ROHM开发出45W输出且内置FET的小型表贴封装 AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”

Release time:2022-09-27
author:Ameya360
source:网络
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    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域,开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)”

ROHM开发出45W输出且内置FET的小型表贴封装 AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”

    近年来,家电和工业设备领域的AC/DC转换器,不仅要支持交流输入85V~264V以处理世界各地的交流电压,作为电源整体还要符合能效标准“Energy Star*3”和安全标准“IEC 62368”等,需要从国际视角构建电源系统。其中,对于AC/DC转换器IC来说,不仅要满足这些要求,还需要采用表贴型封装形式,以降低工厂的安装成本。然而,事实上,在AC/DC转换器IC中仍然大范围地使用产生大量损耗和热量的DMOSFET和Planar MOSFET,即使表贴封装产品也很难满足几十瓦级的输出功率要求。为解决这些问题,ROHM开发一种具有45W输出功率的新产品,新产品已将低损耗SJ-MOSFET和优化的控制电路集成在小型表贴封装中。

    新产品是将ROHM的低损耗功率半导体(Super Junction MOSFET, 简称“SJ-MOSFET”)和控制电路等一体化封装的IC,使交流输入85V~264V、输出功率到45W的AC/DC转换器的开发变得更容易。新产品采用表贴型封装,实现了过去很难的电路板自动安装;而且还采用特别开发的控制电路,可以在取消电源输入端的放电电阻器(待机时的损耗源)的情况下也符合“IEC 62368*4”标准;同时,利用ROHM自有的低待机功耗控制技术,使待机功耗显著降低。不仅如此,最高的工作电源电压(VCC)可达60V,无需降压用的外部电源电路。与同等性能的普通产品相比,支持自动安装将有助于降低工厂的安装成本,同时还将待机功耗降低90%以上,并减少4个电源电路器件,从而有助于提高节能性和可靠性。

    今后,ROHM不仅会继续开发各种功率半导体和先进的模拟控制IC,还将为不同的应用提供更好的解决方案,不断为系统的节能和优化贡献力量。

ROHM开发出45W输出且内置FET的小型表贴封装 AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”

    <新产品特点>

    1.表贴封装、可支持高达45W的输出功率,有助于降低工厂的安装成本

    新产品将低损耗(低导通电阻)730V耐压SJ-MOSFET、启动电路和优化的控制电路集成在小型且散热性良好的表贴封装(SOP20A)中。作为支持输入电压AC 85V~264V的表贴封装产品,支持过去很难实现的高达45W的大输出功率(24V×1.875A=45W等),并实现了普通的插装型产品无法实现的自动安装,这将非常有助于降低工厂的安装成本。

    2.待机功耗比普通产品低90%以上

    新产品采用了融入ROHM高耐压工艺技术和模拟设计技术的控制电路(X电容*5放电功能),即使取消以往必须的既是损耗源又具有防触电功能的放电电阻,也可以满足安全标准“IEC 62368”的安全要求。此外,利用自有的低待机功耗控制技术(优化控制功率半导体的开关次数和流经隔离变压器的电流),进一步降低了应用待机时的IC功耗,系统待机功耗与普通产品相比降低了90%以上,成功地将待机功耗抑制到17mW(AC输入230V、输出功率0W时)。

    此外,还搭载了降噪模式,可抑制隔离变压器的异常噪声。当希望降低待机功耗时,可以关闭降噪模式,当担心隔离变压器的异常噪声或希望加快开发速度时,可以打开降噪模式,因此,可根据应用产品提供理想的电源系统。

ROHM开发出45W输出且内置FET的小型表贴封装 AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”

    3.电源电路元器件数量减少4个,功率半导体的故障风险更低,电源的可靠性更高

    新产品可在11V~60V的更宽VCC电源电压范围内工作。60V的最高电源电压是普通产品的两倍,对外来噪声干扰和浪涌电压均具有很高的可靠性。此外,还可以减少普通产品所需的降压用外置电源电路的4个元器件。 不仅如此,在内置的功率半导体中,还采用了具有很强抗浪涌电压能力的SJ-MOSFET(抗击穿能力指标——雪崩耐量比普通产品中内置的DMOSFET和Planar MOSFET高30倍以上),降低了半导体的故障风险,因此有助于提高电源系统的可靠性。

