罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

Release time:2024-05-17
author:AMEYA360
source:罗姆
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  随着向无碳社会的推进以及能源的短缺,全球对可再生能源寄予厚望,对不断提高能源利用效率并改进逆变器技术(节能的关键)提出了更高要求。而功率元器件和模拟IC在很大程度上决定了逆变器的节能性能和效率。通过在适合的应用中使用功率元器件和模拟IC,可以进一步提高逆变器的功率转换效率,降低工业设备的功耗,从而实现节能。本文将为您介绍在新型逆变器中应用日益广泛的先进功率元器件模拟IC的特性及特点。

  什么是具有节能效果的逆变器?

  逆变器是用来将直流电(DC)转换为交流电(AC)并有效地提供所需电力的设备。使用效率高的逆变器,可以更大程度地提高设施和设备的性能并降低能耗。

  提到逆变器,很多人通常可能会认为它是在FA应用中用来控制电机的技术,或者用来使电泵、风门、风扇、鼓风机、空调等平稳运行的技术。其实,有效地转换电能也是逆变器的一个主要用途,是使工业设备更节能的关键技术。特别是在追求无碳社会和碳中和的进程中,太阳能发电设施中使用的光伏逆变器市场和充电桩市场不断增长,从而对具有出色能量转换效率的逆变器的需求也日益高涨。接下来将围绕逆变器的功率转换进行具体说明。

罗姆:先进的半导体功率元器件和模拟IC助力工业用能源设备节能

  逆变器及其相关的功率元器件解决方案在促进包括太阳能发电系统在内的各种工业设施和设备的节能和效率提升方面发挥着核心作用。另外,逆变器的高效运作高度依赖于半导体技术的进步。通过使用先进的半导体,可以使逆变器更高效、更稳定地工作。此外,还可以延长设备的使用寿命,先进半导体产品能够带来诸多好处。

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  为什么必须要使逆变器更加节能?

  逆变器本身已经不是一项新技术,大家所用的设施和电气设备中都有可能配有逆变器。然而,如今对使用中的设施和设备中的逆变器进行改进的需求越来越多。

  其主要原因之一是制造现场的用电量增加。目前,很多生产设施的自动化和智能化程度都越来越高。尽管单台设备都更加节能,但从设施整体看,用电量却在增加,这种情况屡见不鲜。要想更大程度地发挥出设施的节能性能,逆变器也需要具备相应的性能。

  另一个主要原因是设备电压提升以及对设备小型化、轻量化的要求提高。例如,在太阳能发电设施中,电压越来越高,功率调节器却越来越小、越来越轻,这就要求作为功率转换设备的逆变器能够满足这些需求。

  功率元器件是提高逆变器节能效果的关键所在

  使用逆变器进行功率转换时,大约有90%的功率损耗是由功率元器件造成的。

  因此,可以毫不夸张地说,功率元器件的性能决定了逆变器的性能。

  在工业设备领域,以往主流的Si功率元器件正在被SiC功率元器件GaN功率器件快速取代。在逆变器领域也呈现同样的趋势。

  那么,应该如何为逆变器选择合适的功率元器件呢?

  事实上,并不是仅仅更换为新的SiC元器件或GaN器件即可解决问题。这是因为设施的规模和需求不同,相应的解决方案也会不同。根据设施需求和用途选择合适的功率元器件解决方案,就可以实现性价比更高和能量转换效率更出色的逆变器,从而通过逆变器实现节能。

  例如,ROHM的功率元器件产品群具有以下特点:

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  解决不同课题和困扰的各种半导体产品的特点及优势

  理想的功率元器件解决方案会因逆变器的用途和需要解决的问题和困扰而有所不同。那么,具体而言,哪些需求更多呢?如果分得太细,涵盖的范围将非常广,所以在这里仅介绍具有代表性的需求以及相应的理想功率元器件解决方案。

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  1. 希望优先提高转换效率

  当希望优先提高转换效率、提高发电量时,建议采用SiC MOSFETSiC SBD等SiC器件。SiC器件具有耐压高、导通电阻低和开关速度快的优异特性,因此用SiC器件替代Si器件可以提升转换效率,有助于提高发电量。

