ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

Release time:2022-10-08
author:Ameya360
source:网络
reading:3133

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款设备端学习*AI芯片(配备设备端学习AI加速器的SoC),该产品利用 AI(人工智能)技术,能以超低功耗实时预测内置电机和传感器等的电子设备的故障(故障迹象检测),非常适用于IoT领域的边缘计算设备和端点*1。

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

    通常,AI芯片要实现其功能,需要进行设置判断标准的“训练”,以及通过学到的信息来判断如何处理的“推理”。在这种情况下,“训练”需要汇集庞大的数据量形成数据库并随时更新,因此进行训练的AI芯片需要具备很高的运算能力,而其功耗也会随之增加。正因如此,面向云计算设备开发的高性能、昂贵的AI芯片层出不穷,而适用于边缘计算设备和端点(更有效地构建物联网社会的关键)的低功耗、可在设备端学习的AI芯片开发却困难重重。

    此次开发出的AI芯片,是ROHM在基于日本庆应义塾大学松谷教授开发的“设备端学习算法”,面向商业化开发的AI加速器*2(AI专用硬件计算电路)和ROHM8位高效CPU“tinyMicon MatisseCORE(以下简称“Matisse”)”构成。通过将2万门超小型AI加速器与高效CPU相结合,能以仅几十mW(仅为以往AI训练芯片的1/1000)的超低功耗实现训练和推理。利用本产品,无需连接云服务器,就可以在设备终端将未知的输入数据和模式形成“不同于以往”的数值并输出,因此可在众多应用中实现实时故障预测。

    未来,ROHM计划将该AI芯片的AI加速器应用在IC产品中,以实现电机和传感器的故障预测。计划于2023年度推出产品,于2024年度投入量产。

    日本庆应义塾大学 理工学部信息工学科 松谷 宏纪 教授表示:“随着5G通信和数字孪生*3等物联网技术的发展,对云计算的要求也越来越高,而在云服务器上处理所有数据,从负载、成本和功耗方面看并不现实。我们研究的‘设备端学习’和开发的‘设备端学习算法’,是为了提高边缘端的数据处理效率,创建更好的物联网社会。这次,我校通过与ROHM公司进行联合研究,进一步改进了设备端学习电路技术,并有望以高性价比的方式推出产品。我们预计在不久的将来,这种原型AI芯片将会成功嵌入ROHM的IC产品中,为实现更高效的物联网社会做出贡献。”

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

    <关于tinyMicon MatisseCORE™>

    tinyMicon MatisseCORE(Matisse: Micro arithmetic unit for tiny size sequencer)是ROHM自主开发的8位微处理器(CPU),该产品旨在随着物联网技术的发展来提高模拟IC的智能化程度。凭借针对嵌入式应用而优化的指令集和最新的编译器技术,以高标准实现了更小的芯片面积和程序代码、以及更高速的运算处理能力。此外,该产品还符合汽车功能安全标准“ISO 26262”、ASIL-D等的要求,适用于对可靠性要求高的应用。另外,利用内置的自有“实时调试功能”,在调试时的处理可以完全不影响应用程序的运行,因此能在应用产品工作的同时进行调试。

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

    Matisse和普通小型CPU的性能比较

    <AI芯片(配备设备端学习AI加速器的SoC)详细介绍>

    这次开发出的设备端学习AI芯片原型(产品型号:BD15035)在人工智能技术的基础上,采用了庆应义塾大学松谷教授开发的“设备端学习算法(三层神经网络*4的AI电路)”。为了推出可以投放市场的产品,ROHM将这种AI电路的大小从500万门缩小为2万门,仅为原来的0.4%,并将其重新构建为自有的AI加速器“AxlCORE-ODL”,同时,利用ROHM的8位高效微处理器“tinyMicon MatisseCORE”进行AI加速器的运算控制,使得仅数十毫瓦的超低功耗AI训练和推理成为可能。利用本产品,无需连接云服务器和事先进行AI训练,就可以设备终端将未知的输入数据和模式(例如加速度、电流、照度、声音等)形成“不同于以往(异常度)”的数值并输出,因此不仅可以降低云服务器和通信成本,还能通过终端AI进行实时故障预测(故障迹象检测)。

