技术干货丨使用<span style='color:red'>瑞萨</span>REXFET MOSFET降低RDS（on）
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技术干货丨使用瑞萨REXFET MOSFET降低RDS（on）

　　用于大电流应用的MOSFET的核心技术挑战在于，在保持优异开关性能的同时，实现低导通电阻。随着现代电源采用基于PWM的系统和更高的开关频率，最大限度地减少导通损耗和开关损耗变得至关重要。　　为应对这一挑战，瑞萨电子的REXFET-1工艺采用分离栅结构，并在此前专注于P柱实现的ANM1/ANM2超结技术基础上进一步提升，以实现：　　• RON指数改善至0.24(与前几代的0.36相比)　　• 超低导通电阻，可降低导通损耗并降低散热　　• 以小型封装实现高功率密度　　• 降低栅极电荷(QG)和栅极电容，优化开关特性　　结合多线键合(multi-wire)和夹片键合(clip bonding)等先进封装技术，REXFET-1器件在实现低导通电阻和高速开关的同时，满足严格的汽车可靠性标准。　　此外，我们采用融合多年经验的坚固设计，确保产品具有高度可靠性和耐用性，使设计人员能够放心使用。我们专门为电池管理系统(BMS)和电机应用设计了80V至150V的REXFET-1系列产品。瑞萨电子MOSFET技术的发展　　REXFET-1平台的开发是瑞萨电子在推进功率MOSFET技术方面悠久历史的一部分。从1979年日立推出首款垂直型MOSFET开始，瑞萨电子始终引领行业创新，包括在2003年推出首款用于英特尔芯片组的DrMOS。在接下来的几十年中，超结技术、用于智能手机的倒装芯片封装以及铜夹结构等创新进一步提升了效率和功率密度。瑞萨电子功率MOSFET的发展历程　　REXFET-1系统级性能　　BLDC电机控制在工业和汽车应用中都非常普遍。为了验证REXFET-1在实际应用中的性能，瑞萨电子在BLDC电机驱动系统中评估了采用TOLL封装的100V和150V产品。我们还将REXFET-1 100V RBA300N10EANS-3UA02(工规版RBE015N10R1SZQ4)和150V RBA190N15YANS-3UA04(工规版RBE039N15R1SZQ4)的性能与市场上的主要器件进行了性能对比。　　REXFET-1与竞品器件在最高60A条件下进行了测试，并比较了平均结温。在10kHz和20kHz开关频率下，结温结果保持与最佳竞品器件相当的水平。　　REXFET-1器件在相同系统条件下表现出较低的电压振荡和尖峰。在电机控制应用中，较高的振荡和电压尖峰可能导致系统可靠性问题，并产生较高的电磁干扰(EMI)。REXFET-1器件始终表现出具有竞争力的效率、热稳定性和抗EMI能力。100V REXFET-1导通波形比较　　我们丰富的REXFET-1产品组合代表了功率MOSFET技术的重大进步。凭借分离栅晶圆工艺和先进的封装技术，REXFET-1器件能够实现：　　•与前几代沟槽工艺相比，RSP降低30%　　•卓越的导通损耗与开关损耗平衡　　•丰富的封装选项(3x3、5x6、TOLL、TOLG、TOLT)，以满足多样化的系统需求。　　这些创新使设计人员能够在电机驱动、BMS以及其他要求苛刻的应用中实现更高的效率、更大的功率密度和更高的系统可靠性。
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发布时间：2025-12-31 17:01 阅读量：353 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子：既有“大脑”又有“感官”的智能触摸面板
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瑞萨电子：既有“大脑”又有“感官”的智能触摸面板

　　当前，楼宇与家居自动化领域正呈现出一个重要趋势：人机界面(HMI)正从单一控制功能，向集成环境感知、智能决策与多系统联动的综合交互终端演进。传统HMI系统在应对现代智能空间需求时，常面临功能单一、环境感知能力弱、功耗高与扩展性差等痛点。　　为此，瑞萨电子推出的智能触摸面板系统，以高度集成的系统级设计，将简单控制终端升级为集智能交互、多环境感知、低功耗运行与灵活连接于一体的综合性解决方案，有效解决上述难题。　　系统级优势：从“交互界面”到“感知中枢”的进化　　该系统以一颗超低功耗MCU为中枢，不仅负责管理电容式触摸界面和显示模块，还连接了丰富的传感器设备——包括可检测CO₂和TVOC的空气质量传感器、湿温度传感器以及用于非接触测温的热电堆。MCU可实时采集并处理这些数据，驱动LCD或TFT显示屏更新用户界面(UI)，将所有环境信息直观呈现。　　系统支持可选的低功耗蓝牙或Wi-Fi模块实现远程监控，并采用交流电源输入供电。