兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

Release time：2023-11-22
author：AMEYA360
source：兆易创新
reading：2067

　　日前，第29届中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD)圆满召开。兆易创新受邀出席盛会，与业界各领域的龙头企业齐聚一堂，共论集成电路产业发展新机遇与新挑战。

　　在同期IC设计与创新应用专题论坛上，兆易创新Flash事业部市场经理王欢在演讲环节表示：“经过10多年的潜心发展，兆易创新逐步打造多元化产品与应用领域的布局，积极开拓Flash、MCU、PMU、Sensor等产品线，以完善的应用覆盖能力和深厚的方案研发经验，赋能集成电路产业的高质量发展。”

兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

　　在Flash领域，兆易创新是全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商，NOR Flash市占率排名全球第三，且全线Flash产品均已通过车规级认证，在几乎所有需要代码存储的应用场景均可适用。基于此，兆易创新持续完善Flash产品规划，专注于全容量、高性能、高可靠、低功耗、小封装的Flash产品开发，为更多创新应用的底层技术赋能。

　　功耗降低、性能不减

　　GD25UF系列助力延长续航时间

　　当前，智能穿戴设备已成为电子消费市场增速最快的品类，随着技术水平的持续提高，也给人们的生活带来了更多的便捷与幸福感。集成了传感器、多媒体、无线通信、交互及存储等技术，智能可穿戴设备可以实现用户交互、生活娱乐、人体监测等多种功能，产品形态也囊括了智能眼镜、智能耳机、智能戒指、智能手环、智能手表、智能头盔等，并在持续丰富中。据MarketsAndMarkets的报告显示，全球可穿戴设备市场规模预计将在2021年的1161亿美元基础上增长到2026年的2654亿美元，并保持18%的年均复合增长率。

　　在现有市场上，应用续航能力一直是用户关注的重点。NOR Flash作为设备数据的存储载体，在可穿戴应用中有着高频率的数据读写操作，此时Flash的低功耗特性显得尤为关键。

　　面向这一需求，兆易创新在超低功耗存储领域持续耕耘并实现多系列量产。推出GD25UF系列NOR Flash，其具备1.2V核心供电与IO接口电压，提供超低功耗模式，相比1.8V NOR Flash功耗大幅降低，且在数据传输速度、读写功耗、可靠性等关键性能指标上均达到国际领先水平。与此同时，随着主芯片采用更先进的工艺制程，核心电压也降至1.2V，与GD25UF系列1.2V NOR Flash搭配使用相得益彰，可有效简化电源设计并优化系统成本，帮助可穿戴等小容量电池供电设备提高续航能力。因此，GD25UF系列被认为有望成为下一代可穿戴应用的理想选择。

兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

　　开“卷”小封装Flash

　　可穿戴应用都说好

　　在市面常见的腕类穿戴、TWS耳机之外，智能可穿戴应用也在不断拓展产品形态，包括混合现实设备、智能戒指、智能运动鞋、智能服饰等产品也逐渐获得了消费者的追捧。以智能戒指为例，这类产品可以通过NFC绑定一部分门禁卡、便捷支付、身份识别等功能，该产品既要求Flash体积紧凑，也同时要求存储相当容量的系统代码和用户数据，因此Flash的封装尺寸需要更加小巧。

　　王欢表示：“在尺寸受限、日趋小型化，应用多样化的大环境下，兆易创新致力于缩小Flash封装体积、扩大同封装Flash产品容量范围以及增强Flash性能，从而适用于更多物联网设备。”例如兆易创新推出了采用1.2mm x 1.2mm USON6超小塑封封装、最大厚度仅为0.4mm的GD25WDxxK6系列NOR Flash，非常适合智能戒指、智能服饰等应用场景;更有采用FO-USON8先进封装的大容量小封装NOR Flash产品陆续上市，为腕类穿戴等应用提供大容量更小封装形式的选择。

