安森美:直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑解析

发布时间:2024-02-29 14:06
作者:AMEYA360
来源:安森美
阅读量:1574

  充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素,为了缩短充电时间,业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。超快速DCFC和超快速充电桩绕过了电动汽⻋的车载充电机(OBC),直接向电池提供更⾼的功率,并根据电池容量以200A-500A的额定电流进⾏充电,以更高功率充电来实现大幅减少充电时间的目标。

  正如安森美(onsemi)电源方案部执行副总裁兼总经理Simon Keeton日前在CES2024上接受采访时所述,电动汽车市场数量的不断激增,为缓解消费者对其里程焦虑与充电焦虑,配置双向OBC可以实现快速充电,还可将电动汽车当作分布式储能站回馈电网帮助消峰填谷,是一种颇具成本效益的方法。此外,他还表示从化石能源到光伏等新型能源基础设施以及储能系统,通过DCFC为电动汽车高效充电,是实现可再生能源转型的大趋势,对此安森美有着一系列的创新技术与产品能够为汽车合作伙伴带来优化的解决案。

  为了实现更快的充电,以适配更高的电动汽车电池电压并提高整体功率效率,DCFC必须在更高的电压和功率水平下运行,这给OEM制造商带来的挑战是必须设计一种能在不影响可靠性或安全性的情况下优化效率的架构。由于DCFC和超快充电桩集成了各种元器件,包括辅助电源、传感、电源管理、连接和通信器件,同时需要采⽤灵活的制造⽅法以满⾜各种电动汽⻋不断变化的充电需求,这给DCFC和超快速充电桩设计带来更多的复杂性。

安森美:直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑解析

  不同的制造商可提供额定电流为40A、48A和80A的商用2级交流充电桩。此外,制造商还开发了双向2级交流充电桩以⽀持配备双向OBC(功率⾼达11-22kW)的电动汽⻋。

  图2显⽰出交流充电和直流充电之间的差异,对于交流充电(图2左侧),将OBC插⼊标准交流插座,OBC将交流电转换为适当的直流电为电池充电。对于直流充电(图2右侧),充电桩直接给电池充电。

  当今的电动汽⻋配备了最⼤额定功率为22kW的依靠交流充电的OBC,而直流充电可提供更⾼的功率(通常为25kW-400kW,在某些情况下⾼达1MW)并绕过OBC直接向电池充电,这大大节省充电时间以及增加的便利性为电动汽⻋带来了更多的使用场景。如果电动汽⻋需要八小时才能充满电,对于⻓途驾驶来说则并不实⽤。

  借助超快速充电桩,电动汽⻋可以在驾驶员休息时⼤量充电,从⽽增加⻋辆通⽤性。因此,到2030年,快速和超快速直流充电桩的复合年增长率预计将超过30%以上(来源:Yolé Development)。

  ⼤多数新型DCFC充电桩均采⽤双CCS连接器和24英尺长电缆来开发,可根据电动汽车的电池容量以100A-300A的速率对电动汽车进行充电,下一代直流超快充电桩可以以高达500A的大电流充电,并提供400kW的功率。另一个例子是特斯拉充电桩,在其135kW和350kW充电站中使用专用的NACS连接器。福特、通用汽车、Rivian和其他充电桩制造商如ChargePoint、EVGo、Triump和Blink都支持在未来的电动汽车和充电桩中使用NACS连接器。

  事实上,为助力客户电动汽车直流超快速充电桩DCFC和储能系统ESS提供双向充电功能设计,在前不久的一次采访中,安森美电源方案事业群工业方案部高级总监Sravan Vanaparthy提到安森美已推出了九款全新EliteSiC功率集成模块(PIM),基于碳化硅的解决方案将具备更高的效率和更简单的冷却机制,显著降低系统成本,与传统的硅基IGBT解决方案相比,尺寸最多可减小40%,重量最多可减轻52%。这更紧凑、更轻的充电平台,将为设计人员提供快速部署可靠、高效和可扩展的直流快充网络所需的所有关键构建模块,实现在短短15分钟内将电动汽车电池充电至80%。该系列PIM采用第三代M3S SiC MOSFET技术,提供超低的开关损耗和超高的效率,同时支持多电平T型中性点钳位(TNPC)、半桥和全桥等关键拓扑,支持25kW至100kW的可扩展输出功率段,采用行业标准F1和F2封装,可选择预涂热界面材料(TIM)和压接引脚,能够实现最佳热管理,避免因过热导致的系统故障。正如Vanaparthy所强调的:“全面的PIM产品组合用于市场上的关键拓扑,这使设计人员能够灵活地为直流快速充电或储能系统应用中的功率转换级选择合适的 PIM。此外,安森美拥有的全垂直整合碳化硅供应链,不仅有助于快速扩大产能,还确保了产品的质量和可靠性。”

