江西萨瑞微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号

Release time：2025-11-13
author：AMEYA360
source：江西萨瑞微
reading：188

　　近日，江西省品牌建设促进会正式发布《关于认定2025年江西名牌产品的公告》，江西萨瑞微电子技术有限公司凭借卓越的产品质量、领先的技术实力和良好的市场口碑，成功荣获2025年“江西名牌产品” 称号，这一荣誉是对萨瑞微电子综合实力的高度认可。

江西萨瑞微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号

　　权威认证，实至名归

江西萨瑞微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号

江西萨瑞微电子荣获2025年“江西名牌产品”称号

　　“江西名牌产品”认定是江西省为深入实施质量强省战略而开展的重要工作，其认定标准严苛、程序规范。根据《江西名牌产品认定管理办法》有关规定，认定过程需要经过企业自愿申请、省级行业协会审核推荐、组织审查、行业评审、现场评审、市场测评、征求行业协会意见、专家委员会会议审议及社会公示等多项严格程序。

　　此次认定工作贯彻落实了《国家发展改革委等部门关于新时代推进品牌建设的指导意见》和《中共江西省委江西省人民政府关于深化质量强省建设的实施意见》精神，旨在培育一批具有核心竞争力的江西品牌，推动全省经济高质量发展。

　　技术实力，铸就品牌基石

　　江西萨瑞微电子技术有限公司自成立以来，始终坚持以技术创新为驱动，以产品质量为生命，在半导体分立器件领域深耕不辍。

　　公司采用IDM(垂直整合制造)模式，集芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体，建立了完善的质量管理体系和技术创新平台。

　　核心产品优势显著

　　功率器件系列：包括MOSFET、IGBT等产品，性能指标达到行业先进水平

　　保护器件系列：ESD/TVS等电路保护器件响应速度快，可靠性高

　　第三代半导体：SiC、GaN器件技术取得突破性进展

　　先进封装技术：多系列封装产品满足不同应用场景需求

　　品质卓越，赢得市场认可

　　萨瑞微电子的产品以优异的性能、稳定的质量和可靠的服务，赢得了国内外客户的广泛信赖，市场占有率持续提升。公司产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、新能源等领域，与多家行业龙头企业建立了稳定的合作关系。

　　此次荣获“江西名牌产品”称号，不仅是对萨瑞微电子产品质量的肯定，更是对公司品牌影响力、市场竞争力、技术创新能力的全面认可。

　　公司将继续加大研发投入，强化技术创新，完善质量管理体系，为客户提供更优质的产品和解决方案，助力江西制造业高质量发展，为中国半导体产业的繁荣发展贡献更多力量!


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江西萨瑞微电子P6SMFTHE系列产品深度解析
行业新闻

