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Q3半导体景气弹升但幅度未明

发布时间：2018-07-19 00:00

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来源：中时电子报

阅读量：1732

在产业即将进入传统旺季，加上目前人工智能、车用电子、物联网等芯片等需求仍强劲，况且8英寸因晶圆代工价格产能供不应求而陆续调涨，甚至DRAM价格仍处于高档之下，2018年第三季国内半导体业景气相较于第二季弹升的趋势确立。不过反弹的力道恐受到压抑，主要关键在于苹果（Apple）与非Apple手机销售动能恐未如预期，加上虚拟货币挖矿需求起伏不定，更重要的是美中贸易战持续延烧，使得全球高科技产业垄罩在不确定的阴霾之中。

Q3半导体景气弹升但幅度未明

首先以晶圆代工业而论，2018年第三季国内晶圆代工产值季增率将转为正数态势，主要系因Apple 2018年9月发布三款新机型，多机型、多价格选择可望达到售价销量平衡的状况，特别是2018年三款iPhone新机售价预计在800～1,000美元左右，因而在较低价格将刺激销量上扬的前提下，将带动Apple产业链的出货可望呈现成长态势。台积电又因持续第三年为Apple A12应用处理器的独家供应商，自然相对受惠，更何况高速运算芯片也带动高阶制程成长，包括Apple、超微（AMD）、赛灵思（Xilinx）、海思等主要客户也会开始启动7纳米投片，以及台积电南京厂5月已进入量产阶段，亦在第三季显著挹注公司营运，况且联电已宣布调涨8英寸晶圆代工价格，将反映在第三季营收上。

加上12英寸厂28纳米及14纳米等先进制程产能利用率维持高档，厦门12英寸厂接单强劲且新产能持续开出，甚至世界先进LCD驱动IC、功率半导体、电源管理IC、指纹辨识IC等接单满载到年底，且已掌握足够硅晶圆货源，对下半年营运展望乐观所致。不过2018年第三季国内晶圆代工产值季增率恐未如过往达到双位数的水平，主要系因子位货币市场价格受到压力，造成全球前两大虚拟货币挖矿业者比特大陆、嘉楠耘智等出货受到冲击，相对影响台积电第三季在挖矿用ASIC的接单表现，同时Apple与中国智能型手机旺季拉货成长力道仍未明所致。

其次在DRAM制造方面，受惠于5G、人工智能的兴起及各种云端服务增加，服务器DRAM需求成长可期，更重要的是三星（Samsung）虽然决定在韩国华城Line 17及平泽Line 18扩大先进制程DRAM产能，却将华城Line 11及Line 13的旧制程DRAM产能移转生产CMOS影像传感器，也就是说Samsung在增加DRAM新制程产能之际，同时缩减旧制程产能，只利用制程转换至1y/1z纳米来提高位元出货成长率，故上述仍将有利于2018年下半年DRAM之价格走势，进而挹注整体产业的景气表现。

再者于半导体封装及测试方面，2018年第三季国内半导体封测业景气相较于第二季将可望有所改善，除产业进入传统旺季之外，主要是有鉴于终端产品微型化需求将带动先进封装快速增长，以及IDM厂委外寻求OSAT厂支援趋势不变，且新兴科技领域的崛起也驱动半导体产业链上下游厂商的业绩成长，特别是汽车电子的市场成长潜力浮现，促使厂商于车用半导体封测业务的布局将加重。另外，高速运算芯片除了带动高阶制程成长外，也带动基板上晶圆芯片封装等高阶封装市场快速成长，甚至日月光与硅品共组产业控股公司于2018年正式成军，也展开两岸、新加坡、马来西亚等地的布局，此皆将挹注2018年第三季国内半导体封测产业景气的表现。

不过，预料半导体封装及测试产值季增率弹升幅度仍将受到压抑，主要系因Apple iPhone新机虽将开始积极拉货，但买气状况难料，加上华为等非Apple阵营手机销售动能仍有变量，且挖矿潮退烧，比特大陆等ASIC芯片订单恐不增反减所致。

