上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子;浅析防反接保护电路
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上海雷卯电子;浅析防反接保护电路

　　防反接保护电路　　　　1，通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示：　　这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd=2A×0.7V=1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。　　2,另外还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永远有正确的极性(图2)。这些方案的缺点是，二极管上的压降会消耗能量。输入电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。　　　　上图，一只串联二极管保护系统不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降　　下图， 是一个桥式整流器，不论什么极性都可以正常工作，但是有两个二极管导通，功耗是图1的两倍　　MOS管型防反接保护电路　　　　图3  NMOS管型防反接保护电路　　图3利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds(on)已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。　　极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。　　N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候，R1提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小，2A的电流，功耗为(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。　　　　VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。　　NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。　　PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。
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发布时间：2023-03-20 11:10 阅读量：2753 继续阅读>>
上海<span style='color:red'>雷卯</span>电子:RSU路侧单元的防雷设计方案
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上海雷卯电子:RSU路侧单元的防雷设计方案

　　RSU路侧单元的防雷设计方案　　实际运行RSU案例　　即将进入互联汽车(CV)试点的运营和维护阶段，这是一项突破性的项目，将实现多种互联汽车应用，这将有助于改善安全性，机动性并减少环境影响。该项目由美国运输部和地方机构共同资助。　　该计划的目标之一是解决技术部署问题。在连续测试的一年中，运营公司发现，四十四个安装的路边单元(RSU)中有四个未与主服务器通信。经过一系列调查，雷卯电子得出结论，一些RSU未正确接地，雷击损坏了RSU。雷卯电子在更换RSU并将其正确接地之后解决了这些问题。以下各段详细介绍了RSU供应商执行的调查过程。　　第一套RSU安装在2017年11月之前。经过大约一年的运行，发现四个RSU没有广播消息，并被报告为“在主服务器中配置，但未与RSU通信”。拆卸RSU，并测试每个电子组件。发现以太网供电(PoE)分离器是一个电气组件，该组件将为RSU供电的48VDC分离以太网发送数据对(TX+，TX-)和接收数据对(RX+，RX-)，被电损坏。浪涌。这种损坏可能会使RSU处于通电状态，但无法通信，这与主服务器上的指示相符。　　检查PoE分离器，发现其暴露于进入以太网的过高电压中而损坏 通过位于路边电气柜内部的PoE注入器进行连接。由于没有报道使用相同设备的类似症状，因此接下来对当地情况进行了调查。根据供应商的安装说明，发现每个RSU均已正确安装并连接至桅杆臂。排除了直接撞击天线或RSU本身造成的雷击损坏，因为未观察到任何与裸露天线相连的电子组件的损坏。       接下来，检查了支撑RSU的金属结构以及附近的金属结构，例如磁极。一些被发现粘在地面上，而另一些则没有。根据分析，调查得出结论，根本原因是对未接地的金属结构的雷击，其中电弧会引入电压浪涌，并通过以太网连接器进入RSU。以太网连接器直接连接到RSU内安装的PoE分离器电子部件。损坏时，PoE分离器将停止与主服务器的通信，该服务器最初会报告该情况。意识到这一点后，THEA为所有四个RSU更换了PoE分离器-导致RSU重新恢复正常功能。　　上图以图形方式描述了问题。云对地雷击寻求阻力最小的路径(即每个结构的接地点)。接地时(不包括绿色的“X”)，将扣住。如绿色“X”所示，不接地时，对地面的第二个最小电阻路径是通过120VAC为PoE注入器提供服务，继续通过RSU的PoE分离器，同时寻找RSU的接地。从未接地结构通过RSU的阻力最小的路径显示为该图的两个红色箭头，可能显示了气隙电弧。　　如何设计RSU的防雷　　POE的防雷　　电源防雷DC　　总结　　电子产品的接口防护需用过压保护器件，很多工程师意识到要用保护器件，但由于选型不当或没按照ESD 电路PCB设计原则，造成产品静电测试或EMC测试不通过，产品多次验证测试，浪费人力财力，造成产品延迟上市的事情总有发生，或过度设计，造成成本压力。
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发布时间：2023-03-15 11:21 阅读量：2736 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯</span>电子:人脸识别门禁控制器浪涌测试及解决方案
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雷卯电子:人脸识别门禁控制器浪涌测试及解决方案

　　测试产品：人脸识别门禁控制器　　雷卯实验室温湿度：26度 ， 61%　　测试标准：浪涌测试，需通过IEC61000-4-5　　一． 测试产品如下：　　二．雷卯采用电路保护方案：　　三．测试照片和结果数据记录：　　注：选雷卯5.0SMDJ6.0CA可以通过±3KV 3次浪涌测试；　　雷卯熟知IEC61000-4-5标准，有全套IEC61000-4-5测试设备供客户免费测试。
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发布时间：2023-02-22 15:10 阅读量：2737 继续阅读>>
RCLAMP0544T国产替代上海<span style='color:red'>雷卯</span>ULC0544T
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RCLAMP0544T国产替代上海雷卯ULC0544T

