106亿!又一个半导体高端装备制造项目签约落地

Release time:2025-07-21
author:AMEYA360
source:网络
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  7月11日,遂宁市安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签署项目合作协议,标志着全市近3年来首个百亿级产业项目“先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地”正式签约落地。

106亿!又一个半导体高端装备制造项目签约落地

  市委书记严卫东、先导科技集团董事长朱世会出席活动并讲话。市委副书记、市长王忠诚,先导科技集团联席总裁侯振富出席签约活动。

  活动举行了签约仪式。安居区人民政府与广东先导稀材股份有限公司签订投资106亿元建设“先导集团半导体高端装备制造西南生产基地”项目合作协议;广东先导稀材股份有限公司与遂宁产投集团签订股权投资合作协议。

  据介绍,先导科技集团是全球最大的稀散金属全产业链高科技平台,硒、碲、铋、铟、镓、锗产量位居全球前列。

  此次签约的先导科技集团半导体高端装备制造西南生产基地项目落户安居经开区,计划总投资106亿元,主要生产半导体高端设备及核心配件等,分两期推进,一期计划投资30亿元,投产后预计年产值可达53亿元,二期启动后,预计总投资规模超过百亿元,将建成西南地区最大的新能源镀膜生产基地和最大的半导体高端制造基地。

  此次项目签约,既是先导科技集团布局战略腹地、开拓西南市场的关键落子,也是遂宁“大抓招商引资、重抓招大引强”的重大突破。广东先导科技集团将加速组建工作专班进驻遂宁,全力保障项目7月底开工、8月底全面建设,加速推动先导薄膜先进材料生产等项目转移遂宁。

