免费开发板 | 纳芯微NS800RT7P65D评测活动开放，详解直播预约！

Release time：2026-04-15
author：AMEYA360
source：纳芯微
reading：592

　　纳芯微 NSSine™实时控制MCU/DSP产品矩阵的高性能成员——NS800RT7系列，是主打强算力、高精度与高集成度的嵌入式控制解决方案。

　　基于该系列推出的NS800RT7P65D开发板(评估板)集成多种高速接口与丰富外设资源，能够轻松应对多场景的电力电子应用开发。

　　纳芯微已开展NS800RT7P65D对于 RT-Thread 的适配，并联合推出开发板评测活动。诚邀广大嵌入式开发者参与，亲身体验NS800RT7P65D的表现。

　　与此同时，我们还将于4月23日 晚20:00开启联合直播!从产品解析到上手实践 —— 无论你是嵌入式领域的资深玩家，还是怀揣好奇心的新手，都能够参与，和工程师现场答疑，共同探索 NS800RT7P65D的无限潜能!

　　NS800RT7P65D硬件介绍

　　该系列采用双Cortex®-M7内核@400MHz内核，每个内核配备自研eMath/mMath加速核，支持数学函数、FFT及矩阵运算加速，大幅提升实时运算效率。产品集成1MB eFlash+13KB DFlash，搭配高达768KB RAM(含256KB TCM*2+256KB SRAM)，为复杂算法和多任务处理提供充足空间。该系列面向电源与电机控制等电力电子应用，兼具卓越算力、精准控制与安全通信能力，为客户提供平滑的国产化迁移路径。

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　　NS800RT7P65D开发板(评估板)

　　评测活动信息

　　一.时间安排

　　报名申请时间：2026年4月14日-2026年5月5日

　　完成任务时间：2026年5月11日-2026年6月1日

　　二.评测任务

　　开发板的外设功能模块，每个外设模块的评测为一个任务，每位参与者领取一个功能模块任务即可, 完成任务后请在RT-Thread论坛提交评测文章。(任务见下方，*为必做任务，任务未完成的开发者，需寄回评测开发板)

　　输出内容1

　　• 欢迎制作并提交【开箱视频】

　　• 功能模块的硬件介绍*

　　• 功能模块的使用说明*

　　• 外设性能指标测试

　　• 完成模块功能的演示，视频建议可放到B站*(温馨提示：功能演示的视频可上传至B站，视频链接可放在测评文章里)

　　• 可编译下载的代码，可给出gitee或者github链接*

　　• 心得体会*

　　输出内容2

　　如果在测试过程中，遇到问题，请描述清楚问题，记录在github的issue中。

　　• 描述：测试的方法，所用的模块或平台、出现的问题

　　• issue记录地址：https://github.com/RT-Thread/rt-thread/issues

　　输出内容3

　　整理测试文档及代码，完成电子书《NS800RT7P65D开发实践指南》

　　(https://docs.qq.com/sheet/DZU9TUmFUeUZQdmhU?tab=BB08J2)

　　三.任务难度划分说明

　　测试基础外设，难度低;测试复杂外设，难度中;编写驱动+测试外设，难度高。

　　⭐ 难度低

　　⭐⭐ 难度中

　　⭐⭐⭐难度高

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　　四.参加评测您将获得

　　• 尝鲜NS800RT7P65D!

　　• 专业评审团队：我们邀请了纳芯微及RT-Thread组成评测支持团队，为你的项目提供技术支持。

　　• 创意无限，挑战自我：我们鼓励各位参与者展示创意、突破传统，在完成评测任务后，您可以保留申请的开发板，期待你用NS800RT7P65D打造属于自己的项目，展现你的独特风采!

　　五.立刻申请评测

　　请注意：报名申请需要填写项目经验，请尽可能体现您的实力，方便我们分配任务!