  直流快速充电桩

  设计DCFC充电桩时,有几个影响架构设计和元器件选择的关键因素需要考虑:

  ⽬标效率

  首先,确定需要优化效率的电压和功率范围⾮常重要。由于充电桩在充电过程中以不同的功率运⾏,因此系统应该针对对电力输送效率影响最⼤的情况进⾏优化。

  分立设计或功率集成模块

  分立设计提供了最⼤的灵活性,但需要更复杂的开发过程。⽽模块化提供了许多使⽤分立设计难以实现的性能优势。例如,模块在单个紧凑的封装中集成了多个功率器件,简化了机械装配,优化了热管理,提高了可靠性,并降低了电压尖峰和高频电磁干扰(EMI)。

  电路拓扑

  所选择的拓扑结构(即两电平或三电平)以及充电桩是否需要单向或双向供电将最终影响元器件的选择,有许多拓扑结构可⽤于实现直流充电桩的功率因数校正(PFC)和DC−DC转换。

  本文将详细介绍该应⽤中使⽤的各种隔离式DC−DC拓扑,DC−DC转换常⻅拓扑如下:

  相移全桥

  全桥LLC

  变频和相移CLLC

  交错三相LLC

  双有源桥(DAB)

  这些拓扑包括采用650V或1200V开关和二极管的两电平和三电平系统。

  隔离式直流电压转换拓扑

  由于电动汽⻋电池不能接地,因此需要在电网和电池之间进行电隔离,电池和电⽹之间的隔离可确保充电期间对电池的保护。电动汽车DCFC的大功率DC-DC转换必须进⾏隔离,⾼功率快速充电桩(25kW-350kW)可采用全桥LLC拓扑、相移全桥拓扑、双有源桥(DAB)和双有源桥CLLC拓扑。全桥LLC拓扑和相移全桥拓扑包含次级全桥整流器。

  这些通常⽤于单向充电桩,双有源桥和双有源桥CLLC拓扑更常⽤于双向充电桩,超快速充电桩(400kW-1MW)通常使⽤串联半桥LLC拓扑或快速充电电容三电平拓扑。

  全桥LLC拓扑

  全桥LLC拓扑由初级全桥电路、谐振LLC谐振回路和次级全桥整流器组成,如图3所⽰。LLC变换器可在初级实现零电压开关 (ZVS),在次级实现零电流开关 (ZCS),需要变频操作来调节输出电压。LLC谐振变换器使⽤磁化电流来实现ZVS,从⽽降低关断损耗和变压器损耗,建议将LLC拓扑⽤于具有固定输⼊电压的窄输出电压范围的应⽤,从而实现⾼效率。然⽽,LLC谐振变换器在轻负载条件下会遇到⾮ZVS操作的问题,为了⽀持轻负载条件和宽输出电压范围,需要实施相移控制、PWM占空⽐控制和混合调制⽅案来调节输出电压。LLC变换器中的谐振电容器需要在⾼功率和⾼输⼊电压下承受⾼电压应力。

  为了实现更⾼的功率并减少谐振电容器的应力,可使⽤交错式三相LLC谐振拓扑,如图4所⽰。

  交错式三相LLC谐振变换器

  交错式三相LLC谐振变换器通过将损耗分布在三相上来实现满负载时的⾼效率,并减少电容器和电源开关上的应力。然⽽,这种拓扑结构在电池充电至额定电压时,会因为充电电流减小导致充电效率较低。为了在所有负载条件下实现更⾼的效率,需要实施切相。双相和单相谐振变换器在 50% 负载以及低负载条件下将实现高效率,并在低负载条件下实现输出电压调节。

  相移全桥 (PSFB) 变换器

  相移全桥(PSFB)变换器由初级全桥电路、谐振电感、次级整流桥和LC滤波器组成,如图5所⽰。PSFB变换器通过相移控制和零导通损耗实现了初级开关的ZVS。然⽽,这种拓扑会对初级开关和输出整流器产⽣明显的关断损耗。