ROHM开发出45W输出且内置FET的小型表贴封装 AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”

    <应用示例>

    ◇空调、白色家电、监控器、吹风机等各种家电

    ◇逆变器、AC伺服、路由器、OA设备等各种工业设备

    适用于家电和工业设备中最高45W输出功率的各种AC/DC转换器。

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ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管
  中国上海,2025年10月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”,该产品在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡,可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用,提供高可靠性的保护解决方案。  近年来,随着ADAS摄像头等应用的精度提升,其搭载的图像传感器的像素也越来越高。这使得产品无法对电源关断时图像传感器感光产生的光生电压进行充分控制,从而存在对应用产品造成损坏的风险,而采用具有低VF特性的肖特基势垒二极管进行保护被认为是行之有效的方案。另一方面,为了防止运行时的热失控,还需要具备低IR特性。但由于VF与IR之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何兼顾二者一直是个难题。在这种背景下,ROHM通过从根本上重新改进器件结构,成功开发出兼具低VF和低IR特性的肖特基势垒二极管,使其能够胜任保护工作。  “RBE01VYM6AFH”是一款突破常规思维的产品,它创新性地将通常用于整流用途的肖特基势垒二极管的低VF特性用在了保护用途中。通过采用基于ROHM自有技术的创新型器件结构,同时实现了通常难以兼顾的低VF和低IR特性。凭借这些优异的特性,新产品即使在严苛的环境条件(VF:Ta=- 40℃、IR:Ta=125℃)下,仍同时满足市场VF<300mV(IF=7.5mA)和IR<20mA(VR=3V)的特性要求。因此,新产品不仅能够防止应用产品停止运行时的高光生电压*1导致的电路损坏,还能大大降低运行过程中出现热失控和误动作的风险。  新产品的封装采用小型扁平引脚SOD-323HE(2.5mm × 1.4mm)封装形式,兼具出色的可安装性和节省空间优势。在需要在狭小空间中安装的车载摄像头、工业设备、安防设备等众多应用中,均可灵活使用。  另外,新产品还符合车载电子元器件可靠性标准(AEC-Q101),在要求高可靠性和长期稳定运行的下一代电子设备设计中,可作为理想的保护器件运用。  新产品已经在稳定的供应体系下开始量产供应(样品价格:130日元/个,不含税)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360可购买。  未来,ROHM将通过不断扩充小型封装的产品阵容,进一步满足应用产品日益增长的小型化需求。  <产品主要特性>  <应用示例>  ・ADAS摄像头、智能对讲系统、安防摄像头、家庭物联网设备等配备图像传感器的应用  <电商销售信息>  网售平台:Ameya360  ・产品型号:RBE01VYM6AFHTR  <术语解说>  *1) 光生电压  光传感器等领域的常用术语,指因光照产生的电压。通常而言,光照强度越大或传感器像素越高,所产生的电压就越大。
2025-10-09 15:00 reading:267
ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关!
  ~高容性负载驱动,为汽车电子化进程注入强劲动力~  近日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zone-ECU*¹的车身相关应用,推出6款不同导通电阻值的高边IPD*²(智能高边开关)“BV1HBxxx系列”,非常适合用来保护系统免受功率输入过大等问题的影响。全系列产品均符合AEC-Q100车规标准,满足对车载产品严苛的可靠性要求。  随着自动驾驶和电动汽车(EV)的不断发展,汽车的电子控制越来越复杂。与此同时,从功能安全角度来看,电子保护的重要性日益凸显,以区域为单位对汽车进行管理的“Zone-ECU”应用进程加速。在这种趋势下,用于对负载进行电子保护和控制的IPD的应用也在加速。Zone-ECU需对大量负载进行集中控制,而传统IPD在容性负载驱动能力方面存在不足。ROHM本次发布的高性能IPD在满足低导通电阻、高能量耐受能力等基本性能要求的同时,弥补了容性驱动能力的短板,实现性能提升,充分满足Zone-ECU的需求。