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龙腾<span style='color:red'>半导体</span>通过SA8000认证，以社会责任筑牢企业可持续发展根基

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龙腾半导体通过SA8000认证，以社会责任筑牢企业可持续发展根基

　　近日，龙腾半导体顺利通过国际权威认证机构SGS的全面严苛审核，正式获得SA8000社会责任管理体系认证证书。这一成果标志着公司在社会责任管理与员工权益保障领域的专业能力已达到国际认可标准，为企业拓展国际市场奠定了坚实基础。图：SA 8000体系证书　　SA8000是全球公认的社会责任权威准则，通过明确管理要求与严苛审核机制，推动企业构建道德经营与人文关怀并重的运营体系。此次认证的顺利通过，既是对龙腾半导体长期坚持规范化管理、积极践行社会责任的高度肯定，也彰显了公司在环境、社会及治理(ESG)建设中的扎实成效，印证了企业对人本理念的坚守与实践。　　未来，龙腾半导体将以此次认证为新起点，持续深化社会责任实践，将人本理念全面融入生产运营各环节，不断完善员工权益保障机制，推动企业高质量发展与社会责任履行深度融合、良性共赢，为行业可持续发展注入持久动力。

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龙腾半导体

发布时间：2025-11-19 14:05 阅读量：287 继续阅读>>

破解高频高压高温难题，永铭电容器成为第三代<span style='color:red'>半导体</span>最佳拍档

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破解高频高压高温难题，永铭电容器成为第三代半导体最佳拍档

　　11月8日，第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会(CPEEC)与中国电源学会第二十八届学术年会(CPSSC)在深圳国际会展中心宝安馆盛大启幕!　　永铭电子携四大核心应用领域解决方案——新能源汽车电子、AI服务器、光伏储能、电机驱动(机器人/无人机/伺服电机)重磅亮相20号馆，现场人流如织，技术交流氛围热烈!　　演讲亮点深度解读：电容器如何成为第三代半导体的“关键引擎”　　在8日下午14:00的专题演讲中，永铭电子工程总监程永以《第三代半导体新方案中电容器的创新应用》为主题发表的专题演讲，核心聚焦于一个行业痛点：如何让电容器这一关键被动元件，跟上第三代半导体(GaN/SiC)高频、高压、高温的技术步伐，从而真正释放其性能潜力。演讲指出，“匹配”与“可靠性”是关键所在。永铭的创新并非简单替换，而是从材料、结构到应用级的协同设计，通过“高容量密度、低ESR、高可靠性、小体积”等核心技术优势，直面极端工况挑战，为先进功率器件提供坚实的“能量基石”与“稳压核心”。　　四大实战案例深度解析　　1、AI服务器电源方案 · 与纳微GaN协同设计　　挑战：高频开关(>100kHz)、极大纹波电流(>6A)、高温环境(>75℃)　　解决方案：采用IDC3系列低ESR电解电容，ESR≤95mΩ，105℃环境下寿命达12000小时　　成效：整机体积减小60%，效率提升1%~2%，温升降低10℃、　　2、英飞凌GaN MOS 480W轨道电源 · 取代日系Rubycon　　挑战：-40℃~105℃宽温运行、高频纹波电流冲击　　解决方案：电容低温容衰率<10%，可耐受纹波电流7.8A　　成效：通过-40℃低温启动及高低温循环测试，通过率100%，满足轨道行业10年以上使用寿命要求　　3、新能源车载DC-Link电容 · 适配安森美300kW电机控制器　　挑战：开关频率>20kHz，dV/dt > 50V/ns，环境温度>105℃　　解决方案：ESL<3.5nH，125℃寿命超过1万小时，单位体积容量提升30%　　成效：整机效率达98.5%以上，功率密度突破45kW/L，续航提升约5%　　4、兆易创新3.5kW充电桩方案 · 永铭电容深度配合　　挑战：PFC开关频率70kHz，LLC开关频率94kHz~300kHz，输入侧纹波电流高达17A以上，芯子温升严重影响寿命　　解决方案：采用多极耳并联结构降低ESR/ESL，结合GD32G553 MCU与GaNSafe/GeneSiC器件，实现137W/in³功率密度　　成效：系统峰值效率96.2%，PF值0.999，THD仅2.7%，满足电动汽车充电桩高可靠性及10~20年使用寿命需求　　展会现场，聚焦第三代半导体对电容器提出的高频、高压、高温严苛要求，永铭展台化身为专业务实的技术交流平台。工程师团队与各方客户围绕电容在高频下的稳定性、高温环境中的长效可靠性等核心议题，展开了热烈而深入的探讨。　　现场互动高效、对接精准，充分印证了市场对高性能国产电容不断增长的需求，以及对永铭产品实力与技术方案的高度认可　　专家团莅临，共鉴国产芯实力　　展会下午，永铭展台迎来重磅专家团到访交流。美国弗吉尼亚理工大学工程院院士、台达电子研发主任及上海海事大学、浙江大学、西安交通大学教授等一行，在参观过程中对永铭的技术成果给予了高度关注。　　专家们尤为看好永铭新一代锂离子超级电容(LIC)在英伟达AI服务器GB300 BBU备用电源中的创新应用。该方案直面GPU功率突变与高温寿命挑战，以内阻<1mΩ、10分钟快充、100万次循环的性能，实现体积与重量大幅缩减，并支持15–21kW峰值功率。　　同时展出的还有永铭专为高功率AI服务器电源自主研发的IDC3系列液态牛角电容，其典型规格 450V 1400μF、尺寸30×70mm，具备更高耐压、更高容量密度与更长寿命，为AI服务器电源的功率密度与可靠性提升提供了关键支持。　　此次多位顶尖专家的驻足与认可，是对永铭坚持自主创新、攻坚高端应用的最佳印证。

