支持16位PWM调光,集成4路LED驱动,纳芯微氛围灯驱动NSUC1500点亮座舱新体验

  极致BOM简化,显著降低成本

  纳芯微NSUC1500-Q1以其极致精简的BOM方案,为氛围灯系统带来了显著的成本效益提升与设计优化。除了氛围灯灯珠外,其外围电路仅需5个元器件:3个电容器、1个磁珠、1个防反二极管,以及可选的TVS(瞬态电压抑制)二极管。这一精简的BOM设计,不仅显著削减了系统成本,还得以缩小PCB尺寸,实现了系统成本与性能的完美平衡。

  EMC性能卓越,缩短设计周期

  纳芯微NSUC1500-Q1还提供了针对环境照明的参考设计,在EMC(电磁兼容性)和热性能方面进行了优化。NSUC1500-Q1已经按照CISPR 25:2021标准完成了汽车EMC/EMI各项测试,并以最高等级要求Class 5成功通过测试。其卓越的EMC性能确保了产品在复杂电磁环境下的稳定运行。此外,针对特定应用的参考设计不仅经过精心优化,还充分考虑了客户的实际需求,从而极大缩短了客户的开发周期,为客户节省了宝贵的时间和资源。

支持16位PWM调光,集成4路LED驱动,纳芯微氛围灯驱动NSUC1500点亮座舱新体验

  Cortex-M3核心,提升可扩展性

  纳芯微NSUC1500-Q1采用Arm® Cortex® -M3核心,并在此基础上融入了丰富的可扩展性(包括存储和封装选项),不仅支持灵活的平台设计,也为环境照明应用提供了具有高性价比的解决方案。

