背景
随着手机SoC制程逐步升级至3nm等先进节点,其核心GPIO电源域电压持续降低(如1.2V),以实现更高性能和更低功耗。然而,许多外围设备(如传感器、存储器接口等)仍普遍采用1.8V逻辑电平。这种核心与外围间的电压域差异,导致信号无法直接可靠通信。
为了应对先进制程SoC与外围设备电源域不兼容等问题,帝奥微推出超小封装、超高速、4通道电平转换DIO7S104Q,该器件能高效、无缝地在SoC的1.2V低压域与外围设备的1.8V域之间进行信号电平转换,确保系统各部件间信号的正确匹配与可靠传输。
DIO7S104Q 是一款4通道双向电压电平转换器,带有输出使能(OE)引脚。该器件使用两个独立的可配置电源轨。 A端口和OE引脚参考 VCCA,VCCA提供0.72V至1.98V的电压;B端口引脚参考VCCB,VCCB提供1.62V至3.63V的电压,因此DIO7S104Q可以满足0.72V超低压系统应用电平转换的需求。DIO7S104Q可应用于GPIO/I2C/SMBus/I3C/SPI等信号开漏输出和推挽输出的电平转换。
DIO7S104Q特别适用于超高速SPI接口的电平转换,在1.2V转1.8V应用中,DIO7S104Q仅5ns最大的延时,即使在40MHz SPI,脉宽25ns的应用场景,它也能满足应用需求。DIO7S104Q具有一个输出使能引脚,用于控制输出状态。当OE输入为低电平时,所有I/O均处于高阻态。 DIO7S104Q 采用WLCSP-12和QFN2.0*1.7-12 封装。其额定环境温度范围为 -40 至 85℃,可以满足工业和消费应用的要求。
主要参数和竞品对比
电源电压范围:
− A 端口 0.72V 至 1.98V
− B 端口 1.62V 至 3.63V
最大数据速率:
− 推挽:80Mbps (40MHz)
− 开漏:6.8Mbps (3.4MHz)
VCC 隔离特性:如果 VCCA 或 VCCB 输入为 GND,则所有输出均处于高阻态
OE 输入高电平参考VCCA电源域
无电源时序要求,VCCA 或 VCCB可以任意先上电
采用 0.35mm 间距的 12 引脚 WLCSP 封装和 0.4mm 间距的 QFN-12 封装
工作温度:-40 至 85℃
DIO7S104Q的应用框图
DIO7S104Q是帝奥微推出的一款超小封装、超高速、4通道双向电平转换器。其核心优势在于能高效适配不同电压域间的信号转换需求,解决系统互联的关键问题。凭借小尺寸与高性能的完美结合,该器件可广泛应用于消费电子、通信、工业控制及物联网等众多领域,为设计提供灵活可靠的解决方案。
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model | brand | Quote |
---|---|---|
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
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