  由于变压器次级漏感、输出⼆极管电容和输出滤波电感之间的谐振,输出⼆极管会受到⾼压振铃的影响。为了减少输出⼆极管的电压过冲,需要采⽤有源或⽆源缓冲器。

  通过将输出电感移到初级,并将输出整流器直接连接到输出电容,就可以构成电流馈电移相全桥电路,这种⽅法减少了输出⼆极管的过冲并减少了振铃。电流馈电PSFB变换器适用于高效充电高压电池。

  双有源桥变换器

  双有源桥变换器(DAB)由初级全桥、变压器漏感、次级全桥和滤波电容组成,如图6所⽰。DAB变换器不需要串联电容和电感等额外的谐振元件,⽽是使⽤变压器漏感和功率开关的输出电容来实现软开关。与谐振变换器不同,DAB变换器对元件变化不太敏感。宽禁带半导体的出现促进了DAB变换器在双向功率流应用中的普及。

  DAB变换器适用于宽输出电压范围和负载条件下的电池充电应用,通过与变压器漏感和初级开关的输出电容形成谐振电路,实现初级开关(安森美的EliteSiC MOSFETs)的ZVS。

  次级桥式开关实现ZCS操作,具有较低的开关损耗,但导通损耗较⾼。通过在次级桥电路中使⽤低RDSon EliteSiC MOSFET,可以降低导通损耗。与其他拓扑结构相⽐,DAB变换器具有⾼密度、⾼效率、较低的元件应力以及更小的滤波器元件。在DAB变换器中,功率流动是通过初级和次级电压的相移控制来实现的。为了提⾼电池充电应⽤的性能,需要宽输出电压增益以及所有负载情况下的ZVS条件。

  双相移控制(DPS)等各种调制技术引⼊了初级和次级开关的占空⽐控制,提供了额外的⾃由度。DPS控制降低了所有开关器件的应力并扩展了所有负载情况下的ZVS范围。三相移(TPS)控制将提供额外的⾃由度来提⾼轻负载效率,同时切换到DPS控制来保护变压器饱和,以减少在中等至最大负载条件下的循环电流,纳米晶和⾮晶软磁材料的应用使得⾼效率变压器能够在⾼开关频率下运⾏。为了实现75kW及以上的⾼功率,可使⽤交错式DAB变换器。

