<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向
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江西萨瑞微电子推出M4SMFxxA-LC系列TVS：低负压钳位技术引领电路保护新方向

　　在日益精密的电子设备中，瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护的"安全卫士"，其性能直接关系到整个系统的可靠性。江西萨瑞微电子最新推出的M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列TVS二极管，以其创新的低负压钳位技术，为电路保护领域带来了突破性解决方案。　　› 01 系列产品概览：双型号覆盖主流应用　　萨瑞微电子此次推出的两个型号分别针对不同的工作电压需求：　　M4SMF24A-LC核心参数：　　M4SMF28A-LC核心参数：　　两款产品均采用SMF/SOD-123FL封装，在仅3.0×1.9mm的微小空间内实现了卓越的保护性能。　　› 02 核心技术突破：低负压钳位的革命性意义　　什么是不对称钳位?　　传统TVS二极管通常提供对称的双向保护，但实际电路中，正向和负向的瞬态威胁往往不同。萨瑞微电子的M4SMFxxA-LC系列采用创新的不对称钳位设计：　　实测钳位性能对比：　　M4SMF24A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：8V　　M4SMF28A-LC：　　正向钳位(PIN1→PIN2)：34V　　负向钳位(PIN2→PIN1)：9V　　› 03 实测性能验证：实验室数据说话　　M4SMF24A-LC测试结果(5样品)：　　VBR@1mA：26.64-26.96V(均在25.2-28.5V规范内)　　IR@24V：0.003-0.052μA(远低于≤1μA标准)　　一致性表现优秀，全部PASS　　负向钳位效果显著：　　200V冲击：钳位电压8.6-9V，电流90.4A　　400V冲击：钳位电压17.2-17.6V，电流184-186A　　全部样品在各级别测试中均通过　　M4SMF28A-LC测试结果(10样品)：　　VBR@1mA：32.42-33.33V(符合31.1-34.4V规范)　　IR@28V：0.014-0.083μA(优于≤1μA标准)　　良率100%，全部PASS　　正接时(负向保护)表现出极高的负向浪涌承受能力和超低钳位电压：　　100V冲击：钳位电压仅4.16-4.24V　　200V冲击：钳位电压6.8-7V，电流92A　　400V冲击：钳位电压12-12.4V，电流184-188A　　600V冲击：钳位电压18-19.2V，电流272-276A　　在650V极高冲击下才出现保护性短路　　关键发现： M4SMF28A-LC在正接测试中，即使面对200V的高浪涌冲击，负向钳位电压仍能保持在7V左右，充分验证了其卓越的低负压钳位能力。　　低负压的技术价值　　低负压的技术价值：充电保护的关键突破　　这种负向极低钳位电压的特性，在各类充电接口应用中具有重要价值：　　Type-C接口保护　　现代Type-C接口集成了高速数据、音频视频和充电功能，其中CC逻辑控制芯片对负向电压极其敏感。M4SMF28A-LC的9V负向钳位电压为这些精密芯片提供了精准保护。　　快充协议保护　　在QC、PD等快充协议中，协议识别芯片工作电压低，对负向浪涌耐受度差。低负压TVS确保协议握手过程不因电压扰动而中断。　　充电端口热插拔保护　　用户热插拔充电器时产生的负向电压振铃，可能损坏充电管理IC。传统TVS钳位电压较高，保护效果有限，而M4SMF系列的低负压特性能够及时钳制这些瞬态威胁。　　无线充电系统　　无线充电线圈中的反向感应电动势会产生负向电压尖峰，低负压TVS为功率接收端的精密整流电路提供可靠保护。　　› 04 应用场景深度解析　　电源端口保护　　保护优势：　　低负压钳位(8-9V)有效保护电源管理IC　　6400W高浪涌防护应对电源线引入的雷击浪涌　　防止热插拔和感性负载产生的负向电压尖峰　　低速通信端口保护　　快速响应(<1.0ps)有效抑制ESD静电　　低电容设计不影响信号完整性　　30kV ESD防护等级满足严苛环境要求　　选择萨瑞微，选择可靠　　在电路保护技术日益重要的今天，萨瑞微电子通过M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列产品，展现了在TVS技术领域的创新实力。其独特的低负压钳位特性不仅解决了实际应用中的痛点，更为电子设备提供了更加精准、可靠的保护方案。　　随着5G、物联网、汽车电子等领域的快速发展，对电路保护器件提出了更高要求。萨瑞微电子此系列产品的推出，正当时且具有重要的技术意义。
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发布时间：2025-11-27 13:24 阅读量：243 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>电子荣获2025年“江西名牌产品”称号
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江西萨瑞微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号

