纳芯微化繁为简, 适配复杂磁场环境,MT73xx 3D双路输出霍尔锁存器赋能车规电机精准控制

Release time:2025-07-23
author:AMEYA360
source:纳芯微
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  纳芯微基于3D霍尔原理设计的双路输出霍尔锁存器MT73xx系列,支持SS(速度与速度)或SD(速度与方向)双路输出,符合车规Grade 0标准,可广泛应用于车窗、尾门、天窗等电机控制系统,助力提升速度与位置检测的精度与稳定性,优化整车舒适性体验。

纳芯微化繁为简, 适配复杂磁场环境,MT73xx 3D双路输出霍尔锁存器赋能车规电机精准控制

  在电机控制系统中,速度与方向信号的精准检测直接影响系统响应速度与运行稳定性。传统方案通常依赖两颗霍尔锁存器组合,对磁环安装精度要求较高,容易引发信号相位偏差、同步性差、结构复杂等问题。

  MT73xx系列产品集成3D霍尔感应结构,具备天然正交输出特性,能够同时输出双路相位差90°的速度信号(SS输出)或速度与方向信号(SD输出),广泛适用于 “速度-方向”检测场景。这种设计降低了对磁环磁极位置安装精度的依赖,有效规避双路信号相位偏差,简化系统结构,提高整机稳定性,为运动控制检测提供更灵活可靠的解决方案。

  VHS技术加持,适配多元磁环结构

  为了实现高精度的3D感应效果,MT73xx系列采用纳芯微自研VHS(Vertical Hall Sensor)技术,通过XY、YZ、XZ不同轴向感应组合,任意两轴便可天然正交输出,提升信号同步性。

  此外,MT73xx系列可很好的兼容磁环结构,无论是轴向、径向或异形磁铁结构,均能保持优良的占空比表现,便于用户根据磁环特性与安装环境灵活调整设计,进一步降低开发难度与调试成本。