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2025-03-21 09:09 阅读量:228
开关性能大幅提升!安森美M3S 与M2 SiC MOSFET直观对比
  安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低,提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于探讨专为低电池电压领域的高速开关应用而设计的先进 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技术。通过各种特性测试和仿真,评估了 MOSFET 相对于同等竞争产品的性能。第一篇介绍SiC MOSFET的基础知识、M3S 技术和产品组合。本文为第二篇,将介绍电气特性、参数和品质因数、拓扑与仿真等。  电气特性、参数和品质因数  在本小节中,我们将比较 M3S SiC MOSFET (NVBG023N065M3S) 与 M2 器件 (NVBG060N065SC1) 以及竞争器件。我们选择了导通电阻和峰值电流均非常相似的表面贴装器件 (SMD) 作为开关,并在不同条件下进行了特性测试,以比较各器件的重要参数。  a. 静态参数  器件的导通损耗可以用关键参数 RDS(on)来衡量。因此,本小节在 25°C 和 175°C 结温下测量了器件的 RDS(on)特性。此外还在 15 V 和 18 V 两个不同的栅极-源极电压下进行了测量,其中导通脉冲宽度为 300 µs。  测试得出的主要结论是NVBG023N065M3S 器件在各种电流水平下均具有稳定的 RDS(on)。NVBG023N065M3S 的 RDS(on)从 5 A 到 100 A 的偏差为 13%,而 NVBG060N065SC1 和竞争产品 A 的对应数值分别为 25% 和 26%。  b. 动态参数  SiC 器件的反向恢复电荷比 Si MOSFET 少,因此开通峰值电流更小,开通开关损耗也更低。为了更好地理解和量化开关损耗,通常使用 Ciss、Coss、Crss和 Qrr等关键参数进行评估。在大多数高功率应用中,Ciss、Coss、Crss的电压水平一般都超过 10 V。米勒电容 (Crss) 至关重要,因为它可以耦合漏极和栅极电压。  在开关过程中,较低的 Crss减少了改变 MOSFET 状态所需提供或从栅极移除的电荷量。这使器件能够更快地在开通和关断状态之间进行转换,从而缩短电压电流同时较高的时间,减少开关损耗。图3比较了 M3S、M2 和竞争产品 A 之间的电容。  安森美的新一代产品 NVBG023N065M3S 在 VDS≥ 11V 时的 Crss值较低,这有助于减少导通和关断开关损耗。此外,NVBG023N065M3S 的 Coss值非常接近竞争产品,并且在某些电压水平下优于其他器件。  本文测量了几种负载电流条件下两种器件的开关损耗。测量过程采用双脉冲测试设置,测试条件设定如下:  Vin= 400 V,  Rg= 2 Ω − 4.7 Ω,  Vgs_on= +18 V,  Vgs_off= −3 V,  开关电流 = [5A, 100A]  每个器件的内部栅极电阻不同,因此总栅极电阻匹配为 6 Ω。下图为这三个器件在 25°C 时的开通、关断和总开关损耗。  可以得出结论,与其他两款器件相比,NVBG023N065M3S 的开通和关断损耗更低。在 5 A 至 100 A 的负载电流范围内,NVBG023N065M3S 的平均总损耗与上一代器件 NVBG060N065SC1 相比减少了 31%,与竞争产品 A 相比减少了 42%。  进行反向恢复测试时,漏极电流为 ID= {20 A, 40 A, 60 A},总栅极电阻为 Rg, tot= 8.5 Ω,栅极电压为 Vgs= −3 V/18 V,温度为 25 °C。根据图 5 中的结果,与竞争产品 A 相比,安森美新一代 NVBG023N065M3S 的反向恢复时间更短、反向恢复电荷更少且反向恢复能量也更低,因此具有更优异的反向恢复性能。  c. 参数和品质因数比较  下表总结了各器件主要属性的比较情况。各数值的每个属性已根据 M3S 器件值进行归一化。  根据上图,可以得出关于 NVBG023N065M3S 的以下结论:  与竞争产品器件相比,开关损耗降低 35%。  175°C 时,特定导通电阻比竞争产品器件低 28%。  与竞争产品器件相比,反向恢复电荷低 26%。  这证明 M3S 是适用于硬开关应用的出色技术。  拓扑与仿真  a. 基准拓扑  安森美的 M3S SiC MOSFET 专为高频开关应用而设计,是车载充电器应用和 HV DC/DC 转换器的理想选择。相关器件经过专门定制,具有超低开关损耗,同时保持非常低的导通损耗,因此成为了图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器等硬开关应用的理想选择。