未来,新产品投入市场后将会大力推动无需使用机械式保险丝的“汽车电子化”进程。  新产品具备高容性负载驱动能力*³,在Zone-ECU与输出负载(含各种ECU)的连接部位可充分发挥其性能。同时,凭借ROHM自主研发的最新工艺技术,新产品还成功实现以往难以兼顾的低导通电阻与高能量(破坏)耐受能力。由此,BV1HBxxx系列得以在驱动能力、导通电阻及能量耐受能力这三大关键要素上形成高水平的平衡,有助于实现安全性、效率性与可靠性俱佳的系统设计。与此同时,新产品搭载达到业界先进水平的高精度(实际精度:±5%)电流检测功能,可有效保护连接输出负载的线束。其小型且兼具优异散热性能的HTSOP-J8封装具有很高的通用性。  新产品已于2025年6月开始以20万个/月的规模投入量产。此外,新产品已经开始通过电商进行销售(样品价格600日元/个,不含税)。未来,ROHM将继续致力于研发高可靠性、高性能的产品,为汽车领域的安全保障和节能减耗贡献力量。  IPD(带电流检测功能的高边开关)产品阵容应用示例  ・车身相关应用、动力总成系统及逆变器周边、其他开关类应用  电商销售信息  发售时间:2025年6月起  电商平台:新产品在AMEYA360等电商平台将逐步发售。  产品型号:BV1HB008EFJ-CE2、BV1HB012EFJ-CE2  BV1HB020EFJ-CE2、BV1HB040EFJ-CE2、BV1HB090EFJ-CE2、BV1HB180EFJ-CE2  术语解说  *1)Zone-ECU(Electronic Control Unit:电子控制单元)  汽车电子架构中的创新设计概念之一。在传统设计中,汽车会搭载分别对应照明、汽车门锁、电动车窗等各项功能的ECU,而Zone-ECU则采用汽车分区理念,在每个区域配置可对该区域内所有功能进行集中控制的集成式ECU。  *2)IPD(Intelligent Power Device)  一种不仅可对电子电路进行开关控制,还可保护电路免受电气性破坏(如异常时的过电流)的器件。相较传统机械式保险丝,因其无机械触点而在使用寿命和可靠性方面更具优势。这种器件具有普通半导体开关器件MOSFET所不具备的保护功能,可助力构建安全且可靠性高的系统。  *3)容性负载驱动能力  主要在电子电路和半导体元器件领域使用的专业术语,是衡量电路和器件对容性负载(电容)的正常工作能力的性能指标。在由Zone-ECU及其输出负载(含各ECU)构成的电路中,通常会使用大容量电解电容,若容性负载驱动能力较低,将无法抑制浪涌电流,从而导致过热,进而引发误动作或缩短使用寿命。
2025-09-09 14:37 reading:314
ROHM适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块
  引言  要实现零碳社会的目标,交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中发挥着重要作用。车载充电器(OBC)便是其中一例。紧凑型传递模塑功率模块如何满足当前车载充电器(OBC)的需求?  正文  电动交通领域的发展日新月异:为提高车辆的自主性和续航里程,电驱动力总成系统变得越来越 高效和紧凑。车载充电器(OBC)作为这一发展进程中的关键组成部分,必须在保持高效效率的同时,尽可能小型轻量化。这一技术挑战还必须确保成本控制在限定范围内。  OBC 用于交流充电, 需要由电网( 充电桩) 提供单相或三相电压。单相充电功率范围为 3.6kW~7.5kW,而三相充电功率则支持11kW~22kW。目前,为兼顾成本和效率,市场上的主流OBC 产品以中等功率范围(11kW)为主。22kW的OBC则主要用于高端市场。然而,所有OBC必须支持单相充电,以便在功率受限的情况下仍可为车辆充电。为实现车辆到电网(V2G)和车辆到车辆(V2V)的充电解决方案,越来越需要OBC具备双向充电功能。  迄今为止,传统OBC的设计主要采用市场上的标准分立器件(THD或SMD封装)进行。尤其对于 SMD器件而言,由于需要通过PCB散热或使用合适的热界面材料将每个独立封装精密地固定在散热器上进行散热,因此存在诸多挑战。这种方案在功率密度提升和系统紧凑性方面已接近极限,而功率模块在新一代产品中则展现出显著的优势。  图1:OBC的模块化(顶部)架构和集中式(底部)架构  架构与拓扑  OBC架构主要有两种(图1):一种是基于三个相同单相模块的模块化架构;另一种是基于一个三相AC/DC转换器(该转换器也支持单相运行)的集中式架构。这两种架构均可通过单向和双向拓扑实现。  模块化架构需要更多元器件,从而导致直流链路整体上对储能容量要求提高,进而推高体积和成本。另外,模块化架构还需要额外配置栅极驱动器和电压、电流检测功能。相比之下,集中式架构所需的元器件更少,因此可实现更具成本效益的OBC,这使其已成为高功率密度OBC的首选架构。  