上海贝岭推出±30kV IEC ESD保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

Release time：2025-06-18
author：AMEYA360
source：上海贝岭
reading：705

　　一、引言

　　在工业、智能电表等应用中，RS-485常常在电磁兼容性(EMC)极为严峻的环境中进行数据通信。复杂电磁环境中的静电放电和其它电磁干扰会造成较大的瞬态冲击，不仅可能造成通信信号失真或数据传输异常，更严重的可能还会损坏RS-485接口芯片，最终导致整个通信系统的失效。在这些恶劣的应用环境中，尽管TVS和TSS作为典型的电路保护器件，能够为RS-485芯片提供必要的瞬态冲击保护，但要想保证RS-485通信系统的可靠性，更需要RS-485芯片自身具有较强的抗EOS冲击能力。

　　二、产品概述

　　针对上述应用，上海贝岭推出了具有超强ESD保护能力的RS-485接口芯片BL3085(I4B)，该芯片总线端口ESD保护能力高达±30kV(IEC 61000-4-2，接触放电)，能够更好地承受工厂生产和现场应用中产生的EOS冲击。

　　BL3085(I4B)采用限摆率设计，能够减小EMI以及由于终端匹配不当引起的反射，支持高达500kbps的通信速率。芯片接收器输入阻抗为1/8单位负载，允许多达256个收发器挂接在总线上，实现半双工通信。

　　BL3085(I4B)具有多种保护功能，包括失效保护、过温保护等，这些功能共同构成了一个全面的保护体系，确保了芯片在各种异常情况下都能正常工作或安全关断。

　　三、核心优势

　　IEC 61000-4-2是国际电工委员会(IEC)制定的一个电磁兼容性(EMC)测试标准，主要用于评估电子设备在遭受静电放电(ESD)时的抗扰度性能。其中，接触放电(Contact Discharge)是一种重要的测试方法，通过模拟人体或物体直接接触设备表面时产生的静电放电现象，来评估设备的抗静电干扰能力。图1为IEC 61000-4-2 标准规定的 ESD 模拟发生器的理想电流波形。

上海贝岭推出±30kV IEC ESD保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

　　图1 IEC 61000-4-2 标准规定的理想电流波形

　　RS-485芯片AB端口的ESD水平直接影响芯片的抗EOS冲击能力，目前市场上主流竞品AB端口ESD(接触放电)能力大多低于±15kV。(对比如图2所示)

上海贝岭推出±30kV IEC ESD保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

　　图2 ESD(接触放电)能力对比

　　四、应用方案

　　近年来，开关电源在智能电表中的使用越来越广泛，为了更好地通过EMC实验，工程师在多个回路之间都加了Y电容，导致系统隔离度降低，RS-485总线端口受到较大EOS冲击。同时，智能电表通信速率提速到115200bps后，由于原TVS结电容较大，迫使厂家使用结电容较小的TSS。数据表明TSS管的瞬态抑制能力要明显弱于原有TVS管，这就造成了保护器件未动作，而RS-485接口芯片实际已经受到了冲击。

　　以上问题在表计实际生产交付过程中给厂家带来较大困扰。BL3085(I4B)所具备的出色的抗EOS冲击能力可以帮助生产企业更好的应对这些复杂问题，从理论设计上提高系统RS-485通信的可靠性。

　　图3为RS-485接口芯片在智能电表方案中的应用示意图。MCU和RS-485采用隔离供电，通过光耦或者数字隔离器实现主回路和RS-485之间的隔离。RS-485产品外围采用TVS/TSS和热敏进行防护。

上海贝岭推出±30kV IEC ESD保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

　　图3 RS-485接口芯片的应用图

　　五、订货信息

上海贝岭推出±30kV IEC ESD保护RS-485接口芯片BL3085(I4B)

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上海贝岭 BLQ3N120 功率芯片荣登 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单
企业动态