    另外,ROHM还提供可安装微控制器开发板“Arduino*5”用扩展板(配备Arduino兼容引脚)的评估板,以方便客户评估这款AI芯片。评估板上装有无线通信模块(Wi-Fi和Bluetooth®)以及64kbit EEPROM(内存),只需将该评估板与传感器等单元相连接,将传感器装在监控对象上,即可在显示屏上确认AI芯片的效果。

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ROHM:AI将耗尽全球电力?解决AI数据中心电力难题的功率半导体
  AI的惊人发展为社会带来巨大变革,同时也凸显出一个严峻课题——支撑其运转的数据中心,电力消耗量正急剧攀升。  为解决这一电力难题、助力日本引领AI时代,日本经济产业省正大力推进名为“瓦特·比特构想”的国家战略,旨在实现超节能型数据中心并在全国进行优化布局。  通过“瓦特·比特协同官民座谈会”等平台,日本经济产业省正联合电力、通信、数据中心、半导体等各行业力量,全力推动这一构想的实现。  目录  1. AI是否将耗尽全球电力?  2. 可再生能源在数据中心领域的应用  3. 服务器机柜会持续增加吗?  4. 当前的电源系统还能满足需求吗?  5. 满足下一代AI数据中心要求的功率半导体是什么样的?  6. 总结  产品介绍、详细信息、其他链接等  1. AI是否将耗尽全球电力?  以ChatGPT为代表的生成式AI迅速普及,直接导致数据中心的电力消耗激增。复杂的AI模型在训练与推理过程中需要庞大的计算资源,而这些资源由24小时不间断运转的数据中心高性能服务器提供支撑。  电力消耗的急剧增加不仅加重了地区环境的负荷,从稳定供电的角度来看也引发了担忧。展望AI的进一步发展,传统的电力供应体系正逐渐显现出局限性。  在这种背景下,亟待解决的课题可归纳为三点:“节能化”“可再生能源的利用”“数据中心的区域分散布局”。要实现可持续社会,必须摆脱对化石燃料发电的依赖,将太阳能、风能等可再生能源发电视为电力供应的必要方式。  2. 可再生能源在数据中心领域的应用  如今,作为社会重要基础设施的数据中心正迎来重大转型期。  此前,受低延迟通信需求驱动,“城市型数据中心”多集中建设于东京等大都市圈,为金融、医疗健康、边缘计算等对高速且低延迟的数据访问有要求的服务提供支撑。但随着AI普及带来的用电量增加,以及从大规模灾害时的业务连续性(BCP)角度考量,近年来数据中心向郊区分散的趋势加速。  “郊外型数据中心”易于确保广阔土地,适合引入太阳能、风能等可再生能源。此外,在电网容量充裕的地区可期待稳定供电;在气候凉爽、水源丰富的地区,冷却效率也会提升,进而降低运营成本。因此,郊外型数据中心在云托管、备份、灾害恢复系统、大规模存储等领域的应用不断推进。  3. 服务器机柜会持续增加吗?  无论是难以确保场地的“城市型”数据中心,还是易于获取广阔土地的“郊外型”数据中心,其服务器安置空间都存在局限。  因此,当前用于存放服务器的机柜,正朝着能高效容纳更多高性能服务器的“高密度AI服务器机柜”方向演进。  相较于数据中心整体服务器机柜总数的大幅增长,未来更可能呈现“高密度化”趋势:通过增加单个机柜中搭载的CPU、GPU及其他功能板卡,在有限空间内大幅提升单机柜计算能力,从而释放最大性能。  形象地说,即便外观相同的服务器机柜,其内部的容纳能力也可能提升数倍。  这种高性能化、高密度化对电力供应机制提出了重大变革需求。传统的多级电力转换存在较大功率损耗,已难以实现高效供电。因此,未来将推进减少电力转换步骤、推进高压直流(HVDC)等技术革新,而SiC和GaN功率半导体的有效利用也将变得不可或缺。以ROHM为代表的各企业,正致力于相关技术研发,为这一电源系统的重大变革提供支持,助力数据中心实现整体节能与高性能化。  4. 当前的电源系统还能满足需求吗?  高性能AI服务器(尤其是GPU)的功耗急剧增加,正迫使现有数据中心的电源架构(供电设计)进行根本性重构。原因在于,当前的多级电力转换存在较大转换损耗,已难以实现高效供电。  当前数据中心的供电流程为:高压交流电(AC)输入后,通过多台变压器和整流器逐步降压,最终转换为服务器所需的低压直流电(DC)。但是,这种多级转换会在每个步骤产生功率损耗,导致效率下降。  为此,数据中心未来将以电力转换效率提升和可靠性提升为目标,推进以下变革:  · 减少电力转换步骤  目前已出现整合多个转换步骤的趋势,例如从高压交流电(AC)直接转换为直流电(DC),或从高压直流电一次性降压至服务器所需电压。通过大幅减少电力转换步骤,可将转换损耗降至最低水平,提升系统整体效率并降低故障风险。  · 支持高压输入/高压直流(HVDC)电源  服务器机柜的输入电压正从传统的12VDC、48VDC等低电压向400VDC甚至800VDC(或±400VDC)等高电压过渡。提高电压可降低电力传输时的电流,从而实现母线轻量化。  另外,不采用交流电,而是以高压直流电直接为服务器机柜供电的“HVDC”系统正逐步推广。HVDC可减少AC/DC转换器的数量,实现更灵活的电力调控与双向输电,并更容易适用可再生能源。  · 固态变压器(SST,Solid State Transformer)的发展  变压器设备有望从传统变压器向采用半导体技术的SST(Solid State Transformer)演进。与传统设备相比,SST被认为是一种能够显著推动小型化的技术方案。  · SiC/GaN功率半导体需求增长  要实现高效高压电源系统,就需要传统硅(Si)半导体难以企及的性能。因此,SiC和GaN功率半导体成为必然选择。它们在高压输入条件下仍能实现低损耗、高频运行和高温工作,非常有助于电源系统的小型化与效率提升。  此外,不仅电源系统,服务器机柜内的各类设备也在向多功能化、高性能化发展,这将有助于进一步提升能效。  