　　近日，江西省品牌建设促进会正式发布《关于认定2025年江西名牌产品的公告》，江西萨瑞微电子技术有限公司凭借卓越的产品质量、领先的技术实力和良好的市场口碑，成功荣获2025年“江西名牌产品” 称号，这一荣誉是对萨瑞微电子综合实力的高度认可。　　权威认证，实至名归　　“江西名牌产品”认定是江西省为深入实施质量强省战略而开展的重要工作，其认定标准严苛、程序规范。根据《江西名牌产品认定管理办法》有关规定，认定过程需要经过企业自愿申请、省级行业协会审核推荐、组织审查、行业评审、现场评审、市场测评、征求行业协会意见、专家委员会会议审议及社会公示等多项严格程序。　　此次认定工作贯彻落实了《国家发展改革委等部门关于新时代推进品牌建设的指导意见》和《中共江西省委江西省人民政府关于深化质量强省建设的实施意见》精神，旨在培育一批具有核心竞争力的江西品牌，推动全省经济高质量发展。　　技术实力，铸就品牌基石　　江西萨瑞微电子技术有限公司自成立以来，始终坚持以技术创新为驱动，以产品质量为生命，在半导体分立器件领域深耕不辍。　　公司采用IDM(垂直整合制造)模式，集芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体，建立了完善的质量管理体系和技术创新平台。　　核心产品优势显著　　功率器件系列：包括MOSFET、IGBT等产品，性能指标达到行业先进水平　　保护器件系列：ESD/TVS等电路保护器件响应速度快，可靠性高　　第三代半导体：SiC、GaN器件技术取得突破性进展　　先进封装技术：多系列封装产品满足不同应用场景需求　　品质卓越，赢得市场认可　　萨瑞微电子的产品以优异的性能、稳定的质量和可靠的服务，赢得了国内外客户的广泛信赖，市场占有率持续提升。公司产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、新能源等领域，与多家行业龙头企业建立了稳定的合作关系。　　此次荣获“江西名牌产品”称号，不仅是对萨瑞微电子产品质量的肯定，更是对公司品牌影响力、市场竞争力、技术创新能力的全面认可。　　公司将继续加大研发投入，强化技术创新，完善质量管理体系，为客户提供更优质的产品和解决方案，助力江西制造业高质量发展，为中国半导体产业的繁荣发展贡献更多力量!
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发布时间：2025-11-13 13:55 阅读量：315 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>电子P6SMFTHE系列产品深度解析
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江西萨瑞微电子P6SMFTHE系列产品深度解析

　　在电子设备小型化与高功率密度需求日益凸显的今天，功率器件的封装与性能平衡成为行业技术突破的核心痛点。　　江西萨瑞微电子作为国内领先的功率半导体IDM企业，推出的P6SMFTHE系列产品，以"小封装承载大功率"的核心优势，打破了传统功率器件的封装性能桎梏，为多领域电子设备设计提供了革命性解决方案。　　本文将从产品核心参数、封装技术突破、关键性能优势及全场景应用等维度，对该系列产品进行全面解析。　　› 01 核心参数解析：精准匹配多场景需求　　萨瑞微电子 P6SMFTHE 系列是功率半导体标杆产品，核心参数精准适配消费电子至工业控制多元需求：　　反向截止电压 3.3V-75V，覆盖高低压场景;漏电流 1μA-400μA，超低功耗延长续航、提升能源效率;峰值功率达 600W，满足大功率瞬时输出需求;采用 SOD 小型化封装，体积较传统 SMB 封装缩减超 50%，适配设备小型化布局。　　› 02 SOD封装承载600W功率的底层逻辑　　传统功率器件领域存在一个普遍共识：功率与封装尺寸正相关，要实现600W的峰值功率，通常需要采用SMB(DO214AA)封装，其封装尺寸约为4.7mm×3.9mm，且需搭配大面积散热焊盘。而P6SMFTHE系列采用SOD封装(典型尺寸3.5mm×1.6mm)，在体积大幅缩减的前提下，实现同等甚至更优的功率承载能力，这一突破源于萨瑞微电子在芯片设计与封装工艺的双重革新：　　P6SMFTHE18A：散热与可靠性双重升级　　芯片通过优化设计提升了浪涌能力，同时有三层防护，高可靠性：　　该芯片结构的三层保护层(SiO₂、PSG、LTO)具有显著防护优势：　　SiO₂作为绝缘层，有效隔绝电学干扰，保障器件电性能稳定;　　PSG 可俘获钠等移动离子，避免其在高温下引发器件阈值电压漂移等失效问题，提升芯片高温可靠性;　　LTO 能强力隔离外界水汽侵入，防止水汽导致的金属腐蚀、绝缘层退化等故障，三者协同构建起一道从电学绝缘、离子俘获到水汽隔离的全方位防护屏障，大幅增强芯片在复杂环境下的稳定性与使用寿命。　　封装性能对比：SOD vs SMB的革命性优势　　› 03 产品质量可靠性　　一、全场景环境耐受能力强产品通过7项严苛测试且无1件样品不合格，适配多恶劣场景：高温高湿(85℃/85%RH，168hrs)下，VZ、IR1均符合标准;极端温度冲击(-55℃⇄+150℃，500cycles)中，参数波动微小;高压蒸煮(121℃/100%RH/205Kpa，96hrs)后，IR1远低于标准，抗老化与密封性优异。　　