罕见暴雪恐加剧全球芯片供给短缺情况...

Release time:2021-02-22
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就在上周,美国德州遭遇超级寒流袭击,导致严重能源供应短缺与电力中断,包括Samsung、NXP与Infineon三家半导体业者位于奥斯汀的晶圆厂因此停摆...

罕见暴雪恐加剧全球芯片供给短缺情况...

美东时间2月16日,在德州奥斯汀电力公司Austin Energy正式宣布中断供电后,包括Samsung、NXP与Infineon三家半导体业者的生产线也跟着停工,但对于产量造成的影响以及何时复工,这些公司都未发表任何评论。

恩智浦在一份新闻稿中表示,考虑一般大众的健康、安全与人道服务,奥斯汀电力公司将优先供电给住宅区,因此恩智浦两座位于奥斯汀的工厂都被暂停供电。

德州地方新闻媒体《Austin American-Statesman》则引述了三星发言人Michele Glaze说法:“因为提前接获(停电)通知,厂房以及生产中的晶圆片都已经采取了恰当的措施。”

半导体顾问业者Semiconductor Advisors总裁Robert Maire接受《EE Times》电子邮件采访时表示,若是有秩序地停工,半导体生产在线的晶圆片以及设备受到的影响程度可以被减至最小程度;“如果他们是提前几个小时收到停电通知,可能会把大部份晶圆片从设备中移走,并且以有系统地关闭机台方式,完成‘软’停工。”

不过Maire也表示,就算是最好的情况,那些晶圆生产线可能也要花上一至两周时间才能复工;但要是停电时间拉长,问题可能会更糟,因为厂房内与生产设备温度会降低。此外,晶圆厂内的空气温湿度必须要经严密控制,而且得过滤灰尘污染,电力中断将使得相关设施都无法正常运作。

在价值达数十亿美元的资本密集晶圆厂内,业者需要维持生产线24小时运转以最大化营利;这不是一项简单任务,因为有这么多对环境条件非常敏感的精密设备。Maire表示:“在尖端晶圆厂内,设备24小时全年无休运转,因此让它们维持温度并维持校准需要花很多时间,特别是微影设备。”

他指出,如果极紫外光(EUV)或深紫外光(DUV)微影工具的镜头未妥善控制温度一段时间,就需要花非常多时间去让它们“回温”,维持运作稳定与校准。

半导体产业研究机构VLSIresearch分析师Andrea Lati则对《EE Times》表示,上述三家芯片业者在奥斯汀当地的总半导体产能是每月11万5,000片左右的约当12吋(300m)晶圆,而全美总半导体产能应该有每月1,200万片晶圆,因此奥斯汀的晶圆产能占据全美总产能的比例在9%到10%之间。

芯片缺货问题恐雪上加霜

奥斯汀三大半导体业者生产线停摆,让全球芯片缺货的问题雪上加霜,也因此会加剧从汽车到智能手机的各种系统生产速度减缓的情况。在2020年,新冠病毒肺炎疫情影响了汽车市场需求,车厂纷纷在第三季砍掉车用芯片订单;然而2020年第四季汽车订单就开始回温,成熟半导体工艺产能如40纳米与55纳米也出现短缺现象。

“关键的问题在于这是一场大混乱,”Maire表示,三星八成遭受严重的冲击,因为奥斯汀是该公司在美国唯一的生产据点。而另一家产业研究机构IC Insights的副总裁Brian Matas对《EE Times》表示,三星可能需要重新考虑是否要在德州斥资百亿美元兴建新晶圆厂的计划。

“德州电力系统在这场寒流中发生的状况,会是三星考虑奥斯汀作为投资百亿美元兴建新晶圆厂潜在地点的大问题;”Matas进一步指出:“不只有三星,其他潜在晶圆厂营运商必然也会对州政府提出针对德州能源可靠度委员会(Electric Reliability Council,ERCOT)的质疑与尖锐问题。”

他表示,“当本地电网故障,没有备用电源也无法从邻近的其他州采购可靠电力,是一个非常大的致命伤;”ERCOT是由德州的电力公司组成的团体,负责管理/控制当地电网,服务超过2,500万用户,占据德州总电力负载的九成。

