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2025年全球<span style='color:red'>半导体</span>TOP10！

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2025年全球半导体TOP10！

　　近期，市场调研机构Gartner发布了2025年全球半导体营收报告。根据Gartner的初步调查结果显示，2025年全球半导体总收入达到7930亿美元，同比增长21%。　　排名公司 2025年半导体营收/市场份额/年增长率　　1、英伟达(NVIDIA) 1257.03亿美元/15.8%/+63.9%　　2、三星电子(Samsung Electronics) 725.44亿美元/9.1%/+10.4%　　3、SK海力士(SK hynix) 606.40亿美元/7.6%/+37.2%　　4、英特尔(Intel) 478.83亿美元/6.0%/-3.9%　　5、美光(Micron Technology) 414.87亿美元/5.2%/+50.2%　　6、高通(Qualcomm) 370.46亿美元/4.7%/+12.3%　　7、博通(Broadcom) 342.79亿美元/4.3%/+23.3%　　8、超微半导体(AMD) 324.84亿美元/4.1%/+34.6%　　9、苹果(Apple) 245.96亿美元/3.1%/+19.9%　　10、联发科(MediaTek) 184.72亿美元/2.3%/+15.9%　　在前十名半导体厂商排名中，有五家厂商的位置自2024年以来发生了变化。英伟达在2025年将对三星的领先优势扩大了 530亿美元，成为首家半导体销售额突破1000亿美元的供应商，贡献了2025年行业增长的35%以上。三星保住了第二名的位置。三星730亿美元的半导体收入由内存(增长13%)推动，而非内存收入同比下降8%。SK海力士升至第三，2025年总收入达到610亿美元，同比增长37%，主要得益于AI服务器对HBM的强劲需求。英特尔市场份额下滑，市场份额仅为6%，是2021年的一半。　　Gartner高级首席分析师 Rajeev Rajput 表示：“AI半导体包括处理器、高带宽内存(HBM)和网络组件，继续推动半导体市场的前所未有的增长，占2025年总销售额的近三分之一。随着2026年AI基础设施支出预计将超过1.3万亿美元，这种主导地位还将进一步上升。”

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半导体

发布时间：2026-01-15 17:09 阅读量：221 继续阅读>>

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顾邦半导体家族：60V DCDC

　　关键词：60V高压降压转换器;1A~5A;　　顾邦半导体(GOSEMICON)提供60V输入，1A~5A 输出，多款高压Buck解决方案，适用不同场合。小编一文说清如何根据应用场景快速选型!　　PART 01 60V 5A DCDC　　GBI1650　　60V 5A Buck DCDC转换器，FSS, 0.8Vref，eSOP-8　　典型应用：　　GBI1650 是一款输出高达5A的Buck DCDC转换器，在通信和汽车领域有广泛应用, 采用eSOP-8封装;有+/-6%频率扩展(FSS)特征;支持高达2.5MHz开关频率，可以很好避开汽车广播频段。同时，外部补偿可以增加应用中环路设计的灵活性。从下图可以明显看出FSS特性带来的 FFT 峰值相差15dB以上，这将大大降低EMI峰值噪声。　　有频率扩展FSS(上图)vs 无FSS(下图)：　　GBI1651　　60V 5A Buck DCDC转换器, PG, 0.8Vref，WSON-10　　典型应用：　　GBI1651采用WSON-10封装，并带有PG指示信号，采用可调频率，适用于通信等应用场合　　PART 02 60V 3A DCDC　　GBI1630A　　60V 3A Buck DCDC转换器, 0.8Vref，SS, eSOP-8　　典型应用：　　GBI1631　　60V 3A Buck DCDC转换器，0.8Vref， PG, eSOP-8　　典型应用：　　GBI1632/33　　60V 3A Buck DCDC转换器, 0.75Vref，eSOP-8　　典型应用：　　PART 03 60V 2A DCDC　　GBI1620　　60V 2A Buck DCDC转换器, 0.8Vref，eMSOP-10　　一款适用于2A负载应用的60V输入 DCDC，拥有迷你尺寸封装(eMSOP-10)，典型应用图如下。该DCDC采用可调频率，可调软起动时间，内部集成环路补偿，提供PG信号，带有LDO 模式，满足大占空比(90%)应用场景，适用于小尺寸工业场景应用。　　典型应用　　PART 04　　60V 1A DCDC　　GBI1600/A　　60V 1A Buck DCDC转换器, 0.8Vref，TSOT23-6　　一款适用于1A负载需求的小尺寸封装 (TSOT23-6) 60V输入 DCDC，采用固定频率，内部集成软起动和环路补偿，从而最大限度减少外部元器件个数，简化应用设计。GBI1600 带有LDO 模式，满足大占空比(90%)应用场景，比如24V工业总线等。GBI1600A 可以承受高达75V脉冲电压，参见下图 75V 输入下满载工作波形。GBI1600A适用于高压POE和10串以上电池应用，应用中要求输入输出电压差高于4.5V。GBI1600/A 与友商LMR16006 BOM兼容。　　典型应用　　GBI1600A Vin=75V Iout=1A开关波形　　重点推荐　　60V 5A DCDC　　GBI1650 eSOP封装，带FSS功能　　GBI1651 WSON-10封装，无FSS功能　　60V 3A DCDC　　GBI1630A 瞬间可以承受75V高压，热损耗低，　　GBI1632 支持 LDO模式，热损耗和GBI1630A一样，比其他3A产品温升低20℃。　　60V 2A DCDC　　GBI1620 适用于2A，小尺寸应用　　60V 1A DCDC　　GBI1600/A 适用于小于1A，小尺寸应用; GBI1600A瞬间可以承受75V高压