二、核心参数稳定无衰减VZ(7.22V-7.98V)与IR1(≤500μA)试验前后波动小：高温存储(150℃，168hrs)后，VZ、IR1平均值近乎无变化;高温反偏(125℃，VR=80%VBR，168hrs)中，无样品击穿或漏电流激增，保障长期功能有效。　　三、生产与工艺可靠性高，同批次样品分组测试，参数集中无明显离散性，体现稳定生产工艺。耐焊接热(260℃±5℃，10S)后，30件样品无焊接问题，IR1更优，适配自动化生产且焊接不影响性能。　　综上，该产品质量可靠，满足多领域高可靠性需求。　　› 04 三重测试体系：筑牢全场景可靠性　　P6SMFTHE 系列搭建覆盖直流测试、浪涌性能评估、测试波形验证的三重全维度测试体系，严格验证不同工况下的产品稳定性，核心亮点在于极限功率最高可耐受 720W 冲击。　　直流特性：双规格均稳定达标　　两款不同规格产品的直流核心指标均通过全面验证，10 个样品测试结果全部符合标准。　　浪涌极限：功率峰值突破 720W　　在 10/1000μs 雷击浪涌测试中，产品展现强悍极限承载能力，不同规格均实现高功率耐受。　　波形验证：参数响应协调合规　　测试过程中同步记录电压、电流组合波形，两者响应协调一致，形态符合标准要求，进一步印证产品在不同功率工况下的性能稳定性与参数准确性。　　› 05 P6SMFTHE产品选型表　　› 06 全场景应用：赋能多领域产业升级　　凭借"小封装、大功率、低功耗、高可靠"的综合优势，P6SMFTHE系列产品的应用场景覆盖消费电子、储能、汽车电子、工业控制等多个领域，成为各行业设备升级的核心器件支撑，具体应用场景如下：　　消费电子领域：助力小型化与长续航升级　　TWS充电仓Type-C/Micro USB充电端口静电浪涌防护　　在TWS耳机、智能手表手环、电子笔等便携式消费电子中，该系列产品的小型化封装可节省宝贵的内部空间，为电池、传感器等核心元件腾出布局空间;1μA-400μA的超低漏电流可显著降低待机功耗，使TWS耳机充电仓续航时间延长15%以上。在手机平板领域，其3.3V-75V宽电压范围可适配不同电路模块的电压需求，600W峰值功率为快充场景提供稳定支撑。　　无线充电领域：提升效率与功率密度　　在无线充电领域，其大功率承载能力可支撑60W以上快充需求，同时小型化封装使无线充电器更轻薄便携，适配手机、笔记本电脑等多设备充电需求。　　汽车与车灯领域：适配严苛车载环境　　汽车电子领域对器件的可靠性与环境适应性要求极高，P6SMFTHE系列经过严苛的车载环境测试，可应用于车身控制模块、车灯系统等场景。在车灯产品中，600W峰值功率可满足LED大灯的瞬时启动功率需求，小型化封装适配汽车内部紧凑的布局空间　　车灯：VBAT防护　　工业与安防领域：保障稳定运行与防护性能　　在安防网通、POS机、智能电表等工业与商用场景中，该系列产品的高可靠性与EMC防护性能发挥关键作用。安防监控设备通常工作在户外或复杂环境中，其宽温度范围与抗干扰能力可保障设备稳定运行;POS机、智能电表等设备的端口防护场景中，产品的EMC性能可有效抑制电磁干扰，同时600W功率冗余为设备突发功率需求提供保障。　　通用端口EMC防护：简化电路设计　　在各类电子设备的电源端口防护中，P6SMFTHE系列的EMC性能可直接替代传统的EMC防护模块，其小型化封装与大功率承载能力，既能有效抑制端口的电磁干扰，又能防止瞬时过电压、过功率对设备的损伤，简化了电路防护设计，降低了器件选型成本。　　江西萨瑞微电子P6SMFTHE系列产品，以SOD小封装承载600W大功率的核心突破，结合3.3V-75V宽电压范围、1μA-400μA超低漏电流的精准参数调校，以及高可靠性、高兼容性的综合优势，打破了传统功率器件的性能边界。从消费电子的小型化升级，到储能领域的效率提升，再到汽车电子的严苛环境适配，该系列产品为多领域产业升级提供了核心器件支撑。在电子设备小型化、高功率密度的发展趋势下，P6SMFTHE系列不仅展现了萨瑞微电子的技术研发实力，更树立了功率半导体行业小型化、高效化的新标杆。
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发布时间：2025-11-11 13:55 阅读量：308 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>电子M4SMF系列4500W TVS二极管强势登场！
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江西萨瑞微电子M4SMF系列4500W TVS二极管强势登场！

