芯恩8寸线将试产、富士康封测动工，青岛半导体发展加速！-Ameya360电子元器件采购网

芯恩8寸线将试产、富士康封测动工，青岛半导体发展加速！

发布时间：2020-07-23 00:00

作者：

来源：电子发烧友

阅读量：2107

4月28日，青岛市国资委等五部门印发实施《市属企业加快布局“新基建”实现数字化智能化转型升级三年行动计划（2020—2022年）》。青岛将抢抓“新基建”带来的新机遇，积极开展投资融资、产业培育和资本运作，通过搭建数字产业集成平台、集聚优质要素资源助推青岛市数字经济跨越发展。

芯恩8寸线将试产、富士康封测动工，青岛半导体发展加速！

一、富士康青岛芯片封测工厂已破土动工

7月22日消息，富士康计划在青岛建设的先进芯片封装与测试工厂，已在近日破土动工。

芯恩8寸线将试产、富士康封测动工，青岛半导体发展加速！

富士康在青岛建设的这一芯片封装与测试工厂，计划投资600亿元，约86亿美元。富士康的这一芯片封测工厂，致力于5G和人工智能相关设备的芯片，提供先进的封测技术。富士康在青岛的芯片封测工厂，设计的月产能是30000片12英寸晶圆，计划2021年投产。

富士康在2017年组建了半导体子集团，以整合相关的资源发展其半导体业务，青岛的新工厂，可能就是他们加强在半导体领域部署的一部分。

二、芯恩8英寸芯片下半年试投产

继自贸试验区获批之后，青岛国际经济合作区再迎重大利好。其中芯恩集成电路有限公司项目团队已汇集470人，20%为具有20年以上半导体行业工作经验的世界级专家和紧缺型人才，数百项专利填补国内空白。

青岛信网报道显示，该项目一、二期总投资约188亿元，其中一期总投资约81亿元。项目建成后可以实现8英寸芯片、12英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产。据悉，该项目于2018年5月正式启动，为中国国内启动的首个CIDM集成电路项目，计划2019年底一期整线投产，2022年满产。

张汝京在今年3月份透露，芯恩现有的人才当中有一些在14nm制程量产方面，已经具备了丰富的经验，他们正在为芯恩的先进制程量产做着准备。而该公司的二期工程，目标就是针对14nm及以下先进制程的，要建两座月产能为5万片的Fab。

近日，山东青岛市西海岸新区管委主任、区长周安表示，芯恩8英寸芯片今年下半年要试投产了。芯恩方面6月曾表示，预计7月底8月初试投产。

芯恩采用CIDM模式可以真正解决青岛优势制造业产业面临的“缺面板少芯芯片”的短板。根据芯恩的规划，将重点关注汽车电子、智能家电、智能制造等领域的集成电路需求。青岛的产业规划一直缺乏系统性，尤其是对于产业链配套上，由于缺乏专业知识，导致许多产业不能获得大的发展空间。

而现在，通过CIDM模式，芯恩可以为新能源汽车企业生产汽车电子领域的高端数模混合和智能功率电子芯片。青岛其他优势产业智能家电、轨道交通包括工业互联网尤其是工业应用和工业控制领域的关键芯片，都可以通过加入到CIDM模式协同完成。

三、青烟国际招商产业园发展前景

山东下发济青烟国际招商产业园建设方案，聚力打造9大产业集聚区，其中，数字科技与智能制造产业集聚区布局于青岛国际经济合作区范围内。按照方案，园区将推出净地4.5平方公里，发展数字科技、智能制造两大主导产业，打造世界一流的产业集聚区，5年内产业规模将达500亿元。

目前青岛国际经济合作区已经落户芯恩、安润封测、上达电子柔性半导体封装基板3家产业链企业，初步涵盖集成电路设计、制造、封测、材料和设备等领域。

另外，聚集区内还拥有西门子创新中心、海尔工业智能研究院等智能制造创新平台。 Cosmoplat被评为全国首家国家级工业互联网示范平台，海尔工业4.0中央空调、海尔滚筒洗衣机等智能互联工厂建成投产。世界五百强企业纷纷落户，工业电子、智能家电与物联网三大产业链条日趋完善，这些也是集聚区在青岛国际经济合作区布局的突出优势。