  例如,当要通过家用光伏逆变器提高平均照度下的发电量时,用SiC器件替代Si器件可将发电量提高3.4%左右,即1kW~2kW时的发电能力预计可改善约45W(全年210kWh)*。另外,对于支持高电压和大电流的逆变器的需求也与日俱增。

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  *发电5kW时约为130W(全年570kWh)。

  2. 希望既能提高转换效率,又能降低成本

  既希望提高转换效率,又希望降低成本。Hybrid-IGBT可以满足这样的需求。Hybrid-IGBT是在传统IGBT的反馈单元(续流二极管)中使用了ROHM低损耗SiC SBD的Hybrid型IGBT,与传统的IGBT相比,可以大大降低导通时的开关损耗。

  该系列产品非常适用于诸如电动汽车(xEV)中的车载充电器和DC-DC转换器、太阳能发电系统中的光伏逆变器等处理大功率的工业设备和汽车电子设备,具有功率损耗低于Si器件、成本效益优于SiC器件的优点。

  另外,对于太阳能发电设施中使用的逆变电路、图腾柱PFC电路和LLC电路,建议使用融入了Super Junction技术的PrestoMOS™。PrestoMOS™通过采用ROHM专利技术,同时实现了业界超快反向恢复时间和原本难以同时实现的低导通电阻,与同等的普通产品相比,更有助于逆变器节能。

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  * PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  3. 希望有助于设备的小型化和轻量化

  不仅要求设备的节能性能出色,还希望设备的体积更小。尤其是在太阳能发电设施中,分布式系统的普及要求减轻设备重量以降低安装成本,因此相应的产品呈现小型化趋势。针对此类需求,建议采用GaN器件,这种器件在现有的集中式光伏逆变器中作为替代品已经开始普及,是非常适用于微型逆变器的器件。

  GaN器件具有出色的开关特性和高频特性,因而在市场上的应用日益广泛。不仅如此,其导通电阻也低于Si器件,在助力众多应用实现更低功耗和小型化方面被寄予厚望。

  在太阳能发电设施所用的光伏逆变器中,在其MPPT(Maximum Power Point Tracking)和蓄电单元采用GaN器件,与采用SiC器件时相比,可以进一步降低构成电路的线圈部件的电感值(L),从而能够减少绕线匝数、或使用尺寸更细的芯材,因此有助于大大缩小线圈的体积。另外,还可以减少电解电容器的数量,与Si器件(IGBT)相比,所需安装面积更小。ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并一直致力于进一步提高器件的性能。

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  * EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

  另一种推荐方法是利用上述第1节中介绍的SiC MOSFET在高温环境下优异的工作特性优势。由于这种器件的容许损耗低,发热量少,因此可通过与合适的外围元器件相结合来减小散热器件的数量和尺寸,从而减轻逆变器的重量。

  模拟IC

  与功率元器件一样,电源IC栅极驱动器模拟IC对逆变器的性能影响也很大。电源IC可以控制设备运行所需的电压,是相当于电气设备心脏的重要器件,起到将电压转换为合适的电压并稳定供电的作用。栅极驱动器可以控制MOSFET和IGBT的驱动,通过控制栅极电压来执行ON/OFF开关动作。由于大部分功率损耗发生在开关过程中,因此栅极驱动器对于提高节能性能而言是非常重要的器件。栅极驱动器不仅适用于使用大电流的工业设备,还适用于要求高耐压的应用。

  电源IC

  对于逆变器用的电源IC,推荐采用内置SiC MOSFET的电源IC。这种产品已经将SiC MOSFET内置于电源IC中,应用产品无需进行SiC MOSFET驱动电路设计,因此可以大大减少元器件数量,并且可以利用保护电路实现安全的栅极驱动。

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  栅极驱动器IC

  虽然SiC MOSFET和GaN器件的性能很高,但它们的开关控制较难,因此离不开高性能的栅极驱动器IC。ROHM拥有可以更好地驱动上述各种功率器件的丰富的栅极驱动器IC产品群。例如,ROHM开发的GaN用栅极驱动器IC,可以更大程度地激发出GaN的高速开关性能,助力应用产品实现节能和小型化。

  分流电阻器

  在电流检测用途中使用的分流电阻器也是有助于大功率应用产品小型化的重要元件。随着应用产品的功率越来越高,对于能够处理大功率且阻值低的分流电阻器的需求也不断增长。

  分流电阻器的亮点在于其优异的散热性能和出色的温度特性。ROHM的产品阵容中包括支持高达4W~10W级额定功率的低阻值分流电阻器GMR系列,使用该系列产品,即使在大功率条件下工作也能实现高精度的电流检测,有助于设备的安全运行以及节能和小型化。