其高能效设计支持低功耗模式，在确保实时反馈与快速触控的同时，最大化节约能源使用。　　深度解析：瑞萨智能触摸面板核心组件智能触摸面板框图　　系统的“大脑”是瑞萨RL78/L23 MCU。这款32MHz的MCU专为满足HMI市场的灵活需求而设计，集成卓越的低功耗性能与双区闪存、段码式LCD控制器及电容式触控等关键功能，可应用于智能家居电器、消费电子、物联网和表计系统等领域。同时，RL78/L23针对超低功耗进行了优化，适合大多数时间处于待机状态的电池供电应用。此外，IH定时器(KB40)可实现精确的多通道加热控制，对电饭煲和电磁炉等智能厨房电器提供核心支持。　　作为系统的“电站”，RAA223011的性能至关重要。这款700V AC/DC开关稳压器输出功率高达5W，其卓越之处在于超低待机功耗(空载<10mW)和高达80%的效率。它采用恒关时间控制与脉冲调频(PFM)技术，既避免了可听噪声，又优化了轻载能效。同时内置输入功率不足保护、输出短路及过载“打嗝”保护机制，可确保系统在复杂电网环境下的高可靠性运行与长使用寿命。　　在系统内部，RAA214250线性稳压器(LDO)负责为特定模块提供纯净、稳定的二次电源。其工作电压范围宽(2.5V至20V)，输出电流达500mA，典型压差仅为269mV，这种设计让它在大电流输出场景下，自身能耗与发热大幅降低，有助于提升整个系统的稳定性和寿命。同时，其输出电压可通过外部电阻灵活调节，为板级电源设计提供了便利。　　I2C总线缓冲器ISL33003是确保系统通信稳定与高效的“交通枢纽”。它能扩展I2C总线的电容负载能力，突破400pF的限制，支持接入更多、更远距离的传感器。其内置上升时间加速器能降低上拉电阻功耗并提升数据速率;支持热插拔功能，允许系统在不断电的情况下安全更换器件;而电平转换能力则能轻松桥接不同工作电压的芯片，极大增强了系统的扩展性与鲁棒性。　　快速开发与原型验证：完善的生态支持　　为加速产品上市，瑞萨提供RL78/L23快速原型开发板，实现开箱即用的高效开发体验。板卡集成了段码LCD和触摸按键，可立即开始评估。板载USB-UART接口使编程调试无需额外工具。同时支持Arduino Uno、Pmod™、Grove等流行接口，扩展性极强。瑞萨还提供丰富的示例代码和Arduino库，大幅度降低开发门槛，助力开发者快速完成从概念到原型的过程。　　瑞萨电子的智能触摸面板系统解决方案构建了一个功能全面、稳定可靠且能效卓越的硬件平台。它成功地将一个简单的人机交互界面，升级为集环境感知、数据处理、本地控制与远程连接于一体的智能中枢。无论是智能家居、智慧楼宇还是工业控制，该方案都为实现产品智能化升级提供了一条高效、可靠的路径。
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发布时间：2025-12-25 17:16 阅读量：415 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子基于R-Car第五代SoC推出端到端多域融合解决方案，加速推动SDV创新
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瑞萨电子基于R-Car第五代SoC推出端到端多域融合解决方案，加速推动SDV创新

　　12月16日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布围绕其第五代(Gen 5)R-Car产品家族进一步扩展软件定义汽车(SDV)解决方案阵容。作为该产品家族的最新成员，R-Car X5H是业内首款采用先进3纳米制程的车规级多域融合片上系统(SoC)，可同时运行先进辅助驾驶系统(ADAS)、车载信息娱乐系统(IVI)和网关系统等多项功能。　　目前，瑞萨已启动第五代芯片的样品供应，并推出完整评估板及R-Car Open Access(RoX)平台白盒软件开发套件(SDK)，以支持下一阶段开发工作。与此同时，瑞萨正深化与客户及合作伙伴的协作，以加速产品落地进程。在2026年国际消费电子展(CES 2026)上，瑞萨将展示基于R-Car X5H的AI驱动多域应用实景演示。　　R-Car X5H采用业界先进的3纳米工艺节点，实现了更高的集成度、性能与能效，功耗较前代5纳米解决方案降低达35%。随着AI成为新一代SDV的核心要素，该SoC为多域车载应用提供强大的中央计算能力，并支持通过芯粒(Chiplet)封装技术灵活扩展AI性能。其提供高达400TOPS的AI性能，若通过芯粒技术拓展，性能更可提升四倍以上。此外，该产品还具备4TFLOPS等效*的GPU性能，可支持高端图形处理，并搭载32个Arm® Cortex®-A720AE CPU内核及六个支持ASIL D等级的Cortex®-R52锁步内核，整体运算能力超过1000K DMIPS。该SoC支持混合功能安全机制，能够在多域执行高阶功能的同时，确保系统安全无虞。　　