上海雷卯推出MOSFET新产品，供您选择

发布时间：2023-09-22 10:56
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：2248

稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品

一、MOSFET工作原理及作用

上海雷卯推出MOSFET新产品，供您选择 

1.工作原理

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，由源（Source）、漏（Drain）和栅（Gate）三个主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。

MOSFET 的工作原理基于栅电压的控制。通过施加正电压或负电压到栅极，可以改变栅电场，进而影响通道中的载流子浓度。当栅电压施加在阈值电压之上时，形成一个导电通道，载流子可以从源端流向漏端，从而实现开关效果。控制栅电压的变化可以调整通道的导电性，从而控制电流流动。

2.MOSFET作用

1) 开关功能：MOSFET可以在输入信号的控制下，实现对电流的开关控制。当输入信号为高电平时，MOSFET导通，允许电流通过；而当输入信号为低电平时，MOSFET截断，阻止电流通过。因此，MOSFET被广泛用于数字电路和各种开关应用中。

2) 放大功能：MOSFET可以作为放大器使用，将小信号放大为较大的信号。通过调节输入电压或电流，控制MOSFET的工作区域，可以实现精确的放大倍数和电压增益。这在模拟电路和音频放大器等应用中非常重要。

3) 调节电压功能：由于MOSFET的特性，它可以用作电压调节器。通过调节MOSFET的栅极电压，可以控制其导通电阻从而实现电压的调节。这在稳压电源和集成电路中起到重要作用，可以提供稳定的输出电压。

4) 逆变和变换功能：MOSFET可以通过不同的驱动方式和电路连接方式，实现信号的逆变、频率变换和波形整形等功能。这在交流电源、电力电子、驱动器等领域中广泛应用。

二.上海雷卯MOS系列特点

(1) 从功率分有  小信号MOS 和功率MOS

(2) 从内阻分有  50-2000mΩ，10-50mΩ，0.7-10mΩ等。

(3) 从工艺上有Trench MOSFETS(-100V~150V)，SGT MOSFETS(30V~150V).

(4) 从电源来分有低压MOS(12-60V),中压MOS(100-500V) ,高压MOS(600-900V).

(5) 从封装是有PDFN3.3/5.6, TOLL,SOT23/-3/-5/-6,SOP8/TSSOP8，TO-252/251/220/263/247/3P, DFN1006,DFN1006-3,CSP1.1X1.1/2.14X1.4等

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三．应用领域：

1) 电源领域类： AC/DC,同步整流， 移动储能(含移动电源、充电桩等)MOS、同步整流芯片 。

2) 消费品类：小风扇、电子烟、照明产品、玩具、成人用品等/MOS、TVS、三极管。

3) 工控/工具类：电机、工控主板、BLDC/BMS/控制板小信号MOS。

4) 网通/笔记本/穿戴类：笔记本电脑、台式机主板、路由器、机顶盒、IOT、手持POS，TWS,   智能手表、电子烟等/MOS、TVS、三极管等。

5) 汽车电子类：Motro控制、车灯/MOS等

 

四．雷卯MOSFET产品推荐（只展示部分MOSFET产品）

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五．MOSFET 方案应用推荐

1）用于电动工具的MOSFET

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2）电动工具锂电保护板用MOSFET

 

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3）新能原动力电池

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雷卯电子专业为客户提供电磁兼容EMC的设计服务，提供实验室做摸底免费测试，为客户高效，控本完成设计，能快速通过EMC的项目，提高产品可靠性尽力。

雷卯电子电磁兼容实验室，提供免费测试，提供外围静电保护参考电路，可以提供国产化证明文件。

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　　越来越多的客户选择使用Leiditech(雷卯电子)的PESD2ETH1GXT-Q来替代Nexperia(安世半导体)的PESD2ETH1GXT-Q、SEMTECH的RClamp10012PQ，尤其是在车载网络线路的ESD保护应用中。雷卯的产品不仅提供了更具竞争力的价格和更快的交货期，还在性能上表现出色，完全满足了汽车电子行业对高可靠性和抗静电能力的要求。　　雷卯的PESD2ETH1GXT-Q优势：24V带回扫，VBR100V，钳位电压Vc 低至32.5V，能很好的保护后级电路，漏电流低，nA级别，满足IEC 61000-4-2，等级4 ，空气放电±25kV，接触放电±25kV。　　判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点：　　VRWM(最大工作电压) 是否接近;　　抗静电能力是否接近;　　VBR(击穿电压)是否接近;　　CJ(结电容)是否接近;　　封装类型是否一致或者兼容;　　VC(钳位电压)是否接近。　　雷卯的封装是SOT-23, nexperia封装是 SOT-23，SEMTECH的RClamp10012PQ的封装是DFN-5(1*2);　　PCB布局上雷卯可以直接替换nexperia，无需修改电路板设计;　　雷卯的 VRWM,VBR, CJ ,ESD(air,contact)，VC等参数都几乎同nexperia的一样，优于SEMTECH的RClamp10012PQ，完全可以替代nexperia同型号产品和SEMTECH的RClamp10012PQ。　　雷卯PESD2ETH1GXT-Q规格书主要参数部分展示如下：
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