　　高功率瞬态电压抑制二极管　　在现代电子设备精密复杂的电路中，瞬时电压冲击犹如隐形杀手，随时可能造成致命损伤。统计数据显示，超过35%的电子设备故障源于电压瞬变和静电放电。无论是突如其来的雷击浪涌，还是看似微不足道的静电释放，都足以让精心设计的电路板瞬间瘫痪。　　作为国内领先的电路保护解决方案提供商，萨瑞微电子深谙电压防护的重要性。今天，我们隆重推出M4SMF系列4500W TVS二极管，为您构筑可靠的电压防护壁垒，让您的产品在严苛环境中稳如磐石。　　产品简介　　M4SMF系列采用紧凑的 SOD-123FL封装，专为表面贴装(SMT)应用而优化。低剖面适应了现代电子产品轻薄化的趋势;低电感特性确保了其对高速瞬态脉冲的快速响应能力，使其即使在空间受限的高密度PCB设计中也能游刃有余。　　系列型号齐全，覆盖广泛：　　电压范围广：从5.0V至28V，提供多达十余种标准电压选项，满足从低功耗MCU到较高压电源总线等各种电路的防护需求。　　极性选择灵活：提供单向(A型号) 与双向(CA型号) 两种类型。单向型适用于直流电路，提供精准的极性保护;双向型则能轻松应对交流信号或可能存在正负浪涌的复杂工况，为设计提供极大灵活性。　　关键参数解析　　惊人的峰值脉冲功率：4500W (@8/20µs)　　4500W的峰值脉冲功率,能吸收并化解极其巨大的瞬态能量，轻松应对如雷击感应浪涌、电机负载突卸、继电器开关等引起的严峻挑战，为系统设立了一道坚固的“电压防火墙”。　　优异的钳位性能　　M4SMF系列具备极快的响应速度(可达皮秒级)，能在纳秒时间内从高阻态转变为低阻态。　　高ESD防护等级　　该系列产品集成高效的ESD保护能力，完美符合 IEC-61000-4-2 Level 4 标准，支持±30kV(空气放电)与±30kV(接触放电)。　　稳定的电气参数与低泄漏电流　　全系列产品具有精确的击穿电压(VBR)和低至微安(µA)级别的反向泄漏电流(IR)。　　产品优势与特点　　1. 高可靠性　　封装材料采用UL 94V-0级阻燃塑料，安全可靠。　　湿度敏感等级达到MSL 1，意味着拆封后无需在特定时间内完成烘烤与焊接，仓储和使用更为便捷。　　端子镀层符合军用焊接标准(MIL-STD-750)，确保焊接牢固性。　　2. 高效率　　极低的漏电流有助于降低整机待机功耗，满足绿色环保的能效标准。　　3. 高灵活性　　同一功率平台下提供单向与双向、多电压档位的丰富选择，方便工程师根据实际电路需求进行灵活选型，实现标准化设计。　　4. 出色的开关特性　　作为半导体保护器件，其响应速度可达皮秒级，远快于压敏电阻(MOV)或气体放电管(GDT)，能有效抑制快速的电压尖峰。　　典型应用领域　　M4SMF系列凭借其强大的性能，已成为以下领域的理想保护解决方案：　　通信基础设施：路由器、交换机、基站等设备的电源输入端口及通信线路保护。　　汽车电子：车载充电器(OBC)、电源管理系统(BMS)、ECU控制单元、LED车灯驱动，抵御负载突降等严峻考验。　　工业控制：PLC、变频器、伺服驱动器、I/O模块，在恶劣的工业电磁环境中稳定运行。　　消费电子：智能电视、家电主控板、适配器、以及各类USB/HDMI端口的ESD和浪涌防护。　　安防监控：户外摄像头、门禁系统的电源及信号线路防雷防浪涌。　　选择萨瑞微，选择可靠　　作为国内领先的IDM模式半导体企业，萨瑞微电子拥有从芯片设计到封装测试的全产业链能力。我们的M4SMF系列TVS二极管，在晶圆材料、钝化工艺、封装技术上都进行了深度优化，历经多轮严格的可靠性测试与质量验证，其性能与可靠性完全可比肩国际一线品牌。在当下供应链格局重塑的背景下，萨瑞微电子是您实现关键器件国产化替代、优化成本结构、保障供应安全的优质战略伙伴。
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发布时间：2025-10-21 14:09 阅读量：350 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>电子防雷模组：为严苛环境打造36V/30KA高可靠守护者！
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江西萨瑞微电子防雷模组：为严苛环境打造36V/30KA高可靠守护者！

　　防雷模组　　在灯塔的信号灯、通信基站、工业控制系统和户外电子设备中，防雷保护是确保设备长期稳定运行的关键。江西萨瑞微电子推出的防雷模块以其卓越的电气性能和宽广的环境适应性，为各种敏感电子设备提供可靠的过电压保护。　　产品核心参数亮点　　宽温工作，适应极端环境　　工作温度范围：-40℃至125℃　　湿度范围：5%至95%RH　　环境适应性：模块能够在从寒带到热带的各种气候条件下稳定工作，满足户外设备的严苛要求　　精准的电压保护特性　　截止电压：36V(可施加的最大持续工作电压)　　击穿电压范围：40V~49.1V　　反向漏电流：仅5uA，确保正常工作时几乎不消耗额外功率　　强大的浪涌吸收能力　　标称放电电流：30KA(8/20μs波形)　　电压保护水平：500V　　防护等级：IP67全密封防护，防尘防水　　技术优势解析　　一端口设计，简化系统布局　　该防雷模块采用输入/输出一体化的一端口设计，极大简化了系统布局和接线难度。这种设计特别适合空间受限的应用场景，同时减少了安装过程中的错误可能性。　　安全失效模式，杜绝二次灾害　　模块采用开路模式作为安全失效模式，当模块因异常情况损坏时，会自动断开与线路的连接，避免因防雷器失效导致系统短路或火灾风险，为设备提供双重安全保障。　　精准的电压钳位能力　　击穿电压范围控制在40V至49.1V之间，确保在正常工作时不影响系统运行，一旦出现过电压能够迅速响应，将电压钳位在安全范围内，保护后端精密电子设备。　　典型应用场景　　串联接法　　灯塔的信号灯　　抗盐雾腐蚀：外壳采用特殊防腐材料，适应沿海高盐度环境　　防潮防凝露：IP67防护等级确保在潮湿海洋空气中长期稳定工作　　宽温域工作：-40℃至125℃范围适应从寒带到热带的所有灯塔环境　　通信基站电源保护　　在5G基站和通信设备中，为电源线路提供可靠的防雷保护，确保通信网络在雷雨天气下的稳定运行。　　工业控制系统　　应用于PLC、DCS等工业控制设备的电源入口，防止雷击浪涌对敏感控制电路造成损坏。　　户外监控设备　　为户外摄像头、交通监控设备等提供全面保护，延长设备使用寿命。　　新能源设施　　在光伏逆变器、充电桩等新能源设备中，保护电源管理系统免受浪涌冲击。　　萨瑞微电子防雷模组以其优良的电气性能、宽广的环境适应性和高可靠性，成为各种电子设备在雷雨季节的安全卫士。无论是在通信、工业还是新能源领域，这一产品都能为设备提供有效的过电压保护，确保系统长期稳定运行。
