太阳诱电<span style='color:red'>射频</span>元器件,为实现可持续发展的社会做出贡献
  今天为您介绍太阳诱电的射频元器件。  近年来,在我们的社会中,数字化转型、DX和IoT化正在飞速发展,身边的各种产品都搭载了通信功能。如今不仅仅是智能手机和平板终端等,非常多的应用中都使用了射频元器件。为构建未来超智能社会,射频元器件的需求今后将进一步扩大和多样化。  在超智能社会society5.0,通过感测和IoT,我们生活的现实世界、物理空间的信息会被集聚到被称为网络空间的虚拟空间,AI会对收集到的海量信息、大数据进行分析,并通过各种元器件将分析结果反馈给物理空间。  通过这种物理空间与网络空间的高度融合所实现的便是society5.0。负责这种融合及数据交互的,便是以5G为代表的无线通信。  在具有高速、多连接、低延迟等特征的5G支撑的未来,促进福利,通过自动驾驶建设安全安心的城市,通过自动操作节省劳动力等都备受期待。我们太阳诱电会通过射频元器件为实现这些目标做出贡献。  5G在智能社会中发挥着重要的作用,面向5G技术的元器件有着各种技术课题需要解决。  第一是支持射频。  5G使用的是高频段的高密度通信。因此,元器件需要具备射频、大带宽、陡峭这三大特性。下左图以频率为横轴,以陡度为纵轴,表示了其对应的三种技术领域。  5G需要覆盖从低频到高频的多频段接入大带宽,但现有的FBAR或saw技术无法实现大带宽。另一方面,多层陶瓷电容虽然能覆盖较宽的频率范围,但其频率响应陡度却存在局限。  太阳诱电是一家拥有FBAR、saw、多层陶瓷电容这三项技术的电子元器件制造商。通过结合这3项技术,太阳诱电开发出了独有的兼顾大带宽和高衰减性的hybrid元器件。  另一项代表性的技术问题是小型薄型化。  5G通过增加天线数量的多重无线通信来实现高速稳定通信,但相应的通信电路比4G更为复杂化。而以智能手机为首的通信设备,朝着外壳薄型化和电池大型化的方向发展,电路部分的面积有缩小趋势。  上左图是4G与5G的电路对比。受天线数量增加和面积缩小的影响,5G通信电路与4G相比朝着高密度化方向发展,在有限的空间内需要放入大量零部件,因此5G必须做到电子零部件的小型薄型化。  右图以面积为横轴,高度为纵轴,表示电子元器件的大小。灰色圆圈表示现有产品随着小型薄型化的趋势,开发方向正在从右上向左下发展。  上左图是采用新技术和传统技术的产品性能比较。采用新技术的产品在保持几乎相同性能前提下,体积缩小了近90%。  太阳诱电的射频元器件采用业界领先的超小型化技术,对可穿戴及无人机等设备的零部件小型化起着至关重要的作用。太阳诱电通过节约资源和节能的产品制造来服务智能社会,并为实现可持续发展的社会做出贡献。
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发布时间:2025-04-25 13:17 阅读量:388 继续阅读>>
<span style='color:red'>射频</span>电路中常见的损耗类型全方位解读
         射频电路中的损耗是指在射频信号传输、处理过程中,信号能量的减少。常见的损耗类型主要包括以下几种:  01介质损耗  • 原理:介质损耗是由于射频电路中使用的绝缘材料(如PCB基板材料、电介质等)在高频电场作用下,极化过程滞后于电场变化,导致能量以热的形式散失。  • 影响因素:  • 介质材料的介电常数:介电常数越高,损耗越大。  • 介质材料的损耗正切(tanδ):损耗正切越大,损耗越明显。  • 工作频率:频率越高,介质损耗越显著。  • 常见应用场景:在微带线、带状线等传输线结构中,以及在电容等元件中,介质损耗是主要的损耗来源之一。  02导体损耗  • 原理:导体损耗是由于射频电流在导体中流动时,受到导体电阻的阻碍,导致能量以热的形式散失。在高频情况下,由于趋肤效应,电流主要集中在导体表面,增加了等效电阻,从而增加了损耗。  • 影响因素:  • 导体材料的电阻率:电阻率越低(如银、铜等),损耗越小。  • 导体的厚度和宽度:导体越厚、越宽,损耗越小。  • 工作频率:频率越高,趋肤效应越明显,损耗越大。  • 常见应用场景:在传输线(如微带线、同轴电缆)、电感等元件中,导体损耗是不可忽视的因素。  03辐射损耗  • 原理:辐射损耗是指射频信号在传输过程中,由于电路结构的不完善(如传输线的不连续性、天线效应等),导致部分能量以电磁波的形式向周围空间辐射,从而造成损耗。  • 影响因素:  • 传输线的不连续性:如拐角、阻抗不匹配等。  • 电路的开放性:如未屏蔽的电路结构。  • 工作频率:频率越高,辐射损耗越明显。  • 常见应用场景:在微带线、带状线等传输线结构中,如果设计不当,可能会出现辐射损耗。  04反射损耗  • 原理:反射损耗是由于射频信号在传输过程中遇到阻抗不匹配的界面时,部分信号被反射回源端,导致传输效率降低,有效信号能量减少。  • 影响因素:  • 阻抗匹配程度:阻抗匹配越差,反射损耗越大。  • 工作频率:频率越高,对阻抗匹配的要求越高,反射损耗越明显。  • 常见应用场景:在传输线与负载之间、不同传输线段之间,如果阻抗不匹配,会产生反射损耗。  05耦合损耗  • 原理:耦合损耗是指在多条传输线或多个元件之间,由于电磁场的相互耦合,导致信号能量从一个通道泄漏到另一个通道,从而造成损耗。  • 影响因素:  • 传输线之间的距离:距离越近,耦合损耗越大。  • 传输线的平行长度:平行长度越长,耦合损耗越大。  • 工作频率:频率越高,耦合损耗越明显。  • 常见应用场景:在多条微带线、带状线等传输线并行布置时,容易出现耦合损耗。  06插入损耗  • 原理:插入损耗是指射频信号通过一个元件(如滤波器、衰减器、连接器等)时,由于元件本身的特性(如阻抗不匹配、介质损耗、导体损耗等),导致信号能量的减少。  • 影响因素:  • 元件的品质因数(Q值):Q值越高,插入损耗越小。  • 元件的材料和结构:材料损耗大或结构不合理,插入损耗会增加。  • 工作频率:频率越高,插入损耗可能越大。  • 常见应用场景:在滤波器、衰减器、连接器等元件中,插入损耗是重要的性能指标。  07热噪声损耗  • 原理:热噪声损耗是由于电子的热运动导致的随机信号干扰,这种噪声会叠加在射频信号上,降低信号的信噪比,从而影响信号的质量。  • 影响因素:  • 温度:温度越高,热噪声越大。  • 带宽:带宽越大,热噪声功率越大。  • 元件的噪声系数:噪声系数越低,热噪声损耗越小。  • 常见应用场景:在低噪声放大器、接收机前端等对噪声要求较高的电路中,热噪声损耗需要特别关注。  08谐波损耗  • 原理:谐波损耗是指在非线性元件(如二极管、晶体管等)中,由于输入信号的非线性处理,产生谐波信号,这些谐波信号会占用功率,导致有效信号能量减少。  • 影响因素:  • 元件的非线性程度:非线性越强,谐波损耗越大。  • 输入信号的幅度:输入信号越大,谐波损耗越明显。  • 常见应用场景:在功率放大器、混频器等非线性电路中,谐波损耗是需要考虑的因素。  09互调损耗  • 原理:互调损耗是指在非线性元件中,当多个频率的信号同时输入时,由于非线性作用,会产生新的频率分量(互调产物),这些互调产物会干扰有效信号,导致信号质量下降。  • 影响因素:  • 元件的非线性程度:非线性越强,互调损耗越大。  • 输入信号的幅度和频率间隔:输入信号越大、频率间隔越小,互调损耗越明显。  • 常见应用场景:在接收机前端、混频器等电路中,互调损耗是重要的干扰因素。  在射频电路设计中,需要根据具体的应用场景和性能要求,综合考虑以上各种损耗类型,通过优化电路结构、选择合适的材料和元件、进行阻抗匹配等措施,尽量降低损耗,提高电路的性能和效率。
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发布时间:2025-03-10 15:36 阅读量:376 继续阅读>>
广和通发布基于新一代高通调制解调器及<span style='color:red'>射频</span>方案的小尺寸低功耗Cat.M模组MQ780-GL
  3月5日,在2025世界移动通信大会(MWC Barcelona 2025)期间,广和通发布基于高通®E51 4G调制解调器及射频方案的小尺寸Cat.M模组MQ780-GL。MQ780-GL凭借极致尺寸、超低功耗、全球频段覆盖、稳定网络兼容性四大核心优势,为智能表计、资产追踪、智慧城市等场景提供高性价比的物联网连接解决方案,助力LPWA技术向规模化商用加速迈进。  双模支持,灵活部署  MQ780-GL支持3GPP Release 14 Cat.M1和NB-IoT标准,可根据网络环境自动切换模式,最大化覆盖范围与连接可靠性;兼容全球主流频段,适用于北美、欧洲、亚洲等地区的LPWA网络部署,便于全球稳定连接。  精巧尺寸,超低功耗  MQ780-GL采用先进的电源管理技术,支持PSM(省电模式)和eDRX(扩展不连续接收)功能,显著延长设备电池寿命。