半导体出口连续6个月，韩国1季度经济负增长

Release time：2019-06-03
author：互联网
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　　南韩政府今（1）天公布5月份贸易数据显示，在美中贸易战影响下，由于南韩出口支柱产业半导体表现疲弱，导致5月份出口较去年同期衰退9.4%，不如外媒原本调查的衰退6.6%，已连续6个月呈现衰退之势。

半导体出口连续6个月，韩国1季度经济负增长

　　《彭博》报导指出，南韩是全球主要经济体中，最早公布贸易数据者，因此成为全球贸易局势的重要指针之一；除了出口以外，南韩进口亦疲弱，5月份进口较去年同期衰退1.9%，低于外界预期的成长0.5%。

　　南韩出口占国家经济的一半，而包含三星电子、SK海力士等半导体产业占出口的1/4，也就是南韩半导体出口几乎为国家贡献了1/8的经济，然而南韩半导体产业5月份出口减幅却高达30.5%， 使得5月份贸易顺差额较外界原本预期的24.9亿美元低，为22.7亿美元，同时也可能导致南韩第1季经济呈现负成长。

　　南韩产业通商资源部部长成允模表示，美中贸易战升级及英国脱欧的不确定性，造成了南韩出口的「负面影响」；彭博经济学家Dan Hanson及欧乐鹰（Tom Orlik）则点名，新加坡、香港及南韩是当前美中贸易战威胁最深的地区， 分别有0.4%、0.3%及0.2%的经济成长受到威胁。

　　当地金融机构NH Investment＆Securities经济学家An Ki-tae认为，今年南韩出口将衰退2.5%。

　　虽然南韩央行（BOK，韩国银行）总裁李住烈及An Ki-tae均认为，南韩贸易表现有望于下半年开始反弹，但报导指出美中贸易战可能升级的不确定性始终存在。


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　　根据第十九届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2025年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛公布的信息，2024年中国半导体行业功率器件十强企业如下：　　中国半导体功率器件十强企业发布　　华润微电子：国内产品线最全面厂商之一，功率器件竞争优势显著，多项产品性能国内领先。　　闻泰科技：全球功率半导体龙头，覆盖全产业链，应用于汽车、工业、消费电子等领域。　　新洁能：专注高性能功率器件，率先掌握超结技术，量产屏蔽栅及超结功率 MOSFET。　　长晶科技：技术创新能力突出，产品应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。　　士兰微：技术积累深厚，产品含分立器件、IGBT、SiC 等，覆盖汽车、光伏、家电领域。　　扬杰科技：采用 IDM 与 Fabless 模式，构建全产业链，MOSFET、IGBT、SiC 研发拓展成效显著。　　时代电气：轨道交通技术积淀深厚，功率器件含 IGBT/IPM 模块，应用于轨交、新能源汽车等。　　斯达半导：国内领先 IGBT 模块供应商，芯片设计与封装技术扎实，应用于新能源汽车、光伏等。　　捷捷微电：专注功率器件研发生产，产品含二极管、MOSFET、IGBT，覆盖消费电子等多领域。　　华微电子：知名功率器件供应商，在 MOSFET、IGBT、二极管领域技术与市场优势显著。
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106亿！又一个半导体高端装备制造项目签约落地
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　　7月11日，遂宁市安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签署项目合作协议，标志着全市近3年来首个百亿级产业项目“先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地”正式签约落地。　　市委书记严卫东、先导科技集团董事长朱世会出席活动并讲话。市委副书记、市长王忠诚，先导科技集团联席总裁侯振富出席签约活动。　　活动举行了签约仪式。安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签订投资106亿元建设“先导集团半导体高端装备制造西南生产基地”项目合作协议;广东先导稀材股份有限公司与遂宁产投集团签订股权投资合作协议。　　据介绍，先导科技集团是全球最大的稀散金属全产业链高科技平台，硒、碲、铋、铟、镓、锗产量位居全球前列。　　此次签约的先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地项目落户安居经开区，计划总投资106亿元，主要生产半导体高端设备及核心配件等，分两期推进，一期计划投资30亿元，投产后预计年产值可达53亿元，二期启动后，预计总投资规模超过百亿元，将建成西南地区最大的新能源镀膜生产基地和最大的半导体高端制造基地。　　此次项目签约，既是先导科技集团布局战略腹地、开拓西南市场的关键落子，也是遂宁“大抓招商引资、重抓招大引强”的重大突破。广东先导科技集团将加速组建工作专班进驻遂宁，全力保障项目7月底开工、8月底全面建设，加速推动先导薄膜先进材料生产等项目转移遂宁。　　下一步，遂宁将靠前服务做好土地供应、能评、环评、安评等前期工作，积极与相关部门协同协作，推动项目在最短时间内全面开建。
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中国半导体企业综合竞争力百强
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全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产
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　　近日，全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产，标志着中国在半导体领域实现了重大技术突破，对推动5G/6G通信、物联网及高端制造业发展具有深远意义。　　该生产线由福建晶旭半导体科技有限公司投资建设，总投资16.8亿元，占地136亩，专注于基于氧化镓(β-Ga₂O₃)压电薄膜新材料的高频滤波器芯片研发与生产。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度(4.9eV)远超氮化镓(3.39eV)和碳化硅(3.2eV)，具备更高的击穿场强(8MV/cm)和更低的功耗特性。这一材料的应用，将彻底解决传统钽酸锂滤波器在3GHz以上频段的失效问题，填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。　　晶旭半导体技术团队自2005年起深耕声波滤波器领域，拥有100余项化合物单晶薄膜材料专利。其氧化镓异质外延技术通过在蓝宝石衬底上生长高质量氧化镓薄膜，避免了昂贵铱坩埚的使用，将材料成本降低60%以上。这一技术突破不仅实现了材料自主，还为芯片量产奠定了成本优势。　　高频滤波器是5G通信中的核心器件，直接影响信号传输的稳定性和效率。全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，将打破海外企业在这一领域的垄断，推动中国5G/6G通信设备、智能手机及物联网设备的自主可控发展。　　当前，全球半导体产业正处于技术迭代的关键期。中国通过布局氧化镓等第四代半导体材料，有望在5G/6G、量子计算等新兴领域实现技术领先，摆脱对传统硅基芯片的依赖。　　随着全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，中国有望在高频通信芯片领域掌握更多标准制定权，推动全球通信产业向更高频段、更低功耗的方向发展。　　全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线的试生产，是中国半导体产业从“追赶”到“领跑”的重要里程碑。这一项目的成功，不仅将填补国内技术空白，还将推动全球5G/6G通信、物联网及高端制造业的革新。未来，随着技术的不断成熟和产业链的完善，中国有望在全球半导体产业格局中占据更加重要的地位。
2025-06-18 11:51 reading：545
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