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意法半导体微型AI传感器集成运动跟踪和高强度冲击测量功能，面向个人<span style='color:red'>电子</span>和物联网应用

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意法半导体微型AI传感器集成运动跟踪和高强度冲击测量功能，面向个人电子和物联网应用

　　意法半导体(简称ST)日前宣布了一款在一个节省空间的封装内集成运动跟踪传感器和高重力冲击测量传感器的惯性测量单元，装备该测量单元的设备可以非常准确地重构完整事件，提供更多的功能和出色的用户体验。随着新模块上市，市场期待移动设备、可穿戴设备、消费医疗产品以及智能家居、智能工业和智能驾驶设备出现强大的新功能。　　新传感器LSM6DSV320X是业界首款在常规尺寸模块(3mm x 2.5mm)内集成AI处理功能并能够连续记录运动和冲击数据的传感器。依托意法半导体在微机电系统(MEMS)设计方面的持续投入，这款创新的双加速度计传感器具有很高的运动跟踪和冲击测量准确度，运动跟踪量程高达16g，冲击量程高达320g。　　意法半导体APMS产品部副总裁兼MEMS子产品部总经理Simone Ferri表示：“我们的尖端AI MEMS传感器释放的潜能越来越多，可提升当今市场领先的智能应用的性能和能效。新惯性模块具备独特的双传感器架构，能够让设备和应用实现更智能的交互体验，并为智能手机、可穿戴设备、智能标签、资产监控器、事件数据记录器以及更大规模的基础设施等设备和应用带来更高的灵活性和准确度。”　　LSM6DSV320X的上市进一步扩大了意法半导体内置机器学习核心(MLC)的传感器产品家族，嵌入式AI处理器可直接在传感器内处理推理算法，从而降低系统功耗，并提升应用性能。新产品内置的两个加速度计采用意法半导体独有的先进技术，可以同时存在一个模块内，实现优异的测量性能。其中一个加速度计专门用于跟踪运动，具有非常高的分辨率，最大量程为±16g;另一个加速度计可测量高达±320g的冲击力，量化碰撞或高强度冲击事件等剧烈冲击。　　意法半导体新推出的AI MEMS传感器体积小，功能多，量程宽，准确度高，让消费电子和物联网产品具有更多的功能，同时保持时尚的外观或可穿戴特质。活动追踪器可以在标称量程内监测训练成绩，还能测量高强度冲击力，确保身体接触性运动的安全，为消费者和职业/半职业运动员创造价值。在消费电子市场上，游戏控制器利用这个传感器可以检测快速运动和冲击，提升用户体验。智能标签可以粘贴在物品上，记录运动、振动和冲击，确保物品安全和完整无损。　　意法半导体传感器的宽加速度量程还将为新一代智能消费医疗保健、工业安全等设备的升级进化赋能。个人劳保防护设备就是其中的一种潜在应用，在危险环境中保护工人作业安全，评估坠落或撞击的严重程度。其他用途还包括准确评估建筑物、桥梁等结构健康状况。　　该传感器的高集成度简化了产品设计和制造过程，让先进的监视器能够以具有竞争力的价格进入目标市场。设计师可以打造纤薄轻巧的外观设计，方便佩戴或安装到设备上。　　产品介绍　　LSM6DSV320X传感器在一个2.5mm x 3mm封装内集成叁个微机电系统(MEMS)传感器，其中包括一个±16g的加速度计、一个±320g的加速度计和一个±4000dps的MEMS陀螺仪。这叁个传感器完全同步工作，使模块易于使用，并有助于简化应用开发。　　除了高能效处理情境感知任务的MLC机器学习核心外，LSM6DSV320X还集成了有限状态机(FSM)，能够在模块内执行运动跟踪功能。数字电路还采用了意法半导体的低功耗传感器融合(SFLP)空间定位技术。　　像意法半导体的其他智能MEMS传感器一样，LSM6DSV320X也具有优化功耗的自适应自配置(ASC)功能。在检测到特定运动模式或MLC的信号时，具有ASC功能的传感器可以自动实时调整设置，无需主处理器干预。　　为了方便追踪高强度撞击，同时最大限度地改进低重力事件的测量准确度，意法半导体还为开发者提供整合低重力加速度计和高重力加速度计输出数据的Motion XLF专利软件库。通过X-CUBE-MEMS1软件套件，客户工程团队可以在设计中自由使用该软件库。意法半导体还提供免费的图形设计工具，帮助开发者评估、配置和测试LSM6DSV320X传感器和嵌入式AI核心，并将设计项目连接到STM32应用。这些工具包括ST Edge AI Suite的MEMS Studio软件和基于Web的开发环境ST AIoT Craft，该开发环境提供用于开发和配置节点到云端AIoT(人工智能物联网)项目的工具。　　LSM6DSV320X现已出现在ST Edge AI Suite的支持设备名单内，并将于2025年底添加到ST AIoT Craft支持的设备名单内。