  双路输出优化系统集成

  在系统集成方面,MT73xx的双路输出特性可替代传统单路或双霍尔方案,直接输出SS(速度与速度)或SD(速度与方向)信号至ECU,减少外围冗余位置传感器需求。

  这一设计不仅节省PCB空间、简化结构设计,还提升了方案集成度,为客户在电机控制、智能座舱等领域的创新应用提供更大自由度。

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纳芯微参与车规传感器标准制定,推动汽车电子行业发展
  在汽车电子技术加速发展的背景下,产业标准体系建设已成为行业高质量发展的关键之一。作为国内领先的汽车模拟芯片和传感器芯片企业,纳芯微不仅在产品创新和市场拓展方面不断发力,还积极参与行业标准的制定,推动技术规范化进程。  近期,由纳芯微参与编制的《汽车用霍尔式传感器性能试验方法》团体标准,已正式获得中国检验检测学会批准发布。该标准对霍尔式传感器的一般试验、外观检查、工作温度范围、电气特性等性能测试方法进行了系统规定,为相关产品的开发、验证和质量评估提供了统一的技术依据。  纳芯微在技术创新、市场拓展及产业链协同持续突破。其产品广泛应用于新能源汽车三电系统,并加速渗透至智能化和安全领域。自2016年发布首款汽车芯片,截止2024年,纳芯微汽车芯片累计出货量已达6.68亿颗,2024年汽车业务营收占比36.88%。  在磁传感器领域,纳芯微不断丰富产品体系并布局全面,2024年顺利完成对麦歌恩的战略收购与整合,进一步拓展技术与产品矩阵,提升市场竞争力,巩固行业领先地位。  磁电流传感器(例如:NSM201x系列和NSM203x系列)可用于汽车电池管理系统的电流监测;  磁开关传感器(例如:MT72xx系列和MT73xx系列)可用于车门、尾门、座椅卡扣等部件的测与控制;  磁角度传感器(例如:MT6511)可实现精准的角度位置感知,提升电控系统的稳定性;  磁阻编码器(例如:MT6835 和 MT6826S)以高精度和快速响应为优势,广泛应用于工业自动化和运动控制等领域;  速度传感器(例如:NSM41xx系列)采用AMR技术,可用于汽车ABS系统中的车轮速度检测,助力制动控制系统实现精准响应与安全提升。
2025-07-23 10:43 reading:263
助力半桥器件开关安全提速,纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动NSI6602MxEx系列
  纳芯微正式推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602MxEx系列,该系列在纳芯微明星产品NSI6602基础上,集成了米勒钳位功能,同时兼具高隔离电压、低延时、死区可配、欠压阈值可选等特点,适用于驱动SiC、IGBT等器件,可广泛应用于新能源汽车OBC、DC/DC、主动悬架等场景。NSI6602MxEx与NSI6602功能框图对比  5A米勒钳位功能,助力半桥电路安全可靠  在实际应用中,OBC/DCDC、工业电源、电机驱动等桥式电路的功率器件容易发生串扰行为,尤其伴随着第三代功率器件如SiC和GaN的应用,门极阈值电压以及最大耐受负压双双减小,使得抑制寄生导通的电压裕量在不断减小。在使用传统半桥驱动芯片时,为了避免因米勒效应引发的桥臂直通,通常需要调整驱动电路。  然而,在很多情况下,即使精心调整了驱动参数、正负供电电压,以及优化PCB栅极寄生参数,也难以同时将正负串扰控制在安全余量以内。这不仅限制了碳化硅等器件性能的发挥,也可能带来潜在的安全隐患。开关过程中米勒效应原理  纳芯微推出NSI6602MxEx系列,为两路半桥驱动电路集成5A能力的米勒钳位功能,能够为米勒电流提供最小阻抗释放路径,有效抑制串扰电压的抬升。NSI6602MxEx在NSI6602基础上全副武装,为SiC等器件的安全应用保驾护航。  NSI6602MxEx米勒钳位方案应用分享  在使用SiC功率器件时,由于其高dv/dt特性,门极常常遭遇正负串扰电压(Vswing)幅度超出门极开启阈值(Vgsth)及负向耐压极限(Vgs_min)的情况。这种串扰容易导致误导通或器件损伤,是高性能驱动设计的一大挑战。常规驱动方案  如上图常规解决 SiC 器件门极串扰方案所示,这些传统手段虽然“理论可行”,但在高频高压的SiC应用中仍难以同时达到低损耗与安全余量的双重目标。  下图展示了某款SiC器件分别搭配NSI6602MxEx和传统无米勒钳位驱动芯片的对比测试结果。在相同驱动参数与layout条件下,NSI6602MxEx能显著抑制正负Vswing,搭配适当负压关断后,可将门极串扰压制至安全范围以内。不同器件的串扰摆幅Vswing对比波形不同方案效果对比  更进一步,对于部分 Ciss/Crss 优化良好的器件,NSI6602MxEx 甚至无需负压,也能实现串扰可控,极大降低系统设计复杂度。  ±10A输出电流,助力外围电路精简设计  NSI6602MxEx提供超强驱动能力,最大可输出10A的拉灌电流,支持轨到轨输出。无论是直接驱动更大栅极电荷(Qg)的功率管,还是在多管并联的应用中,与传统方案相比,NSI6602MxEx无需额外添加缓冲器,即可实现高效驱动,有效简化外围电路设计。此外,32V最大工作电压,极限35V的最大耐压,可以应对更高的EOS冲击,搭配精简的驱动外围设计,大幅提高了整个电路系统的可靠性。  可编程死区及多档欠压阈值,助力设计灵活配置  NSI6602MxEx支持通过DT引脚进行死区配置,通过调整下拉电阻可以灵活配置不同死区时间,此外还可以将DT引脚直接接到原边VCC用来两路驱动并行输出;搭配DIS/EN两种可选的使能逻辑,为终端应用提供丰富的控制逻辑;另外,副边电源欠压UVLO设有8V,12V,17V三种选择,适配于IGBT和SiC应用中多种电源设计场景的欠压保护。  NSI6602MxEx产品特性:  5700VRMS隔离耐压,可驱动高压SiC和IGBT  高CMTI:150 kV/μs  输入侧电源电压:3V ~ 18V  驱动侧电源电压:高达 32V  轨到轨输出  峰值拉灌电流:±10A  峰值米勒钳位电流:5A  驱动电源欠压:8V/12V/17V三档可选  可编程死区时间  可选的正反逻辑使能配置  典型传播延时:80ns  工作环境温度:-40℃ ~ 125℃  符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准  符合 RoHS 标准的封装类型:SOW18,爬电距离 >8mm  产品选型与封装  NSI6602MxEx系列提供六种型号可选,具备丰富的使能逻辑配置和驱动电源欠压值规格,灵活适配多种应用场景。