为应对日益复杂的电气/电子(E/E)架构，瑞萨持续增添RoX开发平台功能，以推动硬件与软件在开发初期深度融合。RoX平台整合了开发下一代汽车所需的关键硬件、操作系统、软件和工具，并支持无缝软件更新，大幅简化开发流程。　　以开放、可扩展的RoX白盒SDK加速车辆创新　　为助力客户缩短产品上市时间，瑞萨针对R-Car X5H推出RoX白盒软件开发套件(SDK)。该开放平台基于Linux、安卓操作系统及XEN虚拟机。我们还为合作伙伴操作系统和解决方案提供额外支持，包括AUTOSAR、EB corbos Linux、QNX、Red Hat和SafeRTOS。开发者可即刻投入开发，构建ADAS、L3/L4级自主驾驶、智能座舱及网关系统。集成式AI/ADAS软件栈可实现实时感知与传感器融合，生成式AI与大型语言模型(LLM)则为下一代AI座舱提供智能人机交互支持。该SDK整合了来自Candera、DSP Concepts、纽劢、Smart Eye、STRADVISION、中科创达等领先合作伙伴的量产级应用软件栈，全面支持现代车载软件架构的端到端开发。　　Vivek Bhan, Senior Vice President and General Manager of High Performance Computing at Renesas表示：“自去年推出先进的R-Car产品以来，我们持续致力于开发系统解决方案，并于今年早些时候向客户交付了芯片样品。我们正与OEM、一级供应商及合作伙伴紧密协作，快速推出完整的开发平台，赋能下一代SDV。这些智能计算平台具备设计灵活性，可提供更智能、更安全、更互联的驾驶体验，并满足未来的AI出行需求。”　　Christian Koepp, Senior Vice President Compute Performance at Bosch’s Cross-Domain Computing Solutions Division表示：“我们非常高兴能与瑞萨携手推进最新汽车创新成果的落地。基于双方多年的合作基础，将瑞萨的R-Car X5H集成至我们的ADAS ECU中是顺理成章的下一步。在CES 2026上，我们将重点展示这款具备先进感知与融合能力的高性能解决方案，以满足快速发展的L2+及L3自动驾驶市场需求。”　　Dr. Christian Brenneke, Head of ZF’s Electronics & ADAS Division表示：“将瑞萨R-Car X5H与我们的ADAS ECU相结合，使我们能够提供兼具高性能计算与可扩展性的创新传感器融合能力。该联合平台融合雷达定位与高清地图技术，实现精准感知与定位，从而提供可靠的ADAS性能。在CES 2026上，我们将重点展示覆盖多个车载域的联合ADAS解决方案。”　　瑞萨将于CES 2026联合合作伙伴首次展示R-Car X5H融合演示　　在2026年CES上，瑞萨将通过一系列特邀演示，首次展示R-Car X5H的强大功能。　　此次全新多域演示基于RoX平台，从R-Car Gen 4升级至新一代R-Car X5H，集成ADAS和IVI软件栈、实时操作系统(RTOS)，以及基于Linux和Android的边缘AI功能，并搭载XEN虚拟机。该平台支持8路高分辨率摄像头输入和最多8块分辨率高达8K2K的显示屏，为下一代SDV带来沉浸式视觉体验和强大的传感器集成能力。结合RoX白盒SDK和量产级合作伙伴软件栈，该平台专为覆盖多车载域的实际部署而设计。
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发布时间：2025-12-17 15:36 阅读量：364 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子荣获“国际模拟IC-车规级行业卓越奖”
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瑞萨电子荣获“国际模拟IC-车规级行业卓越奖”

　　近日，由世纪电源网主办的“第四届电源行业配套品牌颁奖晚会”在深圳举办，对电源行业中优秀的企业进行了表彰，助力电源行业的蓬勃发展。瑞萨电子凭借在模拟IC及系统解决方案领域的卓越实力，荣获“国际模拟IC-车规级行业卓越奖“，瑞萨电子产品市场部邵力萍代表领奖。　　▲ 瑞萨电子产品市场部 邵力萍　　作为全球MCU、SoC及模拟/电源解决方案供应商，瑞萨的车规级产品覆盖从RH850高性能MCU、R-Car SoC到符合ASIL D等级的电源管理芯片(PMIC)以及车规MOS/SiC器件，具备高安全性及高可靠性，广泛应用于ADAS、智能座舱、BMS及OBC/DCDC等关键系统，助力汽车电子架构升级。　　在创新层面，瑞萨拥有丰富的技术专利，且产品以高集成度、低功耗、满足严格功能安全(如ASIL等级)及通过AEC-Q认证为核心特点，提供从芯片到系统的完整方案，涵盖电源管理、信号链、接口及嵌入式处理，并配备全栈开发工具，确保性能稳定，助力客户高效开发。　　为保障客户项目成功，瑞萨在全球设有本地现场应用工程师(FAE)团队，提供快速响应、完善的质量流程与PPAP支持，确保从设计到量产的全流程高效落地，为客户提供坚实的服务与供应链保障。　　此次获奖不仅是行业对瑞萨在车规级模拟与电源领域技术实力的权威认可，更是对我们持续赋能汽车电子创新的高度肯定。未来，瑞萨将继续以更高质量的产品，更高效的解决方案、更可靠的供货保障，与全球合作伙伴携手，共同推动电源技术与汽车产业的融合与发展。
