据报道,英飞凌表示下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而不是嵌入式闪存(eFlash),并将在台积电的28纳米节点上制造。
据悉,基于台积电28nm eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器的样品已经交付给主要客户,但基于台积公司28nm RRAM技术的首批样品将于2023年底提供给客户。
英飞凌表示,Autrix TCPx系列微控制器专为ADAS设计,并提供新的E/E架构和价格合理的AI应用。
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model | brand | Quote |
---|---|---|
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments |
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