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发布时间：2025-11-10 11:34 阅读量：391 继续阅读>>

ROHM：AI将耗尽全球电力？解决AI数据中心电力难题的功率<span style='color:red'>半导体</span>

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ROHM：AI将耗尽全球电力？解决AI数据中心电力难题的功率半导体

　　AI的惊人发展为社会带来巨大变革，同时也凸显出一个严峻课题——支撑其运转的数据中心，电力消耗量正急剧攀升。　　为解决这一电力难题、助力日本引领AI时代，日本经济产业省正大力推进名为“瓦特·比特构想”的国家战略，旨在实现超节能型数据中心并在全国进行优化布局。　　通过“瓦特·比特协同官民座谈会”等平台，日本经济产业省正联合电力、通信、数据中心、半导体等各行业力量，全力推动这一构想的实现。　　目录　　1. AI是否将耗尽全球电力?　　2. 可再生能源在数据中心领域的应用　　3. 服务器机柜会持续增加吗?　　4. 当前的电源系统还能满足需求吗?　　5. 满足下一代AI数据中心要求的功率半导体是什么样的?　　6. 总结　　产品介绍、详细信息、其他链接等　　1. AI是否将耗尽全球电力?　　以ChatGPT为代表的生成式AI迅速普及，直接导致数据中心的电力消耗激增。复杂的AI模型在训练与推理过程中需要庞大的计算资源，而这些资源由24小时不间断运转的数据中心高性能服务器提供支撑。　　电力消耗的急剧增加不仅加重了地区环境的负荷，从稳定供电的角度来看也引发了担忧。展望AI的进一步发展，传统的电力供应体系正逐渐显现出局限性。　　在这种背景下，亟待解决的课题可归纳为三点：“节能化”“可再生能源的利用”“数据中心的区域分散布局”。要实现可持续社会，必须摆脱对化石燃料发电的依赖，将太阳能、风能等可再生能源发电视为电力供应的必要方式。　　2. 可再生能源在数据中心领域的应用　　如今，作为社会重要基础设施的数据中心正迎来重大转型期。　　此前，受低延迟通信需求驱动，“城市型数据中心”多集中建设于东京等大都市圈，为金融、医疗健康、边缘计算等对高速且低延迟的数据访问有要求的服务提供支撑。但随着AI普及带来的用电量增加，以及从大规模灾害时的业务连续性(BCP)角度考量，近年来数据中心向郊区分散的趋势加速。　　“郊外型数据中心”易于确保广阔土地，适合引入太阳能、风能等可再生能源。此外，在电网容量充裕的地区可期待稳定供电;在气候凉爽、水源丰富的地区，冷却效率也会提升，进而降低运营成本。因此，郊外型数据中心在云托管、备份、灾害恢复系统、大规模存储等领域的应用不断推进。　　3. 服务器机柜会持续增加吗?　　无论是难以确保场地的“城市型”数据中心，还是易于获取广阔土地的“郊外型”数据中心，其服务器安置空间都存在局限。　　因此，当前用于存放服务器的机柜，正朝着能高效容纳更多高性能服务器的“高密度AI服务器机柜”方向演进。　　相较于数据中心整体服务器机柜总数的大幅增长，未来更可能呈现“高密度化”趋势：通过增加单个机柜中搭载的CPU、GPU及其他功能板卡，在有限空间内大幅提升单机柜计算能力，从而释放最大性能。　　形象地说，即便外观相同的服务器机柜，其内部的容纳能力也可能提升数倍。　　这种高性能化、高密度化对电力供应机制提出了重大变革需求。传统的多级电力转换存在较大功率损耗，已难以实现高效供电。因此，未来将推进减少电力转换步骤、推进高压直流(HVDC)等技术革新，而SiC和GaN功率半导体的有效利用也将变得不可或缺。以ROHM为代表的各企业，正致力于相关技术研发，为这一电源系统的重大变革提供支持，助力数据中心实现整体节能与高性能化。　　4. 当前的电源系统还能满足需求吗?　　高性能AI服务器(尤其是GPU)的功耗急剧增加，正迫使现有数据中心的电源架构(供电设计)进行根本性重构。原因在于，当前的多级电力转换存在较大转换损耗，已难以实现高效供电。　　当前数据中心的供电流程为：高压交流电(AC)输入后，通过多台变压器和整流器逐步降压，最终转换为服务器所需的低压直流电(DC)。但是，这种多级转换会在每个步骤产生功率损耗，导致效率下降。　　为此，数据中心未来将以电力转换效率提升和可靠性提升为目标，推进以下变革：　　· 减少电力转换步骤　　目前已出现整合多个转换步骤的趋势，例如从高压交流电(AC)直接转换为直流电(DC)，或从高压直流电一次性降压至服务器所需电压。通过大幅减少电力转换步骤，可将转换损耗降至最低水平，提升系统整体效率并降低故障风险。　　· 支持高压输入/高压直流(HVDC)电源　　服务器机柜的输入电压正从传统的12VDC、48VDC等低电压向400VDC甚至800VDC(或±400VDC)等高电压过渡。提高电压可降低电力传输时的电流，从而实现母线轻量化。　　另外，不采用交流电，而是以高压直流电直接为服务器机柜供电的“HVDC”系统正逐步推广。HVDC可减少AC/DC转换器的数量，实现更灵活的电力调控与双向输电，并更容易适用可再生能源。　　· 固态变压器(SST，Solid State Transformer)的发展　　变压器设备有望从传统变压器向采用半导体技术的SST(Solid State Transformer)演进。与传统设备相比，SST被认为是一种能够显著推动小型化的技术方案。　　· SiC/GaN功率半导体需求增长　　要实现高效高压电源系统，就需要传统硅(Si)半导体难以企及的性能。因此，SiC和GaN功率半导体成为必然选择。它们在高压输入条件下仍能实现低损耗、高频运行和高温工作，非常有助于电源系统的小型化与效率提升。　　此外，不仅电源系统，服务器机柜内的各类设备也在向多功能化、高性能化发展，这将有助于进一步提升能效。　　ROHM也在加速面向下一代服务器的解决方案研发，除了利用“EcoSiC™系列”“EcoGaN™系列”“EcoMOS™系列”等技术的现有产品(如SiC/GaN/Si IGBT、隔离型栅极驱动器、冷却风扇驱动器、SSD用PMIC、HDD用复合电机驱动器)外，还计划开发大电流LV MOS、隔离型DC-DC、SoC/GPU用DC-DC、eFuse等产品。　　