英飞凌HYPERRAM™ 3.0存储芯片与Autotalks第三代芯片组搭配

Release time：2023-07-04
author：Ameya360
source：网络
reading：2078

　　英飞凌科技股份公司和Autotalks于日前宣布，双方将展开合作，共同为新一代V2X(车联网)应用提供解决方案。英飞凌将在此次合作中提供车规级HYPERRAM™ 3.0存储芯片，以支持Autotalks的TEKTON3和SECTON3 V2X参考设计。

英飞凌HYPERRAM™ 3.0存储芯片与Autotalks第三代芯片组搭配

　　TEKTON3是一款完全集成的V2X SoC芯片，专门用于支持基于车联网的驾驶操作。V2X使得车辆与车辆之间以及车辆与周边环境之间能够进行相互通信，最终提高道路交通的安全性。并发的双频段无线电技术和完整的V2X软件技术实施通常需要外部存储器来管理调制解调器和应用需求。HYPERRAM可满足外部存储器对成本、功率密度和性能的要求，是首屈一指的存储芯片。

　　英飞凌提供的HYPERRAM 3.0器件，具有16位 HYPERBUS接口，可实现800 MBps的传输速率，进一步提升了英飞凌HYPERRAM系列产品的吞吐量。HYPERRAM 3.0器件符合车规级标准，能够满足TEKTON3的数据处理需求，是理想的扩展存储解决方案。

　　Autotalks研发副总裁Amos Freund表示：“英飞凌的HYPERRAM存储芯片和NOR闪存是我们最新一代V2X SoC产品的理想搭档。我们十分高兴能与存储芯片和车用芯片市场的领导者英飞凌携手合作，共同打造先进的V2X产品，从而帮助OEM厂商创建有针对性的V2X解决方案。”

　　英飞凌科技生态系统市场营销高级总监Patrick Le Bihan表示：“未来五年，全球V2X市场的年复合增长率预计将超过30%，所以此次与Autotalks的合作可谓恰逢其时。我们的HYPERRAM存储芯片和NOR闪存与Autotalks的SoC产品无缝协作，能够为客户带来高能效、低成本、高性能的解决方案。我们十分高兴能与领先的V2X设备提供商Autotalks合作，并且期待着双方在未来能够持续合作。”

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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
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英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

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2025-06-16 11:55 reading：286
英飞凌：用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
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　　英飞凌评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESS PFC，直流-直流变换器和太阳能等。　　这是一个用于测试半桥配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的双脉冲测试评估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驱动2kV SiC半桥电路。　　产品型号：　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HS　　■ EVAL-FFXMR20W2M1HR　　所用器件：　　■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET　　■ 1ED3890MC12M 2300V单通道高度灵活的隔离栅极驱动器，可通过I2C配置DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障　　产品特点　　用于评估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半桥模块，采用CoolSiC™沟槽栅SiC MOSFET技术　　驱动IC 1ED3890MC12M带I2C总线，用于参数调整　　用于双脉冲测试的大容量直流母线电容器　　有两种版本，可选择使用Rogowski线圈或同轴分流器进行电流测量　　应用价值　　132 µF板载大容量薄膜电容　　压接式FF6MR20W2M1H模块　　负栅极驱动电压可以调整　　框图　　应用领域　　电动汽车充电　　ESS PFC　　直流-直流变换器　　太阳能应用
2025-06-16 11:51 reading：278
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2025-05-19 09:50 reading：457
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