兆易创新精彩亮相ICCAD，以存储技术赋能新一代智能可穿戴应用

　　毫无疑问，更好的Flash产品是打造更出色的智能可穿戴设备、更卓越的用户体验的底层基础之一。兆易创新Flash针对低功耗、小封装、高可靠等方向进行专门优化，使之持续满足下一代智能可穿戴应用的各种新功能，进而帮助客户获得商业成功。

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兆易创新GD32G5系列荣膺2025全球电子成就奖“年度微控制器/接口产品”奖，印证高性能MCU硬核实力
行业新闻

兆易创新GD32G5系列荣膺2025全球电子成就奖“年度微控制器/接口产品”奖，印证高性能MCU硬核实力

　　11月25日，在全球电子成就奖颁奖典礼上，兆易创新(GigaDevice)旗下高性能微控制器GD32G5系列MCU凭借出色的性能和市场表现，荣获“年度微控制器/接口产品”奖，这一殊荣充分印证了兆易创新在高端微控制器领域的技术实力和市场优势地位。　　全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards)旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。该奖项以影响力和权威性著称，是电子产业创新领域的标杆性评选，凭借专业性和公信力，已成为衡量企业技术实力与商业价值的重要标尺。　　此次获奖的GD32G5系列MCU采用Arm® Cortex®-M33内核，主频高达216MHz，配备高级DSP硬件加速器、单精度浮点单元(FPU)等单元，可显著优化复杂计算任务的执行效率。其完善的安全机制、大容量存储资源、丰富的模拟外设和通用接口，为需要强劲算力、高可靠性及专业硬件加速的市场应用提供了理想的解决方案。　　凭借强劲的算力和多种安全机制，GD32G5系列MCU为数字电源、人形机器人、充电桩、储能逆变、伺服驱动及光通信等领域提供了专业而灵活的硬件基础，尤其是电机驱动与电源应用等场景，能够为客户带来高效、稳定且安全的使用体验。同时，其丰富的开发工具与全面生态支持，能显著缩短用户研发周期，为产品快速上市保驾护航。　　当前，工业正在向数字化、智能化与互联化转型，驱动其持续变革发展。在本次颁奖典礼中，GD32G5系列MCU荣膺“年度微控制器/接口产品”奖，充分彰显了兆易创新的技术实力。展望未来，兆易创新将持续完善GD32产品生态，携手产业链伙伴深化合作，共同赋能工业应用创新升级。
2025-11-26 10:14 reading：279
驱动未来：兆易创新GD32 MCU应对电机控制多场景挑战
行业新闻

