上海贝岭荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项

发布时间：2024-11-11 16:48
作者：AMEYA360
来源：上海贝岭
阅读量：685

　　11月5日，上海贝岭市场工业市场经理冒晶晶受邀参加由全球技术信息集团 ASPENCORE举办的“IIC SHENZHEN-国际集成电路展览会暨研讨会”。会议中，上海贝岭工业市场经理冒晶晶进行了 “功率器件助推上海贝岭积极融入新能源赛道”的主题演讲并与出席会议的各大半导体行业专家及相关产业嘉宾进行了交流学习。

　　此次会议中，上海贝岭凭借第7代750V 275A 沟槽栅场阻止结构IGBT芯片(BLQG275T75F)荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项。

　　BELLING

　　产品推荐

　　BLQG275T75F产品基于贝岭Trench-FS Gen7 技术平台，具有正向压降小、开关速度快，开关损耗低、高可靠性等特点。采用第七代微沟槽栅技术，优化了导通压降和开关损耗，实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止技术，改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端技术，实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。

　　该芯片完成全面的车规认证，特别为工作频率在5 至20kHz的硬开关电路设计，主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布，优化正温度系数，使得该芯片易于并联使用，保证了产品的易拓展性，可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。

　　应用：以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器，适合A0级和A00级纯电动汽车。以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器，适合A级纯电动及混合动力汽车。