美东时间2月16日,电力短缺导致德州的电费飙涨到1MWh(megawatt-hour)超过9000美元;但一个星期之前,同样1MWh电费不到30美元。

另据外电报道,在美东时间21日,已有德州家庭收到“天价”电费单,部分家庭本月电费已经达到16000美元(约人民币10.34万元)。

对此,德州州长Greg Abbott表示,会将ERCOT的改革列为州议会的第一优先事项,他也将针对ERCOT进行调查,以判定造成电力短缺的原因,并找出长期解决方案。

车用芯片产能更稀缺

Matas表示,英飞凌与恩智浦都是车用芯片主流供应商,在停电之前就已经面临芯片产能紧缺的状况;“几乎可以确定的是,奥斯汀晶圆厂停工已经呈现上扬的车用芯片单价再添额外的飙升压力,预期价格将会在今年进一步上涨。”

“这不会是车厂与车用系统业者乐见的,但他们可能会面临更严重的价格压力,而且得忍受更长的车用芯片交货期──至少在近期都会如此。遗憾的是,他们对于改变这种情况有些无能为力;”Mata指出,过去就连短暂的晶圆厂生产中断,也为导致芯片长期缺货与价格飙升,这对已是现在进行式的全球芯片缺货问题当然不是好消息。

在此同时,奥斯汀当地可说是一片愁云惨雾,包括那些正在家中遭受严寒的民众。奥斯汀市政府已经宣布进入灾难状态,但预期情况不会拖过2月。奥斯汀是美国的半导体制造重镇之一,当地也形成材料业者、制造设备业者的产业生态系。

三星斥资约90亿美元兴建的12吋晶圆厂S2在2011年于奥斯汀完工,生产45纳米工艺。恩智浦在奥斯汀有两座8吋晶圆厂,最初是由摩托罗拉(Motorola)在1990年代建成,由恩智浦收购飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)取得。英飞凌在的奥斯汀8吋晶圆厂Fab 25,则是该公司自Cypress收购的资产。