此外,由于导通电阻 RDS(on)较低、开关损耗非常小,M3S 器件也是LLC 转换器、CLLC 转换器和相移全桥等软开关应用的优选。  图腾柱 PFC 转换器是一种简单且高效的拓扑,广泛应用于需要高密度设计的领域。需要更高的功率和更高的能效时,可采用三相交错式图腾柱 PFC 转换器(如下图)。  b. PFC 转换器的功率损耗比较示例  在前面几小节中,我们通过测量值评估了导通和开关损耗,然后使用 PSIM 仿真程序对比了损耗情况。选择三相图腾柱 PFC 转换器作为拓扑,并采用以下测试条件(如图6所示)。  Vin= 230 Vrms  Vout= 400 V  Rg, tot= 6.1 Ω  Vgs= −5/18 V  Fsw= 100 kHz  Pout= 11 kW  下表展示了每种器件满负荷(11 kW)时的功率损耗。可以观察到,NVBG023N065M3S 器件受益于较低的导通损耗以及较低的开关损耗,最终实现了更高的系统能效。  结论  安森美M3S 650V SiC MOSFET 技术在电力电子领域取得了重大进展,尤其适用于电动汽车 (EV) 和其他节能系统中的高速开关应用。从 M1 到 M3 的演进将特定导通电阻 (RSP) 降低 50% 以上,并引入了四引脚 TO-247-4 等封装创新,逐步提高了开关性能,这彰显了安森美致力于优化 MOSFET 设计的承诺。M3S 产品组合以低 RDS(on)和出色的开关性能而闻名,在车载充电器和 DC-DC 转换器等成本敏感型市场中占据领先技术地位。  特性分析结果表明,M3S 与安森美前几代产品的性能优于竞争产品,开关损耗降低 31-42%,总开关损耗降低 35%。M3S的输出和反向电容较低,有助于加快开关速度,也因此成为了图腾柱 PFC 转换器等硬开关拓扑和 LLC 转换器等软开关拓扑的理想选择。此外,M3S SiC MOSFET 表现出优异的反向恢复性能,与竞争产品相比,恢复电荷和能量显著降低,进一步提高了系统能效。  随着电动汽车系统对功率密度、能效和热性能的要求不断提高,M3S 技术解决了行业面临的关键挑战。搭配全面的产品组合,安森美M3S MOSFET 为高能效电源转换提供了多功能的可靠解决方案。
2025-03-18 15:30 阅读量:249
安森美:一文解读ADAS 系统中的关键传感器技术
  交通安全是一项巨大的挑战--每年有 110 多万人因道路交通事故丧生,另有约2000万到5000万人受伤。  造成这些事故的一个主要原因是驾驶员失误。汽车制造商和政府监管机构一直在寻找提高安全性的方法,近年来,先进驾驶辅助系统(ADAS)在帮助减少道路伤亡方面取得了巨大进步。  安森美在开发ADAS所需的传感器技术方面发挥了重要作用。安森美发明了双转换增益像素技术和HDR(高动态范围)模式,这些技术现在被业界许多传感器采用,并开创了创新的超级曝光设计,使传感器既能提供出色的低照度性能,又能通过单个光电二极管捕捉 HDR 场景而不会出现饱和现象。  由于这种市场和技术领导地位,因此目前道路上大多数ADAS图像传感器都是由安森美开发的。这些创新使安森美能够在过去的二十年里为汽车应用提供高性能的传感器,进而使ADAS在提高车辆安全方面产生了显著的影响。  在本文中,我们将探讨 ADAS 在提高道路安全方面的作用,以及各种对实现这一目标至关重要的传感器技术。  ADAS 的演变和重要性  自上世纪 70 年代首次引入防抱死制动系统(ABS)以来,ADAS 技术在乘用车中的应用稳步增加,安全性也相应提高。据美国国家安全委员会(NSC)估计,仅在美国,ADAS就有可能避免约62%的交通死亡事故,每年可挽救超过20,000人的生命3。近年来,自动紧急制动(AEB)和前撞预警(FCW)等ADAS功能已变得越来越普及,超过四分之一的车辆都配备了这些功能,以帮助驾驶员预防事故并最终挽救生命。  ADAS 需要多种技术协同工作。一套感知套件充当系统的“眼睛”,检测车辆周围环境并为系统的 “大脑 ”提供数据,后者利用这些数据计算出车辆的执行决策,以辅助驾驶员——例如,当检测到前方有车辆且驾驶员未踩下刹车时,AEB会自动刹车,使车辆及时停下,避免追尾碰撞。  ADAS 感知套件由一个视觉系统组成,该系统包括一个车规级摄像头,其核心是一个高性能图像传感器,可捕捉车辆周围环境的视频流,用于检测车辆、行人、交通标志等,在低速行驶和停车情况下显示这些图像以辅助驾驶员。  摄像头通常与毫米波雷达、激光雷达(LiDAR)或超声波传感器等深度感知系统匹配应用,这些传感器提供深度信息以增强摄像头的二维图像,增加冗余度并消除物体距离测量的模糊性。  对于汽车制造商及其一级系统供应商来说,实施 ADAS 系统可能是一个挑战:处理多个传感器产生的所有数据的处理能力有限,而且传感器本身也有性能限制。汽车行业的要求决定了每个组件都必须具有极高的可靠性,不仅包括硬件,还包括相关的软件算法,因此需要进行大量测试以确保安全。系统还必须在最恶劣的照明和天气条件下保持稳定的性能,能够应对极端温度,并在整个车辆生命周期内可靠运行。  ADAS 系统中的关键传感器技术  现在让我们来详细了解一下 ADAS 中使用的一些关键传感器技术,包括图像传感器、激光雷达(LiDAR)和超声波传感器。