2025-07-11 09:57 reading:391
纳芯微推出车规级自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104,高ESD防护与宽电压适配破解系统互联挑战
  纳芯微今日宣布推出车规级四位自动双向型电平转换器NCAS0104和NCAB0104。新推出的电平转换器具备高达15kV的ESD性能,支持更宽的端口输入电压(端口A:1.1~3.6V;端口B:1.65~5.5V)。可广泛适用于汽车信息娱乐系统、高级辅助驾驶系统、以及AI服务器等相关应用中,是系统间跨电压域互联互通的关键元件。  全新发布的NCAS0104和NCAB0104均为弱缓冲型电平转换器,其中,NCAS0104内部集成了N沟道传输FET、10kΩ上拉电阻和上升沿速率加速电路,适用于驱动高阻抗负载,支持推挽和开漏的应用场合;NCAB0104内部集成了上升沿/下降沿速率加速电路和4kΩ缓冲电路,适合轻负载的推挽应用。  ESD性能高达15kV  全面护航系统可靠性  NCAS0104和NCAB0104通过优化的电路设计实现了超高的ESD性能,高压侧的端口B通过了15kV的人体模型(HBM)测试 (JESD 22标准)和系统级ESD测试(IEC 61000-4-2标准),显著优于市场同类产品,为汽车电子等系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供坚实保障。  更宽的端口输入电压  支持灵活的器件选型  NCAS0104和NCAB0104的端口A支持1.1~3.6V输入,端口B支持1.65~5.5V输入。更宽的端口输入电压,使得工程师能够在系统设计中不更换电平转换的情况下,更加灵活地选择外围器件,通过归一化的方案,显著降低系统设计难度,加速产品上市。  封装和选型  NCAS0104和NCAB0104满足AEC-Q100要求,工作温度为-40~125℃。NCAS0104提供TSSOP14和VQFN14封装,NCAB0104提供UQFN12封装。  TSSOP14  VQFN14  UQFN12  NCAS0104和NCAB0104将于2025年8月陆续量产。可联系纳芯微销售团队(sales@novosns.com)咨询产品详情或进行样片申请。  一站式电平转换解决方案  纳芯微可提供多种类型的电平转换器,包括:固定方向型、方向控制型、自动双向型,可满足客户在不同应用场合下的设计需求:  固定方向型电平转换器对器件输入端的输入信号执行单向电平转换,然后提供到器件输出端。纳芯微固定方向型电平转换器产品包括:NCA8244、NCA8244L、NCA8541,均为单电源供电。  方向控制型电平转换器配备一个或多个方向控制引脚,允许系统工程师灵活配置输入/输出方向,甚至实现单设备上的双向同时转换,提供更高的设计灵活性。纳芯微方向控制型电平转换器产品包括:NCA8T245、NCA8245、NCA8245L、NCA84245。  自动双向型电平转换器可自动感知通信方向并采取相应动作。如果处理器GPIO需要信号双向传输,自动方向型电平转换器可以提供更加稳健的解决方案。自动双向型电平转换器不需要使用方向控制信号,每个通道都支持数据的独立传输或接收,消除了对处理器GPIO控制DIR输入的需求,从而简化了软件驱动程序的开发。纳芯微已有的自动双向型电平转换器现包括:NCA9306、NCAS0104、NCAB0104。  纳芯微自动双向型电平转换器选型表
2025-07-02 09:26 reading:367
供应链全国产,赋能高精度电流测量系统!纳芯微发布闭环磁通门信号调节芯片NSDRV401
  近日,纳芯微正式发布NSDRV401高精度闭环磁通门信号调节芯片。该产品专为闭环磁通门电流传感器设计,集成精密补偿驱动、电流检测放大器及2.5V基准源,支持4.5V至5.5V单电源供电,工作温度范围支持-40℃至125℃,适应复杂工业环境,为光伏,逆变器、充电桩提供高可靠、高隔离的电流测量解决方案。  随着新能源与智能制造领域的高速发展,电流测量在系统安全与能效控制中的作用愈加关键。与此同时,复杂应用场景对测量精度、集成度与稳定性的要求也在不断提升,传统传感器调节芯片难以兼顾高精度、快速响应与多重保护,成为系统设计的瓶颈。纳芯微NSDRV401融合先进闭环控制机制与多重诊断防护能力,为客户带来全新电流测量解决方案。  高精度闭环控制,突破测量精度限制  NSDRV401基于闭环磁通门技术,通过补偿电流与原边电流的动态平衡,显著提升系统测量精度。芯片内置高性能电流检测放大器(CSA),输入失调电压低至±10μV(典型值),全温区温漂仅±0.1μV/℃,典型增益误差控制在±0.02%,温漂低至0.5ppm/℃,满足全温域内的精密电流测量需求。  在动态响应方面,NSDRV401具备2MHz的-3dB带宽和8.5V/μs的压摆率,能够精准捕捉快速电流变化,满足高速电机驱动、功率变换器等瞬态响应要求。同时,CSA通道的共模抑制比(CMRR)高达90dB,电源抑制比(PSRR)达102dB,即使在强干扰场景中也能保持测量精度,保障测量稳定。全温度模组实测结果:电流检测精度优于0.5%  内置多重保护机制,保障系统可靠运行  为提升系统可靠性,NSDRV401还集成多项故障检测功能。芯片内置退磁电路,有效消除剩磁影响;同时支持磁探头线圈开路/短路、补偿线圈开路检测,并通过ERROR引脚实时反馈异常状态,防止系统损坏。  通过严苛认证,适配多场景应用  在严苛环境适应性方面,NSDRV401表现同样出色。产品支持±4kV HBM、±1kV CDM的ESD防护,工作温度范围覆盖-40℃至125℃,可稳定运行于复杂工业环境。  此外,NSDRV401采用带散热焊盘的QFN20封装,有效提升热传导效率,满足高功率密度系统的集成需求。
2025-06-27 11:28 reading:337
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