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2026-01-04 16:10 reading:312
芯片Layout中的Guard Ring是什么?
  在芯片设计中,Guard Ring(保护环) 是一种环绕在敏感电路或器件(如模拟电路、高精度器件、存储器单元、I/O驱动器等)周围的版图结构,形成关键的“隔离带”。它的核心使命是提高电路的可靠性、性能和抗干扰能力,是复杂芯片(尤其是混合信号芯片、高可靠性芯片)成功量产的关键因素之一。  Guard Ring的物理构成  Guard Ring并非单一结构,而是由多个精心设计的物理组件协同构成:  1衬底接触环  采用高掺杂的P+区域(P型衬底)或N+区域(N型衬底/深N阱)。其核心作用是提供到半导体衬底的低阻连接。它能有效收集衬底中不需要的少数载流子,防止其干扰被保护电路,稳定衬底电位,减少衬底噪声耦合,并为潜在寄生电流提供泄放路径。  2阱接触环标题  采用高掺杂的N+区域(N阱)或P+区域(P阱)。它提供到阱的低阻连接点,稳定阱电位并收集阱中产生的少数载流子。在双阱工艺中,N阱接触环本身就能阻挡衬底中的少数载流子(空穴)进入N阱。  3隔离结构  通常指浅沟槽隔离或深沟槽隔离。它在物理上分隔保护环内外的区域,阻止表面漏电流路径,增加载流子从外部扩散进入保护区域的难度,是防止闩锁效应的关键物理屏障。  4连接线  通过通孔和金属层将衬底接触环和阱接触环连接到指定电位(VSS或VDD)。确保这些连接具有极低的电阻至关重要。  Guard Ring的核心作用  Guard Ring通过其物理结构实现多重关键保护功能:  1防止闩锁效应  这是Guard Ring最核心的作用。闩锁效应由芯片内部寄生的PNPN结构意外触发引发,可导致大电流、功能失效甚至芯片烧毁。Guard Ring通过提供低阻的阱和衬底接触,有效收集触发闩锁的寄生载流子,在其达到触发浓度前将其泄放。同时,隔离结构增加了载流子横向流动的阻力。它对包含NMOS和PMOS相邻放置的电路(如CMOS反相器、I/O驱动器)的保护尤为关键。  2抑制衬底噪声耦合  芯片上不同模块(尤其是数字模块与敏感的模拟/射频模块)工作时产生的噪声会通过公共硅衬底传播。连接到干净VSS的衬底接触环作为一个低阻抗的“汇”,能吸收和分流试图进入保护区域的衬底噪声电流,为被保护电路提供局部的“安静地”,显著降低噪声干扰。  3阻挡少数载流子注入  芯片某些区域(如开关状态的NMOS源/漏、反向偏置的PN结)可能向衬底注入少数载流子(电子或空穴)。这些载流子扩散到敏感区域(高阻节点、存储节点、精密基准源)会引发漏电流、电压偏移或数据错误。Guard Ring(尤其是反向偏置的阱接触环,如N阱环接VDD阻挡空穴)能收集这些扩散载流子,阻止其到达敏感区域。  4提高器件隔离度与可靠性  在需要高隔离度的应用(如RF电路、混合信号电路)中,Guard Ring有助于减少相邻器件间通过衬底的串扰。通过综合防止闩锁、减少噪声干扰和漏电流,Guard Ring显著提升了被保护电路的长期工作可靠性和稳定性。  设计与实现考量  Guard Ring的设计需结合具体工艺和电路需求:  必要性:为MOS器件提供衬底/阱电位(Bulk端)的Guard Ring是必不可少的。用于隔离噪声或防止Latch-up的Guard Ring则需评估实际需求(是否存在噪声源或对噪声敏感)。  结构选择:根据保护对象(PMOS/NMOS/DNW器件)选择对应的NWring、PSUBring或DNWring结构。其版图实现需严格遵循特定工艺的设计规则(Design Rule),例如有源区(AA/OD)与注入层(SP/PP/SN/NP)的包围关系、接触孔(CT/CONT)的尺寸和间距、金属层(M1)的连接等。  增强防护:有时会采用双层Guard Ring结构,以进一步降低阱/衬底的寄生电阻压降,增强隔离效果,更有效地降低Latch-up风险。  面积权衡:添加Guard Ring必然增加芯片面积。设计时必须在防护效果和成本(面积)之间进行仔细权衡。  Guard Ring是芯片版图设计中基础而关键的防护结构。其本质是通过在敏感电路周围精确构建阱接触环、衬底接触环和隔离结构,并将它们连接到合适的电源/地网络,共同形成一个高效的载流子收集阱和噪声隔离带。它从根本上防止了致命的闩锁效应,有效抑制了衬底噪声耦合,并阻挡了有害的少数载流子注入,从而极大提升了芯片的鲁棒性、性能和可靠性。
2025-10-30 14:49 reading:583
全球首款,我国芯片研制获重大突破!
  据《科技日报》报道,近日,清华大学电子工程系方璐教授团队在智能光子领域取得重大突破,成功研制出全球首款亚埃米级快照光谱成像芯片“玉衡”,标志着我国智能光子技术在高精度成像测量领域迈上新台阶。相关研究成果在线发表于学术期刊《自然》。  科研团队基于智能光子原理,创新提出可重构计算光学成像架构,将传统物理分光限制转化为光子调制与计算重建过程。通过挖掘随机干涉掩膜与铌酸锂材料的电光重构特性,团队实现高维光谱调制与高通量解调的协同计算,最终研制出“玉衡”芯片。“玉衡”光谱成像芯片概念图。图片来源:清华大学  “玉衡”芯片仅约2厘米×2厘米×0.5厘米,却可在400—1000纳米的宽光谱范围内,实现亚埃米级光谱分辨率、千万像素级空间分辨率的快照光谱成像,能在单次快照中同步获取全光谱与全空间信息,其快照光谱成像的分辨能力提升两个数量级,突破了光谱分辨率与成像通量无法兼得的长期瓶颈,为高分辨光谱成像开辟了新路径。  方璐表示,“玉衡”攻克了光谱成像系统的分辨率、效率与集成度难题,可广泛应用于机器智能、机载遥感、天文观测等领域,以天文观测为例,“玉衡”的快照式成像每秒可获取近万颗恒星的完整光谱,有望将银河系千亿颗恒星的光谱巡天周期从数千年缩短至十年以内,凭借微型化设计,它还可搭载于卫星,有望在数年内绘制出人类前所未有的宇宙光谱图景。
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