ROHM也在加速面向下一代服务器的解决方案研发,除了利用“EcoSiC™系列”“EcoGaN™系列”“EcoMOS™系列”等技术的现有产品(如SiC/GaN/Si IGBT、隔离型栅极驱动器、冷却风扇驱动器、SSD用PMIC、HDD用复合电机驱动器)外,还计划开发大电流LV MOS、隔离型DC-DC、SoC/GPU用DC-DC、eFuse等产品。  *EcoSiC™、EcoGaN™、EcoMOS™均为ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  为应对市场变革,ROHM在深度优化现有产品群性能的同时,正积极推进以SiC和GaN为核心的功率半导体创新产品研发,以灵活响应新的市场需求。通过这些举措,ROHM将为从数据中心末端的服务器机柜到整个系统,提供高耐压、高效率的元器件,为下一代电源系统提供支撑。  5. 满足下一代 AI 数据中心要求的功率半导体是什么样的?  ·高压大电流场景适用SiC器件  SiC器件在需要高电压大电流的领域具备显著优势。  如前所述,随着服务器机柜输入电压向高压演进,传统54V机柜电源系统除面临物理空间限制外,还存在用铜量过高、功率转换损耗等问题。  为此,在下一代数据中心电源系统中采用ROHM的SiC MOSFET,可使其在高电压、高功率条件下发挥出优异性能,通过降低开关损耗及导通损耗实现效率提升,并实现满足紧凑、高密度系统要求的高可靠性。  这不仅能将能耗降到更低,还有助于削减用铜量,简化数据中心整体的功率转换过程。  ·高效化、小型化场景适用GaN器件  SiC适用于高电压大电流场景,而GaN则在100V~650V范围内性能优势显著,可实现优异的介电击穿强度、低导通电阻和超高速开关特性。  AI服务器比通用服务器处理的数据量更大,需运行高性能GPU、大容量存储器及高性能软件。因此耗电量更多,散热与冷却也更为重要。  在电源模块中使用可实现高速开关(高频运行)的GaN HEMT,能够最大限度降低功率损耗。功率转换效率的大幅提升有望带来节能效果,从而降低运营成本并减轻环境负荷。  此外,具有高电流密度的GaN器件与传统硅器件相比,体积可减小约30%~50%,便于为电源模块、充电器等设备预留空间,同时简化散热设计。  而且,通过单元小型化,可利用节省出的空间,减轻冷却系统负担,进而有助于减小系统整体的体积并提高其可靠性。加之GaN器件耐久性高且适用于高频应用,因此被视为数据中心的理想选择。  ROHM通过采用能进一步提升GaN器件开关性能的自有Nano Pulse Control™技术,成功将脉冲宽度缩短至最小2ns。作为EcoGaN™系列,除150V和650V的GaN HEMT、栅极驱动器外,还包括整合了上述器件的Power Stage IC等产品,为满足AI数据中心对小型、高效电源系统的需求,ROHM正在不断扩充相关产品阵容。  *Nano Pulse Control™为ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  6. 总结  AI的进化从未停止,随之而来的电力需求增长已成为不可回避的现实。  据IEA(国际能源署)预测,未来五年全球数据中心的电力需求较当前增长一倍以上,达到约9,450亿kWh,其中半数将由太阳能、风能等可再生能源提供。这明确表明,在耗电量巨大的数据中心领域,光伏发电(PV)、储能系统(ESS)等可再生能源市场正在快速崛起。  为应对这一课题,日本政府正以国家战略“瓦特·比特构想”为框架,通过官民协同机制推进多维度解决方案,包括提升电力系统效率、最大化利用可再生能源、优化数据中心布局等。  ROHM以SiC、GaN器件等先进功率半导体技术为核心,拥有可实现高效电源系统及适配高压输入的丰富产品群。同时,为满足下一代AI数据中心的需求,正积极投入新产品研发。我们将通过这些技术,为以更环保、可持续的方式实现AI带来的美好未来贡献力量。  关于个别产品的咨询,ROHM还设有可直接向ROHM提问的讨论页面,以及可查阅相关信息的FAQ页面。欢迎大家充分利用这些资源。  *Engineer Social Hub™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  产品介绍、详细信息、其他链接等  ・关于ROHM的SiC功率器件  GaN功率器件 | 分立半导体 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor  ・关于ROHM的SiC MOSFET  SiC MOSFET - 产品搜索结果 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor  ・关于ROHM的GaN功率器件  GaN功率器件|分立半导体| ROHM Co., Ltd.-ROHM Semiconductor  关于ROHM的GaN HEMT Power Stage IC  GaN HEMT Power Stage IC - 产品搜索结果 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor  ・关于ROHM的IGBT  IGBT | 分立半导体 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor  ・与NVIDIA之间的合作  罗姆为英伟达800VHVDC架构提供高性能电源解决方案 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor  ・关于适用于AI服务器的MOSFET“RY7P250BM”  ROHM开发出适用于AI服务器的功率MOSFET~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻~ | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor  关于SiC模块“HSDIP20”  ROHM推出高功率密度的新型SiC模块,将实现车载充电器小型化! | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor
2025-11-05 14:18 reading:198
ROHM开发出搭载VCSEL的高速高精度接近传感器“RPR-0730”
  2025年11月4日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出一款可检测高速移动物体的小型高精度接近传感器“RPR-0730”,该产品广泛适用于包括标签打印机和输送装置在内的消费电子及工业设备应用。  随着工业设备和办公设备向更高性能、更多功能及自动化方向发展,对感测技术的精度提升提出了更高要求,特别是标签打印机、样本传送装置和复印机等应用,除了通过优化生产工艺等提升速度外,还需要具备能够更精准识别目标物的技术,因此引入高速且高精度的接近传感器变得至关重要。为应对这些需求,ROHM推出采用VCSEL作为发光元件、采用光电晶体管作为受光元件的模拟量接近传感器“RPR-0730”。该产品能够高速且高精度地感测传统LED光源难以识别的微细目标物。  “RPR-0730”是一款反射式小型接近传感器(反射式光电传感器*1)。通过采用比LED指向性更优异的红外VCSEL*2作为发光元件,实现了对更微细目标物的检测。另外,通过采用具有模拟输出功能的光电晶体管*3作为受光元件,实现10微秒(µs)的高速响应性能。这两大优势相结合,能够高速且精确地识别出传统LED光源难以检测到的0.1mm宽的微细线体。作为以往数字输出型产品“RPR-0720”系列的新成员,本产品的应用范围更广泛,其中包括复印机和标签打印机的打印检测、电机和齿轮的旋转检测等需要更高速感测的应用。  新产品的封装尺寸非常小,仅为2.0mm×1.0mm×0.55mm,并采用可见光截止滤光树脂,可有效抑制照明和太阳光等干扰光的影响。因此,即便在工厂、户外等光环境易变的场所,也能实现稳定的检测。另外,本产品还可轻松安装在需要在狭小空间内安装的设备(比如输送装置内部和精密仪器)中,因此其应用范围更广泛。  新产品已于2025年10月开始量产(样品价格350日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始电商销售,可联系AMEYA360咨询。  未来,ROHM将利用发光和受光元件的开发技术优势,继续开发满足客户需求的感测产品,助力各种设备提高便利性并实现小型化。  <产品阵容>*1: Due to the resistor value in the later stage *2: Detection distance d=3mm  <应用示例>  ・标签打印机、复印机、碎纸机的打印检测和送纸/卡纸检测等  ・输送设备、自动检测装置的行李/样本等物体检测、工件位置检测等  ・工业设备用机器人的电机和齿轮的旋转检测等  <术语解说>  *1) 反射式光电传感器  一种发光元件和受光元件相结合的光传感器。通过向目标物照射光线并检测其反射光强度,可以判断物体的存在与否或测量距离。  *2) VCSEL  Vertical Cavity Surface Emitting LASER(垂直腔面发射激光器)的缩写。激光光源的一种,是可以从表面直接发射光的半导体激光器。与LED相比,其指向性更好,适合高精度感测应用。最初主要用于光通信领域,近年来也越来越多地被用作接近传感器和测距传感器的发光光源。  *3) 光电晶体管  将光信号转换为电信号的晶体管型光电转换器件。集光电二极管与晶体管于一体,通过光来控制基极电流,并输出被放大的集电极电流。
2025-11-04 16:31 reading:205
ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC
  2025年10月23日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出适用于中等耐压系统( 12V ~ 48V 系统) 的采用“TriC3™” 技术的三相无刷直流电机驱动器 IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑,该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性,而这两项之间存在此消彼长的关系,通常很难同时兼顾。  电机的耗电量约占全球耗电量的60%,从能源效率的角度来看,进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V~48V电压等级的应用产品中,电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来,对高效率控制且精密控制的需求日益高涨,MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面,三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系,长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题,ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术,成功开发出可同时抑制“功耗”和 “噪声”的新技术“TriC3™”。  新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”,能够高速感测来自FET的电压信息,并实时进行栅极控制。