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顾邦

发布时间：2026-01-13 11:29 阅读量：265 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>推出高性价比车规电源管理IC——SPSA068

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意法半导体推出高性价比车规电源管理IC——SPSA068

　　意法半导体的SPSA068是一款尺寸紧凑、使用便捷的高性价比汽车电源管理芯片(PMIC)。产品参数灵活可配，通过AEC-Q100认证，最高支持ISO 26262功能安全ASIL-B等级。　　SPSA068是一款面向单电源MCU应用设计的降压稳压器，该器件可提供MCU电源管理整体解决方案所需的全部功能，集成了1A降压稳压器、高精度(1%)电压基准、窗口可调节看门狗、故障诊断、复位输出功能，SPI接口可用于配置芯片和状态检查。　　SPSA068可通过非易失性存储器(NVM)自定义芯片参数。降压稳压器5V、3.3V或1.2V输出可配，其他输出电压值可通过外部电阻配置实现，负载电流支持0.5A和1A两档可选，开关频率0.4MHz或2.4MHz可设。基准电压5.0V、3.3V或1.2V可配，基准电压输出可用于20mA负载电流回路。SPSA068集成的保护功能包括过/欠压、过流、短路和热关断保护等。并可配套MCU的低功耗需求，在低负载条件下可以切换到低功耗模式，静态电流仅为50µA。　　SPSA068可直接连接电池，设计紧凑，功能全面，可有效减少PCB占用空间，缩短设计周期。集成的NVM存储器和低功耗模式可降低系统对环境条件的敏感度，节省成本，提高信号精度和安全性。　　SPSA068内置数字和模拟自检(BIST)功能、支持输入、输出和丢地监测，专用故障引脚可显著简化FuSa方面的设计考量。支持SPI接口配置、诊断和监测芯片，MCU看门狗和状态指示位可在发生故障时及时报错或发出警告。　　配套评估板STEVAL-SPSA068可以让设计人员能够在新项目中快速引入SPSA068。

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意法半导体

发布时间：2026-01-09 13:38 阅读量：298 继续阅读>>

数家厂商发布涨价通知，全球<span style='color:red'>半导体</span>行业正式进入新一轮涨价周期！

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数家厂商发布涨价通知，全球半导体行业正式进入新一轮涨价周期！

　　2025年底，全球半导体产业迎来一场覆盖全产业链的涨价浪潮。从上游核心原材料到下游终端产品，涨价信号持续释放，多家领军企业陆续发出调价通知，推动成本压力沿供应链逐级传递。　　这场涨价潮的核心推手，首先是全产业链成本的持续攀升 ——12 英寸硅片年内涨幅近 90%，六氟化钨等关键电子材料报价上调 70%-90%，银、铜等金属原材料价格年内累计上涨超 50%，叠加晶圆代工环节先进制程与成熟制程同步提价，直接推高了芯片制造成本。　　另一方面，人工智能算力需求的急剧增长引发了显著的供需结构变化。单个AI服务器所需的存储芯片数量达到普通服务器的8倍以上，导致高端制造资源被集中占用。而主要供应商同步收缩传统芯片产能布局，形成“需求扩张”与“供给收紧”并行的市场格局，进一步推高了价格走势。　　在此背景下，晶圆代工、功率器件、存储芯片、模拟芯片、被动元件等多个细分领域厂商纷纷跟进提价，其中包含TI，ADI、国巨、风华高科、泰科电子、ROHM、美光......等等，涨价幅度普遍在5%-30%之间，部分稀缺品类涨幅更是突破100%，行业正式进入成本驱动型涨价周期。　　以下为部分涨价函信息：　　ADI　　ROHM半导体　　美光　　风华高科

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发布时间：2025-12-31 15:59 阅读量：329 继续阅读>>

帝奥微荣膺年度<span style='color:red'>半导体</span>上市公司领航奖(信号链芯片)!

