<span style='color:red'>长晶科技</span>|卓越FST 3.0 IGBT平台模块赋能光伏储能领域
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长晶科技|卓越FST 3.0 IGBT平台模块赋能光伏储能领域

　　随着全球能源转型的加速，光伏发电与储能系统已成为构建新型电力系统的关键。作为电力电子系统的 “核心心脏” 与 “智能开关”，功率IGBT模块的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性及综合成本。　　长晶科技基于FST G3.0工艺平台推出IGBT半桥模块，优化器件在导通损耗和开关损耗表现的综合性能，保证恶劣环境下的运行可靠性，为光伏逆变器、PCS 等应用场景提供高效率、强稳定性的核心技术支撑。　　01 产品介绍　　长晶科技推出的1200V IGBT半桥模块系列，包含450A、600A与900A三种电流规格，搭载自主研发的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低损耗及高可靠性的特点，可全面覆盖光伏储能系统需求。　　同时长晶科技与国内头部驱动厂商合作推出按产品参数特性定制的驱动板，可提供配合调试支持服务。　　02 电性参数　　长晶科技1200V IGBT半桥模块产品具有卓越的性能设计　　◆ 针对开关特性，通过优化栅电荷(Qg)，实现了开关应力与损耗之间的平衡，提升不同栅极驱动设计的兼容性，并减轻散热系统承受的压力。　　◆ 针对通态性能，产品在高温下表现出显著的低VCE(sat)，在系统运行时转化为更低的导通损耗。　　◆ 综合芯片选用条件，表现出更低的FOM值(定义见下图)，性能优秀同时兼具成本优势。FOM值定义 = VCE(sat)[V] · Eoff[mJ] · Active Area[cm2]　　03 竞争优势　　1.饱和降压　　长晶科技FST 3.0 IGBT采用先进的微沟槽栅(1.6μm Pitch)场截止结构，发射极效率优化，有效提升了功率密度。　　同测试平台条件下，VCE(sat)基本达到国际主流友商第七代产品优秀水平，高电流900A产品MCF900N120T3E3较竞品饱和压降降低5%~6%，实现高温系统下优异的通态损耗性能。　　2.关断损耗　　基于同平台双脉冲测试得到TJ=150℃时的关断损耗Eoff，结果如下图所示。　　测定条件：VCE=600V, IC=450A,Rg=1.3 Ω, VGE=±15V, Inductive Load　　测定条件：VCE=600V,IC=600A,Rg=7Ω, VGE=±15V, Inductive Load　　长晶FST 3.0 IGBT在高温条件下实现了开关应力与关断损耗之间的平衡，这一特性确保了模块在光伏储能系统特定工况下的运行效率与长期稳定性。　　长晶科技将致力于高效功率模块的研发与创新，持续推动电力电子系统朝着更小尺寸、更高效率、更可靠稳定且更具成本竞争力的方向不断升级!
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发布时间：2026-01-13 14:39 阅读量：275 继续阅读>>
<span style='color:red'>长晶科技</span>成功通过专精特新“小巨人”复核
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长晶科技成功通过专精特新“小巨人”复核

　　近日，长晶科技顺利通过工业和信息化部开展的2025年专精特新“小巨人”企业复核，继续入选专精特新“小巨人”企业名单。　　自2018年于南京江北新区成立以来，长晶科技始终专注于功率半导体领域。从最初的芯片设计公司起步，到2021年投资建立长晶浦联，自建车规级封测产线;再到2022年战略收购新顺微，完成器件晶圆制造能力整合……七年来，脚步从未停歇。正是这一系列的战略布局，让长晶科技一步步自主构建起从芯片设计、芯片制造到封测的全产业链能力，成长为国内知名的综合型半导体企业。　　截至目前，长晶科技已拥有396件自主知识产权，其中专利235件(发明专利80件)，集成电路布图设计113件，产品系列和型号超20000个，覆盖消费级、工业级和车规级标准，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和新能源等多个领域　　结束语　　此次通过专精特新“小巨人”复核，标志着长晶科技在专业化、精细化、特色化与创新能力方面持续获得国家认可。展望未来，长晶科技将继续加大研发投入，充分整合完善IDM全产业链优势，以关键核心技术、核心工艺流程的自主可控为己任，矢志创新、践行不辍，向着“创造世界一流的半导体品牌”的愿景稳步迈进!
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发布时间：2025-11-04 14:13 阅读量：529 继续阅读>>
<span style='color:red'>长晶科技</span>FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案
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长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

　　长晶科技本次推出了FST3.0(对标国际Gen7.0) 650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。
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发布时间：2024-12-02 14:04 阅读量：853 继续阅读>>
江苏<span style='color:red'>长晶科技</span>FST2.0高性能 IGBT产品介绍
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江苏长晶科技FST2.0高性能 IGBT产品介绍

　　江苏长晶科技股份有限公司是一家专业从事半导体产品研发、生产和销售的企业。自2019年起，连续4年被中国半导体行业协会评为 “功率器件十强企业”。2021年开始自主研发有着“工业CPU”之称的IGBT，截至2023年Q3在家电/工业/新能源等行业实现8款产品市场应用与批量供应。　　特性简介　　1. IGBT工艺平台　　图1 相同的电流电压，不同代次芯片Vcesat&Ets表现「基于1200V/40A」　　2. 产品定义　　针对应用细化IGBT芯片的类型，精准的产品定义实现最佳的应用效果。　　3. 应用表现　　平衡性：优化关断损耗的同时减小关断应力，实现良好的温升/电磁兼容性　　产品简介　　1. 长晶产品系列分类　　L系列应用于0-8khz载波频率　　S系列应用于8-20khz载波频率　　K系列应用于20-45khz载波频率　　2. 长晶产品概览
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发布时间：2024-03-26 15:12 阅读量：1722 继续阅读>>

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