纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104，高<span style='color:red'>ESD</span>防护与宽电压适配破解系统互联挑战
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纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104，高ESD防护与宽电压适配破解系统互联挑战

　　纳芯微今日宣布推出车规级四位自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104。新推出的电平转换器具备高达15kV的ESD性能，支持更宽的端口输入电压(端口A：1.1~3.6V;端口B：1.65~5.5V)。可广泛适用于汽车信息娱乐系统、高级辅助驾驶系统、以及AI服务器等相关应用中，是系统间跨电压域互联互通的关键元件。　　全新发布的NCAS0104和NCAB0104均为弱缓冲型电平转换器，其中，NCAS0104内部集成了N沟道传输FET、10kΩ上拉电阻和上升沿速率加速电路，适用于驱动高阻抗负载，支持推挽和开漏的应用场合;NCAB0104内部集成了上升沿/下降沿速率加速电路和4kΩ缓冲电路，适合轻负载的推挽应用。　　ESD性能高达15kV　　全面护航系统可靠性　　NCAS0104和NCAB0104通过优化的电路设计实现了超高的ESD性能，高压侧的端口B通过了15kV的人体模型(HBM)测试 (JESD 22标准)和系统级ESD测试(IEC 61000-4-2标准)，显著优于市场同类产品，为汽车电子等系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供坚实保障。　　更宽的端口输入电压　　支持灵活的器件选型　　NCAS0104和NCAB0104的端口A支持1.1~3.6V输入，端口B支持1.65~5.5V输入。更宽的端口输入电压，使得工程师能够在系统设计中不更换电平转换的情况下，更加灵活地选择外围器件，通过归一化的方案，显著降低系统设计难度，加速产品上市。　　封装和选型　　NCAS0104和NCAB0104满足AEC-Q100要求，工作温度为-40~125℃。NCAS0104提供TSSOP14和VQFN14封装，NCAB0104提供UQFN12封装。　　TSSOP14　　VQFN14　　UQFN12　　NCAS0104和NCAB0104将于2025年8月陆续量产。可联系纳芯微销售团队(sales@novosns.com)咨询产品详情或进行样片申请。　　一站式电平转换解决方案　　纳芯微可提供多种类型的电平转换器，包括：固定方向型、方向控制型、自动双向型，可满足客户在不同应用场合下的设计需求：　　固定方向型电平转换器对器件输入端的输入信号执行单向电平转换，然后提供到器件输出端。纳芯微固定方向型电平转换器产品包括：NCA8244、NCA8244L、NCA8541，均为单电源供电。　　方向控制型电平转换器配备一个或多个方向控制引脚，允许系统工程师灵活配置输入/输出方向，甚至实现单设备上的双向同时转换，提供更高的设计灵活性。纳芯微方向控制型电平转换器产品包括：NCA8T245、NCA8245、NCA8245L、NCA84245。　　自动双向型电平转换器可自动感知通信方向并采取相应动作。如果处理器GPIO需要信号双向传输，自动方向型电平转换器可以提供更加稳健的解决方案。自动双向型电平转换器不需要使用方向控制信号，每个通道都支持数据的独立传输或接收，消除了对处理器GPIO控制DIR输入的需求，从而简化了软件驱动程序的开发。纳芯微已有的自动双向型电平转换器现包括：NCA9306、NCAS0104、NCAB0104。　　纳芯微自动双向型电平转换器选型表
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发布时间：2025-07-02 09:26 阅读量：336 继续阅读>>
上海贝岭推出±30kV IEC <span style='color:red'>ESD</span>保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)
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上海贝岭推出±30kV IEC ESD保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