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帝奥微荣膺年度半导体上市公司领航奖(信号链芯片)!

　　近日，由中国半导体投资联盟主办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”于上海隆重举行。　　通过公开征集、自愿申报、专家评选等重重程序，凭借优秀的市场价值、完备的技术布局与战略前瞻性，帝奥微荣膺“年度半导体上市公司领航奖(信号链芯片)”!　　“年度半导体上市公司领航奖”于今年首次设立，该奖项旨在表彰在半导体产业链中具备综合领导力与行业号召力的上市公司。获奖企业需在细分领域占据头部地位，通过技术壁垒、规模化效益及生态影响力推动产业升级，代表中国半导体产业的标杆力量。　　帝奥微于2010年成立，以信号链模拟芯片为起点，产品布局逐步拓展至信号链模拟芯片及电源管理模拟芯片等多个细分领域。在信号链芯片方向，公司进行前瞻性布局：保持消费电子基本面，持续完善汽车品类，加速推进AI领域布局，并积极探索光通讯等新兴赛道。目前，产品已覆盖汽车电子、消费电子、机器人、通信与计算等多个前沿领域，客户群以及行业深度、宽度不断扩大，特色产品加速实现客户导入，多市场、多领域的深度融合持续推进。　　2022年，帝奥微(688381)成功登陆上海证券交易所科创板。作为一家上市公司，帝奥微始终坚持合规经营，积极整合产业链上下游资源，致力于与合作伙伴共同打造高效、负责任的供应链体系，实现产业链资源的协同发展。同时，公司持续深化 ESG 实践，加大绿色技术与可持续发展投入，努力为社会创造长期价值。　　荣膺“年度半导体上市公司领航奖”，不仅是对帝奥微在信号链芯片领域综合实力与行业影响力的高度认可，也进一步彰显了公司在推动中国半导体产业高质量发展中的责任与担当。　　面向未来，帝奥微将以此次获奖为新的起点，持续加大在核心技术与产品创新方面的投入，深化信号链及电源管理模拟芯片的战略布局，不断拓展应用边界与产业生态协同能力，提升核心竞争力与可持续发展水平，携手产业链伙伴，共同推动半导体行业向更高质量、更高价值方向迈进!