上海贝岭荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项

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　　BL1065/BL1066系列：　　是一组8通道、16位、最高125MSPS、串行LVDS数据接口的模数转换器。分别包含80MSPS、125MSPS两种速度等级以及16位、14位两种分辨率规格。采用模拟1.8V供电、数字1.8V供电，支持最大2Vpp模拟信号输入，采样时钟支持LVPECL/CMOS/LVDS电平标准输入。正常工作时功耗为1058mW。　　其内置1V的高精度电压基准源，无须外部提供即可满足多种应用需求。内置PLL将自动倍频采样时钟，从而保证LVDS串行数据正确输出，最大可支持1Gbps/Lane。BL1065/BL1066系列包含2个Bank，每一个ADC Bank提供一个数据时钟输出(DCO)，用于在输出端捕获数据;以及一个帧时钟输出(FCO)，用于发送新输出字节信号。　　BL1065 采用 144 引脚 BGA封装，封装引脚兼容 ADI的 AD9681产品，额定温度范围为-55℃至+125°C;BL1066采用140引脚BGA封装，封装引脚兼容ADI的LTM9011-14产品，额定温度范围为−55°C至+125°C。　　BL1065/BL1066系列产品内置dither功能，具有极佳的小信号线性度。产品可广泛应用于雷达、医疗成像系统、多通道数据采集系统、通讯系统接收机等领域。高度集成化的设计可以极大程度减小PCB设计尺寸，降低小型化设备电路布局布线难度，满足对应用系统小型化、成本最优的方案需求。　　产品规格　　相似产品比较　　和相似产品对比，BL1065/BL1066系列在信噪比方面具有显著优势，辅以dither功能，可以极大提升接收机动态范围。　　应用场景　　雷达　　医疗成像系统　　多通道数据采集系统　　通信系统接收机　　8通道125Msps ADC系统框图　　BL1065/BL1045 引脚定义(144引脚BGA)　　BL1066/BL1046 引脚定义(140引脚BGA)　　产品特性　　本产品具有出色的噪声性能和线性度，能够达到78.9 dBFS的高信噪比，以及±4.5 LSB 积分非线性特性。在dither开启之后，INL将进一步减小至±2.5LSB。　　BL1065&BL1066 单音频谱性能(fIN=10.1MHz)　　BL1065&BL1066 单音频谱性能(fIN=70.1MHz)　　BL1065&BL1066 INL误差　　BL1065&BL1066 DNL误差　　高速串行LVDS接口　　ADC数据输出采用LVDS时钟同步接口，最大速率1Gbps。每路ADC两对LVDS差分输出，可选择bitwise模式(高低bit在两对LVDS差分对上交替输出，适合FPGA侧只使用 iddr原语接收)和bytewise模式(高低byte分别在两对LVDS差分对上输出，适合FPGA侧直接使用iserdes原语或selectio核接收)。　　ADC数据输出接口提供多种测试码功能，用户可通过开启测试码来校准接收侧时钟和数据的相位关系，确认数据可以被正确接收。　　同时我们还提供了通用的例程代码。　　应用建议　　BL1065/BL1066系列 典型时钟巴伦输入电路　　BL1065/BL1066系列 差分双巴伦输入电路　　BL1066/BL1046 布局参考　　布局建议：　　为了避免模拟输入之间的串扰，参考上图，并考虑以下准则：　　1.布线模拟输入通道时，在PCB板的顶层和底层(或其他层)依次交替布置。　　2.确保顶层通道与任何其他模拟输入通道过孔的距离不小于5mm。　　3.对于底层通道，使用盘中孔以最小化通道间导体耦合对通道的影响。　　4.避免平行通道的间距小于2 mm。　　5.尽量将除直流通道外的走线相互正交。
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　　一、 概述　　在中国电动两轮车已经成为人们日常生活中必不可少的交通工具。自2019年国标(GB 17761-2018)实施后，48V新国标电动自行车逐渐成为市场主流，目前约占电动两轮车总销量的70%以上。屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT-MOSFET)作为新国标电动自行车控制器的核心器件，其性能决定了控制器的整体效率和长期运行的可靠性和安全性。上海贝岭作为MOSFET市场的主要供应商之一，现推出针对新国标电动自行车控制器的新产品70V 5mΩ SGT MOSFET BLP05N07，该器件针对新国标电动自行车应用特点，结合多年SGT设计、生产经验，优化器件击穿电压和降低开关及导通损耗，助力客户产品安全高效运行。　　二、 新国标电动自行车控制器应用解析　　48V新国标电动自行车控制器是70V SGT MOSFET的主要应用场景，图1展示了该类驱动器的典型拓扑结构，其核心为6颗MOSFET器件组成的三相全桥逆变电路。该应用场景具有瞬态过载、短路电流大等特点，因此对MOSFET器件的技术要求主要是在短路工况和瞬态大电流工况下的可靠性。图2所示为主流新国标控制器在母线电压54V(即常规48V电池满电状态)下的短路波形，测得短路工况下MOSFET器件漏源极间电压过冲最高可达65.02V。传统电动自行车控制器普遍采用60V 器件，短路电压过冲值已接近60V器件的实际击穿电压，长期运行存在潜在风险。使用贝岭70V 器件可显著提升系统的安全冗余，有效增强整机安全性和可靠性。图1 新国标电动自行车控制器拓扑图图2 短路工况下功率器件漏源极间电压过冲　　三、 贝岭SGT技术平台　　截至目前，贝岭SGT产品线已经涵盖了40/60/70/80/85/100/135/150/200共9个电压档位，并衍生了上百款各种电流能力及各种封装形式的产品，且均已实现量产供货。出色的设计让贝岭SGT产品比市场主流竞品有显著性能优势，同时依托成熟的特色工艺线，保证了贝岭SGT产品在可靠性、良率、参数稳定性方面也有上佳表现。　　四、 BLP05N07产品核心优势　　能效领跑——低导通电阻Rds(on)　　导通电阻决定了功率MOSFET在导通期间内的损耗，在同等规格、相同封装下，贝岭器件相较于市场主流竞品具有更低的导通电阻Rds(on)。　　导通电阻决定了功率MOSFET在导通期间内的损耗，在同等规格、相同封装下，贝岭器件相较于市场主流竞品具有更低的导通电阻Rds(on)。图3 导通电阻Rds(on) 对比　　动态性能升级——低栅极电荷　　栅电荷可以客观地描述驱动损耗，在同等规格、相同封装下，贝岭器件比市场主流竞品具有更小的栅电荷，可有效降低开关驱动损耗。图4 栅极电荷对比　　温控表现卓越——板级温升表现　　得益于低导通电阻，在新国标电动自行车控制器400W稳态带载测试中，同等散热条件下，BLP05N07的温升比市场主流竞品低1.5℃，如图5所示。在两倍额定功率800W极限过载测试中，5分钟温升测试结果比市场主流竞品低2.5℃，如图6所示。此外，在相同输出功率条件下，贝岭器件低导通损耗的特点可以提高电动自行车的续航里程。图5 新国标电动自行车控制器400W稳态温升测试图6 新国标电动自行车控制器800W极限过载测试　　抗短路能力强劲——8us超长耐受　　贝岭BLP05N07的短路耐受能力可以满足新国标电动自行车控制器在48V电池满电压状态下发生短路的可靠性要求。图7为使用BLP05N07的控制器在54V 母线电压下的相间短路波形，器件短路耐受时长超过8us。图7 母线电压54V下相间短路　　五、 贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率针对新国标电动自行车、电动轻便摩托车、电动摩托车、电动叉车和轻型低速四轮车控制器应用设计有多条SGT产品线，包含70V、85V、100V、110V、135V和150V等电压等级器件，具体型号参考下表。
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