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纳芯微丨AI服务器电源揭秘 ，水有水源，算力有电源
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　　从市电输入到约0.8V芯片内核供电，AI服务器电源就像一套高标准供水系统：　　源头要稳，备援要快，调压要准，终端要稳。　　PSU：源头水厂|转换市电，稳定母线　　CBU/BBU：应急蓄水|快速补能，持续供电　　IBC：减压配水|逐级降压，高效分配　　Vcore：终端供水|直达内核，支撑算力　　面对高功耗、高波动、高密度，电源系统不仅要供得上，更要供得稳、供得久、护得住。　　从PSU源头转换、CBU/BBU应急备电，到IBC逐级降压、Vcore内核供电，纳芯微以丰富的芯片方案，支撑AI服务器电源高效转换、稳定控制与可靠保护，为算力持续输出提供底层保障。
2026-05-26 10:59 reading：382
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　　5月21号，纳芯微在联合电子(UAES)2026 “品质于心 创新于行”生态伙伴峰会上，凭借在深度协同、技术创新、质量管控以及稳定交付等方面的突出表现，斩获大会优秀供应商最高荣誉，纳芯微CEO王升杨代表公司上台领奖。　　这份荣誉既是联合电子对纳芯微技术实力、质量体系、交付运营的权威认可，也是双方过去几年深厚互信、协同共赢的重要成果。纳芯微始终将联合电子视为最重要的战略合作伙伴之一，未来将继续坚守质量零缺陷目标，深化技术协同、提升交付保障、持续创新降本，以长期稳定、高质量的芯片产品与方案，服务联合电子及全球汽车客户，携手共拓新境、共赢长远未来。　　面向汽车电动化、智能化浪潮，纳芯微将继续以客户为中心，深耕汽车芯片赛道，共同推动中国汽车电子供应链更高质量发展与全球化布局。
2026-05-26 09:48 reading：298
让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux
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　　纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。　　此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。　　输入/输出侧电源状态反馈，　　助力功率器件开关安全　　在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用，器件驱动阈值更敏感、响应速度更快，这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。　　传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪，这不仅增加系统复杂度，还可能因延迟或干扰带来误驱动风险，进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患，同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。　　纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能，可实时输出芯片供电状态，直接反馈至MCU/DSP，实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路，即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险，从系统架构层面提升功率器件开关安全性。　　NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比　　高性能驱动与多重保护协同，　　提升系统可靠性与效率　　NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力，可直接驱动IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz开关频率，无需额外增设缓冲器或驱动放大电路，显著简化外围设计。　　器件支持最高32V驱动电压，并集成欠压锁定(UVLO)保护，可有效应对高压冲击场景。同时，内置输入侧IN+/IN-互锁功能，从硬件层面避免上下桥臂直通风险，大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，通过DT引脚可灵活配置死区时间，搭配多档UVLO阈值选择，进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。　　在性能方面，NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真，处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干扰，避免延时波动，在复杂工况下仍可保持稳定运行。　　灵活控制与接口兼容设计，　　降低系统复杂度与BOM成本　　NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置，可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电，可直接兼容MCU、DSP，无需额外电平转换电路。　　通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑，有效降低系统设计复杂度与BOM成本，同时提升整体方案的通用性与可扩展性。　　NSI6602Ux产品特性：　　5.7kVrms隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT　　高CMTI：150kV/μs　　输入侧电源电压：2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护　　驱动侧电源电压：最高可达 32V　　峰值拉灌电流：+4A/-6A　　驱动电源欠压：8V/17V两档可选　　支持输入、输出侧电源监控上报RDY　　可编程死区时间　　支持使能逻辑控制　　典型传播延时：45ns　　工作环境温度：-40℃~125℃　　符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准　　符合RoHS标准的封装类型：SOW14/16，SOP16　　通过UL、VDE、CQC等多项安全认证　　NSI6602Ux典型应用电路　　封装与选型　　纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产，产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装，可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。　　NSI6602Ux系列选型表
2026-05-22 10:31 reading：463
全球出货量Top4，纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统？
行业新闻