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发布时间：2025-05-23 11:31 阅读量：152 继续阅读>>

川土微<span style='color:red'>电子</span>：CA-IF48XX接口芯片性能及应用

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川土微电子：CA-IF48XX接口芯片性能及应用

　　川土微电子CA-IF48XX工业级RS-485/422全/半双工收发器接口芯片系列已上市，该系列芯片能够应用在恶劣和严苛的工业环境中。对比国内外同类产品型号，CA-IF48XX在共模输入范围、速率等指标上能与国外大厂持平，在一些其他指标上也有着明显优势。目前该系列产品已批量供货，欢迎选购。　　产品特性　　特性一：高共模电压输入范围±15V，适用于恶劣的工业环境。　　众所周知，通信需要在一个有交流电力线或者大型电机产生的电磁干扰环境下进行。由于通信节点地之间会有磁场，会产生感应电流，因此会造成两个节点地之间存在压差，对通信会造成干扰。再如，节点地失调的情况下，由于A与B之间的传输距离较远，大地也同样具有阻抗，节点A到B之间流过大地的电流，会造成两个节点之间的地失调。　　以上两种情况都会在总线上面叠加共模电压，如果485芯片的总线输入电压共模范围不够，就会对通信造成影响。因此川土微电子提供了尽可能高的共模输入电压的485接口芯片，以解决通讯端实际存在的问题。　　特性二：±30kV的HBM ESD保护。　　上图是一个典型的UART转485的应用模块，可以看出由于选用的485接口芯片的ESD能力不够，那么在PCB上面就需要额外增加几个TVS抑制二级管，浪费了布板面积，增加了物料的成本。　　而川土微电子CA-IF48XX芯片支持±30kV的HBM ESD防护，不需要添加这些提高ESD能力的抑制二极管。　　特性三：支持极性校正功能。　　对于CA-IF4888HS这款芯片产品来说，它还具有一个极性校正功能，下图展示了一个实际的应用场景，当总线上面A与B反接之后，此款芯片可以自动纠正极性，实现正常通信。　　关于极性校正如何操作，为了检测总线极性，必须满足以下所有三个条件：　　1、故障安全偏置网络(通常在主节点上)必须定义总线的信号极性　　2、从节点必须使能接收机并禁用驱动器(REB=DE=0)　　3、总线必须在故障安全时间(tFS-max)内空闲　　故障安全时间过去之后，极性校正完成，并同时应用于接收机和发送通道。总线极性的状态被锁存在收发器中，并保持其状态以用于后续数据传输。　　特性四：采用1/8负载，最多支持256个负载，上下电无毛刺，支持热插拔。　　CA-IF48XX采用1/8负载，因此可以最多支持256个负载，负载电阻过大，会带来高速通信时接收信号失真的问题。CA-IF48XX系列芯片内部采用快速响应模块，能够支持高速率的通讯。此外，芯片内部通过特别的上电逻辑处理，保证芯片上下电无毛刺，可以支持热插拔，子模块接入总线更加方便。　　应用方案　　RS485总线在智能电表系统上的应用　　上位机通过USB转UR的接口芯片与485接口芯片进行通信，作为主机，然后再通过总线连接上分布于楼宇各个角落的电表模块，电表模块由单片机读回电流电压采样芯片得到的数据，然后放入存储芯片中，再控制485芯片进行数据传输，这样上位机就能得到所有电表的数据，省去了人工抄表的麻烦。　　由于电表上存在高压，所以接口上需要做好隔离设计，然后总线接口上需要一些ESD保护处理。

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发布时间：2025-05-23 11:05 阅读量：142 继续阅读>>

瑞萨<span style='color:red'>电子</span>与华南理工大学共建嵌入式AI联合实验室揭牌仪式圆满举行

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瑞萨电子与华南理工大学共建嵌入式AI联合实验室揭牌仪式圆满举行

