开关电源的辐射干扰问题一直是电子工程师们关注的重点。在开关电源的设计中,辐射干扰的强弱不仅与电流大小、电流频率有关,还与通路的环路面积密切相关。
一、通路尺寸面积与辐射干扰的关系
1、关系式解析:
辐射干扰E与电流I、通路面积A、电流频率f的平方成正比,即E∝I·A·f²。
当通路尺寸远小于频率的波长时,此关系式成立。
2、面积影响:
减小通路面积是减小辐射骚扰的关键。
面积A的减小能显著降低辐射干扰E。
二、元器件布局与布线优化
1、初级电路:
输入端电容、晶体管、变压器应彼此靠近,减小环路面积。
布线需紧凑,避免不必要的长距离走线。
2、次级电路:
二极管、变压器、输出端电容应贴近布局,同样减小环路面积。
遵循紧凑原则,减少干扰源与敏感元件间的距离。
3、印制板设计:
正负载流导线分别布在印制板的两面,保持平行。
平行紧靠的正负载流导体产生的外部磁场趋于相互抵消,降低辐射干扰。
在线留言询价
型号 | 品牌 | 询价 |
---|---|---|
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
型号 | 品牌 | 抢购 |
---|---|---|
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注
请输入下方图片中的验证码: