旺季需求带动均价小幅上扬，DRAM第三季总产值将续创新高

Release time：2018-07-03
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source：集邦咨询
reading：2019

进入下半年，各大DRAM厂已陆续洽谈第三季合约价格，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，受惠于买方急欲增加库存水位以及第三季传统旺季需求来临，即便供给位元成长逐季增加，平均销售单价仍可望小幅上扬。

旺季需求带动均价小幅上扬，DRAM第三季总产值将续创新高

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，回顾第二季，各供货商陆续转进1X或1Y纳米制程，虽然陆续传出有良率不甚稳定或量产品出现质量疑虑的状况，但相较第一季，供货位元季成长仍有3.2%。然而，就买方而言，由于库存尚未达到安全水位，因此仍有相对稳健的拉货动能，带动DRAM整体均价呈现微幅季成长。

展望第三季，由于1X或1Y纳米的比重将持续增加，DRAMeXchange预估，第三季供货位元成长可望达4.8%，但在旺季需求的支撑下，DRAM价格仍会持续小幅上扬，带动第三季DRAM总产值续创新高。

高端手机与数据中心支撑主流需求；图显内存购买动能骤减

从产品类别来看，第三季DRAM价格涨幅主要由服务器内存与行动式内存带动。服务器内存的需求较第二季稳健提升，因此出货至一线厂的主流服务器模组价格仍有1-2%的上涨空间。但由于供货率(fulfillment rate)至今年年初起一路提升，因此价格上涨有限，且第三季服务器内存在一线厂与二线厂的报价区间不会有太大的差异。

以行动式内存而言，价格的涨幅主要由Android高端手机在高容量LPDDR4采用量提升所支撑。近期推出的高端手机已将DRAM容量提升至6GB甚至是8GB，也使得LPDDR4系列不论是在分离式(Discrete)或者是eMCP的供应皆看紧。预期第三季整体行动式内存价格在高端机种的带动下有机会出现1-2%的涨幅。

而图显内存与利基型内存受到虚拟货币(cryptocurrency)需求骤减影响，原先预估的涨幅可能完全消失。尤其图显内存经历上半年的价格飙涨，恐怕导致价格在下半年出现下跌。

下半年DRAM价格续涨，然涨幅持续收敛

整体而言，虽然10纳米级带来的位元成长不若先前世代明显，但随着供货商在今年上半年陆续导入，将持续贡献未来数个季度的位元增长。以下半年来说，DRAMeXchange认为，虽然需求在旺季支撑下可望维持稳健，但已可观察到价格上涨幅度越来越小，在今年第四季更可能面临持平开出的状况。

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两大芯片巨头预测：DRAM价格将大幅上涨！
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两大芯片巨头预测：DRAM价格将大幅上涨！

