二极管的相关参数和典型应用-Ameya360电子元器件采购网

二极管的相关参数和典型应用

发布时间：2022-05-27 10:23

作者：Ameya360

来源：网络

阅读量：3261

　　二极管是基础器件，用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。现在Ameya360电子元器件采购网就带大家如何看懂规格书中的主要参数以及应用，一起来瞧瞧吧!

二极管的相关参数和典型应用

　　1.伏安特性

　　（1)正向特性：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。

　　(2)反向特性：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加。VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，

　　2.正向压降(Vf)

　　当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压称为二极管的。“正向压降”。說明此正向压降時通常必须注明对应之电流(Vf@If),而且一般应用状况下,系统会希望此二极管之正向压降愈小愈好。

　　3.反向电流(IR)

　　二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流(leakagecurrent)。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

　　反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的漏电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。說明此反向电流時通常必须注明对应之电压及温度(IR@VR,Temp.)。

　　4.最高反向工作电压(VRRM)

　　加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能

　　力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管

　　反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

　　注意:说明或比较VRRM的大小时，必须同时标示其对应的漏电流(IR)大小，这样才能互相比较。

　　5.额定正向工作电流(Io)

　　是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。通常Io的大小与环境温度息息相关，在测试及标示上需要特别注意。

　　6.反向恢复时间(trr)

　　二极管工作状态由正向偏置(forwardbias)转换到反向偏置(reversebias)时，由于电荷储存(电容)效应，二极管反向漏电流无法立即回复到正常状态，甚至会有overshooting的现象产生，也就是必需历经一些时间才能完全回复到截止状态，这段时间通常称作反向恢复时间，一般较精确的定义为二极管开始发生反向偏置(reversebias)的时间点算起，一直到漏电流恢复到期间最大漏电流的10%为止。

　　7.正向电流浪涌(IFSM)

　　二极管工作时,经常会因为输入开关on/off切换、瞬间启动或其它电压/电流感应源的影响,对二极管产生瞬间电流浪涌(SurgeCurrent),若超过二极管容忍程度,会造成二极管特性改变、退化、或严重损坏,IFSM就是指二极管能够承受此瞬间电流浪涌的最大值。

　　二极管电子元件，具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，现在用的比较多是应用其整流的功能。它的应用有：

　　1.整流：利用二极管单向导电性，可把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

　　2.开关：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

　　3.续流：续流在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

　　4.检波：在收音机中起检波作用。

　　5.变容：使用于电视机的高频头中。

　　6.限幅：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

　　7.稳压：稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管，稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。

　　8.触发：触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。

　　9.显示：用于VCD、DVD、计算器等显示器上。

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行业新闻

TVS二极管和齐纳二极管的区别

　　TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管和齐纳二极管都具有在施加反向电压后，在某一电压下击穿、钳制电压的特性。本应用笔记将对 TVS 二极管和齐纳二极管的区别予以说明。I-V 特性上的使用范围区别Figure 1 是齐纳二极管的 I-V 特性，Figure 2 是 TVS 二极管的 I-V 特性。这两个二极管都利用了反方向特性这一点，但是齐纳二极管主要用于稳压用途，所以设计成在 1mA 到 40mA 这样的小电流区域电压稳定，不能流过大电流(Figure 1 的阴影部分)。在击穿区域内施加指定的小电流 IZ 时，二极管两端电压值被规定为齐纳电压 VZ。齐纳二极管通常在使用时处于击穿状态。　　对于 TVS 二极管，为了不妨碍保护电路的驱动电压，通常使用在切断电压 VRWM 以下电压范围内(Figure 2 右侧的阴影部分)。然后，施加浪涌等过电压时会击穿、流过数 A 到数十 A 的电流(左侧的阴影部分)。由于通常情况下不可以击穿，因此规定了绝对不会引起击穿的电压最大值即截至电压 VRWM 和击穿电压 VBR 两种。　　由于击穿电压 VBR 与齐纳电压 VZ 一样使用小电流进行测量，因此与实际应用条件下的雪崩电压不同。因此，将流过大电流时的最大击穿电压规定为钳位电压 VCL。Datasheet 上参数定义的区别TVS 二极管和齐纳二极管的 datasheet 上规定的差异如 Table 1 所示。在前面中也说明过，由于齐纳二极管主要用于稳压用途，所以只规定了小电流域的齐纳电压 VZ。与此相对，TVS 二极管有着小电流区域的击穿电压 VBR、截至电压 VRWM、高电流区域的钳位电压 VCL3 个参数的区分。只有 TVS 二极管会有表示在特定浪涌波形中能承受的最大浪涌功率的峰值脉冲功率 PPP 和表示最大浪涌电流的峰值脉冲电流 IPP 的定义。仅有 TVS 二极管有 ESD 对策用的 ESD 耐量的规定。对于端子间电容，在通信线路中使用时，需要选择数据波形不会被电容影响而钝化的端子间电容值，因此仅 TVS 二极管有该项规定。如上所述，齐纳二极管主要用于稳压，因此 datasheet 上的参数定义主要是齐纳电压等，项目较少。而 TVS 二极管的目的是保护其他设备不受浪涌的影响，所以电压的参数定义比较广泛，还规定了 ESD 耐量和端子间容量等重要项目。

2025-07-10 15:01 阅读量：572

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