鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

发布时间：2025-09-26 17:13
作者：AMEYA360
来源：鲁光
阅读量：180

　　在追求更高效率、更高功率密度和更高可靠性的电力电子领域，宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)正以前所未有的速度改变行业格局。作为国内功率半导体行业的重要参与者，鲁光电子推出的LGE3M40120Q 是一款极具竞争力的1200V碳化硅MOSFET，为众多高性能应用提供了优秀的解决方案。

　　一、LGE3M40120Q主要参数

鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

　　二、核心优势(基于SiC MOSFET特性)

　　1. 高压高效：1200V的耐压使其能轻松应对光伏逆变器、工业电机驱动等高压场合。

　　2. 低导通损耗：40mΩ的低内阻确保了在导通状态下极低的功率损耗。

　　3. 高频操作能力：极小的开关损耗和几乎为零的反向恢复电荷，允许电路工作在几十甚至上百kHz的频率，从而减小无源元件(电感、电容)的体积。

　　4. 高温稳定性：175℃的最高结温提高了系统可靠性或允许使用更小的散热器。

　　三、特性曲线

鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

　　四、典型应用领域

　　凭借其优异的性能，LGE3M40120Q广泛应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域：

　　1.新能源发电与储能

　　1.1光伏逆变器：特别是组串式和微型逆变器，SiC器件的高频特性可以最大程度提升效率和功率密度，同时降低系统成本。

　　1.2储能变流器：用于电池储能系统的双向充放电，高效能意味着更少的能量在转换过程中被浪费。

　　2. 电动充电设施

　　2.1充电机(OBC)：是OBC的核心开关器件，实现高效、快速的充电。

　　2.2直流-直流变换器(DC-DC Converter)：为高压电池与低压系统之间进行能量转换。

　　2.3充电桩：作为直流快充桩内部电源模块的核心开关元件，是实现大功率、小体积充电桩的关键。

　　3. 工业自动化与电机驱动

　　3.1伺服驱动器与变频器：高频开关使得电流波形更平滑，电机运行更安静、扭矩响应更迅速。

　　3.2不间断电源(UPS)：特别是在高端数据中心和工业级UPS中，SiC技术能显著提升整机效率，降低运行成本和冷却需求。

　　4. 通信电源与服务器电源

　　4.1用于实现高功率密度、高效率的AC-DC整流和DC-DC转换模块。

　　5. 其他领域

　　5.1感应加热、激光电源、医疗设备电源等任何需要高效电能转换的场景。

　　五、总结：

　　鲁光电子的LGE3M40120Q碳化硅MOSFET是一款性能出色的国产功率器件，是推动众多产业向高效化、小型化、绿色化迈进的关键引擎。其核心采用先进的碳化硅技术，相较于传统的硅基IGBT和MOSFET，它在高温、高频和高电压环境下表现出卓越的性能，能够显著降低系统能耗。


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