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与华南理工大学共建嵌入式AI联合实验室，并于近日举行了揭牌仪式。双方围绕人工智能算法与硬件协同创新等前沿领域开展深度研讨，将围绕在技术合作、教学科研平台建设、以及高层次人才培养等方面建立长效协同机制，共同推动人工智能技术的创新应用与产业发展。　　▲左：瑞萨电子嵌入式处理器事业部副总裁関俊彦　　▲右：华南理工大学计算机科学与工程学院副院长敬超　　华南理工大学计算机科学与工程学院副院长敬超教授代表学校及学院，向瑞萨公司代表团致以诚挚欢迎，并对双方共建联合实验室的正式成立表示热烈祝贺。他强调，期待校企双方基于既有合作基础，充分发挥各方资源优势与技术优势，通过协同创新实现优势互补，深化多维度战略合作，共同推进人工智能技术与实体产业的深度融合，并加速应用场景创新与复合型人才培养体系建设。计算机科学与工程学院毕盛副教授阐释了其科研团队在嵌入式系统与人工智能交叉领域的创新性研究成果，着重展示了在瑞萨Arm Cortex-M85内核RA8D1 MCU及Arm Cortex-M33内核RA6T2 MCU平台上的实践成果与创新性应用。　　瑞萨电子嵌入式处理器事业部副总裁関俊彦先生阐述了瑞萨电子在嵌入式处理器领域的市场战略规划，深度解析了全球产业应用技术演进趋势，并重点介绍了公司在人工智能与机器学习领域构建的全方位技术解决方案体系。関俊彦先生表示瑞萨电子在深化中国市场的战略布局中，除持续强化研发制造、产品设计及生态体系建设外，尤为重视高等教育领域的战略合作。公司将充分发挥在嵌入式处理器研发及人工智能、电机控制等核心技术领域的领先优势，通过系统性大学合作计划着力培育新一代嵌入式技术创新人才，矢志成为支撑中国高等教育发展的核心合作伙伴。　　随后双方共同参观了实验室，实验室团队成员展示了基于瑞萨电子人工智能技术方案Reality AI与e-AI在瑞萨Arm Cortex-M85内核RA8D1 MCU及Arm Cortex-M33内核RA6T2 MCU平台上的实践成果。　　▲双方代表合影　　华南理工大学计算机科学与工程学院副院长敬超、华南理工大学计算机科学与工程学院毕盛等师生代表，瑞萨电子嵌入式处理器事业部副总裁関俊彦、瑞萨电子嵌入式处理器事业部市场总监沈清、全球销售与市场技术支持经理王传雷、嵌入式处理器事业部高级经理陈峰等共同出席了本次仪式。

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瑞萨电子

发布时间：2025-05-22 10:19 阅读量：178 继续阅读>>

兆易创新GD55LX02GE系列荣膺“汽车<span style='color:red'>电子</span>·金芯奖之卓越产品奖”

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兆易创新GD55LX02GE系列荣膺“汽车电子·金芯奖之卓越产品奖”

　　近日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。兆易创新旗下GD55LX02GE系列车规级SPI NOR Flash以出色的产品性能与可靠的产品质量，获得“2025汽车电子·金芯奖卓越产品奖”。这一荣誉不仅是对兆易创新技术实力的权威背书，更是对公司在汽车电子领域砥砺深耕、创新赋能的有力证明。　　作为第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)的重要组成部分，“金芯奖”旨在推动汽车电子行业的创新与发展，为优秀企业和产品提供展示平台。此评选活动旨在树立国内汽车电子产业的创新标杆，同时为车企推荐一批技术领先、质量过硬、可靠性强的汽车电子企业与产品，加快推进汽车产业链、供应链融合发展。　　此次获奖的GD55LX02GE系列车规级SPI NOR Flash，以1.8V 2Gb大容量、200MHz超高时钟频率及400MB/s数据吞吐率等核心优势，为汽车智能化发展提供强有力的支撑。该系列产品具有八通道DTR SPI接口，兼容单通道、八通道SPI指令集，支持XIP(Execute-In-Place)，以达到高效的代码数据读取。在安全方面，GD55LX02GE系列内置ECC算法与CRC校验功能，从最大程度上保障了产品的可靠性，从而有效延长了使用寿命。同时，GD55LX02GE的各项规格、指标完全符合JEDEC xSPI以及Xccela联盟的标准规范，在兼容现有SPI接口规格与操作方式的基础上，可通过DQS和DLP功能为高速系统设计提供保障。此外，GD55LX02GE支持标准的TFBGA24ball封装，最高温度规格可支持125℃，即便在极端温度环境下，也能充分保障工作稳定性。　　在汽车电子领域，车用产品需遵循严格的功能安全标准。作为一款车规级芯片产品，GD55LX02GE系列已成功通过ISO 26262 ASIL D功能安全认证以及AEC-Q100认证，这标志着该系列产品在功能安全方面已达到国际先进水平，能够满足智能网联、智能座舱、自动驾驶等对性能有严格要求的汽车应用，为全球汽车电子市场提供优质、可靠的存储选择。　　近年来，兆易创新持续加大对车用市场的研发投入，在存储和微控制器领域，形成了覆盖多元场景需求的产品矩阵，并获得了合作伙伴和主流车厂的广泛认可。展望未来，兆易创新将持续提升产品的性能、安全性与可靠性，以应对智能化、电动化趋势下汽车电子架构的复杂需求。公司还将进一步深化与全球产业链的协同创新，推动车规级芯片的生态共建，为全球汽车产业的高质量发展贡献力量。

