全球存储市场2024年复苏！钰创：DRAM最坏情况已过

Release time：2023-11-15
author：AMEYA360
source：网络
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　　据台媒《工商时报》报道，钰创指出，今年来DRAM产业皆处于修正状态，随着大厂积极持续减产及库存逐渐去化，已度过最坏的时期，根据多家知名研调机构数据，皆预估2024年全球DRAM市场将迎来复苏。

全球存储市场2024年复苏！钰创：DRAM最坏情况已过

　　钰创9日举行法说会，该公司第三季税后亏损2.76亿元（新台币，下同），每股亏损0.96元，累计前三季税后亏损6.35亿元，累计每股亏损2.2元。钰创同日公告10月营收2.21亿元，月减1.07％，年减13.31％；累计前十月合并营收21.85亿元，年减48.64％。

　　钰创指出，随着DRAM库存消化告一段落，加上大厂积极减产，市场供需渐趋平衡，将迎向新一波复苏。据国外研调机构Garnter的预测，2024年DRAM市场整体营收展望，将较2023年显著成长，年增幅度达88％。


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一文了解车规级存储、工业级存储、消费级存储的区别
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一文了解车规级存储、工业级存储、消费级存储的区别

　　车规存储：通过 AEC-Q100 认证，支持 - 40~+125°C 宽温域运行。抗震设计满足 10G 振动测试，适合车载复杂环境。　　工规存储：采用抗硫化元器件和宽温颗粒支持 - 40~+85°C 稳定运行。　　消费级存储：成本优先，工作温度范围窄(0~70°C)。　　性能与能效优化　　车规存储：注重稳定性而非极致速度。　　工规存储：高性能与宽温平衡。　　消费级存储：追求极致速度。　　耐久性与寿命　　车规存储：企业级产品通过预留空间(OP)和纠错技术提升耐久性。　　工规存储：MLC 颗粒为主，适合工业设备高负载运行。　　消费级存储：QLC 、TLC普及，适合大容量归档。　　认证与成本分化　　车规存储：需满足 AEC-Q100、ISO 26262 等严格认证，DPPM(百万缺陷率)要求 0-10，成本显著高于消费级。　　工规存储：通过 CE、FCC、ROHS 等认证，DPPM 要求低于 500，成本介于车规与消费级之间。　　消费级存储：基本认证即可上市，DPPM 允许 500 以上，成本优势显著。
2025-06-03 13:16 reading：413
什么是存储芯片？有什么作用
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什么是存储芯片？有什么作用

　　存储芯片是一种用于存储数据的集成电路芯片，也被称为存储器芯片。它是计算机系统中至关重要的组成部分，用于临时或永久地存储数据和指令。存储芯片的作用是在计算机系统中存储和检索数据，以便在需要时能够快速访问和处理。　　存储芯片通常分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种类型。RAM用于存储正在运行的程序和临时数据，具有快速的读写速度但是断电后数据会丢失;而ROM用于存储固化的程序和数据，具有永久性但是只能读取不能写入。除了RAM和ROM之外，还有一些其他类型的存储芯片，如闪存存储器、EEPROM等。　　存储芯片在计算机系统中起着至关重要的作用。它不仅可以提供临时存储空间，使计算机能够快速访问和处理数据，还可以存储操作系统、应用程序和用户数据等重要信息。存储芯片的性能和容量直接影响计算机系统的速度和效率，因此选择合适的存储芯片对于提升计算机系统的性能至关重要。　　总的来说，存储芯片是计算机系统中不可或缺的组件，它的作用是存储和检索数据，为计算机系统的正常运行提供支持。通过不断的技术创新和发展，存储芯片的性能和容量不断提升，为计算机系统的发展和应用带来了更多的可能性。
2024-06-27 13:39 reading：1004
初学者必看:存储器基础知识汇总
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初学者必看:存储器基础知识汇总

　　RAM　　Random-Access-Memory,随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。　　PSRAM　　Pseudo static random access memory，伪SRAM伪随机存储器，内部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。　　单\双端口RAM　　单端口RAM同一时刻，只能满足读或写某一动作，而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等，可以同时进行两个操作，当然为避免冲突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口，单一个端口只读，另一个端口只能写。　　ROM　　Read-Only-Memory,只读存储器，通常使用时一次写好，使用时只能进行读操作，而不能进行写操作。　　CACHE　　高速缓冲存储器，由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢，增加的一级缓冲存储空间，当需要处理器需要访问内存某一块区域时，先缓存cache中，处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。　　TCM　　Tightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器，是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)，其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。　　EEPROM　　Electrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器，掉电非易失的存储芯片，在特殊高电压模式下可以插写，普通模式下只读ROM。　　FLASH　　闪存，和EEPROM一样可擦除可重写，差别EEPROM总是按字节操作，FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字节读取，而NandFlash只能按块读取，两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线，成本比Nand-Flash高，而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。　　对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。　　eMMC　　embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。　　硬盘　　传统硬盘采用磁材料作为存储介质，固态硬盘使用FLASH，访问速度性能较好。
2024-03-20 11:23 reading：1058
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