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发布时间：2025-12-16 15:13 阅读量：474 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>650V GaN系列荣获“行家极光奖-2025年度优秀产品奖”
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瑞萨650V GaN系列荣获“行家极光奖-2025年度优秀产品奖”

　　近日，由行家说主办的2025行家说第三代半导体年会——“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳举办。瑞萨650V GaN系列凭借卓越的产品性能及可靠的应用表现，荣获“行家极光奖-2025年度优秀产品奖”。　　“2025行家极光奖”旨在表彰第三代半导体领域中具有行业表率的优秀企业、引领产业变革的创新技术和优秀产品。其中，优秀产品奖的评选，从产品创新性、技术先进性、市场表现力、客户信赖度等多个维度进行审核。此次获奖，也展现出行业及市场对瑞萨650V GaN系列的认可与信任。　　瑞萨650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项，使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。　　瑞萨在GaN市场上独具优势，提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案，丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。　　当前，全球能源结构正以前所未有的速度与规模，向清洁化、低碳化转型。第三代半导体作为支撑能源高效转换、智能控制的核心基础材料，正强劲拉动着新能源汽车、光储充、数据中心、机器人和元宇宙等关键领域的技术创新与产业升级。面向未来，瑞萨将继续以创新、品质与可靠性为核心驱动，深化与上下游企业的协同合作，加速GaN产品与技术在更多领域的融合应用，推动功率电子行业的"芯"发展。
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发布时间：2025-12-10 17:27 阅读量：403 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子：双指针仪表助力多领域同步监测高效直观显示
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瑞萨电子：双指针仪表助力多领域同步监测高效直观显示

　　随着工业自动化程度的不断提高以及医疗、建筑等领域对设备智能化要求的日益增长，系统监测的指标数量和复杂度都在持续攀升。操作人员不再满足于单一指标的监测，而是期望能够同时掌握多个关键参数的动态变化，以便全面了解系统运行状态。　　在此背景下，实时、直观地呈现监测信息成为行业发展的必然趋势。传统的单指针仪表或数字显示屏已难以满足这一需求，双指针仪表凭借其能够同时显示两个数值的优势，逐渐崭露头角，成为多领域同步监测的理想选择。　　然而，实现高效精准双指针仪表监测挑战重重：工作环境和电源条件差异大，需宽输入电压范围;要与不同设备无缝集成，满足多种工业接口兼容要求;且要在保证性能的同时降低功耗，提升可靠性与稳定性。　　瑞萨双指针仪表解决方案　　面对行业趋势与挑战，瑞萨双指针仪表系统带来创新解法。它可简化数值显示，即时直观呈现关键数据，让操作人员一目了然。系统具备宽输入电压特性，支持多类工业接口，可无缝融入各工业场景，提供精准模拟读数，满足多领域同步监测需求。　　整体架构由控制MCU、DC/DC降压转换器、通信收发器和HVPAK™可编程混合信号IC四大部分组成。　　控制部分采用瑞萨MCU RA2L1，它基于Arm® Cortex®-M23核心，是现今Arm® Cortex®-M系列中功耗最低的CPU之一。优化的制程和瑞萨低功耗工艺技术使其成为具有业界一流水平的超低功耗微控制器。