在PSM模式下,待机电流低至微安级(μA),适用于水表、气表等需要10年以上续航的设备。MQ780-GL采用LCC+LGA封装设计,适合空间受限的物联网设备。  增强性能,丰富接口  MQ780-GL支持MQTT/CoAP/LwM2M等丰富网络协议,并兼容UART/I2C/I2S等标准接口,便于拓展至更多物联网设备。在定位能力上,MQ780-GL内置Soft GPS定位功能,满足资产追踪等场景的高精度定位需求。MQ780-GL内置硬件级安全引擎,支持数据加密与安全认证,保障设备与网络通信的安全性。  高通技术公司产品管理副总裁Vieri Vanghi表示:  广和通搭载高通®E51 4G调制解调器及射频方案的MQ780-GL模组,展现了我们对于推动LPWA技术的承诺。我们很期待看到这款模组推动Cat.M和NB-IoT技术的应用,并在智能表计、资产追踪、智慧城市等场景实现更加高效和可靠的连接。  广和通MTC产品管理部总经理刘荪枝表示:  MQ780-GL的极致尺寸与超低功耗设计,将大幅降低LPWA终端的开发难度,进一步加速物联网规模化连接。未来,我们将持续深化与芯片伙伴、垂直行业的协同创新,推动低功耗Cat.M/NB-IoT商用落地。
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发布时间:2025-03-06 09:15 阅读量:428 继续阅读>>
广和通发布基于高通®X85/X82 5G调制解调器及<span style='color:red'>射频</span>系统的模组及解决方案,增强FWA AI特性
  3月4日,在2025世界移动通信大会(MWC Barcelona 2025)期间,广和通发布基于高通技术公司最新一代高通®X85和X82 5G调制解调器及射频系统的模组及解决方案,有助于行业客户快速迭代到新一代的FWA解决方案,快速实现新平台的商业化。  高通最新的X85/X82 5G调制解调器及射频系统,相比高通上一代X75/X72平台在综合性能上有了全面的提升:  符合3GPP R18标准,支持5G-Advanced关键特性。  NR Sub-6GHz下行载波聚合(CA)从原来的5CA升级到了6CA,聚合频宽高达400MHz。  支持Intra-band ULCA上行链路载波聚合TDD,提高上行链路的数据速率,优化网络资源的利用。  软件平台能力增强,支持OpenWRT 24.x版本,还将兼容RDK-B和prpl OS。  旨在提供混合AI和智能体AI体验所需的高性能5G连接。  支持DSDA(首个3CC+1CC的双卡双通)。             得益于四核处理器、全新软件套件以及多项全球首创特性,此次广和通5G模组及解决方案在网络覆盖、时延、能效和移动性上具备更优性能。同时,利用AI能力,广和通5G模组融合AI,强有力地赋能5G FWA智能化。  在传输速率及信号覆盖方面,其5G模组及解决方案在NR Sub-6GHz下行支持六载波聚合,频宽高达400MHz。同时,其还支持Intra-Band上行链路载波聚合TDD,用户设备可相比使用单个载波具备更快的速率传输数据‌,提高整体网络效率,满足视频会议、在线游戏和实时协作等应用的需求‌。  除硬件上的升级,高通®X85还在软件平台上进行创新。基于高通®X85的模组及解决方案将支持OpenWRT 24.x版本,这个版本是目前最流行的开源路由器操作系统,具有丰富的功能和强大的扩展性。此外,模组及解决方案还兼容RDK-B和prpl OS等操作系统,用户可根据自己的实际情况选择合适的系统进行使用。  高通®5G AI套件与高通®联网AI套件相结合,实现QOS管理和智能化的网络流量优先级调度。这些强大的AI套件功能能够自动识别高清视频流媒体、在线游戏等高优先级的任务,并确保它们获得足够的带宽资源,从而显著提升用户体验。  高通技术公司副总裁兼无线与宽带通信总经理Gautam Sheoran表示:  我们很高兴与广和通合作,推出搭载我们最新高通®X85/X82 5G调制解调器及射频系统的全新5G模组和解决方案。双方携手树立新的行业标杆,提供卓越的网络覆盖、低时延、高能效和增强的移动性,最终推动实现更加互联高效的未来。  广和通MBB产品管理部副总裁陶曦表示:  我们很高兴广和通与高通技术公司基于高通®X85/X82持续进行合作,推出更多智能化FWA解决方案,赋能家庭宽带、企业联网、工业互联等领域。广和通始终致力于推动5G技术的普及和AI应用,我们相信,此次与高通技术公司的合作将进一步加速FWA市场的智能化发展,为全球用户提供更加智能、高效的连接服务。