江西萨瑞微电子P6SMFTHE系列产品深度解析

　　在电子设备小型化与高功率密度需求日益凸显的今天，功率器件的封装与性能平衡成为行业技术突破的核心痛点。　　江西萨瑞微电子作为国内领先的功率半导体IDM企业，推出的P6SMFTHE系列产品，以"小封装承载大功率"的核心优势，打破了传统功率器件的封装性能桎梏，为多领域电子设备设计提供了革命性解决方案。　　本文将从产品核心参数、封装技术突破、关键性能优势及全场景应用等维度，对该系列产品进行全面解析。　　› 01 核心参数解析：精准匹配多场景需求　　萨瑞微电子 P6SMFTHE 系列是功率半导体标杆产品，核心参数精准适配消费电子至工业控制多元需求：　　反向截止电压 3.3V-75V，覆盖高低压场景;漏电流 1μA-400μA，超低功耗延长续航、提升能源效率;峰值功率达 600W，满足大功率瞬时输出需求;采用 SOD 小型化封装，体积较传统 SMB 封装缩减超 50%，适配设备小型化布局。　　› 02 SOD封装承载600W功率的底层逻辑　　传统功率器件领域存在一个普遍共识：功率与封装尺寸正相关，要实现600W的峰值功率，通常需要采用SMB(DO214AA)封装，其封装尺寸约为4.7mm×3.9mm，且需搭配大面积散热焊盘。而P6SMFTHE系列采用SOD封装(典型尺寸3.5mm×1.6mm)，在体积大幅缩减的前提下，实现同等甚至更优的功率承载能力，这一突破源于萨瑞微电子在芯片设计与封装工艺的双重革新：　　P6SMFTHE18A：散热与可靠性双重升级　　芯片通过优化设计提升了浪涌能力，同时有三层防护，高可靠性：　　该芯片结构的三层保护层(SiO₂、PSG、LTO)具有显著防护优势：　　SiO₂作为绝缘层，有效隔绝电学干扰，保障器件电性能稳定;　　PSG 可俘获钠等移动离子，避免其在高温下引发器件阈值电压漂移等失效问题，提升芯片高温可靠性;　　LTO 能强力隔离外界水汽侵入，防止水汽导致的金属腐蚀、绝缘层退化等故障，三者协同构建起一道从电学绝缘、离子俘获到水汽隔离的全方位防护屏障，大幅增强芯片在复杂环境下的稳定性与使用寿命。　　封装性能对比：SOD vs SMB的革命性优势　　› 03 产品质量可靠性　　一、全场景环境耐受能力强产品通过7项严苛测试且无1件样品不合格，适配多恶劣场景：高温高湿(85℃/85%RH，168hrs)下，VZ、IR1均符合标准;极端温度冲击(-55℃⇄+150℃，500cycles)中，参数波动微小;高压蒸煮(121℃/100%RH/205Kpa，96hrs)后，IR1远低于标准，抗老化与密封性优异。　　二、核心参数稳定无衰减VZ(7.22V-7.98V)与IR1(≤500μA)试验前后波动小：高温存储(150℃，168hrs)后，VZ、IR1平均值近乎无变化;高温反偏(125℃，VR=80%VBR，168hrs)中，无样品击穿或漏电流激增，保障长期功能有效。　　三、生产与工艺可靠性高，同批次样品分组测试，参数集中无明显离散性，体现稳定生产工艺。耐焊接热(260℃±5℃，10S)后，30件样品无焊接问题，IR1更优，适配自动化生产且焊接不影响性能。　　综上，该产品质量可靠，满足多领域高可靠性需求。　　› 04 三重测试体系：筑牢全场景可靠性　　P6SMFTHE 系列搭建覆盖直流测试、浪涌性能评估、测试波形验证的三重全维度测试体系，严格验证不同工况下的产品稳定性，核心亮点在于极限功率最高可耐受 720W 冲击。　　直流特性：双规格均稳定达标　　两款不同规格产品的直流核心指标均通过全面验证，10 个样品测试结果全部符合标准。　　浪涌极限：功率峰值突破 720W　　在 10/1000μs 雷击浪涌测试中，产品展现强悍极限承载能力，不同规格均实现高功率耐受。　　波形验证：参数响应协调合规　　测试过程中同步记录电压、电流组合波形，两者响应协调一致，形态符合标准要求，进一步印证产品在不同功率工况下的性能稳定性与参数准确性。　　› 05 P6SMFTHE产品选型表　　› 06 全场景应用：赋能多领域产业升级　　凭借"小封装、大功率、低功耗、高可靠"的综合优势，P6SMFTHE系列产品的应用场景覆盖消费电子、储能、汽车电子、工业控制等多个领域，成为各行业设备升级的核心器件支撑，具体应用场景如下：　　消费电子领域：助力小型化与长续航升级　　TWS充电仓Type-C/Micro USB充电端口静电浪涌防护　　在TWS耳机、智能手表手环、电子笔等便携式消费电子中，该系列产品的小型化封装可节省宝贵的内部空间，为电池、传感器等核心元件腾出布局空间;1μA-400μA的超低漏电流可显著降低待机功耗，使TWS耳机充电仓续航时间延长15%以上。在手机平板领域，其3.3V-75V宽电压范围可适配不同电路模块的电压需求，600W峰值功率为快充场景提供稳定支撑。　　无线充电领域：提升效率与功率密度　　在无线充电领域，其大功率承载能力可支撑60W以上快充需求，同时小型化封装使无线充电器更轻薄便携，适配手机、笔记本电脑等多设备充电需求。　　汽车与车灯领域：适配严苛车载环境　　汽车电子领域对器件的可靠性与环境适应性要求极高，P6SMFTHE系列经过严苛的车载环境测试，可应用于车身控制模块、车灯系统等场景。在车灯产品中，600W峰值功率可满足LED大灯的瞬时启动功率需求，小型化封装适配汽车内部紧凑的布局空间　　车灯：VBAT防护　　工业与安防领域：保障稳定运行与防护性能　　在安防网通、POS机、智能电表等工业与商用场景中，该系列产品的高可靠性与EMC防护性能发挥关键作用。安防监控设备通常工作在户外或复杂环境中，其宽温度范围与抗干扰能力可保障设备稳定运行;POS机、智能电表等设备的端口防护场景中，产品的EMC性能可有效抑制电磁干扰，同时600W功率冗余为设备突发功率需求提供保障。　　通用端口EMC防护：简化电路设计　　在各类电子设备的电源端口防护中，P6SMFTHE系列的EMC性能可直接替代传统的EMC防护模块，其小型化封装与大功率承载能力，既能有效抑制端口的电磁干扰，又能防止瞬时过电压、过功率对设备的损伤，简化了电路防护设计，降低了器件选型成本。　　江西萨瑞微电子P6SMFTHE系列产品，以SOD小封装承载600W大功率的核心突破，结合3.3V-75V宽电压范围、1μA-400μA超低漏电流的精准参数调校，以及高可靠性、高兼容性的综合优势，打破了传统功率器件的性能边界。从消费电子的小型化升级，到储能领域的效率提升，再到汽车电子的严苛环境适配，该系列产品为多领域产业升级提供了核心器件支撑。在电子设备小型化、高功率密度的发展趋势下，P6SMFTHE系列不仅展现了萨瑞微电子的技术研发实力，更树立了功率半导体行业小型化、高效化的新标杆。
2025-11-11 13:55 reading：222
江西萨瑞微电子防雷模组：为严苛环境打造36V/30KA高可靠守护者！
行业新闻