RA2L1支持1.6V至5.5V宽电压工作，CPU时钟频率最高可达48MHz，并在运行和待机模式下均保持极低电流消耗，有效降低系统整体功耗。　　该产品配备增强型电容式触摸感应单元(CTSU2)、多种串行通信接口、高精度模拟电路与定时器，提供48引脚至100引脚的封装选择，便于根据应用灵活配置。　　此外，还可根据需要选择瑞萨的48MHz Arm® Cortex®-M23入门级USB通用微控制器RA2L2、100MHz Arm® Cortex®-M33入门级产品RA4E1，达到低功耗和优化功能集成的平衡。如果需要HMI，可选用48MHz Arm® Cortex®-M4及LCD控制器和电容式触控的RA4M1 32位微控制器。　　电源部分采用瑞萨RAA211805降压转换器，这是一款微型、易用、超低静态电流(IQ)的集成开关型稳压器，具有7V至80V的宽输入电压范围，提供固定5V/300mA输出，能够适应各种复杂的电源环境。该器件采用TSOT23-5封装，可提供全面的保护，包括输入欠压保护、输出过压保护、过流保护和过温保护，确保系统稳定可靠运行。　　瑞萨的通信收发器全面兼容各类串行通信接口需求：　　RS-485/422：采用RAA788155，为5V半双工、1Mbps差分收发器，具备±5kV EFT抗扰度和±16.5kV ESD防护，在嘈杂环境和长距离传输中确保可靠通信。　　RS-232：采用ISL4221E，QFN封装，支持+2.7V至+5.5V电源、250kbps速率，具备±15kV ESD防护，其掉电模式典型电流仅150nA，进一步提升系统通信的稳定性与兼容性。　　HVPAK™(SLG47105)是瑞萨的可编程混合信号IC，将混合信号逻辑与高压H桥功能集成于2mm × 3mm QFN封装中。其一次性可编程(OTP)非易失性存储器可存储用户定义的逻辑配置，并通过内部逻辑、I/O引脚与宏单元互连实现灵活定制。该器件能够以不同PWM频率与占空比驱动仪表的步进电机，兼具优异的热性能与紧凑尺寸，大幅节省系统空间。　　系统优势与应用领域　　瑞萨双指针仪表解决方案在系统设计上具备多方面的优势，其模拟仪表能够提供持续、即时且易于读取的直观数值显示，使操作人员无需依赖复杂界面即可快速掌握关键运行参数，而高集成度的多功能组件在减少物料数量的同时依然保持出色的性能表现，从而有效降低整体系统成本。　　方案中所采用的MCU具备业界公认的高能效与低功耗特性，并且全面兼容多种串行通信接口，这不仅提升了系统的通用性和灵活性，还为不同应用环境中的集成提供了便利条件;与此同时，HVPAK™的高度集成设计可通过不同的PWM频率与占空比灵活驱动仪表所需的步进电机，在紧凑的封装尺寸下仍然兼具优异的热性能，进一步优化了系统空间与可靠性。　　此外，RS-485/422收发器则提供了高等级的EFT与ESD防护功能，使其能够在嘈杂电磁环境和长距离传输场景下保持稳定运行，从而确保整机的长期可靠性。　　该解决方案的应用范围十分广泛，在汽车测量领域，它能够用于制动压力、机油压力及燃油压力等多项关键参数的监测;在工业设备与过程控制中，它可以实现对压力、温度、压差与液位等核心指标的实时显示与反馈;在医疗设备场景下，它同样适用于各类传感器输出的监测与控制，从而满足医疗系统对于精确性与可靠性的双重要求。　　为了帮助开发者快速完成设计与验证，瑞萨还提供样片、评估板、参考设计、配套软件以及完善的技术支持，使客户能够在缩短产品开发与测试周期的同时加快市场投放进程，从而凭借该双指针仪表方案实现多领域的同步监测与高效直观的显示体验。
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发布时间：2025-11-19 14:06 阅读量：457 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出行业首创第六代DDR5寄存时钟驱动器
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瑞萨电子推出行业首创第六代DDR5寄存时钟驱动器

　　11月12日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块(RDIMM)的第六代(Gen6)寄存时钟驱动器(RCD)。这款全新RCD率先实现了9600兆传输/秒(MT/s)的数据速率，超越当前行业标准。与瑞萨第五代(Gen5)RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破实现了大幅提升，为数据中心服务器的内存接口性能树立了全新标杆。　　