　　今天Ameya360电子元器件采购网将给大家介绍国产替代料!　　应用需求　　很多客户HDMI用RCLAMP0524P觉得体积大DFN2510，希望用更小的器件防护DFN2010，同样是保护4路HDMI或USB3.0信号，满足小型化需求。　　上海雷卯ULC0544T的I/O引脚之间的典型电容仅为0.30pF。这使得它可以用于运行超过3 GHz的电路，而没有信号衰减。它们可用于满足IEC 61000-4-2的ESD四级测试要求。每个器件都被设计为保护四条线（两对差分器）。ULC0544T采用8针SLP2010P8T封装。　　以下是如何通过ULC0544T路由高速差分轨迹的一个示例。PCB轨迹用于连接每个线路的针对（脚1到8、脚2到脚7、脚3到脚6、脚4到脚5）。例如，Pin1进入Pin18退出，PCB layout将引脚1和8连接在一起。对于在引脚2、3和4处连接的线路也是如此。请注意，与引脚5 - 8没有内部连接。接地由中心选项卡连接。应使用一个大的接地来代替两个独立的接地。　　产品规格　　雷卯的ULC0544T尺寸和参数完全兼容SEMTECH和ONSEMI型号，符合环保要求，助力国产化。　　应用介绍　　上海雷卯RULC0544T在HDMI, USB3.0 TYPE-C E-SATA MDDI的防静电保护设计已批量应用。　　总结：　　电子产品的接口防护需用过压保护器件，很多工程师意识到要用保护器件，但由于选型不当或没按照ESD电路PCB设计原则，造成产品静电测试或EMC测试不通过，产品多次验证测试，浪费人力财力，造成产品延迟上市的事情总有发生，或过度设计，造成成本压力。
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发布时间：2023-01-16 11:19 阅读量：3292 继续阅读>>
<span style='color:red'>雷卯</span>电子：IO Link在工业的应用及国产过压保护设计
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雷卯电子：IO Link在工业的应用及国产过压保护设计

　　IO Link在工业的应用及国产过压保护设计　　　　随着工业4.0和智能工业的推进，IO-Link将会在工业自动化领域越来越流行。　　　　目前ST的IO Link应用广泛，ST使用的是型号为STM32F76的MCU。可以利用它来支持以太网或者现场的工业网络总线。这个板上还有USB口，它可以连接电脑，使用TEConcept的IO-Link tool、IO-Link control Tool进行测试和配置。同时，这板上还有ST的L6360芯片。　　亚信的EtherCAT转IO-Link主站的方案使用了一个型号为AX58400的主控制器,里边封装一个STM32H755，再加上一个EtherCAT的从站控制器的SIP。这个SIP的上面可以连接到EtherCAT的主站，下面可以接8个L6360来支持8路的IO-Link接口，这样就可以形成一个单芯片的方案，可以支持EtherCAT的从站作为IO-Link主站的方案。　　针对以上整套方案，上海雷卯推出国产化小体积的过压保护方案，完美替代ST，并已在国内主流的编码器，I/O Link厂商批量出货，按照以上接口分类，我们对器件的接口设计方案如下。　　VN808CM的VCC过压保护设计　　　　由于此芯片的供电电压是dc24V，并且会有浮动，推荐使用雷卯的SM15T33A 单向TVS，或LM1K24CA ，可以满足2kv的浪涌设计保护。　　VN808CM的8通道外传感器过压保护设计　　NPN和PNP传感器的保护方案　　　　从上图看出以上保护传感器各需要3颗ESD二极管保护，且工作电压为24V，由于考虑到电压的波动建议选取36V保护的ESD二极管，上海雷卯提供SOT-23的双路ESD  SM36 ,SOD-323的SD36,DFN1006的SDA3611DN,可以满足以上器件的直接替代。且浪涌保护能力比ST的2A大很多，满足工业控制的测试需求。　　可以满足HS LS K V+ V-各个通道的保护。　　　　针对L7986A的过压保护设计　　ST的L7986A的DC-DC芯片耐压值为38V,正常工作电压为24V，所以此处可以选择小体积大功率的，SMB15J30CA，SMB封装，可以满足浪涌测试需求。发生浪涌时可以保护后端的IC芯片。　　　　PROFI NET的网口保护　　profinet通信速率取决于网络信号强度和SINR值,如果以上二者都很好,通信速率能达到80mbps。　　我们参考上海雷卯的关于百兆网络的过压保护设计如下：配合HX1260NL设计。　　　　USB接口的过压保护设计　　由于USB为近距离通信，主要防护为插拔静电和小浪涌，所以推荐以下方案。　　
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发布时间：2023-01-09 09:49 阅读量：3250 继续阅读>>

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