英飞凌推出QDPAK封装650V CoolMOS™ CFD7A

Release time：2023-11-29
author：AMEYA360
source：英飞凌
reading：2210

　　向电动汽车的加速转型推动汽车充电系统取得了重要的创新成果，这愈发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装的产品系列具有同等的散热能力，但电气性能更高，能够在车载充电器和DC-DC转换器中实现高效的能源利用。

英飞凌推出QDPAK封装650V CoolMOS™ CFD7A

　　高效且强大的电动汽车充电系统有助于缩短充电时间、减轻汽车重量、提高设计灵活性并降低汽车的总体拥有成本。这一新产品系列通过顶部和底部冷却封装实现了多种功能和优势特性，是对现有CoolMOS CFD7A产品系列的有效补充。QDPAK TSC(顶部冷却)封装使设计人员能够实现更高的功率密度和更佳的PCB空间利用率。

　　650 V CoolMOS CFD7A提供了支持在高压应用中可靠运行的多项重要功能。由于降低了寄生电感，该器件可以最大程度地减少电磁干扰(EMI)，确保清晰的信号和稳定的性能。开尔文源极引脚提高了电流检测的精度，即使在恶劣条件下也能保证测量的准确性。该器件具有适合高压应用的爬电距离，以及在25°C温度环境下高达694 W的大电流能力和高功率耗散(Ptot)能力，是一款适用于各种高压应用的强大通用器件。

　　采用基于QDPAK TSC封装的650 V CoolMOS CFD7A器件，进行新系统设计，将最大限度地利用PCB空间，使功率密度加倍，并通过板级去耦加强散热管理。这种方法简化了装配、避免了电路板堆叠，并减少了对连接器的需求，从而降低了系统成本。该电源开关可降低高达35%的热阻，提供比标准冷却解决方案更优的高功率耗散能力。

　　该特性克服了在底部冷却SMD设计中采用FR4 PCB所带来的热限制，显著提高了系统性能。经过优化的电源环路设计将驱动器置于电源开关附近，通过降低杂散电感和芯片温度来提高可靠性。总之，这些特性有助于构建一个具有高成本效益、稳健、高效的系统，能够很好地满足现代化的充电需求。

　　正如2023年2月所宣布的，适合高功率应用的QDPAK TSC封装已注册为JEDEC标准，通过统一的标准封装设计和占板面积，推动TSC封装在新型设计中的广泛采用。为进一步加快这一转型，英飞凌还将于2024年发布更多用于车载充电器和DC-DC转换器的、采用QDPAK TSC封装的车规级器件，例如750 V CoolSiC™器件和1200 V CoolSiC™器件等。

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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

　　英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断电源(UPS)，电动汽车充电等。　　产品型号　　■ FF1MR12MM1H_B11　　PressFIT引脚　　■ FF1MR12MM1HP_B11　　PressFIT引脚，预涂TIM导热材料　　■ FF1MR12MM1HW_B11　　Wave直接水冷　　产品特点　　开关损耗低　　卓越的栅极氧化物可靠性　　更高的栅极阈值电压　　更高的功率输出　　坚固耐用的集成体二极管　　高宇宙射线稳健性　　高速开关模块　　Tvj(op)=175°C过载　　PressFIT引脚　　螺母功率端子　　集成NTC温度传感器　　隔离基板　　应用价值　　开关频率高　　减少体积和尺寸　　降低系统成本　　热效率高　　竞争优势　　高开关频率(>7kHz)　　针对高速电机进行了优化　　应用领域　　商用车辆、工程车辆和农用车辆(CAV)　　储能系统　　通用电机驱动器-变频和变压　　暖通空调　　电机控制　　不间断电源(UPS)　　电动汽车充电
2025-06-16 11:55 reading：298
英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
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英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用
2025-06-16 11:51 reading：299
英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
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英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块

　　英飞凌EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7芯片技术，电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。　　EasyDUAL™ 1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。　　产品型号：　　■ FF75R12W1T7E_B11　　■ FF100R12W1T7E_B11　　■ FF150R12W2T7E_B11　　■ FF200R12W2T7E_B11　　■ FF300R12W2T7E_B11　　产品特点：　　高度为12毫米的Easy系列模块　　杂散电感极低　　采用IGBT T7技术过载能力高达175°C　　PressFIT针脚　　应用价值：　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　产品优势：　　采用成熟的Easy封装和基于TRENCHSTOP™ IGBT T7技术的共射极结构，尤其适用于矩阵变换器应用。　　该产品组合为驱动应用提供了最佳性价比解决方案。　　应用领域：　　矩阵变换器
2025-05-19 10:48 reading：470
英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
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英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块

　　英飞凌1200V 500A NPC2三电平模块，采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。该模块采用大电流PressFIT压接式引脚，配备NTC温度传感器，并针对储能应用进行了优化，非常适用于1000 VDC 100kW功率变换系统。　　产品型号：　　■ F3L500R12W3H7_H20　　产品特点：　　高度为12mm的Easy系列模块　　杂散电感极低　　过载时允许最高工作结温175°C　　低Vce,sat饱和压降　　耐湿性　　大电流引脚　　应用价值　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　竞争优势：　　降低系统成本　　易于设计的产品　　逆变器和Boost升压电路设计自由度高　　最高功率密度　　应用领域：　　储能
2025-05-19 09:50 reading：469
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