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发布时间：2025-09-24 11:07 阅读量：376 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>电子SST30100CT系列肖特基二极管重磅来袭
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江西萨瑞微电子SST30100CT系列肖特基二极管重磅来袭

　　高性能肖特基势垒二极管　　在追求高效率、低损耗的现代电源设计中，一款优秀的整流器件是成功的关键。江西萨瑞微电子深耕功率半导体领域，始终致力于为客户提供高性能、高可靠性的产品。　　今天，我们隆重向各位推荐萨瑞微电子SST30100CT5,SST30100CT6,SST30100CT7 三款100V/30A高性能肖特基势垒二极管(SBD)，为您的电源创新保驾护航!　　产品简介　　该系列产品采用业界通用的TO-220, TO-220F和TO-263封装，提供灵活的安装和散热选择，满足不同应用场景的需求。　　型号与封装对应关系：　　SST30100CT5: TO-220封装　　SST30100CT6:TO-220F 封装　　SST30100CT7: TO-263 封装　　关键参数解析　　高反向耐压 (VRRM/VDC): 100V　　提供高达100V的反向重复峰值电压和直流阻断电压，为电路提供坚实的保护，轻松应对各种中高压应用场景，提高系统的可靠性。　　低正向压降 (VF)：VF=0.65V @IF6 15A　　肖特基二极管的核心优势!具有极低的正向导通压降，这意味着在导通相同电流时，器件自身的功耗和发热更小，从而显著提升整机效率，尤其适用于低电压、大电流的输出环境。　　高击穿电压 (VBR): 110V　　最小击穿电压为110V，提供了充足的裕量，确保器件在100V额定电压下工作稳定可靠，抗浪涌能力强。　　产品优势与特点　　1. 高效率： 得益于肖特基结构固有的低VF特性，能有效降低能源损耗，提升电源转换效率，是符合节能环保理念的理想选择。　　2. 高可靠性：优良的芯片设计和成熟的工艺制程，确保了产品在高温、高湿等恶劣环境下仍能保持卓越的性能和长寿命。　　3. 多封装选择：同一芯片提供三种主流封装，方便客户根据PCB布局、散热设计和电气隔离(绝缘)需求进行灵活选择，简化设计与采购流程。　　4. 出色的开关特性： 肖特基二极管是多数载流子导电器件，没有电荷存储效应，因此反向恢复时间极短，开关速度快，有利于降低开关噪声，提高高频应用下的性能。　　典型应用领域　　这款高性能肖特基二极管系列广泛应用于各类电源和功率转换设备中，包括但不限于：LED电源、适配器和开关电源。　　选择萨瑞微，选择可靠　　江西萨瑞微电子作为国内先进的半导体产品制造商，始终坚持以质量为核心，以客户为导向。我们的SST30100CT系列肖特基二极管经过严格的测试与质量控制，性能可比国际一线品牌，是您实现国产化替代、优化成本结构的优质选择。
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发布时间：2025-09-18 14:32 阅读量：473 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>S8050H三极管，您的电路设计好帮手
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江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手

　　今天我们来深入了解江西萨瑞微电子的爆款产品——S8050H三极管。　　一、什么是S8050H?　　S8050H是一款NPN型硅双极型晶体管(BJT)，属于小信号晶体管类别。它是江西萨瑞微电子精心打造的高性能三极管，广泛应用于各类电子电路中。　　结构特点*S8050H 三极管结构图　　S8050H 是一款NPN 外延硅晶体管，具有低电压和高电流能力，是推挽放大和通用开关应用的亮点。　　S8050H三极管包含三层，其中一个 P 掺杂半导体层封装在另外两个 N 掺杂层之间。P掺杂层代表基极端，而其他两层分别代表发射极和集电极。　　S8050H三极管具有两个 PN 结：正向偏置的发射极-基极结和反向偏置的集电极-基极结。　　需要注意的是，S8050H 三极管必须在正向偏置模式下运行才能获得更好的性能。如果晶体管没有正向偏置，则无论在基极端子上施加多少电压，都不会有集电极电流。　　当在基极端施加电压时，放大是一种简单的方式，晶体管吸收小电流，然后用于控制其他端子的大电流。　　