  NSUC1500-Q1的主要特性

  32位ARM® Cortex®-M3

  32 KB闪存,2 KB SRAM,2 KB EEPROM,15KB ROM集成UDS引导加载程序

  片上高精度晶振,主频为32MHz

  35KHz 低功耗和低速时钟

  工作电压范围6.0V~28V

  4路高精度电流型LED驱动,最高驱动电流达64mA

  支持16位独立PWM调光和6位模拟调光

  1路12位高精度ADC,采样速率高达1.5Msps

  LIN PHY支持LIN2.x标准和SAE J2602

  支持多种故障诊断,如LIN诊断、RGB诊断和供电电压监测,支持热关断功能

  休眠模式典型功耗20μA

  满足AEC-Q100 Grade 1标准

  封装:QFN20/SOP8/HSOP8

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纳芯微丨AI 服务器电源功率密度提升,隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战?
  随着 AI 服务器电源功率密度和运行频率持续提升,系统对关键节点电压、电流的采样精度、响应速度和隔离安全提出了更高要求。  在服务器电源系统中,从 AC/DC PFC 输入级到 DC/DC LLC 谐振级,各级功率转换均依赖精确的电压、电流监测数据,以支撑系统高效、稳定运行。在高压、高频、高功率密度工作条件下,如何在高压侧与低压控制侧之间实现可靠的物理隔离,并保障关键信号的准确、及时传输,成为系统设计中的重要问题。  隔离采样技术可在高压侧与低压控制侧之间建立安全隔离,同时实现电压、电流等关键信号的采集与传输,帮助降低高压串扰、雷击或瞬态过压等因素对低压控制电路的影响,并为系统控制与保护提供必要反馈。  01  隔离采样技术演进  从基础隔离到智能集成  纳芯微隔离采样产品矩阵体现了从基础隔离采样向集成化、智能化方向的演进。  以 0–2V 单端输入的 NSI1311 为起点,纳芯微隔离采样产品逐步向隔离电压采样、隔离电流采样和隔离比较器等方向拓展。  在隔离电压采样方向,产品由单端输入的 NSI1311,发展至差分输入的隔离运放 NSI1312 和差分输入的隔离 ADC NSI1316,进一步覆盖不同应用需求。随着产品迭代,集成化趋势更加明显。NSI36xx 系列将隔离 DC-DC 电源集成于采样芯片内部,有助于简化高压侧供电设计。其中,NSI36CxxR 版本进一步集成比较器和运放,可简化系统电路,并支持硬件过流、过压保护。  在隔离电流采样方向,产品由 NSI1300 演进至 NSI1400/1200C 系列,并推出了集成隔离电源的 NSI360x 系列。  面向快速响应和简化设计需求,纳芯微推出隔离比较器 NSI22C12。该产品集成窗口比较器、隔离通道及高压侧 LDO,可用于实现过压或过流保护,尤其适用于服务器电源 LLC 谐振腔的快速过流保护场景。  在服务器电源系统中,PFC 电路通常负责对输入交流电进行整形和升压,LLC 谐振拓扑随后完成 DC/DC 变换并形成最终输出。整个能量转换链路的安全、稳定运行,依赖于对关键节点电压和电流的精确监测。  纳芯微隔离采样芯片可部署于服务器电源各核心监测点,覆盖 PFC 输入电压/电流检测、PFC 输出电压检测、LLC 谐振腔电流检测与快速过流保护,以及 DC/DC 输出电流检测等环节,支持电源系统实现从输入到输出的全链路监测与保护。  02  三款新品详解  面向服务器电源的集成化设计  服务器电源对功率密度、可靠性和效率要求较高。围绕不同层面的设计挑战,纳芯微推出了三款新品。  首先是集成隔离电源的 NSI36xx 系列。相较于上一代 NSI13xx 系列,NSI36xx 系列进一步提升了集成度。传统方案通常需要分别为高压侧和低压侧设计供电电路,在浮地采样等场景下,设计复杂度和 PCB 占板面积较高。  NSI36xx 系列仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作,可省去高压侧供电电路设计,降低电源设计复杂度,并节省约 30%–50% 的板上面积,在空间受限的服务器电源系统中具备应用优势。  NSI36CxxR 是该系列的差异化产品,集成内部比较器和单端准差分运放,可在百纳秒级时间内检测异常并触发保护机制,提升系统安全性和可靠性。  第二款新品是 0–4V 宽压输入的隔离电压采样运放 NSI1611。面向服务器电源向更高电压发展的趋势,NSI1611 将输入范围扩大一倍,有助于提升系统抗干扰能力和采样精度。  在相同扰动电压下,更宽的输入范围可降低扰动对采样结果的相对影响。同时,NSI1611 在保持 1GΩ 高阻输入的基础上拓宽输入范围,可进一步提升系统采样精度。  NSI1611 提供单端输出或比例输出版本。其中,比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片 Reference 引脚,由芯片完成差分转单端转换及简单自适应放大,帮助客户充分利用后级 ADC 满量程,提升整体采样精度。  第三款新品是面向快速保护设计的隔离比较器 NSI22C12。在服务器电源谐振腔过流采样中,传统方案通常采用 CT 方案或分立方案。CT 方案体积较大,输入端还需增加额外调理电路,会增加成本和 PCB 占板面积;在 DC 负载过流保护中,部分客户则采用普通比较器搭配高速光耦或数字隔离器的分立方案。  NSI22C12 采用单芯片集成设计,集成窗口比较器,支持正负阈值设定;同时集成内部隔离通道,比较后可直接输出隔离数字信号。其高压侧集成高压 LDO,供电范围为 3.1V 至 27V,可直接接入驱动供电,简化外围供电设计。  该产品保护延时最大仅 250 纳秒,可用于快速过压、过流检测,帮助服务器电源系统在异常工况下及时触发保护机制,提升系统控制的安全性和可靠性。  03  服务器电源应用  从PFC到DC/DC全链路保护  在典型服务器电源架构中,隔离采样芯片可部署于电能转换链路的关键环节,用于实现电压、电流检测及保护反馈。  电源系统通常始于 PFC 电路。PFC 电路负责对输入交流电进行整形和升压,优化电网供电质量,并为后级电路提供稳定的高压直流电源。纳芯微隔离采样芯片可部署于 PFC 输入端和输出端,实时监测输入电压/电流及输出电压,为 PFC 控制回路提供关键反馈信号。  随后,LLC 谐振电路完成 DC/DC 转换,将高压直流电转换为服务器主板所需的低压直流电。在这一环节,谐振腔电流检测与过流保护尤为关键。纳芯微隔离比较器 NSI22C12 凭借低于 250 纳秒的快速响应时间,可检测异常电流并触发保护机制,帮助降低功率器件损坏风险。  在输出端,DC/DC 输出电流检测同样需要高精度隔离采样。通过监测输出电流,电源管理系统可根据不同负载条件调整工作状态,提升系统运行效率与稳定性。  通过覆盖 PFC 输入/输出、LLC 谐振腔及 DC/DC 输出等关键环节,纳芯微隔离采样产品可支持服务器电源实现从输入到输出的全链路监测与保护。  