　　一、引言　　在工业、智能电表等应用中，RS-485常常在电磁兼容性(EMC)极为严峻的环境中进行数据通信。复杂电磁环境中的静电放电和其它电磁干扰会造成较大的瞬态冲击，不仅可能造成通信信号失真或数据传输异常，更严重的可能还会损坏RS-485接口芯片，最终导致整个通信系统的失效。在这些恶劣的应用环境中，尽管TVS和TSS作为典型的电路保护器件，能够为RS-485芯片提供必要的瞬态冲击保护，但要想保证RS-485通信系统的可靠性，更需要RS-485芯片自身具有较强的抗EOS冲击能力。　　二、产品概述　　针对上述应用，上海贝岭推出了具有超强ESD保护能力的RS-485接口芯片BL3085(I4B)，该芯片总线端口ESD保护能力高达±30kV(IEC 61000-4-2，接触放电)，能够更好地承受工厂生产和现场应用中产生的EOS冲击。　　BL3085(I4B)采用限摆率设计，能够减小EMI以及由于终端匹配不当引起的反射，支持高达500kbps的通信速率。芯片接收器输入阻抗为1/8单位负载，允许多达256个收发器挂接在总线上，实现半双工通信。　　BL3085(I4B)具有多种保护功能，包括失效保护、过温保护等，这些功能共同构成了一个全面的保护体系，确保了芯片在各种异常情况下都能正常工作或安全关断。　　三、核心优势　　IEC 61000-4-2是国际电工委员会(IEC)制定的一个电磁兼容性(EMC)测试标准，主要用于评估电子设备在遭受静电放电(ESD)时的抗扰度性能。其中，接触放电(Contact Discharge)是一种重要的测试方法，通过模拟人体或物体直接接触设备表面时产生的静电放电现象，来评估设备的抗静电干扰能力。图1为IEC 61000-4-2 标准规定的 ESD 模拟发生器的理想电流波形。　　图1 IEC 61000-4-2 标准规定的理想电流波形　　RS-485芯片AB端口的ESD水平直接影响芯片的抗EOS冲击能力，目前市场上主流竞品AB端口ESD(接触放电)能力大多低于±15kV。(对比如图2所示)　　图2 ESD(接触放电)能力对比　　四、应用方案　　近年来，开关电源在智能电表中的使用越来越广泛，为了更好地通过EMC实验，工程师在多个回路之间都加了Y电容，导致系统隔离度降低，RS-485总线端口受到较大EOS冲击。同时，智能电表通信速率提速到115200bps后，由于原TVS结电容较大，迫使厂家使用结电容较小的TSS。数据表明TSS管的瞬态抑制能力要明显弱于原有TVS管，这就造成了保护器件未动作，而RS-485接口芯片实际已经受到了冲击。　　以上问题在表计实际生产交付过程中给厂家带来较大困扰。BL3085(I4B)所具备的出色的抗EOS冲击能力可以帮助生产企业更好的应对这些复杂问题，从理论设计上提高系统RS-485通信的可靠性。　　图3为RS-485接口芯片在智能电表方案中的应用示意图。MCU和RS-485采用隔离供电，通过光耦或者数字隔离器实现主回路和RS-485之间的隔离。RS-485产品外围采用TVS/TSS和热敏进行防护。　　图3 RS-485接口芯片的应用图　　五、订货信息
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发布时间：2025-06-18 08:59 阅读量：244 继续阅读>>
15V超低电容高浪涌<span style='color:red'>ESD</span>元件——雷卯ULC1542CH完全替代<span style='color:red'>ESD</span>63091CN
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15V超低电容高浪涌ESD元件——雷卯ULC1542CH完全替代ESD63091CN

　　上海雷卯电子推出全新静电保护器件 ULC1542CH，这是一款小封装的(DFN1006))专为 15V信号线设计的静电保护方案。凭借14A的峰值脉冲电流(IPP)能力,ULC1542CH 具备优异的浪涌防护性能。0.6PF 低结电容，可以保障信号传输的完整性，能够有效抵御静电放电冲击，为高速数据传输线路提供可靠保护，　　ULC1542CH核心参数与 ESD63091CN 完全匹配，支持 pin-to-pin 无缝替代。无需修改电路设计即可直接替换，为工程师提供了更灵活、高效的选型方案。　　ESD63091CN与雷卯ULC1542CH参数表对比如下：　　判断ESD二极管是否可以替代建议关注这几点：　　1. VRWM 是否接近　　2. 