每种传感器都会提供特定类型的数据,通过软件算法对这些数据进行处理,并将这些数据相互结合,从而生成对环境的准确而全面的了解。  这一过程被称为传感器融合,它可以通过多种传感器模式的冗余来提高软件感知算法的准确性和可靠性,从而通过更高的置信度决策实现更高级别的安全。这些多传感器套件的复杂性可能会迅速上升,算法需要越来越强大的处理能力。与此同时,传感器本身也在变得越来越先进,从而可以在传感器级而不是在中央 ADAS 处理器上进行本地处理。  汽车图像传感器  图像传感器是车辆的 “眼睛”--可以说是任何配备 ADAS 的车辆中最重要的传感器类型。从自动紧急制动、前方碰撞预警和车道偏离警告等 “机器视觉 ”驾驶辅助功能,到用于泊车辅助的 360 度环视摄像头和用于电子后视镜的摄像头监控系统等 “人类视角 ”功能,再到可检测到分心或疲劳的驾驶员并发出警报以防止事故发生的驾驶员监控系统,图像传感器提供的图像数据可用于实现各种 ADAS 功能。  安森美提供包括 Hyperlux 系列在内的各种图像传感器,这些传感器以低功耗提供出色的图像质量。Hyperlux 传感器像素架构包括创新的超级曝光成像方案,可通过 LED 闪烁缓解 (LFM) 捕获高动态范围 (HDR) 帧,克服了 LED 前后车灯或 LED 交通标志因为脉冲频闪造成的误读问题。  Hyperlux图像传感器设计用于应对具有挑战性的汽车场景条件,例如在高架桥上方的直射阳光下,能够捕捉高达150分贝(dB)的动态范围。配备Hyperlux图像传感器的摄像头在处理极端情况时的表现远优于人眼,在远低于1 lux的光照水平下也能正常工作。  安森美的 Hyperlux 图像传感器包括 800 万像素的 AR0823AT 和 300 万像素的 AR0341AT。这些数字 CMOS 图像传感器采用 Hyperlux 2.1 µm 超曝光单光电二极管像素技术,具有出色的低照度性能,同时还能在同一帧图像中捕捉高照度和低照度场景中的宽动态范围。超级曝光像素可在一帧图像中实现足够大的动态范围,从而实现 “无忧设置”的曝光方案,有效消除了在光线条件发生变化时自动调节曝光的需要,例如在晴天驶出隧道或停车场时。  深度传感器(激光雷达)  精确测量物体与传感器之间的距离被称为深度感知。深度信息可以消除场景中的模糊性,对于各种 ADAS 功能以及实现更高级别的 ADAS 和全自动驾驶至关重要。  有多种技术可用于深度感知。如果要考虑深度性能,光探测和测距(激光雷达,LiDAR)是最佳选择。LiDAR 能够以高深度和角度分辨率进行深度感知,并且由于系统通过近红外(NIR)激光与传感器的配合实现了主动照明,因此可以在所有环境光条件下工作。它既适用于近距应用,也适用于远距应用。虽然低成本的毫米波雷达传感器在当今的汽车应用中更为普遍,但它们缺乏LiDAR 的角度分辨率,无法提供超出基本ADAS需求的更高级别自动驾驶所需的那种高分辨率三维点云环境信息。  最常见的LiDAR架构是直接飞行时间(ToF)法,它通过发射一个短红外光脉冲,并测量信号从物体反射回到传感器所需的时间,从而能够直接计算出距离。LiDAR传感器通过在其视野范围内扫描光线来复制这一测量过程,以捕捉整个场景。  安森美的ARRAYRDM-0112A20硅光电倍增管(SiPM)阵列是一种单光子敏感传感器,在单片阵列中具有 12 个通道,在近红外波长如905nm处具有高光子探测效率(PDE),用于检测返回的脉冲。此SiPM阵列已被集成到一款LiDAR中4,该LiDAR装备在世界上首批提供真正“视线离开”的自动驾驶功能的乘用车上,使车辆具备了超越基础驾驶辅助的自动驾驶能力,即驾驶员可以不再关注路面情况。这种水平的自动驾驶功能,没有LiDAR深度感知的支持,至今尚未能在消费级车辆上可靠地实现。  超声波传感器  另一种用于距离测量的技术是超声波检测,即通过传感器发射频率超出人类听觉范围的声波,然后检测反弹回来的声音,从而通过飞行时间测量距离。  超声波传感器可用于泊车辅助等近距离障碍物探测和低速操控应用。超声波传感器的一个优点是声音比光慢得多,因此反射声波返回传感器的时间通常为几微秒,而光的时间为纳秒,这意味着超声波传感器所需的处理性能要低得多,从而降低了系统成本。  超声波传感器的一个例子是安森美 NCV75215 泊车距离测量 ASSP。在车辆停放过程中,该元件通过压电超声波变换器对障碍物的距离进行飞行时间测量。它可检测距离为 0.25 米至 4.5 米的物体,并具有高灵敏度和低噪声特点。  结语  车行业正持续大力投资于 ADAS,并追求车辆全自动驾驶的目标--超越由SAE定义的基本驾驶辅助功能(即L1级和L2级)6,迈向真正的自动驾驶能力(即SAE定义的L3级、L4级和L5级)。减少道路伤亡是这一趋势背后的主要动力之一,安森美的传感器技术将在这一汽车安全变革中发挥至关重要的作用。
2025-03-18 15:19 阅读量:251
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