　　受惠于人工智能(AI) 产业的强劲需求推动，DRAM市场正经历一轮「超级周期」(Super Cycle)，而韩国两大记忆体制造大厂三星电子和SK 海力士成为这波浪潮中的主要受惠者。由于客户对高附加值产品以及传统DRAM 的订单量暴增，业界观察认为，两家公司第四季DRAM 的平均售价(ASP) 预计将大幅上涨，且涨幅高于最初的预期。　　根据ZDNet Korea 的报导指出，韩国主要记忆体供应商2025年第四季DRAM 的ASP预期将较原先的估计有显著成长。近期记忆体市场的需求急剧攀升，主要驱动力来自全球大型科技企业积极扩大AI 基础设施的建设。特别是，伺服器用DRAM和高频宽记忆体(HBM) 等高附加值产品的订单表现尤为活跃。　　然而，供需吃紧不仅限于高阶产品。用于个人电脑(PC) 和智能型手机的通用型DRAM 也面临着极度严峻的供需短缺困境。造成这一现象的主要原因在于，主要的记忆体供应商将其大部分DRAM产能配置于HBM 的生产，并专注于转换投资而非建立新的量产线。此外，由于供应商大幅缩减了DDR4等上一代产品的供应比重，导致这类DRAM的价格也随之大幅飙升。　　报导表示，在这波涨价趋势中，韩国记忆体业预计2025年第四季DRAM的ASP 涨幅将超乎早前预期。其中，三星电子预计第四季DRAM 的ASP 将比前一季上涨至十位数上限。值得注意的是，在上个月第三季财报会议进行时，该成长幅度原本估计仅为十位数中段。然而，业界普遍共识是，反映近期签订的合约内容，价格涨幅的上调已不可避免。至于SK 海力士则是预计第四季DRAM 的ASP 将比前一季上涨至高个位数上缘。整体回顾第三季的表现，三星电子DRAM 的ASP 已较前一季上涨了十位数中段，而SK 海力士则上涨了中个位数中段。　　面对记忆体供应的紧迫情势，主要的IT 企业正采取不惜成本、优先确保记忆体供货的策略。中国的科技大厂包括小米和阿里巴巴等，已接受了比前一季高出50% 以上的价格涨幅。此外，联想为了稳定其供应链，也宣布已签订了确保2026 年记忆体供应的长期合约。　　报导引用还国一位半导体市场相关人士的说法表示，第四季的价格谈判已进行了相当大的部分。不过，由于客户别合约签订的时间点不同，预计三星电子和SK 海力士的记忆体供应合约将持续签订直到2025 年年底。该人士特别指出，在通用型DRAM 市场上，三星电子相较于竞争对手，正在采取更具「攻击性」 的涨价策略。整体韩国的记忆体产业，2025 年第四季DRAM 的ASP 涨幅远高于原先预估，充分显示了当前市场的强劲需求与供应商在定价上的强势地位。　　大摩破解存储四大谜团　　美股重挫效应蔓延，台股21日遭血洗，外资单日大举提款915.99亿元，盘面各族群几乎全倒，热门存储族群沦重灾区，摩根士丹利证券再度出面，从扩产、涨价牵动需求、产业循环与回档原因等四大谜团切入，全部提出正面证据，瞄准破除干扰投资信心的四大谜团。　　存储族群指标股中，群联、南亚科、华邦电21日全部跌停躺平，一时风声鹤唳，任何产业不利传闻与消息均重创投资气氛;在国际资金单日大卖超环境中，分别卖超南亚科5,658张、华邦电13,837张、群联165张。有意思的是，表现相对较佳的旺宏虽重挫8.12%，外资却逆势加码12,487张，居个股买超排行第三，存储多头行情留下火种，引市场遐想。　　摩根士丹利证券说明，市场疑虑DDR4是否出现大规模扩产，大摩不仅给出否定答案，更强调，三大厂目前均将资源优先投入HBM4/HBM3e，若要逆向增加DDR4供给，不仅需重新调整电路设计，也需要重新配置设备，成本与时间都不具吸引力，简而言之，市场对三大存储厂或CX可能扩充DDR4产能、或延长DDR4产品生命周期(EOL)的担忧，都不必要。　　其次，投资人亦关心经过大幅涨价后，旧世代DRAM需求是否依然亮眼?对此，大摩的答案是肯定的。主要原因包括：一、14、22奈米系统级芯片(SoC)的存储控制器多仅支援DDR4，并不支援DDR5，部分应用不太可能转向DDR5。二、从DDR4移转至DDR5反而可能带来不必要的系统稳定性与相容性风险。三、DRAM在多数系统物料清单(BOM)中占比偏低，价格上涨对整体成本影响有限。　　再者，大摩强调，存储循环从来不是以单一季度或年度为单位，通常是一个跨越四至六个季度的产业周期;对比目前仅走过约二个季度，显示循环仍处于早期阶段。受到AI需求强劲推动，本轮DDR4结构性供给短缺与价格调升幅度前所未见，大摩认为，DDR4合约价仍有大幅上涨空间，甚至可能较谷底上涨数倍;同时，由于DDR4 16Gb通路库存几乎为零，现货价也具备上行潜力。　　整体而言，存储价格、相关供应商获利展望、供需失衡等情况完全不变，回档主因更可能来自技术面与部位调整，而非基本面恶化。摩根士丹利建议，逢拉回即为存储主流股的买点，持续将华邦电列为族群投资首选，同步看好旺宏、南亚科后市。　　超级循环才刚开始　　当你还深陷在，存储这波超级循环，是否像过去一样，只是昙花一现的，供给循环这个问题时，明眼人早已发现，AI 已经颠覆，你过去熟悉的一切。 PC 跟手机的需求，是造成存储过去，剧烈循环的主因，因为消费者市场，趋势变化很快，产品淘汰也很快，消费者口味变化更快，这造成的结果，只要消费端熄火，又遇到厂商过度扩张，就是存储价格崩跌。　　但这次的主角是AI，AI 背后最大的玩家，是大型云端业者，是企业资料中心，是电信商和各国政府，都是资金最充裕的玩家，都是对价格最不敏感，对持续投入承诺极强，是要一步步，把AI 基础建设补到位，宁愿多花钱，也不愿落人后的，一群跟过往主导存储价格的一般消费者，截然不同面貌的大玩家。　　PC 和手机，已经20 年了，AI 才刚开始3 年，当我们谈论泡沫与否，要把产业面和金融面，分开来看就很清楚。股价一定会涨会跌，而且会超涨超跌，但AI 基本面没泡沫可言，AI 其实才刚开始而已。云端业者有的是钱，他们可以花数千亿美元，疯狂抢购GPU，那花个数百亿美元，抢购存储也是很自然的事。　　存储要扩厂，快也要14-18个月，量产最快，都是2027下半年的事。美光、海力士、三星，一定是往先进制程，还有HBM 去挤，高阶存储每单位，资本支出创造的毛利，就是高于成熟产品。所以他们没意愿，再回头生产DRAM，更别谈NAND FLASH，所以存储的涨价，这次是全线皆涨。　　前面讲的，都只是在云端的故事，未来AI的应用，会从云端扩散到边缘，也就是从云端业者，扩散到各大中小企业，事业单位和工作室，包括你我所有人的办公空间。你要有隐私性，更低的每单位成本，更快的存取，那不只是AI 的运算，所有都要配置存储，才算是完整的布建，这是未来新一段的故事了。　　至于英伟达考虑，在下一代AI 伺服器，改用LPDDR存储，这是大利多。股票绝不是因为上述原因而跌的。 LPDDR 跟HBM，都比DDR制程难度更高，良率更低且容量更大，也就是对晶圆的消耗，都比DDR 更大。 HBM会挤压DDR 产能，LPDDR是同样道理，LPDDR 是用在手机的，改用到AI 伺服器，容量需求放大数个量级，这只会加剧缺货状况。
2025-11-25 16:44 reading：258
服务器DRAM暴涨50%！
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服务器DRAM暴涨50%！