*EcoSiC™、EcoGaN™、EcoMOS™均为ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　为应对市场变革，ROHM在深度优化现有产品群性能的同时，正积极推进以SiC和GaN为核心的功率半导体创新产品研发，以灵活响应新的市场需求。通过这些举措，ROHM将为从数据中心末端的服务器机柜到整个系统，提供高耐压、高效率的元器件，为下一代电源系统提供支撑。　　5. 满足下一代 AI 数据中心要求的功率半导体是什么样的?　　·高压大电流场景适用SiC器件　　SiC器件在需要高电压大电流的领域具备显著优势。　　如前所述，随着服务器机柜输入电压向高压演进，传统54V机柜电源系统除面临物理空间限制外，还存在用铜量过高、功率转换损耗等问题。　　为此，在下一代数据中心电源系统中采用ROHM的SiC MOSFET，可使其在高电压、高功率条件下发挥出优异性能，通过降低开关损耗及导通损耗实现效率提升，并实现满足紧凑、高密度系统要求的高可靠性。　　这不仅能将能耗降到更低，还有助于削减用铜量，简化数据中心整体的功率转换过程。　　·高效化、小型化场景适用GaN器件　　SiC适用于高电压大电流场景，而GaN则在100V~650V范围内性能优势显著，可实现优异的介电击穿强度、低导通电阻和超高速开关特性。　　AI服务器比通用服务器处理的数据量更大，需运行高性能GPU、大容量存储器及高性能软件。因此耗电量更多，散热与冷却也更为重要。　　在电源模块中使用可实现高速开关(高频运行)的GaN HEMT，能够最大限度降低功率损耗。功率转换效率的大幅提升有望带来节能效果，从而降低运营成本并减轻环境负荷。　　此外，具有高电流密度的GaN器件与传统硅器件相比，体积可减小约30%~50%，便于为电源模块、充电器等设备预留空间，同时简化散热设计。　　而且，通过单元小型化，可利用节省出的空间，减轻冷却系统负担，进而有助于减小系统整体的体积并提高其可靠性。加之GaN器件耐久性高且适用于高频应用，因此被视为数据中心的理想选择。　　ROHM通过采用能进一步提升GaN器件开关性能的自有Nano Pulse Control™技术，成功将脉冲宽度缩短至最小2ns。作为EcoGaN™系列，除150V和650V的GaN HEMT、栅极驱动器外，还包括整合了上述器件的Power Stage IC等产品，为满足AI数据中心对小型、高效电源系统的需求，ROHM正在不断扩充相关产品阵容。　　*Nano Pulse Control™为ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　6. 总结　　AI的进化从未停止，随之而来的电力需求增长已成为不可回避的现实。　　据IEA(国际能源署)预测，未来五年全球数据中心的电力需求较当前增长一倍以上，达到约9,450亿kWh，其中半数将由太阳能、风能等可再生能源提供。这明确表明，在耗电量巨大的数据中心领域，光伏发电(PV)、储能系统(ESS)等可再生能源市场正在快速崛起。　　为应对这一课题，日本政府正以国家战略“瓦特·比特构想”为框架，通过官民协同机制推进多维度解决方案，包括提升电力系统效率、最大化利用可再生能源、优化数据中心布局等。　　ROHM以SiC、GaN器件等先进功率半导体技术为核心，拥有可实现高效电源系统及适配高压输入的丰富产品群。同时，为满足下一代AI数据中心的需求，正积极投入新产品研发。我们将通过这些技术，为以更环保、可持续的方式实现AI带来的美好未来贡献力量。　　关于个别产品的咨询，ROHM还设有可直接向ROHM提问的讨论页面，以及可查阅相关信息的FAQ页面。欢迎大家充分利用这些资源。　　*Engineer Social Hub™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　产品介绍、详细信息、其他链接等　　・关于ROHM的SiC功率器件　　GaN功率器件 | 分立半导体 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于ROHM的SiC MOSFET　　SiC MOSFET - 产品搜索结果 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于ROHM的GaN功率器件　　GaN功率器件|分立半导体| ROHM Co., Ltd.-ROHM Semiconductor　　关于ROHM的GaN HEMT Power Stage IC　　GaN HEMT Power Stage IC - 产品搜索结果 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于ROHM的IGBT　　IGBT | 分立半导体 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・与NVIDIA之间的合作　　罗姆为英伟达800VHVDC架构提供高性能电源解决方案 | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　・关于适用于AI服务器的MOSFET“RY7P250BM”　　ROHM开发出适用于AI服务器的功率MOSFET~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻~ | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor　　关于SiC模块“HSDIP20”　　ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化! | ROHM Co., Ltd. - ROHM Semiconductor

