兆易创新与南瑞继保达成战略合作,筑牢电力芯片供应链安全底座

Release time:2025-10-10
author:AMEYA360
source:兆易创新
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  10月9日,兆易创新(GigaDevice)与南京南瑞继保电气有限公司(以下简称“南瑞继保”)达成战略合作伙伴关系。此举旨在充分聚合双方优势,将兆易创新在国产MCU、存储及模拟器件领域的产品技术经验,与南瑞继保在电力保护控制、工业过程控制、智能电力装备等领域的深厚积累进行优势协同,助力南瑞继保打造安全、稳定、自主的国产供应链体系,加速电力行业创新方案的落地,推动电力安全性与智能化水平持续提升。

  南瑞继保总经理、党委副书记李九虎,副总经理、党委委员文继锋,研究院保护控制平台研究所所长李响,以及兆易创新CEO胡洪,副总裁、PMU事业部总经理陈永波,中国销售部总经理王海洋等人出席了本次签约仪式。

兆易创新与南瑞继保达成战略合作,筑牢电力芯片供应链安全底座

  南瑞继保在大电网保护控制、柔性输电保持行业领先,行业方向从电网电厂向新能源电力系统、矿业能源、源网荷储、制氢氨醇、钢煤石化、轨道民航、零碳园区等领域成功拓展。南瑞继保坚持“解决问题就是创新”的文化理念,持续推进科研与产业深度融合。开创性提出并建立以“工频变化量”等原理为核心的快速继电保护和稳定控制理论体系,解决继电保护历史性、世界性难题。提出并构建了电力系统“三道防线”,极大提高了我国电网安全稳定运行水平。打破国外直流控制保护技术垄断,成功研制特高压直流输电、柔性交直流输电成套装备等多项国之重器,引领行业技术发展方向。率先提出“打造理想同步电源”的构网理念,完成构网型技术开发和装备研制,实现多场景全面应用,彻底解决了新能源大规模消纳的本质问题,助力“双碳”目标实现。

  作为国内领先的半导体厂商,兆易创新凭借多元化的产品布局与严苛的品质管控,为南瑞继保打造高效稳定的国产供应链提供了有力支撑。其覆盖MCU、存储、模拟的全面产品线,能够提供一站式芯片解决方案,有助于提升南瑞继保供应链的协同效率与整体安全。特别是在继电保护装置等核心领域,兆易创新GD32 MCU高性能产品展现出独特优势:SRAM/Flash全区支持ECC校验,为复杂电力环境下的长时间不间断运行保驾护航;其对系统级IEC 61508 SC3 (SIL2/SIL3) 功能安全标准的支持,可进一步保障电力应用的可靠性和安全性。同时,兆易创新存储产品容量齐全、可靠性高,覆盖工规、车规不同等级,可充分满足不同电力应用需求;加之种类丰富的模拟产品矩阵,能进一步提升整体方案的完整性与灵活性。

  在签约仪式上,南瑞继保总经理、党委副书记李九虎表示:“兆易创新在芯片器件领域具备卓越的技术实力和品质保障,这与南瑞继保在智能电力装备方面的研发优势高度契合。此次与兆易创新的战略合作,将有助于加速我们关键元器件的国产化进程,提升产品在电力行业的综合竞争力。我们期待通过双方的紧密协作,为电力行业的数字化、智能化转型提供更安全、更高效的解决方案。”

  兆易创新CEO胡洪表示:“南瑞继保在电力系统保护与控制领域拥有深厚的技术和市场积淀,其产品在电力系统中发挥着关键作用。与南瑞继保的战略合作,是兆易创新推动国产芯片在电力行业深度应用的重要机遇。我们将依托多元产品矩阵,为南瑞继保提供稳定可靠的供应支持,为能源安全和智能电力装备的发展贡献力量。”