建设济青烟国际招商产业园是山东打造对外开放新高地的又一重大举措，也是青岛国际经济合作区又一个难得的发展机遇。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

行业新闻

从设计到封测：一文读懂半导体产业核心术语

　　一、设计与EDA/IP　　1. IC设计：集成电路设计。　　2. EDA：电子设计自动化。指用于设计芯片的软件工具套件。　　HDL：硬件描述语言。如 Verilog, VHDL。　　RTL：寄存器传输级。设计过程中的一个抽象层次。　　DFT：可测试性设计。在设计中加入便于测试的结构。　　DFM：面向制造的设计。优化设计以提高制造良率。　　PDK：工艺设计套件。晶圆厂提供给设计公司的工艺文件包。　　Simulation：仿真。　　Verification：验证。　　Synthesis：逻辑综合。　　P&R：布局布线。　　STA：静态时序分析。　　3. IP：知识产权核。预先设计好、可复用的电路模块(如CPU核、接口IP等)。　　SoC：片上系统。将多个功能模块集成到单一芯片上。　　ASIC：专用集成电路。为特定应用定制的芯片。　　ASSP：专用标准产品。为特定应用领域设计的标准芯片(介于ASIC和通用芯片之间)。　　FPGA：现场可编程门阵列。可编程的逻辑芯片。　　4. Fabless：无晶圆厂模式。公司只负责芯片设计和销售，制造外包给晶圆代工厂。　　5. IDM：集成器件制造商。公司覆盖设计、制造、封装测试等全产业链环节(如 Intel, Samsung)。　　二、制造(晶圆加工 / Foundry)　　1. Wafer：晶圆。制造芯片的硅基片。　　Ingot：硅锭。切割成晶圆的原材料。　　Si：硅。　　SOI：绝缘体上硅。一种特殊结构的晶圆。　　Epitaxy：外延。在晶圆表面生长单晶层。　　2. Fab：晶圆厂。　　3. Foundry：晶圆代工厂。专门为其他公司制造芯片的工厂(如 TSMC, SMIC)。　　4. Process Node：工艺节点/制程节点。描述制造工艺先进程度的指标(如 7nm, 5nm, 3nm)。越小通常代表技术越先进。　　5. Front End Of Line：前道工艺。在晶圆上制造晶体管和互连线的过程。　　CVD：化学气相沉积。　　PVD：物理气相沉积。　　ALD：原子层沉积。　　Wet Etch：湿法刻蚀。　　Dry Etch / Plasma Etch：干法刻蚀/等离子刻蚀。　　Mask / Reticle：掩模版/光罩。承载电路图形的母版。　　Stepper / Scanner：步进式/扫描式光刻机。　　DUV：深紫外光刻。使用 248nm 或 193nm 波长的光刻技术。　　ArF / KrF：分别指 193nm 和 248nm 光刻使用的激光光源类型。　　Immersion Lithography：浸没式光刻。提高光刻分辨率的技术。　　EUV：极紫外光刻。使用 13.5nm 波长的下一代光刻技术。　　Lithography：光刻。使用光将电路图形转移到晶圆上的关键工艺。　　Etch：刻蚀。将光刻胶图形转移到下层材料的过程。　　Deposition：沉积。在晶圆表面生长薄膜材料的过程。　　Ion Implantation：离子注入。将杂质离子注入硅中形成特定电学特性的区域。　　CMP：化学机械抛光。平坦化晶圆表面的工艺。　　Thermal Processing：热处理。如氧化、扩散、退火等。　　Cleaning：清洗。去除晶圆表面污染物的工艺。　　Metrology：量测。对晶圆进行各种物理和电学参数的测量。　　Inspection：检测。查找晶圆上的缺陷。　　Yield：良率。合格芯片占总芯片数的百分比。　　6. Transistor：晶体管。芯片的基本开关单元。　　MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。最常见的晶体管类型。　　FinFET：鳍式场效应晶体管。3D结构晶体管，用于先进节点。　　GAA：环绕栅极晶体管。FinFET的后继技术。　　7. Interconnect：互连线。连接晶体管的金属导线。　　BEOL：后道工艺。制造互连线的过程。　　Damascene Process：大马士革工艺。制造铜互连的主流工艺。　　三、封装与测试　　1. Back End Of Line / OSAT：后道工艺 / 外包半导体封装和测试厂商。指芯片制造完成后的封装和测试环节，通常由专门的封测厂完成。　　Assembly：封装/组装。　　Packaging：封装。　　Test：测试。　　2. Wafer Test / CP：晶圆测试/中测。在晶圆切割前对每个芯片进行基本功能测试。　　3. Dicing / Scribing：划片/切割。将晶圆切割成单个芯片。　　4. Die：裸片/晶粒。切割下来的单个芯片。　　5. Packaging Types：封装类型　　TSV：硅通孔。穿透硅片的垂直电连接通道。　　Interposer：中介层。连接不同裸片的硅基板或有机基板。　　DIP：双列直插式封装。　　SOP/SOIC：小外形封装。　　QFP：四方扁平封装。　　BGA：球栅阵列封装。　　LGA：栅格阵列封装。　　CSP：芯片尺寸封装。封装尺寸接近芯片尺寸。　　WLP：晶圆级封装。在晶圆上进行大部分封装步骤。　　SiP：系统级封装。将多个不同功能的裸片封装在一个模块内。　　MCM：多芯片模块。　　2.5D / 3D IC： 2.5维/三维集成电路。使用硅中介层或TSV实现裸片堆叠的高密度封装技术。　　6. Final Test / FT：成品测试。封装完成后对芯片进行的全面功能和性能测试。　　7. Burn-in：老化测试。在高温高压下测试芯片的长期可靠性。　　8. Quality Control / QC：质量控制。　　四、材料与设备　　1. Materials：　　Silicon Wafer：硅晶圆。　　Photoresist：光刻胶。　　Mask Blank：掩模版基板。　　Electronic Gases：电子气体(如高纯氮气、氩气、特殊气体)。　　CMP Slurry： CMP研磨液。　　Targets：靶材(用于PVD)。　　Precursors：前驱体(用于CVD/ALD)。　　Wet Chemicals：湿电子化学品(酸、碱、溶剂等)。　　Lead Frame：引线框架。　　Substrate：封装基板。　　Molding Compound：塑封料。　　Underfill：底部填充胶。　　Thermal Interface Material：热界面材料。　　2. Equipment：　　Lithography Tool：光刻机 (EUV Scanner, DUV Scanner/Stepper)。　　Etcher：刻蚀机。　　Deposition Tool：薄膜沉积设备 (CVD, PVD, ALD)。　　Ion Implanter：离子注入机。　　CMP Tool：化学机械抛光机。　　Furnace：扩散炉/氧化炉。　　RTP：快速热处理设备。　　Metrology & Inspection Tool：量测检测设备。　　Wafer Cleaner：清洗机。　　Prober：探针台(用于Wafer Test)。　　Tester：测试机(用于Wafer Test和Final Test)。　　Dicer：划片机。　　Die Bonder：固晶机/贴片机。　　Wire Bonder：引线键合机。　　Molder：塑封机。　　SMT：表面贴装技术设备(用于将封装好的芯片贴到PCB上)。

2025-08-22 11:08 阅读量：297

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号

品牌

询价

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

Texas Instruments

ROHM Semiconductor

onsemi

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

型号

品牌

抢购

TPS63050YFFR

Texas Instruments

ESR03EZPJ151

ROHM Semiconductor

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

BP3621

ROHM Semiconductor

STM32F429IGT6