英飞凌全新NFC标签侧控制器集成传感和能量采集功能

Release time：2023-05-08
author：Ameya360
source：网络
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　　基于近场通信（NFC）技术的传感控制器内置能量采集功能对开发无源智能设备至关重要，这个特性不仅使得物联网智能设备设计更加便利，从而得以使用在广泛的应用中，同时还可以让设备工作精度和效率更高。英飞凌最新推出的NGC1081，将进一步扩大NFC标签侧控制器的产品组合。这款全新的单芯片IC解决方案能够帮助物联网行业客户开发更低成本和更小型化的智能边缘计算/传感设备，最终为终端用户和制造商带来最大化的效益。基于NGC1081设计的智能设备可由手机控制供电，这使得其不仅适用于医用贴片、一次性定点照护检验器，还可以适用于数据记录器、智能恒温器和传感器嵌体等更广泛的应用。

英飞凌全新NFC标签侧控制器集成传感和能量采集功能

　　标签侧控制器可支持双电源功能，允许其在基于能量采集的无源模式（无电池）或者电池供电模式下工作运行。当工作在电池供电模式下时，系统可以通过接入3至3.3V外部电源成为一个独立的传感节点。在无源模式下，整个传感系统包括IC及其连接的传感器等可以通过从移动电话的NFC场采集能量来获取电能。支持双电源功能再加上其自带电流隔离的传感接口，这些特性不仅可以为创造更多无电池、免维护的创新传感应用提供无限的可能性，而且也适合用于那些为了满足安全要求而需要电流隔离的电源应用。

　　NGC1081集成了低功耗的ARM? Cortex?-M0微控制器和其他一些关键元件，这些集成的元件包括了兼容ISO14443 type-A标准的NFC前端设备和基于H桥且电流驱动能力高达250mA的电机驱动。不仅如此，NGC1081还集成了一个传感单元，该传感单元的设计基于12位SAR ADC，具备4个模拟信号输入端口以及一个10位DAC的模拟输出端口。NGC1081的传感单元还包含一个12V转换器和一个内置温度传感器，该温度传感器可在0℃至45℃温度范围内提供±0.3℃的精度，在-20℃至0℃和45℃至85℃温度范围内提供±0.4℃的精度。

　　NGC1081这款高度集成的单芯片解决方案不仅可以帮助客户实现更小型化的产品设计，同时也帮助客户降低整个系统的BOM成本。此外，凭借其独特的IC设计架构和专业设计的配套硬/软件，客户还能设计更加自主化的软件功能。NGC1081正是凭借其功能易配置性与多样性等特性，使其成为了容易适应各种应用和系统特殊要求的最佳解决方案。

　　另外，基于NGC1081设计的系统可与移动电话进行无缝的数据链接，这极大地促进了基于访问云端商业模式产品采用该方案。这种与移动电话的无缝链接特性的实现主要是得益于精简而可扩展的邮箱访问概念，这一概念确保了数据访问过程中数据的完整性和安全性。不仅如此，通过公开协议界面传送的特定应用的指令和信息还可以进一步地扩展协议层。

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英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
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英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块

　　英飞凌EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7芯片技术，电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。　　EasyDUAL™ 1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。　　产品型号：　　■ FF75R12W1T7E_B11　　■ FF100R12W1T7E_B11　　■ FF150R12W2T7E_B11　　■ FF200R12W2T7E_B11　　■ FF300R12W2T7E_B11　　产品特点：　　高度为12毫米的Easy系列模块　　杂散电感极低　　采用IGBT T7技术过载能力高达175°C　　PressFIT针脚　　应用价值：　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　产品优势：　　采用成熟的Easy封装和基于TRENCHSTOP™ IGBT T7技术的共射极结构，尤其适用于矩阵变换器应用。　　该产品组合为驱动应用提供了最佳性价比解决方案。　　应用领域：　　矩阵变换器
2025-05-19 10:48 reading：203
英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
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英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块