  随着新能源与智能电力的快速发展,兆易创新与南瑞继保的合作将有力推动电力行业的数字化、智能化升级。此次战略合作不仅是双方在技术、产品和市场等多方面的深度融合,也是双方在推动行业创新与能源行业可持续发展的道路上迈出的坚实的一步。


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兆易创新与吉利汽车共建联合创新实验室,携手迈进汽车发展新时代
  4月7日,兆易创新(GigaDevice)与国内先进汽车制造商吉利汽车共建联合创新实验室。双方将建立长期稳固的战略合作伙伴关系,聚焦高性能MCU应用,为中国汽车产业的智能化发展注入技术源动能。  (左)李传海 吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长  (右)胡洪 兆易创新CEO  联合创新实验室将整合吉利汽车与兆易创新的优势资源,聚焦车身、座舱、智驾、动力、底盘等关键领域,开展全方位的协同创新。兆易创新将依托在车规级存储和MCU等产品线的深厚技术积淀,围绕客户需求,通过精准的产品定义与解决方案的落地,为吉利汽车整车平台提供高性能、高可靠、高品质的底层硬件保障。  (左)李传海 吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长  (右)胡洪 兆易创新CEO  (左一)果鹏 吉利汽车智能硬件中心产品管理和架构主任工程师  (左二)蔡卫龙 吉利汽车智能硬件中心产品管理和架构负责人  (左三)李传海 吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长  (左四)韦浩 吉利汽车智能硬件中心主任  (右四)李文雄 兆易创新副总裁、汽车事业部总经理  (右三)胡洪 兆易创新CEO  (右二)马思博 兆易创新副总裁、DRAM事业部总经理  (右一)王海洋 兆易创新中国销售部总经理  在车规芯片领域,兆易创新已构建起多元化的产品布局,其车规级存储与MCU均已实现规模化市场应用。截至目前,车规级Flash累计出货量超3亿颗,广泛应用于智能座舱、辅助驾驶等核心场景。在高算力微控制器方面,GD32A全系车规MCU累计出货量超800万颗,其中,GD32A7系列车规MCU已获得多个车型定点,覆盖多层级汽车应用。与此同时,兆易创新也在加速布局更高算力的下一代车规MCU产品,为中央计算等前沿架构提供可靠的算力保障。  吉利汽车集团副总裁、吉利汽车研究院院长李传海表示:“当前,芯片技术已成为驱动汽车产业迭代升级的核心力量。吉利期待依托双方优势深化汽车产业协同。此次联合实验室的成立,将有助于双方打通前瞻技术研究、产品选型与产业化落地链路,助力车规芯片技术在汽车场景的创新应用。我们愿与兆易创新务实推进各项合作落地,共同助力国产芯片与智能汽车产业深度融合、迈向全球化发展。”  兆易创新CEO胡洪表示:“汽车产业的技术迭代与国产芯片的发展相辅相成、相互成就。兆易创新高度重视与吉利汽车的合作,并将持续加码在车规级芯片领域的研发投入。本次联合创新实验室的成立是见证双方长期合作、携手前行的重要里程碑,我们期待与吉利汽车在车规存储和MCU芯片等方向展开深度课题研究,以技术协同为纽带,赋能吉利汽车供应链体系的完善,共同探索汽车智能化发展的无限可能。”  面向汽车AI融合发展的新时代,兆易创新与吉利汽车将依托联合创新实验室平台,持续深化从芯片定义到整车应用的紧密联动,聚焦技术创新与产业融合,推动中国智能汽车产业链迈向更高水平。  联合创新实验室将整合吉利汽车与兆易创新的优势资源,聚焦车身、座舱、智驾、动力、底盘等关键领域,开展全方位的协同创新。兆易创新将依托在车规级存储和MCU等产品线的深厚技术积淀,围绕客户需求,通过精准的产品定义与解决方案的落地,为吉利汽车整车平台提供高性能、高可靠、高品质的底层硬件保障。
2026-04-14 13:22 reading:353
eMMC之外新选择!兆易创新推出大容量SPI NAND Flash