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发布时间：2025-11-05 14:18 阅读量：316 继续阅读>>

极海X大道<span style='color:red'>半导体</span>：联合打造ADB大灯解决方案开启智能照明新时代

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极海X大道半导体：联合打造ADB大灯解决方案开启智能照明新时代

　　在汽车智能化浪潮下，照明系统已从单纯的“照明工具”升级为保障行车安全的 “智能感知终端”。自适应远光灯(ADB)作为核心技术突破，有效解决了传统远光灯“眩光扰民”与“照明不足”之间的矛盾。近日，极海与大道半导体达成深度合作，融合双方在车规芯片与强光光源领域的技术积淀，推出基于G32A1445汽车通用MCU、GALT61120车灯LED驱动器与108像素阵列光源的高性能ADB大灯解决方案，为汽车照明产业注入全新动能。　　三重技术突破构筑性能基石　　合作方案通过“主控制器-驱动芯片-光源模组”的全链条国产化配置，实现了ADB技术的高性价比与高可靠性平衡，其核心组件在设计优化、能效控制和集成化方面具备显著的技术优势。　　极海G32A1445：车规级主控制器的“智慧大脑”　　作为方案的控制核心，极海G32A1445汽车通用MCU采用40nm先进工艺制程，搭载 Arm® Cortex®-M4F内核，工作主频达112MHz(全功能)，支持单精度FPU浮点运算，能快速处理复杂情况与光束控制算法。在存储能力上，该芯片内置 512KB Flash与64KB SRAM，并集成带ECC校验的64KB Data Flash，可安全存储车辆工况数据与控制逻辑，避免信息丢失风险。　　极海GALT61120：LED 矩阵的“精准指挥官”　　方案采用9颗极海专为汽车LED照明设计的GALT61120 车灯LED驱动器，每颗芯片精准管控12个LED像素单元，实现108像素的独立驱动与调光，能根据控制器指令实现从“全亮”到“关闭”的平滑过渡，避免光束切换时的视觉顿挫感。　　GALT61120支持LED短路和开路故障检测和保护功能，当某路LED出现异常时，主控制器可获取故障信息，并采取措施保障运行安全。其紧凑的封装设计与低功耗特性，更适配汽车大灯的小型化布局需求，助力整车实现轻量化设计。　　大道108像素ADB光源：强光科技的“发光核心”　　大道半导体的108像素ADB多像素阵列光源，依托其第四代免封装芯片技术(pfc4)实现性能突破。该技术融合倒装芯片与芯片级封装优势，省去传统封装环节，使光源结构更简单、热阻更低，在相同功率下光效提升15%以上。光源采用双面多层高精度陶瓷线路板，阵列尺寸仅为常规产品的60%，却能实现单像素200LM的高光通量输出，中心光强接近激光水平，投射距离可达200米以上。108个独立可控像素采用高密度排布，像素间距小于0.1mm，配合光学透镜可形成精细化光束分布。　　方案实现“感知 - 决策 - 控制”的智能闭环　　极海与大道的ADB大灯解决方案通过三大模块的协同运作，构建起快速响应的智能照明系统，其工作流程可分为环境感知、智能决策与光源控制三个核心阶段。　　环境感知：全场景目标识别的“视觉触角”　　方案搭配车载摄像头或毫米波雷达作为感知终端，识别对向车辆、行人及道路输出目标位置、速度、距离等信息，感知数据通过CAN FD总线传输至G32A1445汽车通用MCU，并通过其内置的加密服务引擎(CSEc)可对数据进行加密校验，防止传输过程中的信息篡改，保障感知结果的可靠性。　　智能决策：光束分区的“运算中枢”　　G32A1445接收到感知数据后，结合预设的 ADB 策略计算出各LED分区的目标状态(全开/半开/关闭)。当对面无车时，所有分区LED全亮(远光灯模式);当对面有车时，关闭对应的LED分区(形成“暗区”)，其余分区保持亮灯，避免眩光。通过目标类型识别(区分车辆、行人、静态障碍物)确定防护等级 —— 对向车辆需关闭LED相应区域避免眩光。随后结合车辆自身速度(车速>25km/h激活ADB功能，<15km/h自动退出)与环境亮度(路灯开启时降低远光强度)进行动态调整，形成最优光束控制策略。　　针对108像素的管控需求，控制器采用“分区编码”技术，将光源划分为9个12像素单元组，对应9颗GALT61120车灯LED驱动器，G32A1445通过UART/CAN收发器发送控制指令给GALT61120，实现ADB灯智能控制。　　光源控制：精准调光的 “执行终端”　　GALT61120车灯LED驱动器接收到控制器指令后，通过PWM调节，实现对于LED开关和亮度的精准控制，调光频率远高于人眼感知范围，不会出现灯光闪烁现象。当系统检测到前方车辆时，对应区域的像素迅速关闭或调暗，精准规避眩光区域;并保持其他区域的高亮度照明，实现 “见车避车、见人避人” 的智能调光效果。　　以对向车辆场景为例：当控制器识别到车辆位置在光束左上方30°区域时，立即向对应车灯驱动器发送“关闭第1-3行、第1-4列像素”的指令，芯片切断该区域供电，同时保持其他区域80%的光强输出，既规避眩光又保障照明范围。　　系统还具备自我诊断功能：G32A1445通过ADC接口实时采集车灯驱动器的电压与温度数据，当检测到某路驱动电流异常时，立即启动冗余控制策略，通过相邻像素增强亮度弥补照明缺口，并通过仪表向驾驶员发送故障提示。　　重塑汽车照明体验　　相较于传统ADB方案，极海与大道的ADB大灯联合解决方案在性能、可靠性、适配性三个维度实现全面升级，为车企提供兼具技术领先性与商业可行性的选择。　　在照明性能上，108像素的高密度阵列使光束分区精度是传统32像素方案的4倍，可实现更细腻的眩光规避效果。这样在夜间会车时，对向车辆驾驶员的眩光感知强度降低92%，同时道路边缘的照明亮度提升40%，使驾驶员能提前发现路边障碍物。　　可靠性方面，全组件通过AEC-Q100车规可靠性认证：G32A1445的Flash与SRAM带ECC校验，可自动修复单比特错误;大道光源的陶瓷基板导热系数达200W/(m・K)，能将芯片温度控制在85℃以下，光衰率在5000小时内低于3%。　　适配性上，方案支持模块化配置：车企可根据车型定位调整像素数量(从36像素到108像素)与驱动芯片数量，适配不同车型，可将车企的方案集成周期缩短 40%。　　极海与大道的强强联合，是车规芯片与强光光源领域“技术互补、优势协同”的典范。此次推出的ADB大灯解决方案，不仅通过全链条国产化配置打破了国外技术垄断，更以108像素的精细化控制、快速响应与高性价比的市场定位，为汽车照明智能化升级提供了全新路径。　　随着智能辅助驾驶技术的不断发展，ADB大灯正成为L2+级以上车型的标配配置。极海与大道将持续深化合作，在像素密度提升、算法融合、车路协同适配等方向持续创新，为消费者带来更安全、更智能的夜间驾驶体验，持续推动全球汽车产业智能化的繁荣发展。