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帝奥微

发布时间：2025-12-26 14:06 阅读量：345 继续阅读>>

威兆<span style='color:red'>半导体</span>锂电保护应用功率器件解决方案

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威兆半导体锂电保护应用功率器件解决方案

　　引言　　随着锂电技术的持续进步，新型应用场景的涌现，中国锂电行业呈现出规模扩张、结构优化的发展态势。数据显示，2024年中国锂离子电池出货量达到1214.6GWh，同比增长36.9%，在全球总出货量的占比达到78.6%，且份额仍在持续扩大。展望未来，伴随着固态电池技术走向成熟，AIDC/储能等应用需求的增加，全球锂电市场前景仍十分广阔。　　安全是锂电行业发展的生命线，BMS/锂电保护板作为锂电系统的“保护神”，是系统安全可靠运行不可或缺的关键环节，近年来亦展现出高速发展的趋势。　　锂电保护板典型结构　　BMS/锂电保护板主要功能包括电池状态监测，包括电压、电流、温度等;电池状态计算，SOC、SOH监测及分析;电池安全保护，过流、过温、过充过放与短路保护等;电池能量管理，充放电及均衡控制等;还有电池信息管理，即信息交互及储存。　　锂电保护板的常见结构如下所示：图1 储能保护板典型结构　　正常工作时，充放电保护MOSFET处于常通状态，MOSFET的低Rds(on)特性有利于降低系统损耗，提升系统效率。发生异常工况时，可根据控制指令快速关断，对用户和用电设备实现有效保护。　　锂电保护板工作原理及失效模式分析　　短路是锂电系统面临的极端危险场景，提升短路保护的可靠性是系统维持安全运行的关键环节。负载短路时，回路电流会迅速升至最大值，该值的大小取决于电池电压和回路阻抗。从短路保护波形可以看到，整个过程分为两个阶段：短路保护延时时间，是系统对异常工况的检测与反应时间;短路保护动作时间，则是关闭保护MOSFET的时间。CH2:Vgs CH3:Vds CH4:Ishort图2 锂电保护板短路保护模式　　短路保护失效模式　　锂电保护板的短路失效模式主要有过电压失效和过热失效两种。热失效源于MOSFET关断时长时间处于线性模式，高电压大电流交叠会产生很大的能量损耗，关断速度过慢导致损耗过高，使晶圆温度超过其能承受的最大结温，器件被烧毁，将可能引发系统失控的严重后果。过电压失效则是由于MOSFET关断瞬间，板卡的寄生电感与高di/dt，产生高电压尖峰，叠加在MOSFET两端，严重时可导致MOSFET雪崩失效，进而导致系统失控。　　实际应用中，通过合理调整MOSFET的动作时间、增加电压钳位等保护措施，在过电压失效和过热失效这两种模式间找到平衡，以提升极端工况下的系统可靠性。　　功率器件失效机理分析　　深入探究锂电保护应用中的MOSFET失效机理，有助于精准把握功率器件在不同工况下的性能表现，从而优化设计，提高锂电保护的可靠性和稳定性。　　1. 短路失效机理　　热失效模式，短路保护关断过程中，MOSFET的关断动作时间过长，热量累计导致MOSFET晶圆的Tj超过其最大值Tj_max，晶圆被烧毁，出现不可逆的损坏。过压失效模式，则是因为短路保护关断过程中，MOSFET进入雪崩状态，高dv/dt可能导致寄生晶体管导通，出现闩锁失效现象，从而导致器件被击穿。　　2. 不同失效模式下的晶圆形态　　对不同失效模式的晶圆进行开盖分析，热失效模式下失效点会呈现高温状态的碳化等现象;而过压失效模式，MOSFET会进入雪崩状态，其瞬间的大能量则会导致晶圆损伤点较大，晶圆伴有开裂现象。回路的电感值越小，短路峰值电流越大，关断瞬间产生的能量越大，破坏区域亦更大。　　3. 热不稳定性曲线　　以VSP9R5N15HS-G型号为例，对MOS管SOA和ZTC点进行说明。零温度系数点ZTC作为一个关键指标，当Vgs高于ZTC点时，温度上升电流减小，Rds(on)呈正温度系数;Vgs低于ZTC点时，温度上升电流增大，呈负温度系数，此时容易形成热点导致器件损坏。　　锂电保护应用中，MOSFET关断时，在跨越线性区过程中，较易形成局部过热从而导致器件失效。通过对器件本身的优化设计，有利于提升功率MOSFET在此工况下的应用表现。　　4.驱动电阻的影响　　实际应用中，驱动电阻的阻值可有效影响器件的开关速度，改变MOS管的关断时间，在过压失效和过热失效之间找到折中点。实验中将驱动电阻的阻值从510Ω调整到300Ω，观察到短路保护动作时间和关断过程中产生的损耗均有了显著减小的趋势。　　这一改变具有重要意义，短路关断时间的优化能直接改善MOSFET短路保护的可靠性。所以，在设计和使用MOS管时，合理调整驱动电阻至关重要。　　威兆锂电保护应用系统解决方案　　威兆低压MOSFET具备优异性能和高可靠性，配备强有力的支持团队，可为客户提供有效的技术支持和全生命周期的服务能力。功率器件已安全可靠应用于多个行业，涵盖ESS、E-Bike、低速汽车、电动叉车、电动工具、AGV等不同场景，满足不同的用户需求。　　产品组合广泛，具备20V至200V多种电压规格，产品具备导通电阻Rds(on) 低、Vth一致性高、抗雪崩能力强等特点。能适配多样化的市场应用。典型型号如VS1891GKH、VSM006N15HS-G等，已得到市场的广泛使用，并得到优异反馈。　　表1 威兆BMS/锂电保护功率器件解决方案

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威兆半导体

发布时间：2025-12-25 16:57 阅读量：211 继续阅读>>

美宣布对华<span style='color:red'>半导体</span>加征关税，设18个月缓冲期至2027年执行！

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美宣布对华半导体加征关税，设18个月缓冲期至2027年执行！