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发布时间：2025-05-21 13:25 阅读量：187 继续阅读>>

瑞萨<span style='color:red'>电子</span>推出RZ/A3M，面向经济型高性能HMI解决方案扩展RZ/A MPU产品线

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瑞萨电子推出RZ/A3M，面向经济型高性能HMI解决方案扩展RZ/A MPU产品线

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布其基于RTOS的RZ/A系列推出一款全新高性能微处理器(MPU)——RZ/A3M，以满足对高阶人机界面(HMI)系统日益增长的需求。全新RZ/A3M MPU配备大容量SDRAM、SRAM以及对RTOS的支持，助力复杂任务和实时图形显示的无缝执行。RZ/A3M可在分辨率高达1280x800的大型液晶显示面板上驱动视频和摄像头输出，充分满足下一代家用电器、工业与办公自动化设备、医疗保健设备，以及楼宇控制系统的显示需求。　　与现有RZ/A3UL类似，RZ/A3M搭载64位Arm® Cortex®-A55内核，最高工作频率达1GHz，片上SRAM容量为128KB(千字节)。通过在单个系统级封装(SiP)中集成高速128MB DDR3L-SDRAM，该产品可消除为连接外部存储器设计高速信号接口的复杂任务。　　利用内置存储器和简化的PCB设计降低系统成本　　RZ/A3M的设计旨在降低系统成本并加速开发进程。它通过QSPI支持外部NAND和NOR闪存，用于数据和代码存储。大容量NAND闪存与驱动程序搭配使用，为存储器扩展提供经济高效的选择。此外，RZ/A3M的BGA封装具有独特的引脚布局。其两个主排位于外边缘，这一布局可简化PCB布线，实现低成本、双层印刷电路板设计，显著节省成本和时间。内置存储器能够降低布线复杂性，最大限度地减少布局限制，从而简化PCB设计。　　Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“我很高兴看到RZ/A3M的推出。这是首款内置大容量存储器的RZ系列产品，旨在实现高性能视频/动画HMI功能，同时保持较低整体系统成本。此外，我们致力于提供高响应度的用户体验，呈现高质量的实时图形显示，兼顾设计的便捷性与成本效益，助力客户快速构建先进的HMI解决方案。”　　全面的开发环境　　瑞萨提供全面的HMI开发环境，包含灵活配置软件包(FSP)、评估套件、开发工具以及示例软件。LVGL、Crank、SquareLine studio和Envox等合作伙伴公司的图形用户界面(GUI)解决方案将适配RZ/A3M，推动快速的HMI图形开发。　　RZ/A3M的关键特性　　- Arm Cortex-A55 CPU，最高工作频率达1GHz　　- 具有纠错功能的128KB SRAM，内置128MB DDR3L SDRAM　　- 图形功能：LCD控制器支持高达1280x800(WXGA)的分辨率、并行RGB和MIPI-DSI(4通道)接口、2D图形绘制引擎　　- 外设功能：用于串行NOR/NAND闪存的QSPI接口、SPI、I2C、SDHI、USB2.0、I2S、温度传感器、定时器　　- 封装：244引脚LFBGA、17mm x 17mm、引脚间距0.8mm　　瑞萨全面的HMI解决方案　　瑞萨提供丰富多样的人机界面(HMI)解决方案;涵盖从32位RX和RA MCU产品家族，到支持4K显示的64位RZ产品家族。基于RTOS的RZ/A系列MPU具备快速启动的特性，其中新款RZ/A3M借助内置大容量存储器，在提供与MCU同样易用性的同时，带来高性能HMI功能。　　多HMI成功产品组合　　瑞萨推出多HMI解决方案组合，将全新RZ/A3M MPU与其产品组合中的众多兼容器件相结合，为家用电器带来HMI功能。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的器件，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。

