我国芯片突破点有哪些

Release time:2017-08-18
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source:经济日报
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中国芯片行业一直流传着一句话,除了水和空气以外,其他全都是进口的。 即使华为能自主设计顶级的「麒麟芯片」,也要靠台湾的台积电来代工生产

台积电虽然已经到中国大陆投资设厂,但按台湾方面的要求,台积电大陆工厂的技术必须落后台湾三代。 因此,可以说,中国芯片制造「痛之久已」。

但现在这种情况已经出现变化了。 首先我们来看,芯片产业的原材料多晶硅作为微电子行业的基石,一直被视为是战略性原材料,其生产技术和市场长期都被国外所垄断。

2013年至2017年,中国多晶硅进口从8万多吨攀升至14万多吨,其中电子级多晶硅年需求达4,500吨。 不过,今年5月24日,中国国家电力投资集团公司「黄河水电新能源分公司」正式推出大陆国产高纯电子级多晶硅,终于打破国外垄断。

而众多海外学人陆续归国,更带领中国芯片技术不断向前突破,其中有三位学人最为关键。 首先是中微半导体设备(上海)有限公司董事长尹志尧,于2004年放弃美国的百万年薪,毅然回到中国创业。

在此之前,他已经在美国硅谷从事半导体行业20多年,个人拥有60多项专利,回国前是美国应用材料公司副总裁,曾被誉为「硅谷最有成就的华人之一」。 13年前,他带着30多人的团队回到中国,因为一句话:「学成只为他日归来,报效祖国」。

今年4月,尹志尧的中微半导体公司宣布,已经掌握5奈米技术,预计年底正式敲定5奈米刻蚀机。 无独有偶,两周后,IBM也宣布掌握5奈米技术。 因此,尹志尧这一宣布,意味着中微在核心技术上突破了外企垄断,中国半导体技术第一次占领至高点。

第二位是宁波江丰电子材料股份有限公司董事长姚力军。 芯片制造的关键材料-高纯度溅射金属靶材,目前全球只有四家公司掌握这种材料的制造技术,姚力军正是全球掌握此种材料关键技术少数的核心专家之一。

2005年,姚力军带着技术从日本回到中国。 当时中国在此一领域的技术仍是一片空白,所有高纯靶材都要仰赖进口。

第三位是安集微电子(上海)有限公司董事长王淑敏。 芯片制造的关键工序之一研磨,是通过化学与机械的作用,将芯片上不需要的物质快速去除。 研磨中的关键材料-研磨液,技术门坎高、研发周期长,全球只有6、7家公司有能力生产。