　　12月24日，据外媒报道，当地时间12月23日，美国贸易代表办公室(USTR)宣布，将自2027年6月起对中国半导体产品加征关税，具体税率将在实施前至少30天公布。　　尽管美方措辞严厉，指责中国“不合理地寻求半导体主导地位”，但其选择将实际征税时间推迟。根据美国贸易代表办公室提交的文件，从中国进口半导体的初始关税税率将在18个月内为零。　　此次USTR援引的是1974年《贸易法》第301条款——这一被广泛批评为“单边主义武器”的法律工具，曾多次被美国用于对华贸易摩擦。　　该调查聚焦的是“成熟制程”芯片，而非先进制程(如7纳米以下)。事实上，28纳米及以上芯片广泛应用于汽车电子、工业控制、医疗设备、电网系统等关键基础设施。据USTR估计，未来三到五年，中国将占全球新增成熟制程产能的近50%。这意味着，即便美国在高端领域保持领先，仍可能在“量大面广”的基础芯片上形成对华依赖。　　美方担忧的并非技术落后，而是“依赖即风险”。这种“泛安全化”思维，正是当前美国对华科技政策的核心逻辑—将一切经济联系视为潜在安全威胁。USTR认为，中国通过大规模国家补贴、市场准入限制、强制技术转让等“非市场行为”，扭曲全球半导体竞争格局，并可能在未来“将供应链依赖武器化”，威胁美国在汽车、医疗、国防、电网等关键领域的安全。　　然而，这种指控本身充满矛盾。一方面，美国通过《芯片与科学法案》向本国半导体企业提供了高达520亿美元的直接补贴，并配套数百亿美元税收优惠;另一方面，却指责中国支持本土产业发展是“不公平”。　　尽管调查结论强硬，但USTR明确表示，初始关税为0%，且至少在2027年6月23日前不会加征。此举呼应了2025年10月中美领导人会晤达成的“贸易休战”共识。双方同意暂停部分技术出口管制与关税升级，为紧张关系降温。若此时立即加税，无异于撕毁默契，可能引发中方反制，破坏来之不易的对话窗口。　　此外，给予企业18个月以上的缓冲期，也有助于稳定全球供应链预期。当前，大量跨国企业正调整在华芯片采购与制造布局。明确的时间节点可减少不确定性，避免因政策突变导致产能错配或投资恐慌。　　值得一提的是，2025年初以来，中美贸易战屡次掀起波澜，给全球股市带来剧烈震荡，同时也让美国经济前景承受着不小的压力。除了双方曾将彼此商品关税提高至最高145%之外，中国还一度切断了关键稀土矿物的出口，这些资源被广泛用于汽车、战斗机等关键产品。　　因此，市场普遍认为，推迟至少18个月征收新关税的决定表明，特朗普政府正在寻求缓和中美之间的任何贸易敌对情绪。　　美联邦公报文件截图：　　参考译文：　　计费代码 3390-F4　　美国贸易代表办公室　　行动通知：中国针对半导体产业实施主导地位的相关行为、政策及做法　　机构：美国贸易代表办公室　　行动：行动通知　　摘要：美国贸易代表(USTR)认定，根据《1974年贸易法》第301条，中国的行为、政策和做法构成可采取行动的对象，且适当的应对措施包括：即刻对自中国进口的半导体产品实施关税措施，初始关税税率为0%，并将于2027年6月23日起分阶段提高　　18个月后(即2027年6月23日)上调至另行公告的税率，该公告须在该日期前至少30天发布，具体如下所述。　　日期：2025年12月23日：本措施生效日。　　咨询方式：请联系301条款委员会主席菲利普·巴特勒或美国贸易代表办公室监测与执法事务副助理代表纳撒尼尔·哈尔沃森，电话：(202) 395-5725。

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关税

发布时间：2025-12-24 15:44 阅读量：391 继续阅读>>

突破功率密度极限：龙腾<span style='color:red'>半导体</span>发布150V G3平台SGT新品

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突破功率密度极限：龙腾半导体发布150V G3平台SGT新品