二、S8050H三极管参数　　S8050H三极管主要包含三个端子，即发射极、基极和集电极，用于与电子电路的外部连接，三个端子在掺杂浓度方面是不同的。　　其中发射极是高度掺杂的，基极是轻掺杂的，而集电极是中掺杂的。前者控制电子数量，后者从基极收集电子数量。一个端子的小电流用于控制其它端子的大电流。　　三、S8050H 的CAD 模型　　S8050H三极管的封装尺寸图　　四、S8050H 三极管特点　　低电压、大电流 NPN 晶体管　　小信号晶体管　　最大功率：0.3 W　　最大直流电流增益 (hFE) 为 400　　连续集电极电流 (IC) 为 800mA　　基极-发射极电压(VBE) 为 5V　　集电极-发射极电压 (VCE) 为 20V　　集电极-基极电压 (VCB) 为 30V　　高 用于推挽配置 B 类放大器　　SOT-23 封装　　五、S8050H工作原理讲解　　在 S8050H NPN 晶体管中，当基极接地时，发射极和集电极等两个端子都将反向偏置，当向基极引脚提供信号时，它们将关闭(正向偏置)。　　S8050H 三极管的最大增益值为 300，此值将决定放大能力，如果放大率很高，则将其用于放大。　　但是，集电极电流的增益值将是 110，并且整个集电极端子的最大电流供应是 800mA，因此我们无法通过该晶体管通过 800mA 以上的电流来控制不同的负载。一旦向必须限制在 5mA 的基极引脚提供电流供应，晶体管就可以被偏置。　　一旦该晶体管完全偏置，则它允许高达 800mA 的电流通过发射极和集电极端子提供，因此该阶段称为饱和区。VCE 或 VCB 上使用的典型电压相应为 20V 和 30V。　　一旦在晶体管的基极端移除电流源，它将被关闭，因此这个阶段称为截止区域。　　在S8050H NPN 晶体管中，电子是主要的电荷载流子，与空穴是主要电荷载流子的 PNP 晶体管不同　　基极相对于发射极更正，集电极上的电压也必须比基极更正。　　两个电流增益因素：共发射极电流增益和共基极电流增益对决定晶体管的特性起着至关重要的作用。　　共发射极电流增益是集电极电流和基极电流之间的比率，这称为贝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之间，但标准值取为 200。　　同样，共基极电流增益是集电极电流和发射极电流之间的比率，它被称为阿尔法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之间，但大多数时候它的值被取为1。　　六、S8050H 可以用什么型号替换?　　1、S8050H 替代品　　MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050　　2、S8050H对管型号　　S8550H、SS8550　　注意：替换时请仔细比对参数，确保符合电路要求。　　七、S8050H三极管如何工作的?　　1、S8050H 三极管构成推挽放大器(B类放大器)　　推挽放大器是一种多级放大器，常用于扬声器内的音频放大，该电路的设计非常简单，需要两个相等的互补晶体管才能工作。　　互补意味着我们需要一个 NPN 晶体管及其等效的 PNP 晶体管。像这里的 NPN 晶体管将是S8050H ，其等效的 PNP 晶体管将是S8550H。使用 S8050H 的 B 类放大器的简单电路图如下所示。　　2、S8050H 三极管作为开关　　当 S8050H 三极管用作开关时，它工作在饱和区和截止区。　　当我们向晶体管的基极提供电流时，它为集电极电流从基极流向发射极开辟了一条路径。在正向偏置期间，晶体管将充当打开开关，在反向偏置期间，它将充当闭合开关。　　3、S8050H 三极管作为放大器　　当处于活动区域时，S8050H 三极管作为放大器工作。S8050H 三极管具有放大功率、电压和电流的能力。　　最流行和最常用的配置是共发射极类型， 输入总是施加在放大晶体管电路的正向偏置结上，类似地，可以通过晶体管的反向偏置结收集输出。　　江西萨瑞微的S8050H三极管，以其卓越性能和多样化应用，成为电子工程师的得力助手。无论您是在设计放大器、开关电路还是LED驱动，S8050H都将是您的理想之选。
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发布时间：2025-08-01 14:06 阅读量：684 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法
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江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法