　　由于人工智(AI)热潮所带来的服务器DRAM需求持续增长，DRAM市场的供应已经失衡，这也导致DRAM价格持续上涨。　　据台媒《电子时报》(DigiTimes)报道，美国和中国的主要超大规模云端企业目前只收到了他们订购的70%的服务器DRAM。与此同时，他们采购的DRAM价格也上涨了50%，远高于今年早些时候预计的30%的涨幅。　　目前AI数据中心所需的AI加速器对于HBM需求量很大、利润也更高，这也使得SK海力士、三星等头部DRAM大厂纷纷将更多的产能转向了生产HBM，而每产出一份HBM更是需要消耗三份的DDR产能，这也导致了对于包括消费类DDR内存在内其他类型DDR需求的排挤。即便是数据中心对于传统的DDR5 RDIMM 的需求也超过了供应。　　相关报道显示，三星最近已将服务器SSD价格提高了35%，RDIMM 合同费率提高了50%，理由是企业和云客户的持续需求超过了供应。　　自9月下旬以来，DRAM现货价格也在持续飙升。报道称，几家顶级供应商拒绝为10月份的分配报价。上个月交易价格为7至8美元的DDR5 16GB模块现在价格已经徘徊在13美元左右，供应将进一步收紧到11月。DRAM模组制造商正在为本季度末的缺货情况做好准备。　　其他市场表现更糟。DRAM渠道参与者和小型原始设备制造商的订单履行率只有接近35%至40%。随着超大规模企业锁定固定DRAM分配，优先级较低的客户被推到价格更高的现货市场，或被告知等到2026年才能获得一定的供应。　　美光在最近的财报电话会议上对此发出警告，DRAM 是一个“紧张的行业”，DRAM容量供应增长将滞后于2026年年底的需求。市场研究机构TrendForce指出，随着供应商转向中国的日常定价，并避免将自己锁定在糟糕的交易中，某些DRAM模块的报价可能会被冻结。这导致零售 DDR5 价格攀升，在年底前没有稳定的迹象。　　与此同时，DDR4价格正在缓慢下降。中国南亚科技最近表示，标准DDR4仅占DRAM市场总量的20%，不再优先量产。除非需求意外降温或收益率大幅提高，否则到2026 年，除顶级买家外的所客户的 DRAM 分配将受到限制。这也推动了客户加速转向DDR5。　　《电子时报》预测，明年服务器内存半导体需求将保持强劲，这可能导致DRAM短缺持续到年底。该报告还预测，即使供需缺口逐渐缩小，未来一到两年内，内存半导体制造商的供应能力也可能低于需求10%以上。
2025-10-29 14:20 reading：546
均价微幅回升！一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%
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均价微幅回升！一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。DRAM均价小涨带动原厂Q1获利能力厂商排名方面，三星以44.1%的市占排名第一；SK海力士位列第二，市占率为29.3%；美光则以20.8%的市场份额排名第三。由于产能规划大致相同，集邦预期第二季度市占不会有太大变化。此外，集邦分析了三大厂商的产能与技术能力。三星持续将部分产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS)，不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产，弥补 Line13 投片下滑，同时提高 1Z 制程比重，考虑到疫情对于需求的冲击，三星会审慎规划产出，今年产能增加幅度不高。SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器，增加 M14 产出，并将于下半年小幅提高无锡厂的产能，但全年产能增幅不高。美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。中国台湾厂商1季度表现南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；至于华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；而力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。
2020-05-14 00:00 reading：2171
现货价格上扬，或带动DRAM合约价提前止跌
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现货价格上扬，或带动DRAM合约价提前止跌