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发布时间：2025-10-31 13:54 阅读量：401 继续阅读>>

帝奥微拟购买荣湃<span style='color:red'>半导体</span>100%股权！

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帝奥微拟购买荣湃半导体100%股权！

　　10月20日，江苏帝奥微电子股份有限公司(简称“帝奥微”)发布公告称，公司拟通过发行股份及支付现金的方式购买董志伟等16名荣湃半导体(上海)有限公司股东所持荣湃半导体100%股权，同时拟向不超过35名符合条件的特定投资者非公开发行股票募集配套资金。　　本次交易完成后，公司将直接持有荣湃半导体100%股权。公司股票将于2025年10月21日开市起复牌。　　公告显示，本次募集配套资金拟用于支付本次交易的现金对价、相关税费、中介机构费用、标的公司项目建设以及补充上市公司和标的公司流动资金、偿还债务等，具体用途及金额将在重组报告书中予以披露。　　据了解，帝奥微是一家在集成电路设计领域深耕的知名企业，专注于高性能模拟芯片的研发、设计与销售。其产品线丰富，涵盖信号链模拟芯片与电源管理模拟芯片，广泛应用于汽车电子、机器人、消费电子、通讯与计算、工控及医疗等多个行业。公开资料显示，帝奥微的产品型号多达2000余款，2024年的销量已突破10亿颗，市场占有率持续攀升。　　荣湃半导体专注于高性能、高品质模拟芯片的设计、研发与销售，产品包括数字隔离器、隔离接口、隔离驱动、隔离采样、光MOS等系列产品，应用于汽车电子、工业控制、新能源、智能电表、智能家电等众多领域，凭借独创的电容智能分压技术(iDivider技术)，获得多项隔离领域发明专利，实现了国产隔离芯片的突破。　　帝奥微表示，公司和荣湃半导体同属于模拟芯片设计行业。公司可通过本次交易迅速布局隔离器产品品类，并通过快速应用、吸收、转化标的公司成熟的专利技术和研发资源，升级公司产品矩阵，快速扩大公司的产品品类，进一步扩大竞争优势，为更多下游客户提供更为完整的解决方案。　　同时，荣湃半导体在汽车电子、工业控制等众多领域积累的丰富的客户资源，对公司的客户结构是有益的补充，公司可以充分共享上述客户资源，为更多应用领域客户提供各类高性能模拟芯片产品，提高客户覆盖广度和深度，显著提升市场综合竞争力。　　本次交易完成后，荣湃半导体将成为上市公司的全资子公司，上市公司在资产规模、营业收入、净利润等各方面预计将有所提升，有助于增强上市公司的可持续发展能力和盈利能力，给投资者带来持续稳定的回报。

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发布时间：2025-10-23 13:35 阅读量：406 继续阅读>>