封装是否一样　　3. 抗静电能力是否接近;　　4. VBR 是否接近;　　5. IPP 是否接近 ;　　6. CJ 是否接近。　　以上参数对比ULC1542CH完全可以替代ESD63091CN。　　应用　　1. 消费电子领域，无论是手机、平板的高速数据接口，还是智能穿戴设备的精密传感器线路。　　2. 工业控制场景下，面对复杂电磁环境中频繁出现的静电威胁，它能为 PLC 控制线路、工业以太网接口等提供可靠防护。　　3. 在汽车电子方面，从车载娱乐系统的数据线到车身电子控制单元的信号传输线，该器件都能助力设备稳定运行　　总之，该器件适用于消费电子、工业控制等多种场景，在保持高性能的同时兼具成本优势，为工程师提供了更具灵活性的选型方案。
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发布时间：2025-06-06 11:08 阅读量：487 继续阅读>>
上海雷卯电子：DFN1006和DFN0603 封装——5V 超低电容带回扫<span style='color:red'>ESD</span>
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上海雷卯电子：DFN1006和DFN0603 封装——5V 超低电容带回扫ESD

　　上海雷卯电子推出两款5V，小封装(DFN1006和DFN0603)，带回扫，低钳位电压VCmax的防静电二极管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。　　带回扫ESD和普通ESD二极管电性参数图如下：　　我们可以看到，普通的ESD 是随着IPP的增加VC 在逐渐增大，而带回扫的ESD 会在击穿以后有个回转，即把VC 降低到一个更低基点后再慢慢升高。所以回扫的ESD二极管的VC是明显的比普通的VC 要低很多，可以参看下表参数对比。　　下表两款回扫型号和普通型号参数做对比：　　表格参数介绍　　Vrwm：反向关断电压，TVS管可承受的反向电压，在该电压下TVS管不导通。　　VBR：击穿电压，ESD防护开始工作的电压，通常是TVS通过1 mA时的电压。　　VC : 钳位电压　　VCmax@A： Vcmax@IPP, 8/20us 最大峰值电流对应的钳位电压。　　Cj : 结电容，TVS中的寄生电容，影响信号质量。　　可以看到表格上两行带回扫ULC0521CLV、ULC0542CLV，在Ipp 是6A时钳位电压VC为8V ，下面两款普通ESD二极管，在IPP 是4A 或者5A 时 ，钳位电压VC 为25V ，远远高于带回扫的。　　对于所要保护的IC来说，ESD二极管的钳位电压越低，越能更好的保护集成电路，提高集成电路的抗静电能力。所以对于选型工程师来说，更愿意选择带回扫型ESD二极管。ULC0521CLV、ULC0542CLV 低容，VC 低，高速信号静电防护最佳选择，比如可以应用于 USB3.0，RF信号等。　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-05-26 14:10 阅读量：814 继续阅读>>
一文详解<span style='color:red'>ESD</span>与EOS失效差异
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一文详解ESD与EOS失效差异

　　静电吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响产品的功能与寿命，因电场或电流破坏元件的绝缘或导体，使元件不能工作(完全破坏)，因瞬间的电场或电流产生的热，元件受伤，仍能工作，寿命降低。　　01元器件ESD损伤失效类型　　突发性失效：　　突发性失效也称硬失效，硬损伤。是指元器件的一个或多个电气参数突发劣化，完全失去规定功能的一种失效模式。通常表现为电子元器件自身短路、开路、功能丧失或电气参数严重漂移等。　　具体现象表现为：一种是与电压相关的失效，如介质击穿，PN结方向漏电流增大等;另一种是与功率有关的失效，如烧毁、熔断等。这都使器件的电路遭到永久性损坏，可以在产品测试阶段发现。据有关统计资料表明，在受静电损伤的半导体器件中，突发性完全失效约占失效总数的10%以上。　　