04  精度、安全与成本  隔离采样的三重优势  纳芯微隔离采样芯片从采样精度、隔离安全和系统成本三个方面,为服务器电源设计提供支持。  在采样精度方面,NSI1611 系列输入偏置电压优化至 ±0.8mV,较前代产品的 ±1.5mV 进一步降低;增益温漂由前代的 45ppm/℃ 优化至 40ppm/℃,提升全温区精度稳定性。其采样带宽达到 330kHz,可适配 SiC、GaN 等高频开关器件控制需求,满足系统高动态响应要求;  在隔离安全方面,纳芯微“隔离+”产品提供高于基础隔离要求的安全等级,帮助系统建立高低压安全边界。NSI1611 系列隔离耐压可达 5700Vrms,最大浪涌隔离耐压 VIOSM 可达 10kV,可适配高温、高压等严苛应用环境;  在系统成本方面,集成隔离电源的 NSI36xx 系列可省去外置隔离电源模块,降低整体 BOM 成本约 10%–20%;同时可节省 PCB 面积约 30%–50%,有助于实现更小型化的电源设计。NSI1611 的单端输出信号可直接接入 MCU 的 ADC 接口,省去传统差分输出方案所需的后级运放及调理电路,进一步降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
2026-06-03 10:02 reading:199
纳芯微丨AI服务器电源揭秘 ,水有水源,算力有电源
纳芯微荣获联合电子2026生态伙伴峰会“优秀供应商奖”
让驱动状态可视可控,纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux
  纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列,该系列基于明星产品NSI6602全面升级,驱动侧电压提升至32V,相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。  此外,NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能,并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。  输入/输出侧电源状态反馈,  助力功率器件开关安全  在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中,驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用,器件驱动阈值更敏感、响应速度更快,这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。  传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪,这不仅增加系统复杂度,还可能因延迟或干扰带来误驱动风险,进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患,同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。  纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能,可实时输出芯片供电状态,直接反馈至MCU/DSP,实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路,即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险,从系统架构层面提升功率器件开关安全性。  NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比  高性能驱动与多重保护协同,  提升系统可靠性与效率  NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力,可直接驱动IGBT、SiC等功率器件,支持最高2MHz开关频率,无需额外增设缓冲器或驱动放大电路,显著简化外围设计。  器件支持最高32V驱动电压,并集成欠压锁定(UVLO)保护,可有效应对高压冲击场景。同时,内置输入侧IN+/IN-互锁功能,从硬件层面避免上下桥臂直通风险,大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外,通过DT引脚可灵活配置死区时间,搭配多档UVLO阈值选择,进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。  在性能方面,NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真,处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI,有效抑制共模干扰,避免延时波动,在复杂工况下仍可保持稳定运行。  灵活控制与接口兼容设计,  降低系统复杂度与BOM成本  NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置,可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电,可直接兼容MCU、DSP,无需额外电平转换电路。  通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑,有效降低系统设计复杂度与BOM成本,同时提升整体方案的通用性与可扩展性。  NSI6602Ux产品特性:  5.7kVrms隔离耐压,可驱动高压SiC和IGBT  高CMTI:150kV/μs  输入侧电源电压:2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护  驱动侧电源电压:最高可达 32V  峰值拉灌电流:+4A/-6A  驱动电源欠压:8V/17V两档可选  支持输入、输出侧电源监控上报RDY  可编程死区时间  支持使能逻辑控制  典型传播延时:45ns  工作环境温度:-40℃~125℃  符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准  符合RoHS标准的封装类型:SOW14/16,SOP16  通过UL、VDE、CQC等多项安全认证  NSI6602Ux典型应用电路  封装与选型  纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产,产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装,可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品,可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。  NSI6602Ux系列选型表
2026-05-22 10:31 reading:464
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