5G及汽车电子发力 第三代半导体材料市场规模扩大

Release time：2018-03-27
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source：拓墣产业研究院
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5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。

拓墣产业研究院指出，相较目前主流的硅晶圆(Si)，第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，SiC及GaN功率组件的技术与市场发展，与电动车的发展密不可分。

然而，SiC材料仍在验证与导入阶段，在现阶段车用领域仅应用于赛车上，因此，全球现阶段的车用功率组件，采用SiC的解决方案的面积不到千分之一。另一方面，目前市场上的GaN功率组件则以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造，其中GaN-on-SiC在散热性能上最具优势，相当适合应用在高温、高频的操作环境，因此以5G基站的应用能见度最高，预期SiC基板未来五年在通过车厂验证与2020年5G商用的带动下，将进入高速成长期。

5G及汽车电子发力 第三代半导体材料市场规模扩大

尽管GaN基板在面积大型化的过程中，成本居高不下，造成GaN基板的产值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高频操作的优势，仍是各大科技厂瞩目的焦点。除了高规格产品使用GaN-on-SiC的技术外，GaN-on-Si透过其成本优势，成为目前GaN功率组件的市场主流，在车用、智能手机所需的电源管理芯片及充电系统的应用最具成长性。

拓墣产业研究院指出，观察供应链的发展，由于5G及汽车科技正处于产业成长趋势的重心，供应链已发展出晶圆代工模式，提供客户SiC及GaN的代工业务服务，改变过去仅由Cree、Infineon、Qorvo等整合组件大厂供应的状况。GaN的部分，有台积电及世界先进提供GaN-on-Si的代工业务，稳懋则专攻GaN-on-SiC领域瞄准5G基站的商机。另外，X-Fab、汉磊及环宇也提供SiC及GaN的代工业务。随着代工业务的带动，第三代半导体材料的市场规模也将进一步扩大。

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2025发布：中国半导体功率器件十强！
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　　根据第十九届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2025年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛公布的信息，2024年中国半导体行业功率器件十强企业如下：　　中国半导体功率器件十强企业发布　　华润微电子：国内产品线最全面厂商之一，功率器件竞争优势显著，多项产品性能国内领先。　　闻泰科技：全球功率半导体龙头，覆盖全产业链，应用于汽车、工业、消费电子等领域。　　新洁能：专注高性能功率器件，率先掌握超结技术，量产屏蔽栅及超结功率 MOSFET。　　长晶科技：技术创新能力突出，产品应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。　　士兰微：技术积累深厚，产品含分立器件、IGBT、SiC 等，覆盖汽车、光伏、家电领域。　　扬杰科技：采用 IDM 与 Fabless 模式，构建全产业链，MOSFET、IGBT、SiC 研发拓展成效显著。　　时代电气：轨道交通技术积淀深厚，功率器件含 IGBT/IPM 模块，应用于轨交、新能源汽车等。　　斯达半导：国内领先 IGBT 模块供应商，芯片设计与封装技术扎实，应用于新能源汽车、光伏等。　　捷捷微电：专注功率器件研发生产，产品含二极管、MOSFET、IGBT，覆盖消费电子等多领域。　　华微电子：知名功率器件供应商，在 MOSFET、IGBT、二极管领域技术与市场优势显著。
2025-08-04 11:08 reading：548
106亿！又一个半导体高端装备制造项目签约落地
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106亿！又一个半导体高端装备制造项目签约落地

　　7月11日，遂宁市安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签署项目合作协议，标志着全市近3年来首个百亿级产业项目“先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地”正式签约落地。　　市委书记严卫东、先导科技集团董事长朱世会出席活动并讲话。市委副书记、市长王忠诚，先导科技集团联席总裁侯振富出席签约活动。　　活动举行了签约仪式。安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签订投资106亿元建设“先导集团半导体高端装备制造西南生产基地”项目合作协议;广东先导稀材股份有限公司与遂宁产投集团签订股权投资合作协议。　　据介绍，先导科技集团是全球最大的稀散金属全产业链高科技平台，硒、碲、铋、铟、镓、锗产量位居全球前列。　　此次签约的先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地项目落户安居经开区，计划总投资106亿元，主要生产半导体高端设备及核心配件等，分两期推进，一期计划投资30亿元，投产后预计年产值可达53亿元，二期启动后，预计总投资规模超过百亿元，将建成西南地区最大的新能源镀膜生产基地和最大的半导体高端制造基地。　　此次项目签约，既是先导科技集团布局战略腹地、开拓西南市场的关键落子，也是遂宁“大抓招商引资、重抓招大引强”的重大突破。广东先导科技集团将加速组建工作专班进驻遂宁，全力保障项目7月底开工、8月底全面建设，加速推动先导薄膜先进材料生产等项目转移遂宁。　　下一步，遂宁将靠前服务做好土地供应、能评、环评、安评等前期工作，积极与相关部门协同协作，推动项目在最短时间内全面开建。
2025-07-21 16:27 reading：338
中国半导体企业综合竞争力百强
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2025-07-21 13:50 reading：380
全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产
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　　近日，全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线即将试生产，标志着中国在半导体领域实现了重大技术突破，对推动5G/6G通信、物联网及高端制造业发展具有深远意义。　　该生产线由福建晶旭半导体科技有限公司投资建设，总投资16.8亿元，占地136亩，专注于基于氧化镓(β-Ga₂O₃)压电薄膜新材料的高频滤波器芯片研发与生产。氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度(4.9eV)远超氮化镓(3.39eV)和碳化硅(3.2eV)，具备更高的击穿场强(8MV/cm)和更低的功耗特性。这一材料的应用，将彻底解决传统钽酸锂滤波器在3GHz以上频段的失效问题，填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。　　晶旭半导体技术团队自2005年起深耕声波滤波器领域，拥有100余项化合物单晶薄膜材料专利。其氧化镓异质外延技术通过在蓝宝石衬底上生长高质量氧化镓薄膜，避免了昂贵铱坩埚的使用，将材料成本降低60%以上。这一技术突破不仅实现了材料自主，还为芯片量产奠定了成本优势。　　高频滤波器是5G通信中的核心器件，直接影响信号传输的稳定性和效率。全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，将打破海外企业在这一领域的垄断，推动中国5G/6G通信设备、智能手机及物联网设备的自主可控发展。　　当前，全球半导体产业正处于技术迭代的关键期。中国通过布局氧化镓等第四代半导体材料，有望在5G/6G、量子计算等新兴领域实现技术领先，摆脱对传统硅基芯片的依赖。　　随着全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线的试生产，中国有望在高频通信芯片领域掌握更多标准制定权，推动全球通信产业向更高频段、更低功耗的方向发展。　　全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线的试生产，是中国半导体产业从“追赶”到“领跑”的重要里程碑。这一项目的成功，不仅将填补国内技术空白，还将推动全球5G/6G通信、物联网及高端制造业的革新。未来，随着技术的不断成熟和产业链的完善，中国有望在全球半导体产业格局中占据更加重要的地位。
2025-06-18 11:51 reading：556
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