2007年以前,中国所需要的研磨液全部依赖进口,而一桶200公升研磨液的进口价高达7,000美元。

王淑敏和她的团队经过13年努力,目前已经研发出具自主知识产权的研磨液,同样打破了国外企业长期垄断的局面。

虽然芯片制造涉及数百种技术、上千种材料,但在尹志尧、姚力军、王淑敏等一批海外归国学人的努力下,中国在芯片制造技术上的突破如今已经正式开始。

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华为:7nm已足够!
  近日,华为常务董事张平安表示,我们半导体7nm已足够。  张平安表示:“中国我们肯定是得不到3nm,肯定得不到5nm,我们能解决7nm就非常非常好。”  “中国创新的方向就必须要依托于我们芯片能力的方向,我们的创新方向不能在单点的芯片工艺上,我们的创新方向应该在系统架构上。”这位华为常务董事说道。  华为常务董事张平安谈中国半导体发展:7nm已足够,创新应重系统架构。在近期的一次公开讲话中,华为常务董事张平安就中国半导体产业的发展发表了看法。他明确表示,中国在半导体领域能达到7nm工艺水平就已经非常好了,而不需要盲目追求3nm或5nm等更先进的工艺。这一观点不仅体现了华为对于当前半导体技术发展的深刻洞察,也展现了中国在半导体领域务实而稳健的发展策略。  张平安指出,中国半导体产业目前还无法与发达国家在3nm、5nm等最尖端工艺上直接竞争,这是一个不争的事实。但这并不意味着中国半导体产业就没有发展前途。相反,他认为中国应该更加注重在7nm等相对成熟的工艺上进行深耕细作,提高产品的性能和可靠性,以满足市场和用户的需求。  目前,中国的芯片虽然设计、封测能达到 3nm 水平,但最关键的生产能力还在 10nm~28nm 成熟制程之间发力。不过,对于绝大多数智能设备来说,目前的成熟制程就足以满足其使用性能了。  虽然中国自产芯片目前还没法达到 7nm 的水平,但美国目前其实也没这个能力,先进制程技术掌握在台积电和三星手上。不过随着未来这两家在美国设厂投产,美国芯片生产能力将大幅提高,美国还是能牢牢捏着先进制程的技术,继续以强硬的态势打压中国。我们别无选择,只能不停往前追赶。
2024-06-03 15:00 reading:720
传!华为下架高通芯片!
  5月14日消息,据外媒报道称,高通已经证实,华为不需要他们的处理器了。  据报道,在正式吊销出口许可之前,高通 CFO 已明确表示,预计明年来自华为的芯片销售营收将为0,因为华为不再需要从高通购买 4G 芯片。  报道中提到,美国收紧了对华为出口限制,撤销高通和英特尔公司出售半导体许可证,但在手机处理器上,对华为影响几乎不大。  高通在原文中提及,“2024年5月7日,美国商务部通知高通公司,它正在撤销公司向华为设备有限公司及其附属和子公司出口4G和某些其他集成电路产品,包括Wi-Fi产品的许可证,立即生效。正如我们在2024年5月1日提交的10-Q表格中披露的,我们预计在当前财年之后不会从华为获得产品收入。”  行业分析人士表示,随着华为改用自研处理器,高通将成为最大的输家,并将在未来失去所有华为订单,他强调称“由于来自华为的竞争,高通2024年向中国大陆手机品牌的出货量,相比2023年整体要下滑5000-6000万颗。”华为自研处理器走上正轨后已经具备下架高通的条件;并且高通的4G产品对华为有帮助,但不大。  随着自研的5G芯片产能爬升,放弃采购高通的4G产品成为定局,这一点也得到了资深从业者,前台积电建厂专家Leslie的确认。  “华为自去年下半年麒麟9000S浮出台面后就确定不再跟高通拉货,目前只有低端SOC库存在售,取消高通的License,对华为来说没有影响。”  相比之下,英特尔和AMD这些企业对华为的供货影响相对更大,“目前华为的PC还是以英特尔和AMD的X86 CPU为主,这部分必然有影响”,但Leslie也强调,“华为今年备货满满当当,供货无虞,但面对PC近千万的年销量,现有备货不能解决长期问题。”
2024-05-15 11:06 reading:748
华为大批量备货
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  3月21日消息,据报道,华为正在研发一种前沿的“磁电”存储技术,该技术将彻底改变数据存储行业的格局!  据悉,这种新型“磁电磁盘”(MED)技术不仅在速度上远超现有的SSD等存储设备,更在能效和容量上实现了前所未有的突破。在能耗方面,新型“磁电”存储每PB耗电仅为71W,相比传统的磁性硬盘驱动器(HDD)节能高达90%,这无疑为数据中心和大型企业节省了大量的能源成本。  在性能方面,华为预计每机架的MED性能将达到惊人的8GB/s,这一速度比档案磁带装置的最高性能提升了2.5倍。这将极大地提升数据中心的数据迁移速度,使其在处理大规模数据时更加高效。此外,新型“磁电”存储技术还在容量上实现了突破。第一代MED设备预计每个“磁盘”可提供约24TB的容量,使得一个机架系统能够积累超过10PB的数据。  而令人惊讶的是,在提供如此巨大容量的同时,该系统的功耗仅为2千瓦。该解决方案将于2025年推出。  对于华为即将发布的磁电存储产品,行业分析人士表示,此次华为推出的新型产品,可能是利用磁电耦合效应实现电场驱动磁翻转来构筑超低能耗产品。  “主流的半导体存储产业已被三星电子、SK海力士、美光等海外龙头主导,而新型存储器暂未有公司占据行业绝对优势,此次华为发布磁电存储产品是我国在存储产业换道竞争的契机。”分析师表示。  据报道, 基于磁电耦合效应的电控磁研究,展示出在未来超低能耗器件应用的可能,但面向器件化的道路仍然面临众多障碍。目前只有电压调控磁各向异性(VCMA)技术开始在磁存储产业得到初步推广,用于降低磁存储器件能耗。  “磁电存储”作为新提出的技术方案,暂不是行业统一规范,其涉及华为磁电存储产品的具体内涵与外延尚待进一步明确。  需要一提的是,上述存储技术与我国算力发展与存力建设息息相关,目前国内磁存储还主要依赖进口,所以包括运营商、金融、广电、科研高校等单位和关键行业急需国产新型存储解决方案。
2024-03-21 13:06 reading:1198
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