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发布时间:2025-03-05 09:26 阅读量:374 继续阅读>>
基带芯片与<span style='color:red'>射频</span>芯片的区别
<span style='color:red'>射频</span>收发芯片是什么  <span style='color:red'>射频</span>收发芯片的工作原理及作用
<span style='color:red'>射频</span>芯片和基带芯片是什么  有哪些区别
  射频芯片和基带芯片是通信领域中两种不同的芯片类型,它们在通信系统中扮演着不同的角色。本文AMEYA360电子元器件采购网将从射频和基带芯片的定义、功能、应用场景、区别和联系等方面进行详细介绍!  一、射频芯片和基带芯片的定义  射频芯片(RF芯片)是一种用于处理高频信号的集成电路芯片,它通常用于收发信机的前端,包括射频放大器、混频器、滤波器、解调器等。射频芯片的工作频率通常在几十兆赫到几千兆赫之间,例如手机中的射频芯片通常工作在800MHz到2.2GHz左右。  基带芯片(Baseband芯片)是一种用于处理低频信号的集成电路芯片,它通常用于数字信号处理、解调、编码等。基带芯片的工作频率通常在几十千赫到几百兆赫之间,例如手机中的基带芯片通常工作在几百兆赫的范围内。  二、射频芯片和基带芯片的功能  射频芯片和基带芯片在通信系统中扮演着不同的角色,它们的功能也各不相同。  射频芯片的主要功能是将数字信号转换成高频信号,以便在空气中传输。它包括了射频前端的所有功能模块,例如射频放大器、混频器、滤波器、解调器等。射频芯片需要处理的信号是模拟信号,因此需要较高的性能指标,例如线性度、噪声系数、带宽等。  基带芯片的主要功能是将高频信号转换成数字信号,以便进行数字信号处理。它包括了数字信号处理的所有功能模块,例如解调、编码、解码、信道估计等。基带芯片需要处理的信号是数字信号,因此需要较高的计算能力和存储能力。  三、射频芯片和基带芯片的应用场景  射频芯片和基带芯片在通信系统中应用广泛,例如移动通信、卫星通信、无线电通信等。  在移动通信中,射频芯片和基带芯片通常被用于手机中。手机的射频芯片负责将数字信号转换成高频信号,以便在空气中传输。手机的基带芯片负责将高频信号转换成数字信号,以便进行数字信号处理。  在卫星通信中,射频芯片和基带芯片通常被用于卫星终端设备中。卫星终端设备的射频芯片负责将数字信号转换成高频信号,以便在卫星上传输。卫星终端设备的基带芯片负责将高频信号转换成数字信号,以便进行数字信号处理。  在无线电通信中,射频芯片和基带芯片通常被用于收发信机中。收发信机的射频芯片负责将数字信号转换成高频信号,以便在空气中传输。收发信机的基带芯片负责将高频信号转换成数字信号,以便进行数字信号处理。  四、射频芯片和基带芯片的区别和联系  射频芯片和基带芯片在通信系统中扮演着不同的角色,它们的区别和联系如下:  1.区别  射频芯片和基带芯片的工作频率不同,射频芯片的工作频率通常在几十兆赫到几千兆赫之间,而基带芯片的工作频率通常在几十千赫到几百兆赫之间。  射频芯片和基带芯片的处理信号不同,射频芯片需要处理模拟信号,而基带芯片需要处理数字信号。  射频芯片和基带芯片的功能不同,射频芯片的主要功能是将数字信号转换成高频信号,以便在空气中传输,而基带芯片的主要功能是将高频信号转换成数字信号,以便进行数字信号处理。  2.联系  射频芯片和基带芯片通常一起使用,例如在手机中,射频芯片和基带芯片通常集成在一起,共同完成收发信的任务。  射频芯片和基带芯片的性能互相影响,例如射频芯片的线性度和噪声系数会影响到基带芯片的解调性能,因此在设计通信系统时需要综合考虑射频芯片和基带芯片的性能指标。  射频芯片和基带芯片的技术发展密切相关,例如随着射频芯片技术的不断发展,基带芯片也需要不断提高计算能力和存储能力,以适应不断增长的数据处理需求。  总之,射频芯片和基带芯片在通信系统中扮演着不同的角色,它们的功能、应用场景、区别和联系需要深入了解和研究,以便为通信系统的设计和优化提供更好的技术支持。
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发布时间:2023-09-01 10:44 阅读量:2790 继续阅读>>
