搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产！

发布时间：2025-09-10 13:16
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：200

　　2025年9月9日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。

　　作为电驱动总成系统的核心部件，此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖，对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的800V电压，可支持更高的电池电压，并实现了650Arms的峰值电流输出。凭借罗姆的SiC技术，该产品不仅实现了高效率和高输出功率，还实现了产品小型化，将作为推动下一代电动汽车普及的重要产品投入市场。

　　罗姆与舍弗勒(原Vitesco Technologies)自2020年起建立战略合作伙伴关系。2023年，双方签署碳化硅功率器件相关的长期供应协议，增强对提升电动汽车性能至关重要的SiC芯片的供应体系。此次新产品的量产启动，表明这种良好合作关系正在稳步取得积极成效。

搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产！

逆变砖

搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产！

SiC MOS晶圆

　　舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐(Thomas Stierle)表示：“在电动出行解决方案领域，我们通过采用可扩展与模块化的策略，成功开发出适用于从单独部件到高集成度电驱桥的逆变砖。我们以通用平台开发为基石，成功在短短一年内针对中国市场日益普及的X in 1架构开发出优质产品并投入量产。”

　　罗姆 董事兼常务执行官 伊野 和英表示：“舍弗勒逆变砖能够采用罗姆第4代SiC MOSFET并实现量产，我们深感荣幸。罗姆的SiC技术可显著提升电动汽车的效率和性能，通过与舍弗勒的合作，将进一步推动汽车产业的创新与可持续发展。”

搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产！

舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐(Thomas Stierle)(左)

与罗姆 董事兼常务执行官 伊野 和英(右)

　　关于舍弗勒集团

　　舍弗勒集团75余年来始终秉承开拓创新精神，致力于推动驱动技术的创新与发展。依托在电驱动、低碳驱动、底盘应用和可再生能源领域提供创新技术、产品和服务，舍弗勒集团致力于成为值得信赖的合作伙伴，让驱动技术在整个产品生命周期中更高效、更智能、更可持续。舍弗勒集团的产品和服务覆盖整个驱动技术生态系统，涉及八大产品领域，包括从轴承解决方案、各类直线导轨系统到维修和监测服务等丰富的产品和服务组合。

　　舍弗勒集团目前拥有约120,000名员工，在全球55个国家和地区设有250多个分支机构，是全球最大家族企业之一，也是德国最具创新力公司之一。


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2025-07-08 15:42 阅读量：640
罗姆新课上线 | 重点解析贴片电阻器热设计要点，参与赢好礼！
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罗姆新课上线 | 重点解析贴片电阻器热设计要点，参与赢好礼！

　　1970年前后，大多数电子元器件是引脚式的，通孔安装是主流的安装方式。随着应用产品越来越复杂，所安装的元器件数量在增加，可实现高密度安装的表面贴装型元器件逐渐成为主流。　　相应地，贴片电阻器也趋向于更加小型、大功率的产品。然而，随着安装密度的提高，传统的基于环境温度的管理方法在很多情况下已经不再适用。如果电路板的散热不充分，即使施加的功率在额定范围内，电阻器的温升也会很大，从而可能导致产品故障。因此，对于贴片电阻器，尤其是发热量较大的大功率产品而言，如何有效地抑制温升、如何准确地测量温度至关重要。　　本次研讨会将向大家讲解贴片电阻器热设计方面的知识内容。扫描海报二维码即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　研讨会提纲　　1. 热对策的重要性　　2. 环境温度保证和引脚温度保证　　3. 关于电阻器的温度管理　　4. 电阻器的温度测量要点　　5. 关于热设计支持　　研讨会主题　　实践篇：不可不知的贴片电阻器热设计要点　　研讨会时间　　2025年7月23日上午10点　　研讨会讲师　　洪梓昕 助理工程师　　洪梓昕负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　研讨会报名扫描上方二维码 立即报名　　相关产品页面　　电子小百科：什么是电阻器?　　https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/resistors?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=250702　　更小的通用贴片电阻器新产品“MCRx系列”　　https://mp.weixin.qq.com/s/lsZ3E12HPlX4I8eK3onyqg　　6432尺寸金属板分流电阻器“PMR100”　　https://mp.weixin.qq.com/s/P_EOs3dc_FIl4S4YH8ka7w　　12W级额定功率的0.85mm业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2023-03-14_news_resistor&defaultGroupId=false&utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=250702　　最大额定功率10W的低阻值电阻器“GMR320”　　https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2021-04-15_news_shunt-r&defaultGroupId=false&utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=WeChat%EF%BC%88infor%EF%BC%89&utm_content=250702　　相关产品资料　　通用贴片电阻器MCRS系列/MCRL系列　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250625/4d777dbd26438ed02a7d4ec0d3872a0b.pdf　　超低阻值(0.5,1,1.5mΩ)5W大功率 平面贴片型 6432尺寸 分流电阻器-PMR100HZP7　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20240403/175302b1152aa923afbac248d8f55a24.pdf　　大功率金属板分流电阻器 超低阻值型-PSR系列　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/abc0d4d38bd1225b689ce9d0215565cd.pdf　　大功率分流电阻器 - GMR320(5mΩ, 10mΩ to 100mΩ)　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230711/dac0c6492cff17790c4a30e8fc0d13bc.pdf
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　　近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。　　新品直击　　针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC和LLC转换器等应用。其通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。您可查看产品新闻或下载产品参考资料获取产品详细信息。　　产品特点　　1.构建大功率电源电路拓扑(PFC、LLC)的理想产品阵容　　- 内置4枚/6枚1,200V/750V耐压的SiC MOSFET，可构建更简洁小巧的电源电路　　- 产品阵容丰富，提供多种导通电阻(13mΩ~62mΩ)，用户可根据需求选择合适的产品　　2.采用导热性能优异的绝缘材料，散热性能出色，绝缘设计简便　　- 与散热性好的分立器件封装产品相比，其卓越的散热性能可有效抑制封装发热　　3.与同等小型功率模块相比，输出功率更高　　- 采用具有高散热性封装和低导通电阻的SiC MOSFET，电流密度是其他公司DIP模块的1.5倍　　产品阵容　　HSDIP20是罗姆SiC功率器件家族的新成员，作为SiC领域的深耕者，罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来，已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。　　另外，罗姆还提供各种形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此，为满足SiC市场不断扩大的需求，罗姆于2023年开始生产8英寸衬底，并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。　　产品矩阵　　- 罗姆SiC功率器件系列产品　　- SiC支持页　　- 第4代SiC MOSFET　　- 应用合作案例　　新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”　　TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。您可查看产品新闻或下载产品参考资料。　　产品阵容　　宽爬电距离封装，SiC肖特基势垒二极管　　采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高!与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。更多内容您可点击查看产品新闻或点击下载产品参考资料。　　产品阵容　　未来，ROHM将继续开发新产品，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。
2025-06-26 16:34 阅读量：476
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