上海贝岭 BLQ3N120 功率芯片荣登 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单

　　近日，中国汽车工业协会公示 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单，上海贝岭自主研发的车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120 成功入选。该活动经多方严格评审，从众多产品中筛选优质芯片，BLQ3N120 的入选彰显其技术领先性与产业适配性。　　此次入选不仅是对上海贝岭技术实力的认可，更是发展动力。未来公司将加大研发投入，推出更多创新产品，助力汽车电子产品供应丰富与提升!　　产品特性　　上海贝岭推出的车规级特高压平面硅基MOSFET BLQ3N120，采用先进的晶胞结构，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量，在确保车规级品质的情况下，耐压可做到1200V。主要特点有：高击穿电压、低导通电阻、低阈值电压VTH、高结温等，填补了国内车规级、特高压平面MOSFET市场领域的空白。　　优势特征&参数　　• VDS：1200V　　• ID：3A　　• RDS(ON)：5Ω　　• IDSS：200nA(@VDS =1200V, VGS= 0V, Tj = 25℃)　　• VGS(TH)：3V ~ 5V　　• Fast Switching　　• Low Crss　　• 100% avalanche tested　　• AEC-Q101 qualified　　典型应用　　基于车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120特性，其可应用于新能源汽车电池管理系统(BMS)的总压检测、绝缘检测、粘连检测、主驱/PTC等的辅助电源、主动泄放电子开关等。　　比如，在BMS“三大检测”(总压检测、绝缘检测、粘连检测)采样通道通断控制应用中，早期解决方案是干簧管或光MOS，但其成本高。而BLQ3N120因具备耐压高、关断漏电流小、成本低等特点，可以替换干簧管或光MOS，完全胜任BMS“三大检测”通道通断控制需求，而且还具有成本更低的优势!　　MOSFET BLQ3N120在BMS“三大”检测中的应用　　再比如，在主驱等反激辅助电源应用中，BLQ3N120因具备耐压高、开关频率高等特点，还可以用作电子开关管。
2025-12-10 16:07 reading：353
上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”
行业新闻

上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”

　　近日，2025年金牛企业可持续发展论坛暨第三届国新杯·ESG金牛奖颁奖典顺利举办，上海贝岭凭借在ESG领域的优异表现，荣获“第三届国新杯・ESG卓越央企金牛奖”。　　上海贝岭始终以实际行动勇担央企使命，积极履行社会责任，凝心聚力促进公司高质量可持续发展。公司治理方面，上海贝岭坚持依法合规经营，强化风险防控，持续完善公司治理体系，推动公司行稳致远。科技创新方面，公司坚持创新驱动发展战略，充分发挥科技创新能够催生新产业、新模式、新动能的作用，推动新质生产力加快发展。同时，上海贝岭积极贯彻落实乡村振兴战略，开展系列公益捐赠、消费助农等活动，传递社会关爱，让社会更美好。　　践行绿色低碳发展方面，上海贝岭积极响应“双碳”目标愿景，践行长期可持续发展战略，将绿色管理、低碳运营付诸业务运营各环节，推进绿色研发，强化环保宣贯，在光伏逆变、储能、汽车电子等市场应用领域推出多款产品，持续提升产品绿色竞争力，厚植高质量发展的绿色底色，助力产业链上下游绿色可持续发展。　　展望未来，上海贝岭将秉持高质量、可持续发展理念，积极践行社会责任，以科技创新为引领，塑造发展新动能，勇担使命，为我国集成电路产业发展添砖加瓦!
2025-12-04 16:17 reading：302
上海贝岭推出BL380X系列高精度零漂移工业级运放
行业新闻