兆易创新荣膺“十大中国IC设计公司”及“年度MCU奖”,深厚积淀载誉前行
  3月31日,兆易创新(GigaDevice)在2026国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai 2026)同期举办的颁奖典礼上,荣获“十大中国IC设计公司”奖,其旗下基于Arm® Cortex®-M33内核的高性能微控制器GD32F50x系列,荣膺“2026年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖——年度MCU”。双项大奖的获得,有力印证了兆易创新在芯片设计领域的技术实力和市场地位。  中国IC设计成就奖由AspenCore主办,已连续举办二十四载,旨在评选并表彰对推动中国电子产业创新做出杰出贡献的企业与产品,是中国电子工程师广泛认可的专业奖项之一。  深耕多元产品布局  加速构建全球业务版图  此次荣获“十大中国IC设计公司”奖,彰显了业界对兆易创新研发能力与市场竞争力的充分肯定。依托存储、MCU、模拟、传感器的持续深耕,兆易创新已构建起多元化的产品矩阵,广泛覆盖工业、汽车、消费电子、物联网、PC与服务器、通信等不同应用领域。其中,SPI NOR Flash累计出货量超过310亿颗,全球市场占有率位居第二;GD32 MCU凭借74个系列、800余款型号的丰富产品线,在32-bit通用MCU领域跻身全球第七,累计出货量突破25亿颗。  与此同时,为更高效地响应全球客户需求,兆易创新正全面提速国际化战略。继2025年在新加坡设立国际总部后,公司于2026年1月在香港联交所挂牌上市,成功构建起“A+H”的双资本平台。这一系列举措标志着兆易创新正通过国际资本与全球化运营的深度协同,持续夯实产品创新研发实力与市场竞争力,并将为全球电子产业链提供更具竞争力的产品及解决方案。  推动智能化升级  GD32F50x赋能多元应用  本次获得“年度MCU”奖项的GD32F50x系列MCU,为数字电源、工业自动化、电机控制、扫地机、BMS、人形机器人等高可靠场景量身打造。其采用高性能Cortex®-M33内核,主频高达280MHz,配合最高1024KB Flash和192KB SRAM大容量存储,能够轻松应对复杂算法的实时运算需求。  该系列产品提供安全启动和安全更新软件平台,配合用户安全存储区域等硬件安全特性,实现多级代码与数据的保护,可完成固件升级、完整性、真实性验证及防回滚检查。配套的STL软件测试库获得德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证,为对安全性要求严苛的应用提供了坚实的“芯”基础。  此外,GD32F50x系列在功耗控制方面同样表现出色,通过设计三种省电模式,极大提升了设备的能效比。其增强的电磁兼容性与可靠性,也确保了在恶劣工业环境下的长效稳定运行。  当前工业正经历向智能化、数字化的深刻变革,GD32F50x的获奖是业界对兆易创新产品的高度认可。展望未来,兆易创新将继续依托GD32 MCU丰富的产品矩阵与开发生态,与全球合作伙伴共同助力应用的创新升级。
2026-04-01 09:30 reading:583
兆易创新亮相 TCT 亚洲展,筑牢 3D 打印“芯”基石
  亚太增材制造旗舰盛会 ——TCT 亚洲展完美收官。兆易创新携多款重磅产品及专项解决方案亮相展会,聚焦3D打印设备核心需求,全方位展示高效、稳定、可靠的底层技术,以国产 “芯” 实力为增材制造产业发展提供坚实可靠的支撑。  针对增材制造行业高精度、高稳定性、智能化的发展趋势,兆易创新依托MCU、电机驱动、电源管理等核心产品线,推出覆盖整机应用、电源配套的全链路解决方案,精准匹配3D打印设备硬件需求。  