瑞萨第六代DDR5 RCD的关键特性　　带宽较瑞萨第五代RCD提升10%(9600MT/s vs 8800MT/s)　　向后兼容第五代平台：提供无缝升级路径　　增强信号完整性与能效：支持AI、HPC，及LLM工作负载　　扩展的决策反馈均衡架构：提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整，实现卓越的裕量调谐　　决策引擎信号遥测与裕量调节(DESTM)：改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈，以支持更高速度运行　　新型DDR5 RDIMM旨在满足人工智能(AI)、高性能计算(HPC)，及其它数据中心应用对带宽日益增长的需求。瑞萨在新型RDIMM的设计、开发与部署过程中发挥关键作用，协同包括CPU和内存供应商等在内的行业领军企业，及终端客户开展了深度合作。凭借在信号完整性与功耗优化领域的深厚积淀，瑞萨已位于DDR5 RCD领域的前沿。　　Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆发式增长推动了系统芯片核心数量的激增，进而将内存带宽与容量的需求推向前所未有的高度，成为数据中心性能的关键驱动力。第六代DDR5寄存时钟驱动器充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术，并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。”　　Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星与瑞萨在多代内存接口组件领域保持着紧密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的认证。如今，我们很高兴将Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆盖多个SoC平台，以满足AI、HPC，及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。”　　供货信息　　RRG5006x第六代RCD专为满足下一代服务器平台的严苛要求而设计，具备卓越的性能、可靠性，与可扩展性。目前，瑞萨已开始向包括所有主流DRAM供应商在内的特定客户开放全新RRG5006x RCD样品，预计于2027年上半年启动量产。
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发布时间：2025-11-13 15:04 阅读量：468 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子新品RA8M2&RA8D2，高算力与图形显示MCU新标杆！
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瑞萨电子新品RA8M2&RA8D2，高算力与图形显示MCU新标杆！

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器(MCU)产品。全新MCU产品基于1GHz Arm® Cortex®-M85处理器(可选配250MHz Arm® Cortex®-M33处理器)，以7300 CoreMark的原始计算性能刷新行业基准，实现业界卓越的计算效能。可选配的Cortex®-M33处理器有助于实现高效的系统分区和任务隔离。　　RA8M2与RA8D2同属RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2为通用型产品，RA8D2 MCU则集成多种高端图形外设。它们与瑞萨今年早些时候推出的RA8P1和RA8T2产品相同，均基于高速度、低功耗的22nm ULL工艺制造，提供单核与双核配置，并拥有针对不同计算密集型应用需求的专属特性集。新产品充分发挥Arm® Cortex®-M85处理器的高性能及Arm的Helium™技术优势，为数字信号处理器(DSP)和机器学习(ML)应用带来显著的性能提升。　　RA8M2和RA8D2搭载嵌入式MRAM，相较闪存技术具备多重优势——高耐用性与更强的数据保持能力、更快的写入速度、无需擦除操作、支持字节寻址，同时具备更低的漏电流和制造成本。对于要求更高的应用，还提供单个封装中带有4或8MB外部闪存的SIP选项。此外，RA8M2和RA8D2两款MCU均包含千兆以太网接口和双端口TSN交换机，可满足工业网络应用场景的需求。　　这两款MCU产品群结合Cortex®-M85内核的高性能，搭配大容量存储器与丰富的外设集，特别适用于各类物联网及工业场景。较低功耗的CM33内核可作为后台管理MCU，在高性能CM85内核处于休眠模式时执行系统任务，并仅在需要更高阶计算任务时才将CM85内核唤醒，从而有效降低系统功耗。　　Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“RA8M2和RA8D2进一步完善了瑞萨新一代RA8 MCU产品线，专为高性能微控制器市场设计。