  下一步,遂宁将靠前服务做好土地供应、能评、环评、安评等前期工作,积极与相关部门协同协作,推动项目在最短时间内全面开建。


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全球半导体研发投入Top20:英特尔第一,台积电第七!
  9月2日,半导体研究机构TechInsights发布了一份最新的研究报告,披露了2024年全球半导体企业投资排名前20位的厂商名单。  报告显示,深陷“财务危机”的英特尔依旧以165.46亿美元的研发投入占据着第一的位置,紧随其后的前十厂商分别是英伟达、三星电子、博通、高通、AMD、台积电、联发科、美光和SK海力士。而要上Top20榜单,研发投入的门槛则是9.69亿美元。  整体来看,排名前20位的半导体公司的研发支出总额达986.8亿美元,同比增长了17%,约占全球半导体行业研发支出总额的96%。排名前20位的半导体公司平均研发支出占销售额的比重为15.8%。  从研发支出同比变化来看,有15家公司同比增加了研发支出,剩下的5家公司的研发支出则同比下滑。  报告指出,英特尔2024年在研发上的投入最多,达到165.46亿美元,主要用于其代工业务,包括18A(1.8纳米)工艺,较前一年增长3.1%。  英伟达位居第二,研发投入达125亿美元,同比增长47%。  三星电子则将研发投入从上一年的55亿美元大幅提升至95亿美元,排名从第七跃升至第三。然而,三星电子的年增长率最高(71.3%)。TechInsights评估道:“三星电子在尖端工艺节点领域与台积电、英特尔和Rapidus等领先公司展开竞争,同时在DRAM和NAND闪存市场也与其他厂商展开激烈竞争,而这两个市场在过去三年中一直面临困境。”  在研发投入占销售额比例方面,英特尔以33.6%高居榜首,其次是博通(30.3%)、高通(25.9%)和AMD(25.0%),美国半导体公司占据前列。二十大公司的平均研发支出占销售额比例为15.8%,而三星电子和SK海力士分别为11.7%和6.99%,低于整体平均水平。值得一提的是,尽管SK海力士的研发投入较前一年增加了32%以上,但由于其销售额几乎翻倍,研发占比反而下降。  TechInsights预测,英伟达有望在明年成为研发投入最多的公司。  需要指出的是,台积电是研发投入超过10亿美元的公司中唯一一家纯晶圆代工厂。台积电于2010年首次进入研发投入前十名(排名第10)。2010年的研发支出为9.43亿美元,到2024年增长574%,达到63.57亿美元,这是台积电13年来首次达到这一水平。  在2024年研发支出排名前十的公司中,有6家总部位于美国,2家位于中国台湾,2家位于韩国。前十家公司中有5家是无晶圆厂半导体公司,分别是高通、英伟达、AMD、博通和联发科。4家是IDM公司(英特尔、三星电子、美光和恩智浦)。  在研发支出排名前11至20的公司中,有5家总部位于美国,3家位于欧洲,2家位于日本。其中,IDM公司占9家,无晶圆厂半导体公司仅1家。
2025-09-04 17:15 reading:262
2025年上半年163家半导体上市公司收入、利润排名!
全球半导体营收,将达1万亿美元!
  根据Counterpoint Research的最新研究,预计全球半导体收入将从2024年到2030年翻一番,达到1万亿美元以上,这得益于人工智能转型为GenAI、 Agentic AI和Physical AI应用构建基础设施和消费终端。  主要的催化剂将是先进AI服务器基础设施的发展,其驱动力在于未来AI应用需求的持续快速增长。目前,这些需求主要来自超大规模计算平台,无论是短期还是长期,这将支持GenAI在文本领域以及音频和视觉领域(短期内)走向成熟,并支持其在物理AI领域(长期内)走向成熟。  研究副总裁 Neil Shah表示。“随着市场从基于文本的基本应用转向更丰富、结合文本、图像、音频和视频的多模态 GenAI,这是基础设施部署的第一阶段。正在进行的第二阶段正在支持 Agentic AI 应用生成的指数级增长——从复杂的对话式人工智能和语义搜索到完全集成的多媒体内容创建。  这波浪潮将对云端和边缘计算能力、内存和网络能力提出巨大的需求,其对半导体消费的影响不容小觑。第三波浪潮将支持物理人工智能的出现,推动人形机器人、工业机器人和车辆等自主机器的崛起。”  目前,人工智能的大部分价值都集中在半导体领域,例如超大规模企业、二级云计算提供商以及争相构建人工智能基础设施的企业。从 GPU 和加速器,到内存(HBM、DDR)和光互连,芯片是人工智能经济的支柱,为从云平台、模型、框架到应用程序的一切提供支持。  “2024年,人工智能市场主要由硬件驱动,约80%的直接收入来自基础设施和边缘计算的半导体。然而,这种情况正在改变,” Counterpoint Research研究总监Mohit Agarwal表示。“我们正在进入一个由人工智能经济驱动的新阶段,这将催生一个类似于过去十年移动应用经济增长的应用和服务生态系统。虽然广泛货币化的时间表取决于个人和企业的采用率,但创造价值的直接机会是显而易见的。下一波人工智能浪潮将释放的最重要价值将是通过提高劳动力生产率和广泛的自动化实现的大幅运营成本节约。这应该有助于缓解人们对人工智能货币化泡沫形成的担忧。”
2025-08-27 13:15 reading:265
从设计到封测:一文读懂半导体产业核心术语
  一、设计与EDA/IP  1. IC设计: 集成电路设计。  2. EDA: 电子设计自动化。指用于设计芯片的软件工具套件。  HDL: 硬件描述语言。如 Verilog, VHDL。  RTL: 寄存器传输级。设计过程中的一个抽象层次。  DFT: 可测试性设计。在设计中加入便于测试的结构。  DFM: 面向制造的设计。优化设计以提高制造良率。  PDK: 工艺设计套件。晶圆厂提供给设计公司的工艺文件包。  Simulation: 仿真。  Verification: 验证。  Synthesis: 逻辑综合。  P&R: 布局布线。  STA: 静态时序分析。  3. IP: 知识产权核。预先设计好、可复用的电路模块(如CPU核、接口IP等)。  SoC: 片上系统。将多个功能模块集成到单一芯片上。  ASIC: 专用集成电路。为特定应用定制的芯片。  ASSP: 专用标准产品。为特定应用领域设计的标准芯片(介于ASIC和通用芯片之间)。  FPGA: 现场可编程门阵列。可编程的逻辑芯片。  4. Fabless: 无晶圆厂模式。