江西萨瑞微电子防雷模组：为严苛环境打造36V/30KA高可靠守护者！

　　防雷模组　　在灯塔的信号灯、通信基站、工业控制系统和户外电子设备中，防雷保护是确保设备长期稳定运行的关键。江西萨瑞微电子推出的防雷模块以其卓越的电气性能和宽广的环境适应性，为各种敏感电子设备提供可靠的过电压保护。　　产品核心参数亮点　　宽温工作，适应极端环境　　工作温度范围：-40℃至125℃　　湿度范围：5%至95%RH　　环境适应性：模块能够在从寒带到热带的各种气候条件下稳定工作，满足户外设备的严苛要求　　精准的电压保护特性　　截止电压：36V(可施加的最大持续工作电压)　　击穿电压范围：40V~49.1V　　反向漏电流：仅5uA，确保正常工作时几乎不消耗额外功率　　强大的浪涌吸收能力　　标称放电电流：30KA(8/20μs波形)　　电压保护水平：500V　　防护等级：IP67全密封防护，防尘防水　　技术优势解析　　一端口设计，简化系统布局　　该防雷模块采用输入/输出一体化的一端口设计，极大简化了系统布局和接线难度。这种设计特别适合空间受限的应用场景，同时减少了安装过程中的错误可能性。　　安全失效模式，杜绝二次灾害　　模块采用开路模式作为安全失效模式，当模块因异常情况损坏时，会自动断开与线路的连接，避免因防雷器失效导致系统短路或火灾风险，为设备提供双重安全保障。　　精准的电压钳位能力　　击穿电压范围控制在40V至49.1V之间，确保在正常工作时不影响系统运行，一旦出现过电压能够迅速响应，将电压钳位在安全范围内，保护后端精密电子设备。　　典型应用场景　　串联接法　　灯塔的信号灯　　抗盐雾腐蚀：外壳采用特殊防腐材料，适应沿海高盐度环境　　防潮防凝露：IP67防护等级确保在潮湿海洋空气中长期稳定工作　　宽温域工作：-40℃至125℃范围适应从寒带到热带的所有灯塔环境　　通信基站电源保护　　在5G基站和通信设备中，为电源线路提供可靠的防雷保护，确保通信网络在雷雨天气下的稳定运行。　　工业控制系统　　应用于PLC、DCS等工业控制设备的电源入口，防止雷击浪涌对敏感控制电路造成损坏。　　户外监控设备　　为户外摄像头、交通监控设备等提供全面保护，延长设备使用寿命。　　新能源设施　　在光伏逆变器、充电桩等新能源设备中，保护电源管理系统免受浪涌冲击。　　萨瑞微电子防雷模组以其优良的电气性能、宽广的环境适应性和高可靠性，成为各种电子设备在雷雨季节的安全卫士。无论是在通信、工业还是新能源领域，这一产品都能为设备提供有效的过电压保护，确保系统长期稳定运行。
2025-09-24 11:07 reading：328
江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手
行业新闻