SiC模块可实现更高效率和功率密度  SiC凭借其卓越的特性,成为非常适用于OBC的功率半导体材料。ROHM的第4代SiC MOSFET采用沟槽结构,实现了超低导通电阻。另外,其非常低的米勒电容可实现超快的开关速度,从而可降低开关损耗。这些特性使得其总损耗更低,进而可减少散热设计负担。  ROHM已推出专为OBC应用进行了优化的新产品——HSDIP20模块,进一步扩展了EcoSiC™系列的SiC MOSFET产品阵容。该系列模块在全桥电路中集成了4个或6个SiC MOSFET,与采用相同芯片技术的分立器件相比具有诸多优势。  该系列模块采用氮化铝(AlN)陶瓷将散热焊盘与MOSFET的漏极隔离。这使得其结壳热阻(Rth)非常低,从而无需使用热界面材料(TIM)对散热焊盘与散热器之间进行电气隔离。  得益于模具材料的应用,功率模块中的各芯片之间实现了电气隔离。这意味着芯片可以比分立器件方案布置得更加紧密(在分立器件方案中则必须考虑PCB上的爬电距离)。这种设计减小了PCB占用面积,同时提升了OBC解决方案的功率密度。  工作量更少,风险更低  除了技术优势外,内部隔离功能还可大大简化开发人员的工作:模块内部已内置电气隔离功能。而对于采用分立器件的解决方案,则需要在外部处理隔离问题。模块在交付前已由ROHM进行了相关测试,因此在OBC开发阶段无需再进行额外的电气隔离测试。可见,该系列模块不仅可缩短开发周期并降低开发成本,同时还能降低出现绝缘问题的风险。图2:在800V直流链路电压下,HSDIP模块在不同温度下的开通和关断损耗  HSDIP20模块还具有第4代SiC MOSFET带来的附加优势:其0V关断电压可降低PCB布局的复杂性和成本。如图2所示,在800V直流链路电压下,采用第4代SiC MOSFET的HSDIP模块在不同温度条件下均表现出较低的开关损耗。图3:基于第4代SiC MOSFET的HSDIP20功率模块产品阵容  HSDIP20模块的另一个优势在于其可扩展性。ROHM提供丰富的RDS(on)规格和拓扑结构选择,使该系列模块可适用于不同功率范围的OBC应用。目前可提供六款4合1拓扑模块和六款6合1拓扑模块。另外,ROHM还推出一款采用Six-pack拓扑结构的“混合型”模块,该模块通过组合不同RDS(on)的 MOSFET,为图腾柱PFC电路提供低成本解决方案,并可使用同一器件轻松实现单相和三相运行。各种拓扑结构的模块均采用相同封装形式,应用扩展非常便捷。所有功率模块均符合AQG324标准。  热特性与开关特性  为了验证HSDIP模块的优势,研发人员对器件进行了特性仿真和测试。在模块的热性能演示中, 采用的是配备36mΩ、1200V SiC MOSFET的Six-pack模块。仿真基于安装在液冷板上的单个模块进行,设定条件为单芯片损耗在25W至35W之间,Ta=Tw=60°C,TIM厚度为20μm,热导率为4.1W/mK。通过同时给芯片施加功率进行仿真,并根据仿真结果绘制出各器件的耗散功率与结温之间的关系曲线图(图4)。图4:HSDIP模块热性能仿真结果  通过优化内部结构,该系列功率模块实现了非常低的单芯片热阻,在热性能方面具有显著优势。其最高结温远低于SiC MOSFET允许的175°C限值,从而为提升功率密度创造了更大空间,可满足大功率OBC的严苛需求。  在模拟OBC应用中AC/DC变换级的测试板上,评估了采用36mW、1200V SiC MOSFET的6合1模 块的开关损耗特性。图2中已给出通过该测试获得的开关损耗结果。通过对该模块进行双脉冲测试评估得到的开关损耗结果,同样适用于本文所探讨的双向DC/AC变换级的情况。基于该数据,对11kW系统的双向DC/AC变换级进行仿真(图5)。仿真结果表明,基于采用第4代SiC MOSFET(36mΩ,1200V)的6合1模块构建的11 kW AC/DC变换级,在开关频率为48 kHz并使用强制风冷散热器的条件下,效率可达约99%(该效率值仅考虑了半导体损耗)。图5:HSDIP模块在OBC中双向AC/DC级的效率仿真  结论  在电动和混合动力汽车的OBC中,由4个或6个SiC MOSFET构成的模块,相较于分立器件方案具有显著优势。凭借其更高的功率密度,这种模块能够减小OBC的体积和重量,并降低设计的复杂性。 ROHM的HSDIP20模块集成了最新的EcoSiC™ MOSFET,仿真结果表明,将其应用在双向OBC的 AC/DC变换级时,该系列模块不仅展现出优异的热特性,更能实现约99%的效率。  EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  参考文献  [1] M. Jankovic, C. Felgemacher, K. Lenz, A. Mashaly and A. Charkaoui,《车载充电器成本与效率考量》[J]。2022年第24届欧洲电力电子与应用会议(EPE'22 ECCE Europe),德国汉诺威,2022: P.1-P.9。  关于罗姆  罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。  在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性 能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。  了解更多信息,请访问罗姆官网:https://www.rohm.com.cn/