  总结

  为提高能源利用率,逆变器技术正在突飞猛进地发展,并已成为包括工业应用在内的各种能源设备不可或缺的组成部分。利用这项技术,可以通过将直流电转换为交流电并根据需要优化供电,来减少能源浪费并延长设施和设备的使用寿命。另外,通过使用符合应用需求和目的的理想半导体解决方案,可以进一步提高逆变器的功率转换效率。ROHM通过推动先进功率元器件和模拟IC在逆变器中的应用,来促进各种设备的节能,从而为实现可持续发展社会贡献力量。

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马自达与罗姆开始联合开发采用下一代半导体的汽车零部件
  ~通过GaN功率半导体的社会应用,助力汽车技术创新~  Mazda Motor Corporation(以下简称“马自达”)与ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓(GaN)功率半导体的汽车零部件。  (左)马自达董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎/(右)罗姆董事、专务执行官 东克己  马自达与罗姆自2022年起,在“针对电驱动单元的开发与生产合作体系”中,一直在推进搭载碳化硅(SiC)功率半导体的逆变器的联合开发。此次,双方又着手开发采用GaN功率半导体的汽车零部件,旨在为下一代电动汽车打造创新型汽车零部件。  GaN作为下一代功率半导体材料备受瞩目,与传统的硅(Si)基功率半导体相比,其不仅能够抑制功率转换过程中的损耗,还可高频驱动,有助于实现产品的小型化。  双方将充分利用这些特点,将其转化为整车的总布置、轻量化及设计方面的创新型解决方案。双方计划在2025年度内将这一理念落地,并通过Demo车进行试验,力争在2027年度投入实际应用。  马自达 董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎 表示:“在迈向碳中和的过程中,电动化进程加速,罗姆凭借其卓越的半导体技术和先进的系统解决方案构建能力,致力于创造可持续出行的未来社会。我们非常高兴能够与罗姆在电动汽车零部件的开发与生产方面进行合作,双方将携手并进,致力于共创半导体元器件与汽车双向直联的新价值链。马自达将通过与志同道合的合作伙伴企业之间的合作,向客户提供在电动汽车中也能畅享驾驭魅力的、充满‘驾乘乐趣’的产品。”  罗姆 董事兼专务执行官 东克己 表示:“非常高兴能够与致力于追求‘驾乘乐趣’这一汽车本质魅力的马自达合作,共同面向电动汽车领域开发汽车零部件。支持高频工作的罗姆EcoGaN™和能够充分发挥其性能的控制IC相结合的解决方案,是实现节能和小型化的关键。为扩大该解决方案在实际应用,罗姆非常重视与广大企业的合作。在GaN的开发与量产方面,已与众多合作伙伴建立了多样化的合作关系。此次,通过与致力于打造‘与地球及社会共存共生的汽车’的马自达开展联合开发,我们将能够从应用和终端产品开发的角度深入了解对GaN产品的需求,从而为推动GaN功率半导体的普及,进而为创造可持续出行的未来社会做出贡献。”  ・EcoGaN™是 ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-03-28 15:09 reading:258
ROHM罗姆实现业界超高光辐射强度的小型表贴型近红外LED
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出小型顶部发光型表贴近红外 (NIR)*1 LED新产品,非常适用于VR/AR*2设备、工业光学传感器、人体感应传感器等应用。  近年来,在VR/AR设备和生物感测设备等领域,对使用了近红外(NIR)的先进感测技术的需求不断增加。由于这些技术用于眼动追踪、虹膜识别、血流量和血氧饱和度测量等应用,因此对精度的要求非常高。另外,应用产品的小型化、低功耗化以及设计灵活性的提升也备受重视。  此外,在工业设备领域,随着精密打印机控制和自动化系统的发展,近红外LED的作用日益重要。在这种背景下,ROHM通过提供小型封装和各种波长的丰富产品群,助力提高设计灵活性,并扩大客户的选择范围;同时通过实现更高的光辐射强度,助力实现更高精度和更加节能的应用产品。  新产品共有3种封装,6款型号。超小(1.0×0.6mm)超薄(0.2mm)的PICOLED™系列*3有“SML-P14RW”和“SML-P14R3W”2款型号。业界标准尺寸(1.6×0.8mm)系列有窄指向角的圆透镜型“CSL0902RT”和“CSL0902R3T”以及宽照射范围的平透镜型“CSL1002RT”和“CSL1002R3T”共4款型号。每种封装都有850nm(SML-P14RW为860nm)和940nm两种波长,用户可根据应用需求进行选择。  850nm波长与光电晶体管和相机感光元件之间的兼容性非常好,适用于VR/AR眼动追踪和物体检测等追求高灵敏度的应用,而940nm波长不易受阳光影响,发光时不会呈现红色,因此适用于人体感应传感器等应用。此外,在脉搏血氧仪等生物感测应用中,还可用于测量血流量和血氧饱和度(SpO₂)。  光源采用了源于ROHM自主生产制造优势的自有技术,配备了对发光层结构进行了优化的NIR元件。通过这一技术,实现了在小型封装中难以实现的业界超高光辐射强度*4。例如,“SML-P14RW”与同为1006尺寸的普通产品相比,在相同电流值条件下可以实现约1.4倍的光辐射强度,而在相同光辐射强度下,功耗可以降低约30%。这不仅提高了感测精度,还可以降低应用设备整体的功耗。  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产。前道工序的生产基地为ROHM总部工厂(日本京都市),后道工序的生产基地为ROHM Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(马来西亚)和ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(中国)。