瑞萨电子采用下一代功率<span style='color:red'>半导体</span>为800 伏直流AI数据中心架构赋能

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瑞萨电子采用下一代功率半导体为800 伏直流AI数据中心架构赋能

　　2025年10月13日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基础设施发展。　　随着GPU驱动的AI工作负载日益密集，数据中心功耗攀升至数百兆瓦级别，现代数据中心亟需兼具能效优化与可扩展性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体，凭借其更快的开关速度、更低的能量损耗，及卓越的热管理性能，正迅速成为关键解决方案。此外，GaN功率器件将推动机架内800V直流母线的发展，在通过DC/DC降压转换器支持48V组件复用的同时，显著降低配电损耗，并减少对大尺寸母线排的需求。　　瑞萨基于GaN的电源解决方案特别适用于此类应用场景，支持高效且密集的DC/DC电源转换，工作电压范围覆盖48V至400V，并可通过选配叠加至800V。这些转换器基于LLC直流变压器(LLC DCX)拓扑结构，可实现高达98%的转换效率。在AC/DC前端，瑞萨采用双向GaN开关，以简化整流器设计并提升功率密度。同时，瑞萨的REXFET MOSFET、驱动器及控制器则为新型DC/DC转换器的物料清单(BOM)提供了有力补充。　　Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“AI正以前所未有的速度改变各行各业，电源基础设施必须同步快速演进，以满足激增的电力需求。依托我们全系列GaN FET、MOSFET、控制器及驱动器产品组合，瑞萨致力于以面向规模化应用的高密度能源解决方案，为AI的未来赋能。这些创新不仅带来卓越性能与能效，也具备支撑未来增长所需的可扩展性。”　　瑞萨电子已发布一份白皮书，深入探讨其在AI基础设施中支持800V配电的设备拓扑结构。　　瑞萨电源管理技术优势　　作为全球卓越的电源管理产品供应商，瑞萨电子近年来的平均年出货量超15亿颗，其中大量产品服务于计算行业，其余则广泛应用于工业、物联网、数据中心以及通信基础设施等领域。瑞萨拥有业界广泛的电源管理器件产品组合，在产品质量、效率及电池寿命方面表现卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨拥有数十年的电源管理IC设计经验，并以双源生产模式、业界先进的工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。

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发布时间：2025-10-17 15:31 阅读量：524 继续阅读>>

事关稀土出口管制、安世<span style='color:red'>半导体</span>，商务部回应！

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事关稀土出口管制、安世半导体，商务部回应！

　　昨日下午，商务部举行新闻发布会，商务部新闻发言人何咏前对稀土出口管制、美国对华造船等行业301调查等议题进行了回应。　　何咏前表示，中方对美方一系列对华打压措施强烈不满、坚决反对，希望美方珍惜经贸会谈成果，立即纠正错误做法。中方愿与美方在相互尊重基础上，通过平等对话的方式妥善解决各自关切。　　有记者提问，中国半导体行业协会发表声明，反对荷兰地方当局干预闻泰科技子公司安世半导体(Nexperia)的运营。请问商务部对此有何评论?是否会考虑采取措施?　　何咏前表示，中方关注到有关情况。中方坚决反对荷方泛化“国家安全”概念，以行政手段直接插手企业内部事务。荷此举不仅违反契约精神与市场原则，还将严重损害荷营商环境，害人害己。　　中方同时注意到，荷兰相关法院10月14日公开文件显示，荷美双方曾就“穿透规则”进行过沟通协调，美向荷提出更换安世半导体中方首席执行官及“调整治理结构”等要求，以免受“穿透规则”的制裁。　　中方已就美“穿透规则”明确表达立场，我想再次强调的是，美此举严重冲击国际经贸秩序，严重破坏全球产业链供应链的安全稳定。荷方此举则是美“穿透规则”损害中国企业正当权益的明显例证。美方的“穿透规则”是加害中企的始作俑者。　　希望荷方坚持独立自主，能够从维护中荷经贸关系、维护全球半导体供应链稳定出发，尊重客观事实，坚持契约精神和市场原则，纠正错误做法，切实保护中国投资者正当权益，营造公平、透明、可预期的营商环境。中方将采取必要措施，坚决维护中国企业合法权益。　　有记者提问，美国贸易代表贾米森·格里尔(Jamieson Greer)表示是否避免美国对中国产品实施100%的新关税取决于中国，他还称自己相信仍有机会解决关于关键矿产限制的争议。对此，中国有何评论?其他国家是否已就新的稀土出口管制措施寻求澄清?　　何咏前表示，我想强调的是，中美马德里经贸会谈后，不顾中方反复劝阻，短短20余天，美方密集出台20项对华打压措施，严重损害中方利益，破坏双方经贸会谈氛围。特别是9月底，美方出台了出口管制实体清单穿透性规则，事实上将数千家中国企业延伸列入“实体清单”;同时，不顾中方磋商诚意，执意于10月14日落地对华造船“301”调查港口费措施，对中方利益造成严重损害，消极影响极为恶劣。　　中方对美方一系列做法强烈不满，坚决反对。希望美方珍惜经贸会谈成果，立即纠正错误做法，中方愿与美方在相互尊重基础上，通过平等对话的方式妥善解决各自关切。　　中方在措施出台前，已通过双边出口管制对话机制向包括美国在内的各有关国家和地区进行了通报，澄清政策目标，减少误解误判，部分国家和地区表示理解，愿意并正在与中方积极开展沟通协作。

