雷卯推出大功率BPSS蓝宝宝系列TVS

发布时间：2023-09-22 13:33
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：5284

　　BPSS蓝宝宝浪涌抑制器，一款超大功率的TVS二极管， 具有超强的浪涌吸收能力和抑制电压能力，通常并接在电路中，即解决雷击大浪涌问题，并对静电也起到超强的防护效果，因此是一颗超强能量BPSS。广泛应用于通信电源与基站、汽车电子、仪器仪表、工业控制、能源领域等。

雷卯推出大功率BPSS蓝宝宝系列TVS

　　1.上海雷卯蓝宝宝系列主要独特优势

　　(1)最大IPP可达到20KA;

　　(2)系列全，AK系列产品包括：1KA、2KA、3KA、6KA、10KA、16KA、20KA;

　　(3)响应速度快(微秒级)，保护设备免受损害;

　　(4)漏电流IR 小，减少发热;

　　(5)低斜率电阻;

　　(6)高效能耗，减少电能损耗，有助于降低能源成本;

　　(7)有3种封装尺寸供选择;

　　(8)支持极低电压;

　　(9)稳定可靠、寿命更长、体积更小.

　　2.应用领域

　　- 电子设备：保护计算机、通信设备、家电等电子设备免受电压干扰。

　　- 工业设备：应用于工厂自动化、机器人技术等领域，确保设备稳定运行。

　　- 医疗设备：保障医疗设备的可靠性，避免电力干扰对患者造成风险。

　　- 绿色能源：在太阳能、风能等可再生能源领域，保护电力设备的稳定工作。

　　3.上海雷卯蓝宝宝BPSS三种封装：

雷卯推出大功率BPSS蓝宝宝系列TVS

雷卯推出大功率BPSS蓝宝宝系列TVS

　　4.上海雷卯蓝宝宝全系列型号

　　有以下七种系列：1KA、2KA、3KA、6KA、10KA、16KA、20KA，可供您选择!如下表格只展示3KA的全型号，其它系列有需求可联系AMEYA360官方客服。

雷卯推出大功率BPSS蓝宝宝系列TVS

　　雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。

雷卯电子电磁兼容实验室，提供免费测试，提供外围静电保护参考电路，可以提供国产化证明文件。联系人胡工18016225001


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上海雷卯电子：常用防反接保护电路及功耗计算
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　　采用电池是最方便干净的电源，为电子电路提供电压。还有许多其他方法，为电子设备供电，如适配器，太阳能电池等，但最常见的直流电源是电池。通常，所有设备都带有防反接保护电路，但是如果您有任何电池供电的设备没有防反接保护，那么在更换电池时始终必须小心，否则它可能会炸毁设备。　　因此，在这种情况下，防反接保护电路将是电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响，例如使用二极管或二极管桥，或者将P沟道MOSFET用作HIGH侧的开关。　　使用二极管的极性反接保护　　使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法，但它存在漏电问题。当输入电源电压很高时，小的压降可能没关系，特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下，即使是少量的压降也是不可接受的。　　众所周知，通用二极管上的压降为0.7V，因此我们可以通过使用肖特基二极管来限制此压降，因为它的压降约为0.3V至0.4V，并且还可以承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意，因为许多肖特基二极管都具有高反向电流泄漏，因此请确保选择具有低反向电流(小于100uA)的二极管。　　雷卯电子有专门开发的超低Vf肖特基二极管和超低漏流的肖特基二极管，适合防反接使用。　　在4安培时，电路中肖特基二极管的功率损耗为：　　4x 0.4V= 1.6W　　在普通二极管中：　　4x 0.7 V=2.8W　　所以肖特基在电路中的节能效果明显，如果电路电流较大，也可以选用DO-277封装的肖特基二极管，比如雷卯电子SS10U60。　　整流桥堆防反接保护　　我们也可以使用全桥整流器进行防反接保护，因为它与极性无关。但是桥式整流器由四个二极管组成，因此在单二极管的上述电路中，功率浪费量将是功率浪费的两倍。　　使用P 沟道MOSFET 的防反接保护　　使用P沟道MOSFET进行反接极性保护比其他方法更可靠，因为它具有低压降和高电流能力。该电路由一个P沟道MOSFET、齐纳二极管和一个下拉电阻组成。如果电源电压低于P沟道MOSFET的栅极至源电压(Vgs)，则只需要不带二极管或电阻的MOSFET。您只需要将MOSFET的栅极端子连接到接地即可。　　现在，如果电源电压大于Vgs，则必须降低栅极端子和源极之间的电压。下面提到了制造电路硬件所需的组件。　　P 沟道场效应管 型号根据电流电压选择　　采用P沟道MOSFET的极性反接保护电路的工作原理　　现在，当您按照电路图连接电池时，具有正确的极性，它会导致晶体管打开并允许电流流过它。如果电池向后或以反极性连接，则晶体管关闭，我们的电路将受到保护。　　该保护电路比其他保护电路更有效。让我们分析一下当电池以正确的方式连接时，P沟道MOSFET将导通，因为栅极和源极之间的电压为负。查找栅极和源极之间电压的公式为：Vgs= (Vg- Vs)　　当电池连接不正确时，栅极端子的电压将为正极，我们知道P沟道MOSFET仅在栅极端子的电压为负时(此MOSFET的最低-2.0V或更低)导通。因此，每当电池以相反方向连接时，电路都将受到MOSFET的保护。　　现在，让我们来谈谈电路中的功率损耗，当晶体管导通时，漏极和源极之间的电阻几乎可以忽略不计，但为了更准确，您可以浏览P沟道MOSFET的数据表。对于LMAK30P06P 沟道MOSFET，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.020Ω(典型值)。因此，我们可以计算电路中的功率损耗。　　如下所示：功率损耗=I*I*R　　假设流经晶体管的电流为1A。所以功率损耗将是　　功率损耗=I2R= (1A)2*0.02Ω= 0.02W　　因此，功率损耗比使用单二极管的电路小约27倍。这就是为什么使用P沟道MOSFET进行防反接保护比其他方法要好得多的原因。它比二极管贵一点，但它使保护电路更安全，更高效。　　我们还在电路中使用了齐纳二极管和电阻器，以防止超过栅极到源电压。通过添加电阻和9.1V的齐纳二极管，我们可以将栅源电压箝位到最大负9.1V，因此晶体管保持安全。　　当然MOS的防反接电路也可以采用Nmos来截断电路，截断的就是负极电路，我们一般的理念还是开关正极，就像家里电灯开关一样，是装在火线上，而不是零线上。
2025-08-29 16:24 阅读量：791
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