潜在性缓慢失效：　　如果带电体所带静电位或存储的静电能量较低，或ESD放电回路中有限流电阻存在，那么，一次静电放电脉冲可能不足以引起电子元器件的突发性失效，但强静电场电离绝缘层，会在元器件内部造成轻微损伤，这种损伤又是累积性的;随着ESD脉冲次数的增加，器件的阀值电压会逐渐下降，使元器件的电参数逐渐劣化，这类失效称为潜在失效。潜在失效往往表现为器件的使用寿命缩短，或者一个本来不会使器件损伤的小脉冲却使器件失效。这种失效事先难以检测，造成难以被人们发现的“软击穿”现象，给产品留下潜在的隐患，直接影响电子产品的质量、寿命、可靠性和经济性。据统计：潜在性失效占电子元件ESD失效总数的90%。　　翻转失效：　　翻转失效是指某些逻辑电路在正常运行中使原来记忆状态发生翻转。这种失效通常表现为信息的丢失或功能暂时变化，没有明显的硬损伤发生，且在ESD发生后、或重新输入信息、或重新启动设备能自动恢复正常的运行。　　翻转失效的根本原因在于ESD的电磁辐射，确切地说是由于ESD尖峰电流产生的电气噪声造成的。ESD干扰可通过传导或者辐射等耦合路径进入到电子设备中。在ESD的近场区，主要取决于ESD源和接收机阻抗的容性耦合、感性耦合。在远场区，取决于电磁场耦合。　　翻转失效主要表现：　　程序破碎区的位翻转，引起程序"跑飞"或者"死机"。　　数据存储区的位翻转，造成关键变量的翻转，引起功能逻辑的絮乱，比如中途突出循环程序，错误执行条件等。　　外设控制寄存器的功能中断，引起外设配置状态变换，造成模块间数据通信异常。　　中断控制器寄存器的功能中断，引起意外中断的发生导致程序的异常执行。　　程序的位翻转，引起程序的异常执行。　　JATAG逻辑的功能中断，导致整个DSP的复位或死机。　　如果ESD干扰在电子线路中产生感应电压或电流超过了电平信号，设备正常工作程序将会发生翻转。在高阻抗电路中，信号是电压电平，容性耦合占主要成分，ESD感应电压是主要干扰源;在低阻抗电路中，信号是电流信号，感性耦合占主要成分，ESD感应电流是主要干扰源。　　翻转失效通常会导致通信系统故障，画面显示异常、系统复位、时钟信号抖动、射频电路部分失效等现象。　　02ESD损伤的特征　　隐蔽性：人体不能感知静电，除非是发生了静电放电，但是发生静电放电，人体也不一定能有电击的感觉。这是因为人体感知的静电放电电压为2-3Kv　　随机性： 电子元件什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说，从一个元件生产后一直到它损坏前所有的过程都受到静电的威胁，而这些静电的产生也具有随机性。由于静电的产生和放电都是瞬间发生的，极难预测和防护。　　复杂性：因电子产品的精细，微小的结构特点而费时、费事、费钱，要求较复杂的技术往往需要使用扫描电镜等精密仪器，即使如此有些静电损伤现象也难以与其他原因造成的损伤加以区别，使人们误把静电损伤失效当做是其他失效。　　潜伏性：有些电子元器件受到静电损伤后，性能没有明显的下降，但是多次累加放电会给器件造成内伤而形成隐患，而且增加了器件对静电的敏感性 ，已经产生的问题没有任何方法可治愈。　　03过度电性应力(Electrical Over Stress)　　是指所有的过度电性应力。当外界电流和电压超过器件的最大规范条件时，器件会损伤或者直接损坏，EOS通常产生于如下方面：　　电源AC/DC干扰、电源噪声和过电压　　电路切换导致的瞬变电流/峰值/低频干扰，其持续时间可能达到几微秒或者几毫秒。　　程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲干扰　　不恰当的工作流程、工作步骤。　　雷击浪涌干扰　　闪电　　04EOS&ESD差异对比表
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发布时间：2025-04-14 16:49 阅读量：496 继续阅读>>
矽力杰：极致性价比USB-C接口<span style='color:red'>ESD</span>保护方案
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矽力杰：极致性价比USB-C接口ESD保护方案