2025-08-28 14:34 reading:438
研讨会速递!ROHM Nano电源技术精讲
  近年来,电源系统主要面临更高耐压,更低功耗,更小型化等需求。ROHM对应这三种课题,利用集团的垂直统合型生产体制,将电路设计,工艺和布局三大模拟技术相融合,开发出了三种Nano电源技术,从而实现高效稳定的电源控制。另外,通过助力应用产品的进一步节能和小型化,为实现无碳社会贡献力量。更多你想了解的ROHM产品和技术分享及展望,均可在本次线上研讨会上找到答案!  扫描下方海报,报名本次研讨会,共同探讨ROHM Nano技术及相关产品,参与即有机会赢取精美礼品,精彩不容错过!  研讨会提纲  1. ROHM的关键技术  2. "ROHM Nano"技术详解  3. 满足时代需求的Nano系列及其产品  4. ROHM对Nano系列展望  研讨会主题  解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术Nano系列  研讨会时间  2025年8月27日上午10点  研讨会讲师朱莎勤 经理  朱莎勤于2014年加入罗姆公司,目前在罗姆上海FAE部门担任经理一职,主要负责与车载产品相关的技术支持。在面向车载领域的电源管理技术方面有着丰富的工作经验和专业知识,拥有从电源设计、选型评估到应用的丰富经验,为客户进行选型指导和技术支持。  关于Nano系列  罗姆的电源技术一直追求小型化和节能化。Nano系列是采用了模拟技术的一种新型电源技术。从开发到制造的全过程都由罗姆自行完成,实现了贯穿始终的生产体制的Nano系列,作为满足市场要求的电源IC将为社会做出贡献。  超高速脉冲控制技术 Nano Pulse Control™  超低消耗电流技术 Nano Energy™  超稳定控制技术 Nano Cap™  更多内容点击前往查看:  https://www.rohm.com.cn/support/nano?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=250806&openid=ot4DKs6HygwKJWbVFmco7o-TQNb0  “Nano Pulse Control™”、“Nano Energy™”和“Nano Cap™”是 ROHM Co.,Ltd. 的商标或注册商标。  相关产品新闻  电池耗电量显著减少!ROHM开发出静态电流超低的运算放大器  ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC  罗姆ROHM开发出内置新电路的车载LDO稳压器BD9xxN1系列  相关产品资料  Nano技术介绍资料:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250724/47ebe618a8466a5259a98241b2a97a52.pdf  Nano电源技术小册子:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250317/fae26cd34c8eaaea2daf3c179968da0c.pdf  高精度运算放大器 TLR1901GXZ:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250714/62c74db72e62928eb7bfe43d8ac53b43.pdf  高精度运算放大器 LMR1901YG-M:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240219/fa5d3c46b9c8ccfb8f947a83bc597689.pdf  车载LDO稳压器IC BD9xxN1系列:  https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230711/24cf0e822b7736099a3965c58effe41f.pdf
2025-08-06 14:16 reading:534
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