　　英飞凌1200V 500A NPC2三电平模块，采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。该模块采用大电流PressFIT压接式引脚，配备NTC温度传感器，并针对储能应用进行了优化，非常适用于1000 VDC 100kW功率变换系统。　　产品型号：　　■ F3L500R12W3H7_H20　　产品特点：　　高度为12mm的Easy系列模块　　杂散电感极低　　过载时允许最高工作结温175°C　　低Vce,sat饱和压降　　耐湿性　　大电流引脚　　应用价值　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　竞争优势：　　降低系统成本　　易于设计的产品　　逆变器和Boost升压电路设计自由度高　　最高功率密度　　应用领域：　　储能
2025-05-19 09:50 reading：206
英飞凌：EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列
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英飞凌：EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列

　　英飞凌的新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速栅极驱动器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT开关，设计采用英飞凌的绝缘体上硅(SOI)技术。　　1ED21x7x具有出色的坚固性和抗噪能力，能够在负瞬态电压高达-100V时保持工作逻辑稳定。可用于高压侧或低压侧功率管驱动。　　1ED21x7x系列非常适合驱动多个开关并联应用，例如轻型电动汽车。基于1ED21x7x大电流栅极驱动器的设计，可在一个三相系统中节省多个NPN/PNP管和外部自举二极管。　　在其他应用，如图腾柱PFC，电感器过流保护是个设计难点，1ED21x7x提供简单、易于设计的电感器过流保护。　　产品型号：　　■ 1ED2127S65F　　■ 1ED21271S65F　　■ 1ED2147S65F　　■ 1ED21471S65F　　产品特点　　英飞凌SOI技术　　最大耐压电压+650V　　输出源/灌电流+4A/-4A　　最大供电电压为25V　　集成超快、低RDS(ON)自举二极管　　负VS瞬态抗扰度为100V　　过流和欠压检测　　多功能RCIN/故障/启用(RFE)，故障清除时间可编程　　传播延迟小于100ns　　DSO-8封装　　符合标准RoHS　　应用价值　　无闩锁　　负VS瞬态抗扰度为100V　　高压尖峰抗扰度　　强大的输出功率水平　　功能集成在单一器件中　　电压和电流监控　　竞争优势　　系统可靠性高　　易于设计的产品　　降低系统成本　　系统故障保护　　应用领域　　叉车　　LEV　　电池分断器　　高功率应用　　电机驱动器
2025-03-21 09:24 reading：445
英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板
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英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

　　电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。　　为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正(PFC)电路。PFC通过同步输入电流和电压波形来确保高功率因数。通过使用PFC，电源系统可以减少失真，保持稳定高效的供电。　　英飞凌新品EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交错图腾柱PFC(功率因数校正)的完整系统解决方案。图腾柱PFC电路采用EiceDRIVER™ 1ED21271S65F和CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H。　　测试结果显示，在230 VAC半负载条件下，功率达98.7%。　　产品型号：　　■ EVAL-1EDSIC-PFC-5KW　　所用器件：　　■ EiceDRIVER™ 1ED21271S65F驱动CoolSiC™ MOSFET　　■ CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H　　■ EiceDRIVER™ 2ED2182S06F驱动CoolMOS™　　■ CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 600V IPQC60R010S7　　■ Controller:XMC™ 4200 Arm® Cortex®-M4　　■ 辅助电源：ICE2QR2280G　　产品特点　　采用CoolSiC™和CoolMOS™的交错图腾柱设计，由电平位移驱动器驱动1ED21271驱动　　高压侧电源开关的硬件击穿保护　　CCM图腾柱PFC　　提高性能和稳健性　　应用价值　　半负载时效率高达97.8%　　输入电压范围：100-240伏　　固定400V输出直流电压　　峰值电流限制50A　　竞争优势　　高压侧驱动器集成保护　　高速直通保护　　创新的PFC级设计　　框图　　应用领域　　暖通空调(HVAC)　　家用电器　　功率变换系统　　通用驱动器
2025-03-21 09:17 reading：425
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