国内首款!中国移动研制的可重构5G<span style='color:red'>射频</span>收发芯片“破风8676”正式发布
  8月30日,中国移动正式发布国内首款可重构5G射频收发芯片“破风8676”。该芯片可广泛商业应用于云基站、皮基站、家庭基站等5G网络核心设备,实现了从0到1的关键性突破,填补了该领域的国内空白,有效提升了我国5G网络核心设备的自主可控度。  射频收发芯片是无线电波和数字信号之间的翻译官,是5G网络设备中的关键器件,研发难度高,产业应用需求迫切,被称为5G基站上的“明珠”。  中国移动勇担移动信息现代产业链“链长”重任,于2021年成立芯片研发企业联合实验室,开展“破风8676”可重构5G射频收发芯片研发,贯穿芯片规格定义、前后端设计、仿真验证、性能调测和整机集成全流程。  据介绍,中国移动充分发挥运营商对网络和设备深度理解优势,基于自研业界领先的系统射频双级联动仿真平台,“量体裁衣”制定芯片规格指标,为芯片的规模化应用奠定了重要基础。  为适配多频段、多模式、多站型的应用需求,中国移动研究院相关团队创新性提出可重构技术架构,支持信号带宽、杂散抑制频点和深度等重要规格参数灵活匹配,数字预失真、削峰等模块算法灵活调整,基带成型滤波、均衡滤波等增量功能灵活加载,利用这些架构优化和功能重组,以系统集成创新弥补单点性能瓶颈,打造了一款达到国际先进水平,同时具备低成本、低功耗、多功能等差异化竞争优势的产品。  同时,在“破风8676”芯片研发中,中国移动与设备商和芯片设计公司携手,通过网络和设备需求前置,将传统的芯片设计、整机集成、网络应用的串行研发模式升级为并行模式,使从芯片到整机适配的时间缩短近一半;破解了应用方“不想用、不敢用”的核心产业难题,大幅提升了关键短板芯片攻关的有效性;加速整机集成和网络应用迭代,形成一套“选芯、研芯、用芯”闭环攻关体系。  目前,“破风8676”芯片已在多家头部合作伙伴的整机设备中成功集成,将在以云基站、皮基站、家庭站等网络设备为代表的下阶段5G低成本、高可控度的商用网络建设中发挥重要作用。
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发布时间:2023-09-01 10:38 阅读量:1436 继续阅读>>
恩智浦全新<span style='color:red'>射频</span>放大器打造更轻薄的5G无线产品
  恩智浦半导体宣布推出顶部冷却式射频放大器模块系列,其中采用的创新封装技术有助于为5G基础设施打造更轻薄的无线产品。尺寸更小的基站可以提高安装的便利性和经济性,同时能够更分散地融入环境。恩智浦的GaN多芯片模块系列与全新的射频功率器件顶部冷却解决方案相结合,不仅有助于将无线电产品的厚度和重量减少20%以上,而且还可以减少5G基站制造和部署的碳足迹。  恩智浦副总裁兼射频功率业务部总经理Pierre Piel表示:“顶部冷却技术为无线基础设施行业带来了重大机遇,借助该技术,我们可以将高功率功能与出色的热性能相结合,打造出尺寸更小的射频子系统。基于这一创新技术的解决方案,让我们既可以部署更环保的基站,同时又能保证实现5G全部性能优势所需的网络密度。”  恩智浦新推出的顶部冷却式器件具有显著的设计和制造优势,如无需专用射频屏蔽、可以使用高性价比的精简印刷电路板,以及分离热管理与射频设计。这些特性有助于网络解决方案提供商为移动网络运营商打造更轻薄的5G无线产品,同时缩短产品的整体设计周期。  恩智浦首个顶部冷却式射频功率模块系列专为32T32R、200W射频而设计,覆盖3.3GHz至3.8GHz的频率范围。这款器件结合使用了恩智浦专有的LDMOS和GaN半导体技术,兼具高增益、高效率和宽带性能,能够在400MHz瞬时带宽下提供31 dB的增益和46%的效率。  A5M34TG140-TC、A5M35TG140-TC和A5M36TG140-TC日前已上市。  恩智浦RapidRF参考板系列将为A5M36TG140-TC提供支持。
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发布时间:2023-06-16 09:39 阅读量:2275 继续阅读>>
AMEYA360代理之太阳诱电<span style='color:red'>射频</span>元器件介绍

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