该产品组合使得瑞萨能够提供可扩展、安全，且支持AI的嵌入式处理解决方案，助力客户在工业、物联网及特定汽车应用领域加速创新，缩短上市周期。RA8系列在满足复杂处理需求的同时，能够保持低功耗并最大限度地降低总拥有成本，体现了瑞萨对技术创新的持续承诺，助力客户打造更具前瞻性的设计。”　   　RA8D2特性集：专为图形与HMI应用优化　　RA8D2 MCU为图形与HMI应用提供了丰富的特性和功能：　　高分辨率图形LCD控制器，支持1280×800显示分辨率，兼容并行RGB及双通道MIPI DSI接口　　集成2D绘图引擎，可卸载CPU图形渲染任务，支持图形基元处理　　多种摄像头接口选项，适用于摄像头与视觉AI应用：　　- 16位相机接口(CEU)，支持图像数据获取、处理，及格式转换　　- MIPI CSI-2接口提供低引脚数双通道设计，每通道速率达720Mbps　　- VIN模块可对来自MIPI CSI-2接口的YUV和RGB数据输入执行垂直和水平缩放，以及格式与色彩空间转换　　I2S和PDM等音频接口支持数字麦克风输入，适用于音频与语音AI应用　　集成SEGGER emWin和微软GUIX等行业先进的嵌入式图形GUI套件，构成全面图形解决方案，并已整合至瑞萨的灵活配置软件包(FSP)　　针对Helium™技术优化的软件JPEG解码器，兼容emWin与GUIX解决方案，结合Helium™加速可实现最高27fps的端到端图形性能　　与Embedded Wizard、Envox、LVGL及SquareLine Studio等图形生态合作伙伴合作，提供采用RA8D2的解决方案，利用Helium™技术进一步加速图形功能和JPEG解码　　RA8M2和RA8D2 MCU产品群的关键特性　　内核：1GHz Arm® Cortex®-M85(配备Helium™技术);可选配250MHz Arm® Cortex®-M33　　存储：集成1MB高速MRAM和2MB SRAM(包括Cortex®-M85的256KB TCM及M33的128KB TCM);4MB和8MB SIP产品即将推出　　模拟外设：两个16位ADC(含23个模拟通道)、两个3通道S/H模块、2通道12位DAC、4通道高速比较器　　通信外设：双千兆以太网MAC(带DMA)、USB2.0 FS主机/设备/OTG、CAN2.0(1Mbps)/CAN FD(8Mbps)、I3C(12.5Mbps)、I2C(1Mbps)、SPI、SCI、八线串行外设接口　　高阶安全性：RSIP-E50D加密引擎、基于片上不可变存储中FSBL的强健安全启动功能、安全调试、安全工厂编程、DLM支持、防篡改保护、DPA/SPA防护　　全新RA8M2和RA8D2 MCU产品群由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供开发所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而助力客户加快应用开发速度。它支持客户将自己的既有代码和与选定的RTOS(FreeRTOS和Azure RTOS)集成至FSP，为应用开发提供高度灵活性。此外，现已支持Zephyr开发平台。FSP还可简化现有设计向全新RA8系列产品的迁移过程。　　成功产品组合　　瑞萨将全新RA8 MCU产品群与其产品组合中的众多兼容器件相结合，创建出广泛的“成功产品组合”，包括基于RA8M2的智能眼镜以及宠物摄像机器人，以及基于RA8D2的Ki无线电源收发器系统(Tx)和Ki无线电源接收器系统(Rx)。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。　　供货信息　　RA8M2与RA8D2 MCU产品群和FSP软件现已上市。RA8M2产品提供176引脚LQFP封装、224引脚及289引脚BGA封装。RTK7EKA8M2S00001BE评估套件同步上市。RA8D2 MCU提供224引脚和289引脚BGA封装。RTK7EKA8D2S01001BE评估套件支持RA8D2产品。　　瑞萨MCU优势　　作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
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发布时间：2025-10-23 11:30 阅读量：642 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子采用下一代功率半导体为800 伏直流AI数据中心架构赋能
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瑞萨电子采用下一代功率半导体为800 伏直流AI数据中心架构赋能