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM现货价的翻扬，改变了市场氛围……在预期性心理因素下，有利于合约市场中买方的备货意愿提高，目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌。集邦咨询指出，之前1X纳米制程因为有退货状况，大量不良品以低价转销现货市场，导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在，但因为模组厂以及在渠道的经销商开始愿意增加库存准备，使得这些不良品数量有效的消耗，带动现货价格开始上调。从整体供需状况来看，在历经近五个季度的库存调整，2019年第四季DRAM市场仍处于微幅供过于求，即便明年第一季DRAM的拉货状况可能呈现淡季不淡，但供需态势最快仍要到明年年中才会正式反转。不过，根据历史经验，价格上涨一向快于供需反转，因此集邦咨询原先预估DRAM的平均销售单价将在明年第二季初止跌上涨。然而，受到目前现货报价大涨的激励，以及服务器内存1X纳米制程的生产状况普遍不顺畅，影响了整体供货量，因此集邦咨询对2020年价格预测进行修正，2020年第一季时，虽然标准型内存、利基型内存与行动式内存价格预估仍较前一季小幅下跌，但服务器内存有机会率先领涨，带动整体DRAM平均销售单价较前一季持平。服务器与图形处理内存价格领涨根据集邦咨询观察，目前主流服务器内存模组成交量已经明显大幅增加，均价欲跌不易，服务器业者在DRAM备货的态度转趋积极。展望2020年第一季，由于1X纳米产品供货不顺影响持续，加上短期需求面展望强劲，预估服务器内存单价将正式反弹，季增幅约5%。除了服务器内存以外，集邦咨询也同时调整图形处理内存的价格预测；图形处理内存尤其是GDDR5，因为主要GPU芯片供应商库存已经调整完毕，目前已恢复采购力道，加上最新一代的GDDR6需求也持续增加，在买方预期涨价心理影响下，整体价格也将于第一季小幅上调。
2019-12-18 00:00 reading：2365
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