驱动未来：兆易创新GD32 MCU应对电机控制多场景挑战

　　自2013年推出首颗32位MCU以来，兆易创新历经十余年深耕，出货量稳步攀升，截至今年上半年，累计出货量已突破20亿颗。作为国内通用MCU领域的领军企业，兆易创新的脚步从未停歇，始终在更多元的应用探索中不懈前行，致力于在产品质量上迈向新高度。　　在2025电子发烧友电机控制先进技术研讨会上，兆易创新MCU市场部陈树敏围绕电机驱动领域的技术突破与应用实践，以《释放电机潜能：GD32 MCU的高性能驱动之道》为题发表主题演讲，系统分享了兆易创新在该领域的创新成果与前沿布局。　　面向多元领域的解决方案矩阵　　电机作为各类电子电器设备不可或缺的核心部件，其发展空间很大程度上由以 MCU 为核心的电机控制方案所决定。陈树敏表示，兆易创新针对工业、家电、消费电子及新兴市场等不同领域的差异化需求，量身打造了一系列适配性强、性能优异的电机控制解决方案，全面覆盖多场景下的电机驱动与控制需求。　　伺服电机在工业领域应用非常广泛。兆易创新的双伺服电机方案，采用ARM® Cortex®-M4内核的高性能GD32F4作为主控芯片，主频高达240MHz，实现双伺服电机、高集成度低成本控制。这个方案可实现基于14位精度磁编码器定位的FOC磁场定向控制，并采用位置环、速度环、电流环三闭环控制，支持双电阻、三电阻电流采样方式。　　EtherCAT®伺服从站解决方案是兆易创新在工业领域推出的一款重要方案。该方案以主频高达600MHz ARM® Cortex®-M7与ESC控制器二合一的GD32H75E为主控芯片，同时满足伺服控制性能和BOM成本的优化。其伺服驱动采用标准CiA 402协议，通过TwinCAT®进行实时控制，提供开箱即用解决方案。该方案内置自有强化算法，可在轮廓位置模式(PP)下采用梯形曲线规划。同时，基于芯片内部的HPDF模块，方案能以低成本实现高精度In-line电流的采样。　　在家电领域，兆易创新的方案也显示了优异特性。在二合一空调外机方案中，兆易创新以主频GD32F30x系列为主控芯片，专门针对空调外机双电机和PFC单芯片应用。为保证家电设备的可靠性，其还内置 FLASH/SRAM ECC等功能安全特性。同时，方案中也集成了兆易创新自有的空调外机算法，包括压缩机单周期闭环启动，风机零速闭环启动等。在滚筒洗衣机的方案中，兆易创新采用了主频84MHz的Cortex®-M4内核的GD32F330系列作为主控芯片，内置成熟的矢量控制算法，转速、电流双闭环控制系统，支持弱磁控制、id=0控制等多种矢量控制策略，可实现滑膜观测器无传感器控制。　　在洗地机领域，兆易创新推出GD32F5与GD32VW553双芯片一体方案：GD32F5依托丰富片上资源，承担多类电机控制(含无刷电机、有刷电机、舵机、测速轮)与LCD串口屏驱动任务;GD32VW553则专注无线通信控制，不仅支持微信小程序蓝牙配网，还可通过阿里云“云智能”以SoftAP模式完成设备配网，同时能实现电机启停操作演示。　　扫地机方案则围绕主机与基站构建完整硬件体系，通过多模块协同满足复杂清扫需求。主机核心板选用GD32F30x/F503作为MCU，搭配DDR3L/DDR4内存、GD5F系列NAND Flash与GD25Q系列NOR Flash，充分满足核心运算与数据存储需求;驱动板与电源板搭配 GD30AP系列运放、GD30LD系列LDO等产品，确保整机稳定运行。惯导模块搭载 GD32E23x系列MCU，激光或ToF模块适配GD32F310、GD32W515、GD32C231等系列芯片;基站以GD32F303/F503为核心，带屏基站配套对应NAND Flash，带水泵基站采用 GD30DR300x系列单通道全桥驱动，同时集成GD32VW553系列Wi-Fi模块实现无线互联。　　此外，工具领域中，锂电电钻方案采用Cortex®-M4内核的GD32F310系列作为主控，以精简的外围器件实现优异控制性能，目前已在头部园林工具客户中实现批量生产。　　面对民用低空飞行和人形机器人这两大今年行业热点，兆易创新也带来了相应解决方案。在民用飞行器的飞控模块上，采用ARM® Cortex®-M4内核的高性能 GD32F4作为主控芯片，主频高达240MHz，支持Betaflight开源平台，电调模块则采用高性价比的 GD32C2x1/GD32E23x系列(Cortex®-M23 内核)，兼容 AM32开源软件及兆易创新自研电调控制固件。　　针对人形机器人，兆易创新提供全场景解决方案，在灵巧手部分，可通过 GD32E513/GD32G553实现单MCU多电机控制，或采用集成EtherCAT®的GD32H75E方案完成手部姿态算法、动作协调与通讯互联;雷达控制部分由GD32F303系列辅助FPGA实现感知功能，GD32F470系列为雷达算法提供算力支持;手臂/腿部关节部位则可通过 GD32E513/GD32G553/GD32H7及 GDSCN832构建高性能、小体积、多电机的控制方案。　　以技术深耕构建全维度竞争力　　除了丰富多元的解决方案，兆易创新在算法与开发支持层面同样表现突出。其核心算法已覆盖BLDC与正弦波两大控制领域，所有MCU型号均支持有传感器与无传感器两种定位方式，同时集成无感启动算法及多种保护算法，为电机控制的稳定性与安全性提供坚实保障。在开发套件方面，兆易创新提供了多种入门级电机评估套件，包括针对工业级、消费级、汽车级的FOC套件及常规BLDC套件，用户可通过官网渠道申请获取。更重要的是，其构建了完整的GD32开发生态体系，从产品开发套件、解决方案到IDE&编译器及开发量产工具，全面覆盖市面上各类主流应用场景，为开发者提供全流程支持。　　目前，兆易创新已构建起完善的量产产品矩阵，覆盖从入门级M23内核、主流级M4内核到更高性能的M7内核产品。公司还在各细分领域深耕细作，持续投入资源打磨技术与产品。除电机控制方案外，兆易创新还提供数字电源、IoT 等领域的解决方案，并与合作伙伴携手，共同拓展更细分的控制应用场景，为产业发展提供更全面的支持。
2025-11-21 16:44 reading：346
兆易创新GD32H75E 斩获第二届焉知具身智能机器人年会卓越产品奖
行业新闻