公司只负责芯片设计和销售,制造外包给晶圆代工厂。  5. IDM: 集成器件制造商。公司覆盖设计、制造、封装测试等全产业链环节(如 Intel, Samsung)。  二、制造(晶圆加工 / Foundry)  1. Wafer: 晶圆。制造芯片的硅基片。  Ingot: 硅锭。切割成晶圆的原材料。  Si: 硅。  SOI: 绝缘体上硅。一种特殊结构的晶圆。  Epitaxy: 外延。在晶圆表面生长单晶层。  2. Fab: 晶圆厂。  3. Foundry: 晶圆代工厂。专门为其他公司制造芯片的工厂(如 TSMC, SMIC)。  4. Process Node: 工艺节点/制程节点。描述制造工艺先进程度的指标(如 7nm, 5nm, 3nm)。越小通常代表技术越先进。  5. Front End Of Line: 前道工艺。在晶圆上制造晶体管和互连线的过程。  CVD: 化学气相沉积。  PVD: 物理气相沉积。  ALD: 原子层沉积。  Wet Etch: 湿法刻蚀。  Dry Etch / Plasma Etch: 干法刻蚀/等离子刻蚀。  Mask / Reticle: 掩模版/光罩。承载电路图形的母版。  Stepper / Scanner: 步进式/扫描式光刻机。  DUV: 深紫外光刻。使用 248nm 或 193nm 波长的光刻技术。  ArF / KrF: 分别指 193nm 和 248nm 光刻使用的激光光源类型。  Immersion Lithography: 浸没式光刻。提高光刻分辨率的技术。  EUV: 极紫外光刻。使用 13.5nm 波长的下一代光刻技术。  Lithography: 光刻。使用光将电路图形转移到晶圆上的关键工艺。  Etch: 刻蚀。将光刻胶图形转移到下层材料的过程。  Deposition: 沉积。在晶圆表面生长薄膜材料的过程。  Ion Implantation: 离子注入。将杂质离子注入硅中形成特定电学特性的区域。  CMP: 化学机械抛光。平坦化晶圆表面的工艺。  Thermal Processing: 热处理。如氧化、扩散、退火等。  Cleaning: 清洗。去除晶圆表面污染物的工艺。  Metrology: 量测。对晶圆进行各种物理和电学参数的测量。  Inspection: 检测。查找晶圆上的缺陷。  Yield: 良率。合格芯片占总芯片数的百分比。  6. Transistor: 晶体管。芯片的基本开关单元。  MOSFET: 金属氧化物半导体场效应晶体管。最常见的晶体管类型。  FinFET: 鳍式场效应晶体管。3D结构晶体管,用于先进节点。  GAA: 环绕栅极晶体管。FinFET的后继技术。  7. Interconnect: 互连线。连接晶体管的金属导线。  BEOL: 后道工艺。制造互连线的过程。  Damascene Process: 大马士革工艺。制造铜互连的主流工艺。  三、封装与测试  1. Back End Of Line / OSAT: 后道工艺 / 外包半导体封装和测试厂商。指芯片制造完成后的封装和测试环节,通常由专门的封测厂完成。  Assembly: 封装/组装。  Packaging: 封装。  Test: 测试。  2. Wafer Test / CP: 晶圆测试/中测。在晶圆切割前对每个芯片进行基本功能测试。  3. Dicing / Scribing: 划片/切割。将晶圆切割成单个芯片。  4. Die: 裸片/晶粒。切割下来的单个芯片。  5. Packaging Types: 封装类型  TSV: 硅通孔。穿透硅片的垂直电连接通道。  Interposer: 中介层。连接不同裸片的硅基板或有机基板。  DIP: 双列直插式封装。  SOP/SOIC: 小外形封装。  QFP: 四方扁平封装。  BGA: 球栅阵列封装。  LGA: 栅格阵列封装。  CSP: 芯片尺寸封装。封装尺寸接近芯片尺寸。  WLP: 晶圆级封装。在晶圆上进行大部分封装步骤。  SiP: 系统级封装。将多个不同功能的裸片封装在一个模块内。  MCM: 多芯片模块。  2.5D / 3D IC: 2.5维/三维集成电路。使用硅中介层或TSV实现裸片堆叠的高密度封装技术。  6. Final Test / FT: 成品测试。封装完成后对芯片进行的全面功能和性能测试。  7. Burn-in: 老化测试。在高温高压下测试芯片的长期可靠性。  8. Quality Control / QC: 质量控制。  四、材料与设备  1. Materials:  Silicon Wafer: 硅晶圆。  Photoresist: 光刻胶。  Mask Blank: 掩模版基板。  Electronic Gases: 电子气体(如高纯氮气、氩气、特殊气体)。  CMP Slurry: CMP研磨液。  Targets: 靶材(用于PVD)。  Precursors: 前驱体(用于CVD/ALD)。  Wet Chemicals: 湿电子化学品(酸、碱、溶剂等)。  Lead Frame: 引线框架。  Substrate: 封装基板。  Molding Compound: 塑封料。  Underfill: 底部填充胶。  Thermal Interface Material: 热界面材料。  2. Equipment:  Lithography Tool: 光刻机 (EUV Scanner, DUV Scanner/Stepper)。  Etcher: 刻蚀机。  Deposition Tool: 薄膜沉积设备 (CVD, PVD, ALD)。  Ion Implanter: 离子注入机。  CMP Tool: 化学机械抛光机。  Furnace: 扩散炉/氧化炉。  RTP: 快速热处理设备。  Metrology & Inspection Tool: 量测检测设备。  Wafer Cleaner: 清洗机。  Prober: 探针台(用于Wafer Test)。  Tester: 测试机(用于Wafer Test和Final Test)。  Dicer: 划片机。  Die Bonder: 固晶机/贴片机。  Wire Bonder: 引线键合机。  Molder: 塑封机。  SMT: 表面贴装技术设备(用于将封装好的芯片贴到PCB上)。
2025-08-22 11:08 reading:394
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