新产品还支持电商销售,通过Ameya360等电商平台均可购买(样品价格140日元/个,不含税)。未来,ROHM将继续致力于提供支持下一代感测技术的创新光源解决方案,为VR/AR市场和工业设备市场创造新的价值,同时为实现可持续发展社会贡献力量。  小型NIR LED产品阵容  罗姆还可提供接收NIR用的“光电晶体管”。  应用示例  · VR/AR设备(眼动追踪、手势识别)  · 脉搏血氧仪(血流量和血氧饱和度测量)  · 工业光学传感器(物体通过检测、位置检测)、自助收银机(纸币、卡片检测)、便携式打印机(纸张检测)  · 家电遥控器(IR数据通信)、扫地机器人(地面检测)等  电商销售信息  电商平台:Ameya360  产品型号:SML-P14RW、SML-P14R3W、CSL0902RT、CSL0902R3T、CSL1002RT、CSL1002R3T  1枚起售  术语解说  *1)近红外(NIR:Near Infrared)  波长范围为780nm~1000nm。主要用于传感器、通信和测量领域,适合高精度的距离测量和识别应用。  *2)VR/AR(Virtual Reality:虚拟现实、Augmented Reality:增强现实)  VR是一项可使用显示器或屏幕在封闭的空间中体验逼真现实感的技术。AR是一项使用显示器或屏幕将一些信息融入现实世界的信息中来人为扩展现实世界的技术。这些技术也被统称为“XR(Cross Reality [Extended Reality])”。  *3)PICOLED™系列  ROHM利用元件制造工艺优势开发而成的超小超薄贴片LED系列产品,非常适用于小型便携设备和可穿戴设备。  *4)光辐射强度(Radiant Intensity)  发光器件在特定方向上辐射能量强弱的指标(单位:W/sr),是决定LED输出强度和光接受端的检测性能的重要因素。  注)“PICOLED™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-03-26 14:17 reading:256
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
  ~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低导通电阻*¹和超宽SOA范围*²的Nch功率MOSFET*³。  新产品共3款机型,包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*⁴电路的“RS7E200BG”(30V),以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。  随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速,对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外,对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势,预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要 24小时不间断运转(始终通电),因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗,会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中,其导通损耗占比较高,因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外,服务器配备了热插拔功能,可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备,在更换等情况下,服务器内部会产生较大的浪涌电流*⁵。因此,更大的安全工作区范围(宽SOA范围)对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此,ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装,与以往封装形式相比,封装内部的芯片可用面积增加,从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率 MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。  新产品均采用新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装,与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比,封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻,30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.),80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.),非常有助于提高服务器电源电路的效率。  另外,通过优化封装内部的夹片形状设计,提高了散热性能,同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”,其SOA范围达70A以上(条件:脉冲宽度=1ms、VDS=12V时),与以往的HSOP8封装产品相比,在相同条件下SOA范围提高了一倍,从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格:710日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售。  