　　什么是USB-C　　USB Type-C(简称USB-C)是通用串行总线(USB)的标准化接口规范。其插头与插座采用对称式设计，支持双向插拔操作，物理尺寸为8.3mm×2.5mm，相较于传统USB Type-A/B接口更为紧凑，便于设备实现轻量化与薄型化设计。该接口兼容USB3.1标准，数据传输速率可达10Gbps;同时支持USB4协议，最高传输速率提升至40Gbps，并与Thunderbolt 3/4技术兼容。此外，USB-C集成USB Power Delivery(PD)协议，最大电力传输能力为240W，已广泛应用于笔记本电脑、平板电脑及小型电器快速充电场景。基于其多功能性与高效性，USB-C已成为现代电子设备接口的优选方案，推动设备互联标准化进程。　　ESD保护重要性　　静电放电(ESD)事件是电子设备损坏的常见原因之一。ESD事件产生的电荷在瞬间释放时，可能会损坏电子设备内部的电路，尤其是对于像USB-C这样高集成度、热插拔的接口来说，更容易受到ESD的影响。USB-C接口由于其高速数据传输能力和支持快充的特性，内部电路相对复杂且敏感。同时，由于其支持热插拔，用户在使用过程中可能会频繁地插拔设备，从而增加了ESD事件发生的可能性。　　矽力杰USB-C保护方案　　产品高速差分信号防护　　USB-C接口包含两组高速差分信号通道(TX/RX)，建议采用8颗超低电容ESD防护芯片(如SYT41A01DXD)。其工作电压为1.0V，峰值脉冲电流3A，封装为DFN0.6x0.3-2。该器件电容范围0.14~0.18pF，可最大限度降低信号衰减，确保高速数据传输稳定性。微型封装设计可优化PCB布局，减少走线弯曲，提升信号完整性。　　D+/D-信号防护　　针对USB2.0标准的D+/D-差分信号，可选用单通道芯片(如SYT02U05DWC)或双通道集成芯片(如SYT13S03SMD)。其工作电压分别为5V与3.3V，浪涌峰值电流分别为4A与7A。　　CC/SBU信号防护　　用于电力传输协议(PD)的CC/SBU信号线需选用ESD二极管(如SYS02H24DWD)。其工作电压为24V，峰值脉冲电流9A，封装为DFN1.0x0.6-2，满足IEC 61000-4-2标准中±30kV(空气/接触)ESD防护要求。　　VBUS供电端口防护　　针对USB-PD快充模式的高压VBUS端口，推荐采用大功率ESD防护芯片(如SYS12V20SLC)。其工作电压20V，浪涌峰值电流25A，封装为DFN1.6x1.0-2，可有效抑制瞬态过压冲击，确保供电系统稳定性。　　矽力杰USB-C接口ESD保护方案
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发布时间：2025-03-25 09:27 阅读量：621 继续阅读>>
上海雷卯电子：耐压100v的车载以太网保护<span style='color:red'>ESD</span>
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上海雷卯电子：耐压100v的车载以太网保护ESD

　　越来越多的客户选择使用Leiditech(雷卯电子)的PESD2ETH1GXT-Q来替代Nexperia(安世半导体)的PESD2ETH1GXT-Q、SEMTECH的RClamp10012PQ，尤其是在车载网络线路的ESD保护应用中。雷卯的产品不仅提供了更具竞争力的价格和更快的交货期，还在性能上表现出色，完全满足了汽车电子行业对高可靠性和抗静电能力的要求。　　雷卯的PESD2ETH1GXT-Q优势：24V带回扫，VBR100V，钳位电压Vc 低至32.5V，能很好的保护后级电路，漏电流低，nA级别，满足IEC 61000-4-2，等级4 ，空气放电±25kV，接触放电±25kV。　　判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点：　　VRWM(最大工作电压) 是否接近;　　抗静电能力是否接近;　　VBR(击穿电压)是否接近;　　CJ(结电容)是否接近;　　封装类型是否一致或者兼容;　　VC(钳位电压)是否接近。　　雷卯的封装是SOT-23, nexperia封装是 SOT-23，SEMTECH的RClamp10012PQ的封装是DFN-5(1*2);　　PCB布局上雷卯可以直接替换nexperia，无需修改电路板设计;　　雷卯的 VRWM,VBR, CJ ,ESD(air,contact)，VC等参数都几乎同nexperia的一样，优于SEMTECH的RClamp10012PQ，完全可以替代nexperia同型号产品和SEMTECH的RClamp10012PQ。　　雷卯PESD2ETH1GXT-Q规格书主要参数部分展示如下：
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发布时间：2025-02-07 14:22 阅读量：696 继续阅读>>