兆易创新展品核心亮点  基于GD32H7系列MCU的多轴步进电机方案  采用Cortex®-M7内核高性能GD32H737 100pin主控芯片  主频600MHz,1MB Flash,512KB SRAM,512KB TCMRAM  丰富的外设资源,3个ADC(20ch),2个高级定时器,14个通用定时器,8个串口,82个GPIO等  采用普通低成本H桥驱动实现4轴步进微步细分控制  凭借GD32H7系列高算力和丰富资源,替代4路高成本步进细分控制芯片,实现整体成本降低  自研XYZE四轴步进同步细分控制算法,最高2^14细分(插值),带来平滑的正弦电流和优异的静音效果  自研堵转检测算法,可实现无限位开关归零  自研自适应降电流算法,降低电机功耗和温升  最高打印速度600mm/s,最大加速度20000mm/s^2(某款机型,其它机型需适配实测)  基于GD32F503系列MCU的喷嘴挤出机方案  普通低成本H桥驱动实现步进电机电流闭环控制解决方案  采用ARM Cortex®-M33内核的GD32F503CET6作为主控芯片,主频高达252MHz,LQFP48小封装  步进电机细分控制,最高2^14细分(插值)  24V直流供电,最大2A工作电流  支持喷嘴加热和温度采样功能  支持两个直流风扇控制功能  支持SPI读取加速度计数据功能  基于GD32H75E系列MCU的EtherCAT®伺服从站系统解决方案  采用Cortex®-M7内核的高性能GD32H75E系列作为主控芯片,主频高达600MHz  24V供电,额定功率240W,电机额定转速为3000rpm  伺服驱动采用标准CiA 402协议,通过TwinCAT进行实时控制  支持轮廓位置模式(PP),30种原点回归模式(HM)和循环同步位置模式(CSP)  在轮廓位置模式(PP)下采用梯形曲线规划  结合原点开关和限位开关,实现30种回零模式  速度观测器实时进行速度观测,提高了速度的平滑性和响应速度  结合∑-∆调制器和HPDF模块实现In-line电流采样  GD32 emWin GUI七寸驱屏方案  主控为GD32H759,主频高达600MHz  采用TLI驱动LCD,分辨率为1024*600 ,电容屏触摸  采用16-bit SDRAM,SDRAM时钟高达166MHz  外扩OSPI-NOR FLASH/SD卡扩展应用  AVI格式视频播放功能  Libmad MP3音频解码  数字表盘及时间设定功能  一键切换系统语言功能  自定义控件GDChart功能展示  GD30DR3001WGTR-K 电机驱动 Demo板  支持4.5V ~ 40V超宽工作电压范围  优秀的驱动能力,最高Peak 6A驱动能力,持续电流可达4A  配置了Thermal-PAD  支持可配的驱动电流调节功能(I-trip),对负载实现多级过流保护功能  具有欠压锁定、过流、过温度保护等多重保护功能  GD30DR3001优化TRise 和TFall 时间,EMI处理上更为友好  基于GD30DC1502WGTR-I 36V 3A的同步降压转换器Demo板  输入电压范围:4.5V 至 36V  恒定输出电流:3A  低导通电阻 120mΩ / 80mΩ(高端 / 低端)  静态电流:150µA  恒定导通时间控制,实现快速环路响应  开关频率:520kHz  支持高达 98% 的大占空比  内部软启动  基准电压:0.8V  支持预偏置输出启动  全面保护功能:过流保护及打嗝模式、输出过压保护、FB 开短路保护、过温保护  采用 ESOP8 封装  基于GD30LD1002WETR-I 1.2A 6.5V的低输入电压LDO Demo板  输入电压范围:1.4V 至 6.5V  输出电压范围:0.5V 至 5.2V,通过电阻分压设置  输出电压精度高:在全电压、负载及温度范围内精度为 ±1%  超低压差:1.2A 负载下最大压差 200 mV  支持限流功能、短路保护、使能功能  采用DFN3*3-8封装
2026-03-27 13:10 reading:600
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