　　随着新能源汽车电驱系统与电池管理(BMS)对高效率、高可靠性功率器件需求的不断攀升，功率半导体技术正面临新一轮革新。为应对市场对更低损耗、更高功率密度解决方案的迫切需求，龙腾半导体正式推出新一代 150V G3平台屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET产品— LSGT15R032。该产品凭借3.25mΩ的超低导通电阻与279A的强大电流能力，成为高端BMS、电驱及DC-DC转换应用领域的性能新标杆。　　产品核心参数　　产品核心特点　　极致低阻设计，能效全面跃升　　采用先进的G3代屏蔽栅沟槽技术，在150V电压等级下实现了3.25mΩ的业界领先导通电阻，较上一代G2平台产品(4.0mΩ)显著降低。这意味着在相同电流下的导通损耗大幅减少，直接提升系统整体效率，并降低温升。　　超强电流承载，功率输出澎湃　　在25°C壳温下，连续漏极电流高达279A，脉冲电流能力更达到1116A。强大的电流处理能力使其能够从容应对电驱启动、BMS主回路开关等场景中的瞬时大电流冲击，系统可靠性与鲁棒性倍增。　　卓越坚固性能，稳定可靠运行　　产品保证100%雪崩能量(EAS)测试，额定雪崩能量高达1600mJ，具备优异的抗反向恢复和短路能力。TOLL封装提供了极低的0.26°C/W结到壳热阻，确保芯片热量能够快速导出，满足高可靠性应用要求。　　精准聚焦应用，性能量身定制　　此产品专为对静态损耗和通态能力要求严苛的BMS(电池管理系统)与电机驱动领域优化。相较于前一代(G2)产品，在静态性能上优势明显。注：数据来源于龙腾实验室实测　　产品典型应用　　BMS　　电机驱动　　DC-DC转换器　　同步整流SR　　不间断电源UPS

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龙腾半导体

发布时间：2025-12-22 11:46 阅读量：357 继续阅读>>

士兰微电子荣获“国产<span style='color:red'>半导体</span>领军品牌”

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士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”

　　12月10日，以“智能破界，万物共生”为主题的2025物联网产业大会暨第22届慧聪品牌盛会在深圳隆重举行。士兰微电子凭借在半导体领域的技术实力与市场影响力，成功荣获 “国产半导体领军品牌” 。　　本次大会聚焦物联网技术与产业融合，汇聚行业专家、企业代表与生态伙伴，共同探讨智能化时代的创新路径与发展机遇。士兰微电子在评选中脱颖而出，体现了行业与市场对公司技术积累、产品竞争力及品牌价值的高度认可。作为国内集成电路设计与制造一体(IDM)的龙头企业，士兰微电子长期致力于集成电路、功率器件、化合物半导体等领域的研发与制造，产品广泛应用于物联网、安防、汽车、新能源、工业控制、算力服务器、消费电子等多个关键领域。公司持续推动技术创新与产业协同，为下游客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，助力万物互联的智能化转型。　　此次获奖，不仅是一份荣誉，更是一份责任。未来，士兰微电子将继续坚持自主创新，深化产业布局，携手合作伙伴共同推动国产半导体产业的蓬勃发展，为构建智能、融合、共生的物联网生态贡献更多力量。

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士兰微

发布时间：2025-12-19 11:07 阅读量：431 继续阅读>>

捷捷微电荣膺2025物联网产业大会“国产<span style='color:red'>半导体</span>领军品牌奖”

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捷捷微电荣膺2025物联网产业大会“国产半导体领军品牌奖”

　　12月10日，以“智能破界，万物共生”为主题的2025年物联网产业大会暨第22届慧聪品牌盛会在行业瞩目下圆满落幕。本次盛会汇聚了物联网与半导体领域的众多领先企业，共同探讨行业前沿趋势与发展机遇。在本次大会上，捷捷微电凭借其在半导体设计、技术创新与产业赋能方面的突出贡献，荣膺大会颁发的“国产半导体领军品牌奖”，彰显了其在国产半导体领域的核心竞争力和品牌影响力。　　作为国内半导体行业的重要参与者与推动者，捷捷微电长期致力于高性能、高可靠性功率器件的研发与产业化，产品广泛应用于物联网、汽车电子、工业控制等关键领域。此次获奖，不仅是对捷捷微电技术实力与市场表现的肯定，也是对其持续推动国产半导体自化进程、赋能千行百业数字化升级所取得成果的高度认可。　　本次获奖，进一步巩固了捷捷微电在国产半导体领域的品牌地位与行业声誉。未来，公司将继续聚焦核心技术突破，深化与物联网、人工智能等产业的融合创新，携手生态伙伴共同推进半导体国产化进程，以“芯”动力助力万物互联的智能新时代。

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捷捷微电

发布时间：2025-12-12 16:24 阅读量：451 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies

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