江西萨瑞微S8050H三极管，您的电路设计好帮手

　　今天我们来深入了解江西萨瑞微电子的爆款产品——S8050H三极管。　　一、什么是S8050H?　　S8050H是一款NPN型硅双极型晶体管(BJT)，属于小信号晶体管类别。它是江西萨瑞微电子精心打造的高性能三极管，广泛应用于各类电子电路中。　　结构特点*S8050H 三极管结构图　　S8050H 是一款NPN 外延硅晶体管，具有低电压和高电流能力，是推挽放大和通用开关应用的亮点。　　S8050H三极管包含三层，其中一个 P 掺杂半导体层封装在另外两个 N 掺杂层之间。P掺杂层代表基极端，而其他两层分别代表发射极和集电极。　　S8050H三极管具有两个 PN 结：正向偏置的发射极-基极结和反向偏置的集电极-基极结。　　需要注意的是，S8050H 三极管必须在正向偏置模式下运行才能获得更好的性能。如果晶体管没有正向偏置，则无论在基极端子上施加多少电压，都不会有集电极电流。　　当在基极端施加电压时，放大是一种简单的方式，晶体管吸收小电流，然后用于控制其他端子的大电流。　　二、S8050H三极管参数　　S8050H三极管主要包含三个端子，即发射极、基极和集电极，用于与电子电路的外部连接，三个端子在掺杂浓度方面是不同的。　　其中发射极是高度掺杂的，基极是轻掺杂的，而集电极是中掺杂的。前者控制电子数量，后者从基极收集电子数量。一个端子的小电流用于控制其它端子的大电流。　　三、S8050H 的CAD 模型　　S8050H三极管的封装尺寸图　　四、S8050H 三极管特点　　低电压、大电流 NPN 晶体管　　小信号晶体管　　最大功率：0.3 W　　最大直流电流增益 (hFE) 为 400　　连续集电极电流 (IC) 为 800mA　　基极-发射极电压(VBE) 为 5V　　集电极-发射极电压 (VCE) 为 20V　　集电极-基极电压 (VCB) 为 30V　　高 用于推挽配置 B 类放大器　　SOT-23 封装　　五、S8050H工作原理讲解　　在 S8050H NPN 晶体管中，当基极接地时，发射极和集电极等两个端子都将反向偏置，当向基极引脚提供信号时，它们将关闭(正向偏置)。　　S8050H 三极管的最大增益值为 300，此值将决定放大能力，如果放大率很高，则将其用于放大。　　但是，集电极电流的增益值将是 110，并且整个集电极端子的最大电流供应是 800mA，因此我们无法通过该晶体管通过 800mA 以上的电流来控制不同的负载。一旦向必须限制在 5mA 的基极引脚提供电流供应，晶体管就可以被偏置。　　一旦该晶体管完全偏置，则它允许高达 800mA 的电流通过发射极和集电极端子提供，因此该阶段称为饱和区。VCE 或 VCB 上使用的典型电压相应为 20V 和 30V。　　一旦在晶体管的基极端移除电流源，它将被关闭，因此这个阶段称为截止区域。　　在S8050H NPN 晶体管中，电子是主要的电荷载流子，与空穴是主要电荷载流子的 PNP 晶体管不同　　基极相对于发射极更正，集电极上的电压也必须比基极更正。　　两个电流增益因素：共发射极电流增益和共基极电流增益对决定晶体管的特性起着至关重要的作用。　　共发射极电流增益是集电极电流和基极电流之间的比率，这称为贝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之间，但标准值取为 200。　　同样，共基极电流增益是集电极电流和发射极电流之间的比率，它被称为阿尔法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之间，但大多数时候它的值被取为1。　　六、S8050H 可以用什么型号替换?　　1、S8050H 替代品　　MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050　　2、S8050H对管型号　　S8550H、SS8550　　注意：替换时请仔细比对参数，确保符合电路要求。　　七、S8050H三极管如何工作的?　　1、S8050H 三极管构成推挽放大器(B类放大器)　　推挽放大器是一种多级放大器，常用于扬声器内的音频放大，该电路的设计非常简单，需要两个相等的互补晶体管才能工作。　　互补意味着我们需要一个 NPN 晶体管及其等效的 PNP 晶体管。像这里的 NPN 晶体管将是S8050H ，其等效的 PNP 晶体管将是S8550H。使用 S8050H 的 B 类放大器的简单电路图如下所示。　　2、S8050H 三极管作为开关　　当 S8050H 三极管用作开关时，它工作在饱和区和截止区。　　当我们向晶体管的基极提供电流时，它为集电极电流从基极流向发射极开辟了一条路径。在正向偏置期间，晶体管将充当打开开关，在反向偏置期间，它将充当闭合开关。　　3、S8050H 三极管作为放大器　　当处于活动区域时，S8050H 三极管作为放大器工作。S8050H 三极管具有放大功率、电压和电流的能力。　　最流行和最常用的配置是共发射极类型， 输入总是施加在放大晶体管电路的正向偏置结上，类似地，可以通过晶体管的反向偏置结收集输出。　　江西萨瑞微的S8050H三极管，以其卓越性能和多样化应用，成为电子工程师的得力助手。无论您是在设计放大器、开关电路还是LED驱动，S8050H都将是您的理想之选。
2025-08-01 14:06 reading：614
江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法
行业新闻

