英飞凌携手台积电将RRAM技术引入至AURIX™ TC4x汽车微控制器产品系列
台积电的可变电阻式记忆体制程技术将引入至英飞凌的新一代MCU AURIX微控制器中。
12月7日，英飞凌科技股份公司和台积电近日宣布，两家公司准备将台积电的可变电阻式记忆体制程技术引入至英飞凌的新一代MCU AURIX微控制器中。
自首个发动机管理系统问世以来，嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元（ECU）的主要构建模块。这些微控制器是打造绿色、安全和智能汽车所不可或缺的组成部分，被应用于驱动系统、车辆动态控制、驾驶辅助和车身应用中，助力汽车领域在电气化、全新电子电气（E/E）架构和自动驾驶方面实现了重大创新。目前，市场上的大多数MCU系列均采用嵌入式闪存技术。作为下一代嵌入式存储器，RRAM可以进一步扩展至28nm及以上。
英飞凌AURIX TC4x微控制器产品性能的可扩展性与虚拟化、安全和网络功能方面的最新趋势相结合，以支持新一代软件定义汽车和全新E/E架构。英飞凌与台积电成功地将RRAM引入至汽车领域，为AURIX微控制器建立了更加广泛的技术与供应基础。RRAM具有很高的抗干扰性并且允许在不需要擦除的情况下进行逐位输入，其耐久性和数据保持性能堪比闪存技术。
台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang博士表示：“英飞凌和台积电长期以来一直保持着成功的合作关系，比如在第一代AURIX TC2x产品的合作。我们在RRAM NVM技术领域也合作了近十年，涵盖了各种不同的应用。此次为TC4x引入RRAM将为MCU的进一步小型化开辟新的可能性。我们十分高兴能与英飞凌这样领先的企业展开合作。”
英飞凌科技高级副总裁兼汽车微控制器业务总经理Thomas Boehm表示：“AURIX TC3x作为一款倍受青睐的汽车微控制器已经在许多应用领域得到了认可。基于台积电RRAM技术打造的AURIX TC4x将凭借更高的ASIL-D性能、更加强大的AI功能以及包括10Base T1S以太网和CAN-XL等在内的最新的网络接口，进一步扩大这一领先优势。RRAM技术为提高性能、减少功耗和节约成本创造了巨大的潜力。”
英飞凌正在向主要客户提供基于台积电28nm eFlash技术的AURIX TC4x系列样品。首批基于28nm RRAM技术的样品将在2023年底前提供给客户。
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