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商务部

发布时间：2025-10-17 14:59 阅读量：646 继续阅读>>

兆易创新与纳微<span style='color:red'>半导体</span>数字能源联合实验室揭牌，加速高效电源管理方案落地

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兆易创新与纳微半导体数字能源联合实验室揭牌，加速高效电源管理方案落地

　　10月13日，兆易创新(GigaDevice)与纳微半导体(纳斯达克股票代码：NVTS)共同设立的“数字能源联合实验室”在合肥正式揭牌。该实验室将GD32 MCU领域的深厚积累，与纳微半导体在高频、高速、高集成度氮化镓以及拥有沟槽辅助平面技术的GeneSiC碳化硅领域的产品优势相结合，面向AI数据中心、光伏逆变、储能、充电桩、电动汽车等新兴市场，提供智能、高效的数字能源解决方案。纳微半导体系统应用工程副总裁黄秀成(右)与兆易创新高级副总裁MCU事业部总经理李宝魁(左)合影　　夯实数字能源基石，注入强劲“芯”动力　　自筹备以来，数字能源联合实验室已取得一系列丰硕成果，先后推出4.5kW、12kW服务器电源，以及500W单级微型逆变器等解决方案。这些方案以先进拓扑，满足行业“高效率、高功率密度”等需求演进方向。方案的落地不仅展现了兆易创新与纳微半导体在数字能源领域的创新实力，也凸显了双方技术融合所带来的独特优势与市场竞争力。　　500W单级光伏微逆方案基于兆易创新GD32G553 MCU与纳微双向GaNFast™氮化镓功率芯片，采用单级一拖一架构，具备高效率、低损耗、高集成度和成本优化等优势。结合优化的混合调制策略与软开关技术，峰值效率超过97.5%，CEC效率超过97%，MPPT效率超过99.9%。单级架构直接实现直流到交流的转换，省去一级直流-直流变换环节，提升功率密度，并减少器件数量和损耗。通过磁集成设计与纳微双向氮化镓开关，可进一步缩小尺寸，降低BOM成本。　　基于兆易创新GD32G553 MCU，结合纳微GaNSafe™氮化镓功率芯片与第三代快速碳化硅MOSFETs产品的4.5kW和12kW AI服务器电源方案，专为AI和传统服务器以及超大规模数据中心设计。其中的12kW方案不仅符合开放计算项目(OCP)、开放机架v3(ORv3)及CRPS规范，更以极简元器件布局，超越80 PLUS红宝石“Ruby”标准，实现97.8%峰值效率。　　迈向全球能源转型　　推动绿色与智能技术融合　　在全球能源转型的大背景下，数字能源解决方案的需求正在迅速增长。AI、大数据、云计算等新兴技术不断推动能源行业的变革。特别是在绿色能源和智能电源管理领域，创新技术和系统集成已成为实现更高效、更环保、更可持续电力系统的关键。　　揭牌仪式上，纳微半导体系统应用工程副总裁黄秀成与兆易创新高级副总裁、MCU事业部总经理李宝魁共同为实验室揭牌，并就未来合作方向及实验室运营模式进行了深入探讨。双方一致表示，将以联合实验室为平台，深化技术协同，加速创新成果转化。　　纳微半导体系统应用工程副总裁黄秀成表示：“联合实验室的成立是纳微半导体与兆易创新战略合作深化的重要里程碑。我们将充分发挥氮化镓技术在高效电源管理中的优势，结合兆易创新在MCU领域的深厚积淀，共同开发面向未来的数字能源解决方案，为全球客户带来更高效、更环保的创新产品。”　　兆易创新高级副总裁、MCU事业部总经理李宝魁表示：“数字能源是兆易创新的核心应用方向之一。通过与纳微半导体的合作，我们将高性能GD32 MCU与领先的GaNFast™氮化镓技术深度融合，为客户提供更具竞争力的解决方案。这不仅是技术层面的协同创新，更是双方推动绿色能源、助力产业智能化转型的坚定承诺。”　　此次联合实验室的成立，不仅是对兆易创新与纳微半导体前期合作成果的肯定，更预示着双方在数字能源领域的广阔合作前景。未来，实验室将继续以技术创新为核心，加速高效电源管理方案在更多应用场景的落地，驱动数字能源产业的高质量发展。