　　2025年10月13日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基础设施发展。　　随着GPU驱动的AI工作负载日益密集，数据中心功耗攀升至数百兆瓦级别，现代数据中心亟需兼具能效优化与可扩展性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体，凭借其更快的开关速度、更低的能量损耗，及卓越的热管理性能，正迅速成为关键解决方案。此外，GaN功率器件将推动机架内800V直流母线的发展，在通过DC/DC降压转换器支持48V组件复用的同时，显著降低配电损耗，并减少对大尺寸母线排的需求。　　瑞萨基于GaN的电源解决方案特别适用于此类应用场景，支持高效且密集的DC/DC电源转换，工作电压范围覆盖48V至400V，并可通过选配叠加至800V。这些转换器基于LLC直流变压器(LLC DCX)拓扑结构，可实现高达98%的转换效率。在AC/DC前端，瑞萨采用双向GaN开关，以简化整流器设计并提升功率密度。同时，瑞萨的REXFET MOSFET、驱动器及控制器则为新型DC/DC转换器的物料清单(BOM)提供了有力补充。　　Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“AI正以前所未有的速度改变各行各业，电源基础设施必须同步快速演进，以满足激增的电力需求。依托我们全系列GaN FET、MOSFET、控制器及驱动器产品组合，瑞萨致力于以面向规模化应用的高密度能源解决方案，为AI的未来赋能。这些创新不仅带来卓越性能与能效，也具备支撑未来增长所需的可扩展性。”　　瑞萨电子已发布一份白皮书，深入探讨其在AI基础设施中支持800V配电的设备拓扑结构。　　瑞萨电源管理技术优势　　作为全球卓越的电源管理产品供应商，瑞萨电子近年来的平均年出货量超15亿颗，其中大量产品服务于计算行业，其余则广泛应用于工业、物联网、数据中心以及通信基础设施等领域。瑞萨拥有业界广泛的电源管理器件产品组合，在产品质量、效率及电池寿命方面表现卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨拥有数十年的电源管理IC设计经验，并以双源生产模式、业界先进的工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
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发布时间：2025-10-17 15:31 阅读量：672 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子与奥海科技联合创新实验室正式揭牌，共拓高功率服务器电源技术新赛道
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瑞萨电子与奥海科技联合创新实验室正式揭牌，共拓高功率服务器电源技术新赛道

　　近日，瑞萨电子与东莞市奥海科技股份有限公司(以下简称“奥海科技”)联合创新实验室揭牌仪式在奥海科技总部隆重举行。联合创新实验室的成立标志着瑞萨电子与奥海科技围绕高功率电源技术的合作，正式迈向资源深度整合、技术协同攻关的实践新阶段，为双方后续实现技术突破、提升产品竞争力奠定坚实基础。　　合作动态瑞萨电子中国总裁 赖长青(左二)奥海科技研发副总 郭修根(右二)瑞萨电子中国区资深技术总监 郑军(左一)奥海科技董事会秘书 蔺政(右一)　　瑞萨电子与奥海科技双方核心团队出席联合创新实验室揭牌仪式。瑞萨电子中国总裁赖长青、中国区资深技术总监郑军，奥海科技研发副总郭修根、董事会秘书蔺政以及双方团队成员共同出席。此外，成之杰科技(Sotel)项目管理副总裁张永春受邀出席，共同见证这一重要时刻。双方代表深入交流合作规划，为联合创新实验室的未来发展凝聚共识。　　合作动态　　作为瑞萨电子深化与奥海科技合作的重要载体，联合实验室以“诚实互信、友好合作、互惠互利”为宗旨，瑞萨将依托自身在氮化镓(GaN)、微控制单元(MCU)、光耦等关键元器件领域的技术积累，与奥海科技在电源产品开发与产业化落地的丰富经验相结合，聚焦高功率服务器电源(PSU)、800V HVDC、直流变换(DCX)解决方案的核心研发任务，共同攻克技术难点，加快12KW服务器电源等前沿产品的开发速度，推动产品性能与性价比双重提升，进一步巩固瑞萨在半导体行业的技术领先地位。　　合作动态　　未来，瑞萨将持续深化与奥海科技的合作，在技术研发、产品迭代、市场推广等方面携手共进，充分整合双方资源优势，为全球客户提供更具竞争力的电源解决方案，共同推动高功率电源行业的创新发展。
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发布时间：2025-10-17 13:43 阅读量：535 继续阅读>>

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