全球出货量Top4，纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统？

　　随着汽车电动化、智能化、网联化持续深入，电流、位置、角度、速度等核心状态感知需求快速攀升，磁传感器已成为汽车电子系统的基础器件。据Yole Group《2026 磁传感器产业报告》预测，2031年全球汽车与移动出行领域磁传感器出货量将突破42亿颗。　　目前，纳芯微磁传感器已可覆盖整车关键系统，应用于车身、底盘、动力总成及热管理等领域。Yole Group数据显示，纳芯微在汽车磁传感器市场出货量全球第四、营收全球第七，位居国产厂商首位。　　构建多维技术体系：支撑复杂应用需求　　完整磁传感器产品矩阵：围绕汽车多样化感知需求，纳芯微已构建覆盖电流、角度、位置与速度的磁传感器产品矩阵。　　多技术路线协同布局：纳芯微持续布局并推进多种磁感知技术协同发展，包括平面霍尔、垂直霍尔、AMR、TMR及电感式传感技术在内的多个关键技术路线，结合自研BendingMag™ BFC聚磁技术，实现不同应用场景的精准适配，在精度、功耗与抗干扰能力之间取得平衡。　　同时，依托自主IP与核心专利，纳芯微磁传感器在温度补偿、低噪声信号链及零点漂移控制等关键环节持续优化，进一步提升产品在复杂车规环境下的稳定性与一致性。　　规模量产，全球市场领先：纳芯微磁传感器累计出货量超过20亿颗，市场表现位居全球前列。　　多场景渗透，磁传感器贯穿整车系统　　动力域：关键电流检测　　在逆变器、电驱、OBC/DC-DC及电池管理系统中，磁传感器广泛应用于新能源汽车动力系统的各类电流监测场景。纳芯微提供高精度的电流传感器产品系列：　　NSM201x与NSM211x系列集成式电流传感器：覆盖约5A至200A电流检测范围，兼具高带宽与精度表现。NSM211x可支持MHz级带宽，满足快速响应需求;　　NSM204x系列集成式电流传感器：通过小型化封装与稳定性能输出，提升系统集成度，适配多样化电流检测场景;　　MT9519系列线性电流传感器：支持不同结构下的开环电流检测方案，具备250kHz高带宽与快速响应能力，可覆盖几十安培至1000A电流检测范围，适用于电驱系统等高可靠性电流检测场景;　　NSM203x系列线性电流传感器：面向基于聚磁环的大量程电流检测场景，面向电驱系统等大电流检测场景，具备400kHz高带宽、1.5μs快速响应及优异噪声表现。　　车身域：高频位置检测　　在车身控制系统中，磁传感器广泛应用于车窗、门把手、电动尾门、天窗及座椅等位置检测场景。针对高可靠感知、低干扰传输的核心诉求，纳芯微提供丰富磁开关产品系列：　　MT72xx系列：采用两线制电流型输出，降低线束复杂度，提升长线束抗干扰能力;　　MT73xx系列：基于3D霍尔技术，提供双路正交信号输出，可同步获取速度与方向信息，提升检测精度与系统响应一致性;　　NSM101x系列：三线制霍尔开关/锁存器，支持宽电压输入与灵活参数配置，具备完善保护机制与良好系统兼容性。　　底盘域：高精度安全感知　　在电动助力转向、制动及悬架系统中，磁传感器承担关键角度、轮速与位置检测任务，对精度、实时性及可靠性要求严苛。　　NSM4xxx轮速传感器系列：集成功能安全诊断机制及振动抑制模块，具备良好的抗干扰能力与宽温稳定性，为ABS、ESP等系统提供可靠速度信号;　　MT6511 角度传感器：基于差分霍尔技术，角度检测精度<±1°max，提供<10μs的低系统延时，具备较强抗杂散磁场干扰能力及多接口输出特性;　　MT652x角度传感器：基于水平霍尔与BendingMag™ BFC聚磁技术，实现多平面磁场感知与高精度角度测量(精度<±1°)，支持灵活曲线编程与多接口输出。　　热管理系统：执行层关键感知　　随着热管理系统复杂度提升，执行部件对角度与电流感知的要求持续提高。纳芯微角度传感器支持高精度位置检测与多接口输出，满足复杂控制需求;同时配合电流传感器实现从高隔离到高带宽的检测能力覆盖，支撑系统高效稳定运行。　　传统动力系统：稳定角度检测　　在燃油车及混动车动力系统中，磁传感器广泛应用于电子节气门、EGR阀及涡轮增压器系统中的角度检测场景。纳芯微角度传感器支持0–360°连续测量，具备良好的温度稳定性与抗干扰能力，并提供多种接口形式，兼顾控制精度与长期可靠性。
2026-05-21 09:44 reading：507
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