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兆易创新

发布时间：2025-10-13 16:08 阅读量：530 继续阅读>>

<span style='color:red'>半导体</span>器件长期贮存的核心要求有哪些

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半导体器件长期贮存的核心要求有哪些

　　在生产、运输及使用过程中，半导体器件常常需要经过较长时间的贮存。因此，合理的长期贮存措施对于保持半导体器件的功能完整非常关键。　　一、防潮防湿　　半导体器件对湿度非常敏感，吸湿后可能导致元件内部材料的老化、焊接性能下降以及表面电性能的变差，甚至引起腐蚀、漏电等故障。　　湿度控制：贮存环境相对湿度应控制在40%以下，最佳保持在30%—50%。　　密封包装：使用防潮袋、干燥剂和真空包装袋，防止空气中水分浸入。　　干燥处理：对于已吸潮的器件，应根据厂家建议进行烘干处理，恢复器件性能。　　二、防尘防污染　　灰尘和污染物可能附着在半导体器件表面，造成导电路径短路或性能退化。　　清洁环境：储存场所应保持清洁，避免扬尘。　　密封保存：器件应密封保存，避免与杂质接触。　　避免化学污染：远离腐蚀性气体，如硫化氢、氯气等。　　三、防静电保护　　半导体器件中的敏感元件极易受到静电放电(ESD)损伤。　　静电防护包装：采用静电屏蔽袋或抗静电材料包装器件。　　操作规范：工作人员佩戴防静电手环、防静电鞋并在防静电工作台操作。　　环境控制：保持贮存区湿度适中避免静电积聚，避免摩擦产生静电。　　四、防机械损伤　　器件的物理结构较为脆弱，易受到挤压、冲击、振动等机械损伤。　　缓冲包装：采用泡沫、塑料托盘等包装材料，缓冲震动。　　合理堆放：避免重压及不当叠放，防止变形或破损。　　搬运轻柔：运输和搬运时注意轻拿轻放，防止跌落和碰撞。　　五、温度控制　　温度过高或过低均可能影响器件性能或引起材料老化。　　温度范围：贮存温度一般控制在5℃~35℃的范围内，避免高温导致器件提前老化。　　避免温度波动剧烈：防止温度急剧变化引起内部应力或结露现象。　　避光储存：避免阳光直射或强光照射引发温度升高及紫外线损伤。　　六、定期检查与记录　　长期保存的器件应定期检查外观、包装完整性和储存环境条件。　　外观检查：观察有无锈蚀、裂纹、变色等异常。　　环境监测：记录温湿度、静电防护措施的执行情况。　　库存管理：实行先进先出原则，避免器件超期存放。　　半导体器件长期贮存涉及多方面的保护措施，其中防潮防湿、防静电和温度控制尤为关键。只有在合理的环境条件和规范的操作管理下，才能确保半导体器件在长期存放后仍保持良好的性能和可靠性。

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半导体器件

发布时间：2025-10-09 15:52 阅读量：417 继续阅读>>

小华<span style='color:red'>半导体</span>荣登2025冷暖百强榜，明星产品撑起国产化底气！

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小华半导体荣登2025冷暖百强榜，明星产品撑起国产化底气！

　　近日，第9届中国“冷暖智造”大奖核心榜单——“2025年度冷暖百强榜”在上海发布。国内领先MCU厂商小华半导体凭核心MCU控制芯片国产化的突破与稳定供应能力，斩获“冷暖供应链百强企业”，成为榜单中少数以芯片技术入围的国产企业，彰显国产芯片在冷暖智造领域的硬实力。　　“冷暖百强榜”由产业在线打造，从品牌影响力、科技创新力、产品竞争力、市场表现力四大维度严苛筛选，获奖厂商覆盖全产业链。小华半导体此次获奖，不仅是其综合实力得到行业认可，更标志着国产芯片已经成为冷暖产业“智造升级”的核心力量，打破了进口品牌芯片的长期垄断局面。　　破壁而出：HC32F460成国产化先锋　　小华半导体的HC32F460系列MCU自面市起，立即成为空调室外双变频芯片的国产化“破局者”。HC32F460功能丰富，性能强悍，满足客户多场景应用需求;抗干扰性能强，在室外高温、高湿、强电磁的严酷环境下依然保持长期稳定工作。凭借这些优异特性，该系列芯片已经在家电领域累计出货上亿颗，扭转了行业长期依赖进口品牌芯片的被动局面。　　精益求精：HC32F448实现集成度突破　　HC32F448系列MCU聚焦空调室外机变频场景，在变频技术优势上实现集成度再升级，以硬核性能适配复杂控制需求。这款芯片主频高达200MHz，数据处理能力强劲，可稳定应对多设备协同控制;内置电机驱动专用定时器，能输出三相互补 PWM 波形且带硬件死区，精准适配风机、压缩机调速;还搭载 3 单元 12 位 2.5Msps 高速采样 ADC、2 路 DAC 及 4 路比较器。凭借高电机运算性能、丰富功能集成与高精度模拟性能，芯片可轻松实现“压缩机+风机+高频PFC”三合一单芯片控制，助力客户简化设计、降本增效。目前，HC32F448 已在头部客户大规模出货，市场反响良好。　　全域覆盖：产品矩阵拓宽应用边界　　除空调室外变频MCU外，小华半导体进一步拓展场景，打造覆盖家电领域的主控与主变一体解决方案。其中，HC32L180系列实现空调室内机单芯片控制，集成主控与风机变频功能;HC32F115、HC32F155系列通用MCU，凭借丰富通讯接口与高性价比，成为空调内机、冰箱、洗衣机主控优选，拓宽冷暖及家电产业应用边界。　　新推出的HC32M413芯片更具突破，120MHz高主频搭配Cache、电机加速单元及增强模拟特性，为洗衣机主变一体、高端空调内机主变一体注入新活力。芯片集成3.6Msps高速ADC、高精度CMP与高性能OPA单元，还具备丰富的UART等通讯接口，是中高端单电机驱动芯片的最佳选择。　　小结　　此次登榜是行业对小华半导体MCU国产化成果的肯定。未来，小华半导体将迭代功能集成更丰富、处理性能更高、抗干扰性能更强、品质更高的MCU，让行业客户易用、好用、想用小华半导体MCU，为中国“冷暖智造”注入国产芯片强劲的动力。

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小华半导体

发布时间：2025-09-29 17:02 阅读量：510 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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