上海雷卯：通过信号浪涌35V以上的HDMI、USB3.0接口保护<span style='color:red'>ESD</span>二极管
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上海雷卯：通过信号浪涌35V以上的HDMI、USB3.0接口保护ESD二极管

　　在现代电子设备中，HDMI2.0接口已成为连接高清视频和音频信号的重要桥梁，而USB 3.0接口则成为高速数据传输和多功能连接的核心枢纽;然而，这些接口也容易受到静电放电(ESD)和浪涌电压的影响，可能导致设备损坏或性能下降。上海雷卯电子提供了一系列高性能的ESD保护器件，以确保HDMI、USB3.0等高速接口的安全性和可靠性。本文将重点介绍如何选择合适的ESD保护器件，特别是针对35V及以上浪涌电压的挑战。　　为什么选择ULC3324P10LV?　　ULC3324P10LV 是上海雷卯电子推荐的一款专为高速接口(如HDMI和USB 3.0)设计的多路回扫型ESD二极管阵列。它具有以下显著优势：　　1.强大的浪涌保护能力：ULC3324P10LV能够承受高达14A(8/20µs)的浪涌电流，远超过35V浪涌电压的要求。　　2.低钳位电压：在14A，tp=8/20us测试下的钳位电压VC仅为7V，这意味着它能够在ESD事件发生时快速将过电压钳制在较低水平，保护敏感元件不受损害，减少因过电压引起的电路故障风险，提高整个系统的可靠性。　　3.低漏电流：漏电流仅为nA级别，能够实现更节能的设计。　　4.极低的结电容：ULC3324P10LV的结电容为0.55pF(IO-GND)，这对于高速数据线路(如HDMI、USB3.0)来说至关重要，因为它可以确保信号传输的完整性，不会影响通信质量。　　5.符合最高ESD标准：ULC3324P10LV的ESD冲击消散值达到了IEC 61000-4-2(4级)国际标准中的最高水平，能够有效保护HDMI、USB3.0接口免受高达30kV的接触放电和30kV的空气放电。　　6.多路保护：单个器件可以保护四路数据线路，节省空间。　　雷卯ULC3324P10LV规格书主要参数：　　如何选择ESD保护器件?　　在选择ESD保护器件时，需要考虑以下几个关键因素：　　1. IEC 61000-4-2等级：选择符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护器件，确保其能够承受一定级别的ESD冲击。对于HDMI、USB3.0等高速接口，建议选择至少达到4级的器件。　　2. 浪涌电流承受能力：根据应用场景可能遇到的浪涌电流大小，选择能够承受相应浪涌电流的ESD保护器件。对于35V浪涌电压的保护需求，建议选择能够承受10A及以上的器件。　　3. 钳位电压：选择钳位电压低的ESD保护器件，以减少浪涌事件中的电压尖峰，保护敏感电路。对于HDMI、USB3.0接口，钳位电压应尽量低于15V，以确保信号完整性和设备安全。　　4. 结电容：对于高速数据线路，选择结电容低的ESD保护器件，以避免影响信号传输质量。理想的结电容应低于1pF，以确保最小的信号干扰。　　结论　　上海雷卯电子的ULC3324P10LV是一款专门为HDMI、USB3.0等高速接口设计的高性能回扫型ESD保护器件，它不仅能够承受高达14A的浪涌电流，还具有低钳位电压和低结电容的特点，非常适合需要通过35V浪涌电压保护的HDMI、USB3.0等高速接口。通过选择合适的ESD保护器件，可以确保电子设备在面对静电放电和浪涌电压时的安全性和可靠性，从而提升产品的整体性能和用户体验。　　关于Leiditech雷卯电子　　Leiditech雷卯电子,是电磁兼容解决方案和元器件供应领先品牌，提供包括ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等多种产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。
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发布时间：2025-01-15 14:13 阅读量：852 继续阅读>>
ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统， 开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“<span style='color:red'>ESD</span>CANxx系列”