采用这种控制方式,不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量,同时还抑制了振铃*2的产生,实现了低EMI特性。经实际电机验证,与ROHM以往的恒流驱动产品相比,新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外,新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形(UQFN28)和引脚排列,有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。  新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个,不含税)。此外,ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板(BD67871MWV-EVK-003)。本产品也已开通电商销售路径,可通过AMEYA360购买。  另外, ROHM 还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器(BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z)。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品,ROHM可 提供满足客户多样化需求的丰富产品群,未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。  <产品阵容>  <应用示例>  ・工业设备:电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机  ・消费电子:吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车  <TriC3™>  ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流,实现高速且高效运行,同时抑制振铃现象,有助于降低噪声并实现稳定工作。  “TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。  <术语解说>  *1) EMI(Electromagnetic Interference:电磁干扰)  EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。  *2) 振铃  开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时,电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。
2025-10-23 14:15 reading:290
体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
  2025年10月16日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。  与以往封装产品相比,新产品的体积更小更薄,器件面积削减了约26%,厚度减半,仅为2.3mm。另外,很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V,而ROHM新产品则达到750V。因此,即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻,从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品,并已于2025年9月开始量产(样品价格:5,500日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始电商销售,可从Ameya360平台购买。另外,ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型,助力客户快速推进电路设计。  <开发背景>  在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中,功率呈日益提高的趋势,同时,与之相矛盾的小型化需求也与日俱增,这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源,其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求,ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。  <产品阵容>  <应用示例>  ・工业设备:AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)  ・消费电子:一般电源  <电商销售信息>  电商平台:Ameya360  开始销售时间:2025年9月起逐步发售  <术语解说>  *1) 图腾柱型PFC电路  一种高效率的功率因数校正电路方式,通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET,可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。  <关于“EcoSiC™”品牌>  EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-10-20 11:02 reading:359
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