ROHM计划在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET的量产。未来, ROHM将继续扩大相关产品阵容,为应用产品的高效运行和可靠性提升贡献力量。  <产品阵容>  <关于EcoMOS™品牌>  EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富,已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求,通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。  ・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  <应用示例>  企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路  AI(人工智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路  工业设备48V系统电源(风扇电机等)  <电商销售信息>  开始销售时间:2025年2月起  产品型号:RS7E200BG、RS7N200BH、RS7N160BH  <术语解说>  *1)导通电阻(RDS(on))  MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,运行时的损耗(电力损耗)越少。  *2)SOA(Safe Operating Area)范围  元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏,特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中,需要考虑SOA范围。  *3)功率MOSFET  适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,相比Pch MOSFET,具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。  *4)热插拔控制器(HSC:Hot Swap Controller)  可在设备的供电系统运转状态下插入或拆卸元器件的、具有热插拔功能的专用IC(集成电路),发挥着控制插入元器件时产生的浪涌电流,并保护系统和所连接元器件的重要作用。  *5)浪涌电流(Inrush Current)  在电子设备接通电源时,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,所以通过控制浪涌电流,可防止设备损坏并提高系统稳定性。
2025-03-06 14:24 reading:328
罗姆入选“CDP气候变化”与“CDP水安全”管理“A级”榜单企业
  ~“气候变化”领域为首次入选,“水安全”领域已连续四年入选~  全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)被主要对企业等的环境相关战略及举措进行评估和认证的国际非营利组织CDP(总部位于英国)评为“CDP气候变化领域A级榜单企业”、“CDP水安全领域A级榜单企业”。  在最高级“A级榜单企业”的评定中,罗姆在气候变化领域为首次入选,在水安全领域已经连续第四年入选。  CDP是环保领域的国际非营利组织,运营针对企业和地方政府的全球环境信息披露系统,实施“气候变化”和“水安全”等环境信息调查并公布相应的调查结果。  本调查与TCFD框架完全一致,其评分被广泛用于面向可持续且有韧性的净零经济相关投资和采购决策。2024年,有700多家金融机构申请通过CDP平台披露其有关环境影响、风险和机遇相关的数据;约有24,800家企业填报的调查问卷,创历史新高。调查问卷从“披露的全面性”、“环境风险的认知和管理”和“设定远大目标”等角度,分领导力等级(A、A-)、管理等级(B、B-)、认知等级(C、C-)和披露等级(D、D-)共8个等级进行评估。  <环保举措>  罗姆在“2050环境愿景”中宣布,将致力于实现“温室气体净零排放”和旨在消除对有限资源的浪费的“更大程度地循环利用资源”。  ・关于水资源管理  罗姆制定“2030年水回收再利用率比2019年实绩提高5.5%以上”的目标,管理全球旗下企业的取水量、排水量和用水量,致力于水资源再利用和削减取水量。另外,针对洪水等风险,罗姆还建立了业务持续性 管理体系,并实施了一系列相关措施,比如为每个基地实施风险评估并制定生产持续性计划;建设考虑到防洪措施的新厂房等。从2024年开始,为了确保公开数据的透明性和准确性,罗姆还开始接受针对取水量和排水量的第三方验证审查。  ・关于气候变化对策  罗姆制定“到2030年度,温室气体排放量(范围1和2)较2018年度降低50.5%以上”的目标,致力于 通过在全球旗下企业引进环保型设备和能源转换来削减使用量。从2024年开始,扩大了第三方验证的范围,将本公司计算的温室气体排放量范围1和2的验证率设定为100%,并引进内部碳定价(ICP)机制,推进脱碳经营。  另外,罗姆还宣布,计划到2050年,国内外所有业务活动中使用的电力,将100%来自可再生能源。包括海外主要生产工厂在内的多个罗姆基地,已经100%采用可再生能源运营。截至2023年,可再生能源占比已达43%,计划到2030年将该数据提高到65%。  今后,罗姆将再接再厉,为实现可持续发展的社会,继续致力于推进CSR活动并解决社会问题,努力成为能够满足利益相关者期望的企业。  了解罗姆可持续发展相关的更多信息,请点击这里
2025-02-27 15:01 reading:379
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