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ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统， 开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向随着自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)的发展而需求不断增长的高速车载通信系统，开发出支持CAN FD(CAN with Flexible Data rate）*1总线端口保护的双向TVS(ESD保护)二极管*2“ESDCANxx系列”。CAN FD是车载ECU(电子控制单元)之间实时且安全的数据收发所必需的通信技术。新产品可在不使CAN FD等高速通信中的传输信号劣化的前提下，保护ECU等电子设备免受浪涌和静电放电(ESD)的影响，从而实现高品质的车载通信。　　“ESDCANxx系列”有SOT-23(2.9mm×2.4mm)和DFN1010(1.0mm×1.0mm)两种封装，分别支持24V和27V的截止电压(VRWM)。SOT-23封装有支持24V的“ESDCAN24HPY”、“ESDCAN24HXY”和支持27V的“ESDCAN27HPY”、“ESDCAN27HXY”共4款，DFN1010封装有支持24V的“ESDCAN24YPA”、“ESDCAN24YXA”和支持27V的“ESDCAN27YPA”、“ESDCAN27YXA”共4款，两种封装合计8款新产品。　　随着自动驾驶技术和ADAS技术的快速发展，对速度更快、可靠性更高的车载通信系统的需求也随之增加。特别是自动驾驶领域，需要快速、准确地处理从摄像头、LiDAR和雷达等的传感器获取的大量信息，因此以往车载通信所用的CAN逐渐被能够更高速、更大容量地传输数据的CAN FD取代。另一方面，要想提高车载通信的速度，就必须实现在严苛环境下的稳定通信，因此对引脚间电容低、抗浪涌和钳位电压等特性优异的保护器件的需求日益高涨。因此，车载通信用TVS二极管市场预计未来将会进一步增长。为了满足这些市场需求，ROHM开发出同时实现了低引脚间电容和出色抗浪涌能力的新产品“ESDCANxx”。　　新产品通过优化元件结构，将引脚间电容*3降至最大3.5pF，可防止高速通信时的信号劣化。另外还实现了出色的抗浪涌特性，大大提高了车载环境中电子设备的保护性能。例如，DFN1010封装的支持27V的新产品，与支持CAN FD的同等普通产品相比，抗浪涌能力*4提高了约3.2倍，钳位电压*5也降低了约16%。这可以有效地保护车载ECU等昂贵且对浪涌敏感的电子设备，即使在严苛的车载环境中也能提供高可靠性。　　新产品已于2024年11月开始以月产50万个的规模逐步投入量产。前道工序在ROHM Apollo CO., LTD.(日本福冈县)进行，后道工序在ROHM Korea Corporation(韩国)等工厂进行。另外，新产品已经开始通过电商平台进行销售，通过Ameya360等电商平台均可购买(样品价格100日元/个，不含税)。　　未来，ROHM将继续开发支持车载通信系统高速化的产品，为自动驾驶和车载通信环境的发展、并为实现更安全、更先进的出行社会贡献力量。　　<产品阵容>      <应用示例>       ・自动驾驶和高级驾驶辅助系统(ADAS)　　・汽车电动动力总成系统　　・车载信息娱乐系统等　　<电商销售信息>       开始销售时间：2024年12月起　　电商平台：Ameya360　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：SOT23封装：ESDCAN24HPY、ESDCAN24HXY、ESDCAN27HPY、ESDCAN27HXY      DFN1010封装：ESDCAN24YPA、ESDCAN24YXA、ESDCAN27YPA、ESDCAN27YXA　　<术语解说>      *1)CAN FD(CAN with Flexible Data rate)　　CAN(Controller Area Network)协议的升级版，与传统的CAN相比，数据传输速度更快，数据容量更大。在自动驾驶和ADAS等系统中，多个车载电子控制单元(ECU) 之间的实时通信需要CAN FD协议。　　*2)TVS二极管(Transient Voltage Suppressor Diode)　　一种可保护电路免受过电压、浪涌和静电放电 (ESD：Electrostatic Discharge)影响的半导体器件。TVS二极管通过吸收突发的电压和电流尖峰(浪涌)，来防止电路损坏和误动作。在车载环境中，防止异常的电气波动非常重要。　　*3) 引脚间电容(Capacitance Between Terminals)　　电子元器件中产生的不必要的电容分量。如果引脚间电容较大，高速通信时信号就会劣化，因此在车载通信应用中降低引脚间电容非常重要。　　*4) 抗浪涌能力(Surge Current Rating)　　TVS二极管能够承受的最大浪涌电流值。抗浪涌能力越高，对车载环境中异常电气波动的防护能力就越强。　　*5) 钳位电压(Clamping Voltage)　　TVS二极管抑制浪涌等引起的过电压时电路内维持的电压。该电压越低，越可以有效地保护电路和设备，从而提高车载设备的可靠性。
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发布时间：2024-12-24 14:57 阅读量：578 继续阅读>>
雷卯电子：集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(二)集成电路<span style='color:red'>ESD</span>问题应对措施
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雷卯电子：集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(二)集成电路ESD问题应对措施

　　ESD是指处于不同电位的两个物体之间，由于直接接触或静电场感应导致的电荷传输现象。在电子设备中，ESD 可能会对敏感的电子元件造成损害，因此提高ESD抗扰度对于保证电子设备的正常运行至关重要。预防措施能够将 ESD 抗扰度提高到约 15kV，这表明通过合理的设计和防护，可以有效降低 ESD 对电子模块的影响。　　ESD问题应对措施　　ESD测试只能在成品部件上进行，这是因为只有在整个部件完成开发和生产后，才能准确地评估其在实际工作环境中的ESD抗扰度。这也意味着在产品开发过程中，需要提前规划和考虑ESD防护措施，以避免在测试阶段出现问题而导致成本增加和时间延误.　　1、改进IC设计：IC 制造商可以通过改进 IC 的设计来提高其ESD抗扰度。例如，采用更先进的ESD保护技术、优化电路布局和增加ESD保护器件等。这可以在一定程度上降低 ESD故障的发生概率，但需要在 IC 设计和制造过程中进行大量的研究和投入.　　2、优化机械结构设计：在机械结构设计中采取适当的EMC预防措施也可以减少ESD对集成电路的影响。当 ESD干扰源自散热器并直接作用于IC外壳时，改变机械设计是解决问题的有效方法。这可能包括重新设计散热器的结构、位置或材料，以减少其对 IC 的干扰。然而，这种方法需要更改机械结构部件和生产工具，成本较高。因此，在产品设计的早期阶段，了解 IC 的电磁兼容性特性，并采取相应的预防措施，可以避免在后期出现此类问题，从而降低成本和缩短开发周期.　　3、增加屏蔽：集成电路(IC)周围增加屏蔽罩、滤波电路等，以减少电磁干扰的耦合和传播。这需要在设计阶段就充分考虑 EMC 问题，并与电子设计人员进行密切合作。　　(图3) 用场源检测到的微控制器的易感区域　　比如，为了提高 ESD 免疫力，可以在 IC 上方设置屏蔽罩，以拦截散热片发出的电场，(如图3所示)，在进行静电放电(ESD)　　测试中，屏蔽罩还必须延伸到石英晶体上。从而将 ESD 免疫力提高到大约 15kV 左右。不过，需要注意的是，IC中的其他薄弱点可能会限制进一步提高免疫力，因为干扰仍可能通过线路网络耦合到 IC。因此在电子设备的设计中，需要综合考虑各种因素，不能仅仅依赖屏蔽层来解决电磁兼容性问题。　　4、加强测试和评估：为了确保IC的 EMC 性能，需要进行严格的测试和评估。这包括 ESD 测试、电磁兼容性测试等，以验证集成电路在各种电磁环境下的性能和可靠性。通过测试，可以及时发现问题并采取相应的改进措施，从而提高集成电路的质量和稳定性。
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发布时间：2024-12-20 09:44 阅读量：874 继续阅读>>

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