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瑞萨电子

发布时间：2025-05-20 10:26 阅读量：185 继续阅读>>

华润微<span style='color:red'>电子</span>氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行

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华润微电子氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行

　　5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，活动以“亿芯突破·智启新程”为主题。华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超，润新微电子总经理梁辉南，大连高新区党工委副书记、管委会主任胡凡，高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇，大连金运副总经理张作伟，达晨财智高级副总裁梁国智，华润集团战略管理部代表，润新微股东代表及员工代表出席仪式，与众多项目建设伙伴、客户及供应商代表共同见证外延生产基地启幕。　　氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式　　活动现场，公司举行氮化镓亿颗芯片庆典，庆祝氮化镓芯片成功出货一亿颗，标志着公司迈入了新的发展阶段，具有里程碑意义。　　华润微电子及功率器件事业群管理层、润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。　　华润微电子副总裁庄恒前致辞　　华润微电子副总裁庄恒前在致辞中对长期以来给予华润微电子、润新微电子鼎力支持的大连高新区政府、投资机构及合作伙伴致以诚挚的感谢。他介绍了华润微电子在第三代半导体领域的业务布局和技术优势，并强调润新微电子是公司在氮化镓赛道进行战略规划的关键战略举措。润新微电子外延生产基地的建成，标志着华润微电子在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑。未来，华润微电子将依托该生产基地，结合自身在氮化镓晶圆制造及封测领域的技术优势，通过共享市场销售网络、提供资金保障等措施，助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业。　　嘉宾致辞　　大连高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇在致辞中对华润微电子在大连的投资成效表示感谢，希望华润微电子持续深耕半导体领域，充分发挥行业龙头带动效应，加速战略性新兴产业的集聚，为大连高新区的新质生产力发展注入源源不断的强劲动能。　　嘉宾互动　　2022年，华润微电子通过战略投资控股润新微电子，加速了公司在氮化镓领域的战略布局。近年来，依托华润微电子的IDM全产业链资源优势，润新微电子在D-mode氮化镓领域持续深耕，构建起从外延材料制备到器件工艺优化的完整技术链条，成功与电源管理等领域的头部客户达成合作，市场品牌影响力大幅提升。2024年，基于“战略所向、经营所需”的双重考量，华润微电子投资建设润新微电子外延生产基地，通过垂直整合核心制造环节，进一步夯实了在外延能力上的竞争优势。活动当天，与会人员共同参观了华润微电子氮化镓外延基地生产线，深入了解生产线布局及工艺流程。　　展望未来，华润微电子将继续秉持创新驱动理念，进一步加大研发投入，持续深化宽禁带半导体等高端领域布局，以更高标准不断提升产品性能和质量，精准满足市场对高端外延片日益增长的需求。同时还将积极强化与产业链上下游企业的深度合作，携手共进，共同攻克技术难题，完善产业生态，全力推动半导体产业链的协同发展，向着更高层次、更深领域探索前行，为我国半导体产业的自主可控、安全可靠持续贡献力量，助力第三代半导体等高端应用市场蓬勃发展。

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华润微

发布时间：2025-05-19 09:43 阅读量：208 继续阅读>>

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华润微集成电路“降压型LED恒流驱动器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　ICBG依托深厚的技术积累和对市场需求的精准把握，打造了自主创新的车规级芯片技术矩阵，为智能汽车提供「感知-决策-执行」全链路解决方案，并已成为多家头部新能源车企的战略供应商。未来，ICBG将秉持创新引领发展的理念，专注于研发具有全球竞争力的车规级芯片，为汽车电子领域提供高性能、高可靠性的核心部件产品。

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发布时间：2025-05-19 09:31 阅读量：203 继续阅读>>

瑞萨<span style='color:red'>电子</span>与印度政府合作，加强印度半导体生态系统

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瑞萨电子与印度政府合作，加强印度半导体生态系统

　　5月14日，瑞萨电子株式会社宣布与印度政府电子和信息技术部 (Meity) 建立合作伙伴关系，以支持 VLSI 和嵌入式半导体系统领域的当地初创公司和学术机构。瑞萨电子还扩大了在班加罗尔和诺伊达的办公室，以适应其不断增长的研发团队。　　瑞萨电子与 MeitY 的自主科学学会先进计算发展中心 (C-DAC) 在 MeitY 芯片创业 (C2S) 半导体计划下签署并交换了两份谅解备忘录 (MOU)。这些谅解备忘录旨在支持当地初创企业，使其能够推动技术进步，促进与“印度制造”倡议一致的本地制造，并加强产学合作。　　瑞萨电子印度地区经理兼 MID 工程、模拟和连接集团副总裁 Malini Narayanamoorthi 表示：“我们扩建后的办事处落成是瑞萨电子在印度的一个重要里程碑。通过在印度为印度和世界制造产品，我们将继续推动增长并在整个印度市场产生有意义的影响。我们在 MeitY C2S 计划下签署了两份谅解备忘录，专注于推进研究、促进创新和培养以产品为中心的工程师。这些战略合作与“印度制造”计划相一致，旨在加强本地设计和制造能力，并赋予本土人才推动行业未来发展的能力。”　　瑞萨电子和 C-DAC 谅解备忘录涵盖 VLSI 和嵌入式半导体系统领域的合作，以支持当地初创公司和学术机构加速创新并促进印度半导体和产品生态系统的自力更生。C2S计划包括与全国250多个学术机构和研发组织的合作，包括IITS、NITS、IITS、政府和私立学院，以及大约15家初创公司，为本土创新创造了一个强大的生态系统。　　该谅解备忘录将增强本地初创企业的产品工程能力，瑞萨电子将提供开发板和领先的 PCB 设计软件 Altium Designer。　　针对学术机构的谅解备忘录承诺，瑞萨电子将通过提供开发板、PCB 教育和培训、Altium Designer 软件以及对 Altium 365 云平台的访问来支持体验式学习。其目的是培养下一代电子工程师，并培养创新者群体。　　印度是瑞萨电子的关键市场，具有巨大的增长潜力和高技能人才库。瑞萨电子致力于加深与当地公司、初创公司和大学的合作伙伴关系，目标是到 2030 年，印度市场占其全球收入的 10% 以上。最近的合作包括与古吉拉特邦 CG Power 和 Stars Microelectronics 合作的 OSAT 工厂项目，以及与 IIT 海得拉巴分校的谅解备忘录。瑞萨电子还在扩大其在印度的业务，计划到 2025 年底将其员工人数增加到 1,000 人。这一增长计划加强了瑞萨电子对印度的长期承诺，并支持其成为这个充满活力和快速发展的市场中的首选雇主的雄心。　　5月，瑞萨电子将其在班加罗尔和诺伊达的现有办事处整合并搬迁到新的、最先进的办公空间，这标志着公司在印度增长和扩张的一个重要里程碑。　　新的班加罗尔办事处是瑞萨电子印度最大的办事处，拥有世界一流的设计团队、测试实验室和为员工提供支持的综合设施。它汇集了大约500名团队成员，包括研发工程师、业务团队以及最近收购的Altium和Part Analytics的员工。　　新的诺伊达办事处将工程和业务团队联合起来，以加速交付世界一流的高性能计算，通过创新、协作和一致的执行推动汽车市场的增长。此次战略扩张加强了瑞萨电子对投资本地顶尖人才和增强其在 R-Car 片上系统 (SoC) 方面的能力的承诺。

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发布时间：2025-05-15 11:50 阅读量：203 继续阅读>>

川土微<span style='color:red'>电子</span>CA-IF1051 CAN收发器通过AEC-Q100 Grade 1认证！

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川土微电子CA-IF1051 CAN收发器通过AEC-Q100 Grade 1认证！

　　川土微电子CA-IF1051S/VS-Q1 CAN收发器近日通过第三方权威机构的AEC-Q100 Grade 1认证，包括加速环境应力测试、加速生命周期模拟测试、封装组装完整性测试、电性验证测试等，可用于环境温度范围-40°C到125°C的大部分车载应用环境。　　鉴于汽车芯片要求高可靠性、高安全性、零缺陷率、批次一致性、供货稳定等，川土微电子在产品规划初期，即按照车规芯片的标准来打造自己的设计、生产、测试流程。在流片和封装阶段，川土微电子遵循汽车行业质量管理体系标准IATF16949;在认证阶段，遵循AEC-Q100标准，确保为客户提供车规级高可靠性模拟芯片。　　AEC-Q100认证是由汽车电子协会AEC(Automotive Electronics Council)于1993年制定，包含数十种测试项目，是芯片厂商进军汽车领域的通行证之一。　　CA-IF1051S/VS-Q1的AEC-Q100认证通过，不仅展现了川土微电子过硬的车规芯片设计实力，也代表着整个行业对川土的认可。CA-IF1051S/VS-Q1凝聚了川土微电子的核心技术，各类性能指标都对标国际先进水平。该产品支持经典 CAN 和 5Mbps CAN FD (灵活数据速率)，总线故障保护可达±58V，共模输入电压达到±30V，可应对极端恶劣环境的挑战。　　电动化、智能化已成为汽车行业的长期发展趋势，川土微电子将持续关注智能汽车应用，包括：电动化、智能辅助驾驶与安全、远程通信、座舱娱乐等。　　目前，川土微电子已启动隔离器系列及接口系列多款产品的车规认证，更多车规级芯片，敬请期待!

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发布时间：2025-05-15 11:15 阅读量：207 继续阅读>>

川土微<span style='color:red'>电子</span>LIN收发器CA-IF1021-Q1发布！

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川土微电子LIN收发器CA-IF1021-Q1发布！

　　川土微电子LIN收发器CA-IF1021-Q1发布！　　全三温测试线，满足车规芯片标准。支持±58V总线保护电压、支持供电电压范围5.5V至27V，可应用于车身电子装置和照明、信息娱乐系统和仪表组、混合动力电动汽车和动力总成系统、被动安全、传感器通信。　　01产品概述　　CA-IF1021-Q1是一款本地互联网络(LIN) 收发器，LIN是支持汽车车载网络的低速通用异步收发器(UART)通信协议。CA-IF1021-Q1通过TXD引脚控制LIN总线的状态，使其具备压摆率和波形整形，以减少电磁辐射(EME)，并通过其开漏RXD输出引脚报告总线的状态。　　CA-IF1021-Q1通过宽输入电压范围来支持12V应用，此外还支持低功耗睡眠模式。该器件支持通过从LIN、WAKE_N和SLP_N引脚唤醒的功能。该器件可通过INH引脚选择性启用节点上存在的各种电源，从而在整个系统级别减少电池电流消耗。　　CA-IF1021-Q1集成了用于从节点应用和ESD保护的电阻器，从而减少系统应用中外部组件的数量。一旦发生接地漂移或者电源电压断开，该器件可防止反馈电流经LIN流向电源输入。　　02产品特性　　• 符合面向汽车应用的AEC-Q100标准　　• 符合 LIN2.0、LIN2.1、LIN2.2、LIN2.2A和ISO 17987-4:2016(12V)电气物理层(EPL)标准　　• 符合面向车辆应用的SAE J2602-1 LIN 网络标准和面向车辆应用的SAE J2602-2 LIN 网络标准符合性测试　　• 支持12V应用　　• 宽工作输入电压范围：　　- VBAT范围为5.5V至27V　　• LIN传输数据速率高达20kbps　　• 工作模式：　　- 正常模式　　- 低功耗待机模式　　- 低功耗睡眠模式　　• 支持低功耗模式唤醒：　　- 通过LIN总线实现远程唤醒　　- 通过WAKE_N引脚实现本地唤醒　　- 通过SLP_N引脚实现直接唤醒　　• 支持3.3V、5V输入电平　　• 集成30kΩ LIN上拉电阻　　• 使用INH引脚控制系统级功耗　　• 在LIN总线和RXD输出实现上电/断电无干扰运行　　• 保护功能：±58V LIN总线容错、42V负载突降支持、IEC ESD保护、VBAT输入端上的欠压保护、TXD显性状态超时、热关断、系统级未供电节点或接地断开失效防护　　• 结温范围：-40°C 至 150°C　　• 可提供 SOIC(8) 封装和无引线 DFN(8) 封装(3.0mm x 3.0mm)

关键词：

川土微电子

发布时间：2025-05-14 13:46 阅读量：240 继续阅读>>

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