兆易创新GD32H75E 斩获第二届焉知具身智能机器人年会卓越产品奖

　　继斩获高工人形机器人金球奖、电子发烧友年度优秀AI机器人创新产品奖后，11月20日，兆易创新 GD32H75E 高性能 MCU 再添殊荣 —— 在第二届焉知具身智能机器人年会上成功摘得 “卓越产品” 奖。这一荣誉持续印证了兆易创新在 MCU 领域的深厚技术积淀与突出创新实力。
2025-11-21 14:13 reading：306
兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR Flash，高性能双电压设计，面向1.2V SoC快速响应需求
行业新闻

兆易创新推出GD25NX系列xSPI NOR Flash，高性能双电压设计，面向1.2V SoC快速响应需求

　　兆易创新(GigaDevice)推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该系列采用1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计，可直接连接1.2V SoC，无需外部电平转换器，显著降低系统功耗并优化BOM成本。作为继GD25NF与GD25NE系列之后的第三代双电压供电产品，GD25NX系列延续了兆易创新在双电压供电领域的技术积累。该产品系列兼具高速数据传输能力与高可靠性，广泛适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等对稳定性、响应速度、能效比要求严苛的应用场景。　　GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高时钟频率为STR 200 MHz，DTR 200 MHz，实现高达400MB/s数据吞吐量。该系列的写入时间典型值为0.12ms，扇区擦除时间为27ms，其与常规1.8V八通道Flash相比，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。为保障数据可靠性，GD25NX系列集成ECC算法与CRC校验功能，有效增强数据完整性并延长产品使用寿命。同时，该系列支持DQS功能，为高速系统设计提供完整信号保障，满足数据中心和汽车电子等高稳定性应用需求。　　依托创新的1.2V I/O接口架构，GD25NX系列在实现卓越性能的同时，也具备出色的低功耗表现。其读取电流在八通道STR 200MHz模式下低至16mA，在八通道DTR 200MHz模式下低至24mA;与常规的1.8V八通道SPI NOR Flash产品相比，GD25NX系列的1.2V I/O接口设计可将读功耗降低50%，在确保高速运行的同时显著提升系统能效，为功耗敏感型应用提供更具竞争力的解决方案。　　“GD25NX系列的诞生开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“其设计紧贴主流SoC对低电压接口的需求，为客户带来了更高的集成度与更低的BOM成本。未来，兆易创新将持续拓展双电压供电产品线，覆盖更丰富的容量与封装规格，助力客户打造更加高效、可靠的低功耗存储解决方案。”　　兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，灵活满足不同应用对存储空间的差异化需求。该系列支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。目前，128Mb的GD25NX128J产品已开放样片供客户评估，64Mb容量的GD25NX64J样片也在同步准备中。如需获取详细技术资料或报价信息，欢迎联系AMEYA360客服。
2025-11-18 10:35 reading：313
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