　　江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　本发明涉及半导体器件设计领域，具体涉及一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　在当前半导体行业竞争日趋激烈的背景下，LDMOS场效应管因其在高压应用中的优越性能而受到广泛关注。本文将深入剖析一种LDMOS场效应管及其制备方法，旨在为半导体领域的专业人士和爱好者提供前沿的技术动态和实践指导。　　01 背景技术　　LDMOS场效应管，即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高，对LDMOS场效应管中场板要求也高。　　现有的LDMOS场效应管，由于结构限制，场氧化层与浅氧化层的交界位置氧含量较低，导致生长速度慢，即降低了LDMOS器件的耐压水平。　　目前，对该击穿点的优化通常是将场氧化层与浅氧化层共同形成的场板面积增大，提升场效应管的整体耐压水平，此举直接影响是场效应管的面积对应增加。这种改进，并未从根本上优化该击穿点。　　02 发明内容　　针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LDMOS场效应管及其制备方法，方法步骤包括：　　1、提供半导体衬底，对半导体衬底进行刻蚀以得到若干个沟槽区。　　2、在沟槽区内形成介质层，使介质层覆盖于沟槽区的底面与侧壁。　　3、对沟槽区内的介质层进行离子注入。注入成分包括碳离子与氢离子。　　4、对离子改性层刻蚀，随着深度增加，该离子改性层的厚度递增，且顶部齐平于半导体衬底的表面。　　5、采用热氧化工艺，按照第一热氧化条件，在沟槽区内的离子改性层之上形成浅氧化层，使浅氧化层的顶面低于介质层的顶面。　　6、采用热氧化工艺，按照第二热氧化条件，在半导体衬底与浅氧化层之上沉积场氧化层，使场氧化层于沟槽区内的底面低于介质层的顶面，形成LDMOS场效应管的场板。　　7、其中，第一热氧化条件与第二热氧化条件均包括温度条件、氧含量条件与氧流速条件。　　有益效果　　实现对LDMOS纵向耗尽的调节，进而提升LDMOS场效应管的BV水平。浅氧化层与场氧化层交界的附近位置并非尖角，能够有效的优化浅氧化层与场氧化层之间的薄弱击穿点，不再需要将场板加大，也就不需要被动的增加芯片面积，提升了LDMOS场效应管的耐压水平。　　实验结果分析　　在本发明中，通过降低介质层的倾斜角度，在其它参数不变的情况下，LDMOS场效应管的BV值具有一定的提升，而在介质层的倾斜角度相同、第一氧流速与第二氧流速更大的情况下，LDMOS场效应管的BV值更大;相反的，对比例中由于场氧化层与介质层无接触，即使在制备参数不变的情况下，其BV值也略有下降。　　03 结论　　综上，在本发明所示的LDMOS场效应管的制备过程中，通过降低介质层的倾斜角度，以及提升浅氧化层、场氧化层制备过程中的温度与氧流速，能够有效提升LDMOS场效应管的器件耐压。
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发布时间：2025-08-01 14:01 阅读量：528 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>推出500V-800V 平面栅VDMOS
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江西萨瑞微推出500V-800V 平面栅VDMOS

　　平面栅VDMOS 详细介绍　　平面栅VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)是一种特殊类型的MOSFET，主要用于功率电子应用。它结合了平面栅(Planar Gate)和垂直扩散技术，以提高功率处理能力和开关效率。　　结构特点　　垂直结构：　　与传统平面MOSFET不同，VDMOS的主要特点是其垂直结构，即电流沿垂直方向流动。这种设计使得器件能处理更高的功率。　　双重扩散(Double-Diffused)：　　VDMOS的源极和漏极区域通过双重扩散工艺形成。这种工艺允许在较低的电压下获得较高的电流承载能力。　　平面栅(Planar Gate)：　　栅极结构与传统的平面MOSFET类似，使用一层氧化物隔离栅极与半导体之间的直接接触。平面栅设计有助于控制沟道的导电性。　　沟道(Channel)：　　栅极施加电压时，会在源极和漏极之间的半导体材料表面形成一个沟道，这个沟道是垂直于平面栅的。　　工作原理　　开关特性：　　当栅极电压高于阈值电压时，VDMOS形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。垂直结构使其在高电压下仍能保持高开关效率。　　功率处理：　　由于其垂直结构，VDMOS能够承受较高的电压和电流，适用于高功率应用，如电源管理和电动汽车驱动系统。　　萨瑞产品优势　　产品概述及特点　　Product Overview and Features　　萨瑞微提供500V-800V 平面栅VDMOS 。产品采用业界优良的平面技术、独特的器件设计，并结合萨瑞自有封装优势，雪崩耐量高， EMI兼容性好， 抗冲击能力强。　　产品应用领域　　应用于开关电源、照明、充电器、适配器、 DC-DC、吹风机等。　　产品选型　　应用拓扑图及应用案例　　吹风机　　充电器/适配器
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发布时间：2025-07-21 16:19 阅读量：652 继续阅读>>
<span style='color:red'>江西萨瑞微</span>：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键技术
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江西萨瑞微：USB PD快充与Type-C接口静电防护，确保手机安全充电的关键技术