江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法

　　江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　本发明涉及半导体器件设计领域，具体涉及一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　在当前半导体行业竞争日趋激烈的背景下，LDMOS场效应管因其在高压应用中的优越性能而受到广泛关注。本文将深入剖析一种LDMOS场效应管及其制备方法，旨在为半导体领域的专业人士和爱好者提供前沿的技术动态和实践指导。　　01 背景技术　　LDMOS场效应管，即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高，对LDMOS场效应管中场板要求也高。　　现有的LDMOS场效应管，由于结构限制，场氧化层与浅氧化层的交界位置氧含量较低，导致生长速度慢，即降低了LDMOS器件的耐压水平。　　目前，对该击穿点的优化通常是将场氧化层与浅氧化层共同形成的场板面积增大，提升场效应管的整体耐压水平，此举直接影响是场效应管的面积对应增加。这种改进，并未从根本上优化该击穿点。　　02 发明内容　　针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LDMOS场效应管及其制备方法，方法步骤包括：　　1、提供半导体衬底，对半导体衬底进行刻蚀以得到若干个沟槽区。　　2、在沟槽区内形成介质层，使介质层覆盖于沟槽区的底面与侧壁。　　3、对沟槽区内的介质层进行离子注入。注入成分包括碳离子与氢离子。　　4、对离子改性层刻蚀，随着深度增加，该离子改性层的厚度递增，且顶部齐平于半导体衬底的表面。　　5、采用热氧化工艺，按照第一热氧化条件，在沟槽区内的离子改性层之上形成浅氧化层，使浅氧化层的顶面低于介质层的顶面。　　6、采用热氧化工艺，按照第二热氧化条件，在半导体衬底与浅氧化层之上沉积场氧化层，使场氧化层于沟槽区内的底面低于介质层的顶面，形成LDMOS场效应管的场板。　　7、其中，第一热氧化条件与第二热氧化条件均包括温度条件、氧含量条件与氧流速条件。　　有益效果　　实现对LDMOS纵向耗尽的调节，进而提升LDMOS场效应管的BV水平。浅氧化层与场氧化层交界的附近位置并非尖角，能够有效的优化浅氧化层与场氧化层之间的薄弱击穿点，不再需要将场板加大，也就不需要被动的增加芯片面积，提升了LDMOS场效应管的耐压水平。　　实验结果分析　　在本发明中，通过降低介质层的倾斜角度，在其它参数不变的情况下，LDMOS场效应管的BV值具有一定的提升，而在介质层的倾斜角度相同、第一氧流速与第二氧流速更大的情况下，LDMOS场效应管的BV值更大;相反的，对比例中由于场氧化层与介质层无接触，即使在制备参数不变的情况下，其BV值也略有下降。　　03 结论　　综上，在本发明所示的LDMOS场效应管的制备过程中，通过降低介质层的倾斜角度，以及提升浅氧化层、场氧化层制备过程中的温度与氧流速，能够有效提升LDMOS场效应管的器件耐压。
2025-08-01 14:01 reading：488
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