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从设计到封测：一文读懂半导体产业核心术语

　　一、设计与EDA/IP　　1. IC设计：集成电路设计。　　2. EDA：电子设计自动化。指用于设计芯片的软件工具套件。　　HDL：硬件描述语言。如 Verilog, VHDL。　　RTL：寄存器传输级。设计过程中的一个抽象层次。　　DFT：可测试性设计。在设计中加入便于测试的结构。　　DFM：面向制造的设计。优化设计以提高制造良率。　　PDK：工艺设计套件。晶圆厂提供给设计公司的工艺文件包。　　Simulation：仿真。　　Verification：验证。　　Synthesis：逻辑综合。　　P&R：布局布线。　　STA：静态时序分析。　　3. IP：知识产权核。预先设计好、可复用的电路模块(如CPU核、接口IP等)。　　SoC：片上系统。将多个功能模块集成到单一芯片上。　　ASIC：专用集成电路。为特定应用定制的芯片。　　ASSP：专用标准产品。为特定应用领域设计的标准芯片(介于ASIC和通用芯片之间)。　　FPGA：现场可编程门阵列。可编程的逻辑芯片。　　4. Fabless：无晶圆厂模式。公司只负责芯片设计和销售，制造外包给晶圆代工厂。　　5. IDM：集成器件制造商。公司覆盖设计、制造、封装测试等全产业链环节(如 Intel, Samsung)。　　二、制造(晶圆加工 / Foundry)　　1. Wafer：晶圆。制造芯片的硅基片。　　Ingot：硅锭。切割成晶圆的原材料。　　Si：硅。　　SOI：绝缘体上硅。一种特殊结构的晶圆。　　Epitaxy：外延。在晶圆表面生长单晶层。　　2. Fab：晶圆厂。　　3. Foundry：晶圆代工厂。专门为其他公司制造芯片的工厂(如 TSMC, SMIC)。　　4. Process Node：工艺节点/制程节点。描述制造工艺先进程度的指标(如 7nm, 5nm, 3nm)。越小通常代表技术越先进。　　5. Front End Of Line：前道工艺。在晶圆上制造晶体管和互连线的过程。　　CVD：化学气相沉积。　　PVD：物理气相沉积。　　ALD：原子层沉积。　　Wet Etch：湿法刻蚀。　　Dry Etch / Plasma Etch：干法刻蚀/等离子刻蚀。　　Mask / Reticle：掩模版/光罩。承载电路图形的母版。　　Stepper / Scanner：步进式/扫描式光刻机。　　DUV：深紫外光刻。使用 248nm 或 193nm 波长的光刻技术。　　ArF / KrF：分别指 193nm 和 248nm 光刻使用的激光光源类型。　　Immersion Lithography：浸没式光刻。提高光刻分辨率的技术。　　EUV：极紫外光刻。使用 13.5nm 波长的下一代光刻技术。　　Lithography：光刻。使用光将电路图形转移到晶圆上的关键工艺。　　Etch：刻蚀。将光刻胶图形转移到下层材料的过程。　　Deposition：沉积。在晶圆表面生长薄膜材料的过程。　　Ion Implantation：离子注入。将杂质离子注入硅中形成特定电学特性的区域。　　CMP：化学机械抛光。平坦化晶圆表面的工艺。　　Thermal Processing：热处理。如氧化、扩散、退火等。　　Cleaning：清洗。去除晶圆表面污染物的工艺。　　Metrology：量测。对晶圆进行各种物理和电学参数的测量。　　Inspection：检测。查找晶圆上的缺陷。　　Yield：良率。合格芯片占总芯片数的百分比。　　6. Transistor：晶体管。芯片的基本开关单元。　　MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。最常见的晶体管类型。　　FinFET：鳍式场效应晶体管。3D结构晶体管，用于先进节点。　　GAA：环绕栅极晶体管。FinFET的后继技术。　　7. Interconnect：互连线。连接晶体管的金属导线。　　BEOL：后道工艺。制造互连线的过程。　　Damascene Process：大马士革工艺。制造铜互连的主流工艺。　　三、封装与测试　　1. Back End Of Line / OSAT：后道工艺 / 外包半导体封装和测试厂商。指芯片制造完成后的封装和测试环节，通常由专门的封测厂完成。　　Assembly：封装/组装。　　Packaging：封装。　　Test：测试。　　2. Wafer Test / CP：晶圆测试/中测。在晶圆切割前对每个芯片进行基本功能测试。　　3. Dicing / Scribing：划片/切割。将晶圆切割成单个芯片。　　4. Die：裸片/晶粒。切割下来的单个芯片。　　5. Packaging Types：封装类型　　TSV：硅通孔。穿透硅片的垂直电连接通道。　　Interposer：中介层。连接不同裸片的硅基板或有机基板。　　DIP：双列直插式封装。　　SOP/SOIC：小外形封装。　　QFP：四方扁平封装。　　BGA：球栅阵列封装。　　LGA：栅格阵列封装。　　CSP：芯片尺寸封装。封装尺寸接近芯片尺寸。　　WLP：晶圆级封装。在晶圆上进行大部分封装步骤。　　SiP：系统级封装。将多个不同功能的裸片封装在一个模块内。　　MCM：多芯片模块。　　2.5D / 3D IC： 2.5维/三维集成电路。使用硅中介层或TSV实现裸片堆叠的高密度封装技术。　　6. Final Test / FT：成品测试。封装完成后对芯片进行的全面功能和性能测试。　　7. Burn-in：老化测试。在高温高压下测试芯片的长期可靠性。　　8. Quality Control / QC：质量控制。　　四、材料与设备　　1. Materials：　　Silicon Wafer：硅晶圆。　　Photoresist：光刻胶。　　Mask Blank：掩模版基板。　　Electronic Gases：电子气体(如高纯氮气、氩气、特殊气体)。　　CMP Slurry： CMP研磨液。　　Targets：靶材(用于PVD)。　　Precursors：前驱体(用于CVD/ALD)。　　Wet Chemicals：湿电子化学品(酸、碱、溶剂等)。　　Lead Frame：引线框架。　　Substrate：封装基板。　　Molding Compound：塑封料。　　Underfill：底部填充胶。　　Thermal Interface Material：热界面材料。　　2. Equipment：　　Lithography Tool：光刻机 (EUV Scanner, DUV Scanner/Stepper)。　　Etcher：刻蚀机。　　Deposition Tool：薄膜沉积设备 (CVD, PVD, ALD)。　　Ion Implanter：离子注入机。　　CMP Tool：化学机械抛光机。　　Furnace：扩散炉/氧化炉。　　RTP：快速热处理设备。　　Metrology & Inspection Tool：量测检测设备。　　Wafer Cleaner：清洗机。　　Prober：探针台(用于Wafer Test)。　　Tester：测试机(用于Wafer Test和Final Test)。　　Dicer：划片机。　　Die Bonder：固晶机/贴片机。　　Wire Bonder：引线键合机。　　Molder：塑封机。　　SMT：表面贴装技术设备(用于将封装好的芯片贴到PCB上)。

2025-08-22 11:08 阅读量：255

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