　　随着智能手机的普及和快充技术的发展,USB Power Delivery (PD)快充和USB Type-C接口已成为现代移动设备的标配。然而,这些先进技术在带来便利的同时,也为设备的静电防护带来了新的挑战。今天,让我们深入探讨USB PD快充和Type-C接口的静电防护问题,以及如何通过精心设计来确保手机的安全充电。　　USB PD快充技术　　USB PD是一种先进的快速充电协议,能够在USB连接上提供高达100W的功率。它通过动态协商电压和电流,实现了更快、更高效的充电。　　在日常使用USB PD快充充电器时，需要频繁地热插拔。如果其内部防护措施不到位的话，不仅会导致浪涌电流通过电源线进入内部电路损坏主控芯片，而且还容易引发输出瞬间大电流，影响充电稳定和安全，甚至导致受充设备损坏。不仅如此，USB PD快充充电器和快充移动电源产品在使用中，很容易与人体或其他带静电物体产生接触，而多数产品外壳的壳料与USB端口、呼吸灯、按键的连接处并不是无缝设计，外部静电很容易通过接缝进入主板中，导致产品损坏。　　USB Type-C接口的 ESD 防护　　大多数时候，我们都带着手机、智能手表、无线耳机等，这些设备都只能通过 USB 端口充电。使用电脑时，我们经常会使用USB 移动闪存驱动器(简称 U 盘)来传输文件。在车里给手机充电时，我们会使用标准的USB 端口。USB 在我们的日常生活中无处不在，参与我们的每一次数字体验的一部分。　　Type-C接口凭借其可逆插拔和多功能性成为新一代USB标准,但其密集的引脚排列和双向性也增加了静电防护的难度。　　USB PD快充与Type-C接口静电防护方案　　01.USB PD 快充　　想要生产出一款稳定安全的USB PD快充产品，其EOS防护/ESD静电保护措施必不可少。从物料成本、研发周期、生产流程等方面考虑，越来越多的厂商选择在USB PD快充接口内置浪涌和静电保护器件。那么，USB PD快充接口浪涌静电保护选用什么型号的TVS二极管呢?　　从萨瑞微电子USB PD快充接口浪涌静电保护方案图一，电源供电口萨瑞微电子选用SES2431P4、SEU0501P1做防护，具体根据充电电压大小来选择。工作电压为5V、24V，具有低钳位、低漏电流的特点，适合大浪涌保护;DFN2020-3L、DFN1006-2L封装，减小USB PD接口安装空间;符合IEC 61000-4-2(静电)±30kV(空气)和±30kV(接触)标准。　　在D+/D-数据接口和快充协议检测CC1/2接口静电防护中，萨瑞微电子推荐选用ESD二极管SEU0501P1，工作电压5V、峰值脉冲电流3A、DFN1006-2L封装;结电容低至0.5pF，保证高速数据信号的传输;符合IEC 61000-4-2(静电)±15kV(空气)和 ±10kV(接触)标准。　　02.Type-C接口　　保护 USB 接口不受静电放电 (ESD) 的影响十分重要。我们每天会数次在电子产品上插拔USB 数据线，在触碰或使用 USB 端口时，便可能遇到静电放电，这种情况十分常见。这些ESD 事件既可以由用户(人体)产生，也可以由数据线上存储的电荷产生。静电峰值电压可以达到数万伏，很容易损坏USB 收发器敏感的 CMOS 结构。因此，ESD防护对每个 USB 引脚都有着重要且必要的意义。　　作为最新款连接器之一的USB Type-C，在物理尺寸以及与主机和外围设备的连接方式方面，都明显不同于以前的版本。USB Type-C采用可正反插设计，总共24 个引脚，上下各 12 个引脚，支持朝上或朝下插入。　　SBU 和CC 引脚保护：由于USB Type-C 插头尺寸很小且引脚之间相隔很近，分立式单线瞬态电压抑制(TVS) 二极管非常适合保护端口免受 ESD 事件的影响。此外，分立式TVS 二极管对于电路设计师而言，可以更方便地布局和布线。参考图 引脚配置，我们可以看到 CC 引脚和SBU 引脚紧挨着 VBUS 引脚。VBUS引脚最高可达 24V，所以如果发生短路，CC引脚和 SBU 引脚则会暴露在24V 的电压下。在这种情况下，TVS 二极管的最低击穿电压不低于24V 才能保护 CC 和SBU 引脚。根据 IEC 61000-4-5的要求，萨瑞微电子的SES2431P4能够承受500V浪涌电压!IEC 61000-4-2的要求，在±24kV(空气放电)和±17kV(接触放电)之间的高 ESD，并且能够保持电路正常工作!　　D+/D- 线路保护：D+/D-线路适用于 USB 2.0 接口，可以使用萨瑞微电子SEU0501P1、SEU0521P1S的进行保护。SEU0501P1属于 5V ESD，有着0.5pF 的最大结电容，采用的是DFN1006-2L超小型封装尺寸。　　推荐使用萨瑞微ESD\TVS系列　　以上是萨瑞微电子USB PD快充与Type-C接口静电防护方案，如有特殊需求，欢迎前来探讨。　　结论　　在追求更快充电速度和更高数据传输率的同时,我们不能忽视静电防护这一关键环节。通过精心的设计和选择合适的保护器件,我们可以在享受先进技术带来便利的同时,确保设备的可靠性和长期使用寿命。
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发布时间：2025-07-18 13:13 阅读量：826 继续阅读>>

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