上海贝岭推出BL380X系列高精度零漂移工业级运放

　　引言　　在现代电子系统设计中，运算放大器作为信号处理的核心元件，其性能直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。尤其在工业测量、医疗电子、仪表仪器等高精度应用场景中，对运放芯片的低失调低温漂特性、长期稳定性及复杂环境适应性提出了严苛要求。上海贝岭高精度零漂移系列运算放大器BL3801/BL3802/BL3804(合称BL380X)，凭借其优异的性能，为设计工程师提供了一个理想的解决方案。　　产品特性　　BL380X是1.8MHz增益带宽积的高性能运算放大器,工作温度范围支持-40℃至+125℃，支持多通道，多种封装，能够满足多种应用场景下对信号处理精度和工作温度的严苛要求。　　BL3801内含单通道运算放大器、BL3802内含双通道运算放大器、BL3804内含四通道运算放大器，运算放大器的性能一致。　　特性如下：表/1(规格参数)　　典型应用原理图如下：图1 BL308X典型应用原理图　　产品优势　　• 极致精度表现：在 5V 供电条件下，典型失调电压仅 10μV，-40℃至 + 125℃工作温度内最大值不超过 30μV，配合0.01µV/℃的低温漂特性，彻底解决了通用运放因温度波动导致的误差累积问题。　　• 信号高还原：轨到轨输入/输出特性可充分利用电源范围，配合 145dB 的信号电压增益与 115dB 的电源抑制比(PSRR)，确保微弱信号的完整放大与还原。　　• 可靠稳定运行：ESD(HBM)水平可达到±8KV，LU可达±800mA, 0.1ms 的过载恢复时间实现快速信号响应，保证系统可靠运行，180μA 的典型静态功耗兼顾性能与能效。　　行业应用　　BL380X的核心优势特性可以解决行业痛点，在工业控制、医疗仪器等对精度要求严苛的领域，BL380X的性能优势转化为实实在在的设计价值。　　• 工业测量的 “稳定器”：针对压力传感器、应变计等设备在 - 40℃至 + 125℃工业环境中的长期运行需求，其超低失调电压与低温漂特性可将信号调理误差控制在μV 量级，使系统的测量精度得到提升。　　• 医疗电子的 “精准镜”：在心电图、便携式血糖仪等医疗设备中，0.5nA 的低输入偏置电流特性可精准放大传感器输出的 nA 级微电流信号，将血糖、心率等生理参数的测量误差控制在更小的范围内，同时 180μA 低功耗设计延长设备续航时间。　　• 测试仪器的 “灵敏度放大器”：在数字万用表、数据采集卡等设备中，10μV 失调电压与高增益特性支持 μV 级电压测量，配合轨到轨输入 / 输出能力，帮助仪器实现更高的测量分辨率。　　支持多种封装　　应用领域　　工业测量、医疗电子、仪表仪器和物联网采集终端　　上海贝岭提供系列化的产品选择，专业的技术支持，以及稳定的供应，为用户的产品设计和批量使用保驾护航。　　订购型号与封装信息表/2(选型列表)
2025-12-04 13:56 reading：304
上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器
行业新闻

上海贝岭650V FBL系列IGBT 赋能伺服控制器

　　一、概述　　中国产业升级持续提速，制造业智能化、自动化迈入新阶段，市场对高精度电机控制器的需求日益迫切。伺服控制器作为精准控制与自动化生产的核心部件，其市场规模正随产业升级浪潮持续扩大。在机器人等热门领域，高性能伺服控制器是实现设备精准动作、复杂任务执行的关键支撑。功率器件作为伺服控制器的核心组成，直接决定产品的功率输出、控制精度与运行可靠性。依托多年设计与生产积淀，上海贝岭针对性优化产品参数，面向高性能伺服控制器场景推出 650V FBL 系列 IGBT 产品。该系列产品电流等级覆盖 8A-30A，可充分匹配伺服控制器的核心性能需求。　　二、伺服控制器应用拓扑　　伺服控制器的控制核心基于闭环反馈控制，微处理器(MCU)通过实时对比上位机给出的指令信号和电流、位置传感器反馈的电流、位置信号，动态调节输出功率，使得电机能够精准执行位置、速度或力矩指令。由隔离驱动器驱动和六颗绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)组成的三相逆变桥是精准控制的核心。图1 伺服控制器拓扑图　　三、贝岭IGBT技术平台　　650V FBL系列产品基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的4代产品工艺，采用微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，使得产品在导通压降Vce(sat) 与开关损耗Esw之间取得良好折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，可实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　四、650V FBL系列产品核心优势　　能效领跑——低饱和压降Vce(sat)和低正向压降VF　　在伺服控制器应用中，典型开关频率范围为8-16kHz，IGBT和与其并联的快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD)的导通损耗Econ占器件总体损耗的比例较高。IGBT的导通压降Vce(sat)和FRD的正向压降VF是影响导通损耗Econ的关键参数。图2和图3分别展示了在节温25℃和125℃时，贝岭 FBL系列产品和市场主流IGBT系列产品导通压降Vce(sat)典型值的对比;图4和图5分别展示了在节温25℃和125℃时，FRD正向压降VF典型值的对比。在常温，高温下，贝岭 FBL系列产品的IGBT饱和压降和FRD正向压降均优于竞品，可直接减少伺服控制器导通损耗，不仅能降低设备运行时的能耗成本，还能减轻散热模块负担，缩小设备体积，延长整机寿命，提高系统可靠性。图2 25℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比图3 125℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V，测试电流Ic为各产品标称电流值图4 25℃时 FRD正向压降VF典型值对比图5 125℃时 FRD正向压降VF典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，测试电流IF为各产品标称电流值　　动态性能升级——低开关损耗Esw　　IGBT作为开关器件，其在应用中的开关损耗也不容忽视，图6 展示了在节温25℃时，贝岭FBL系列产品与竞品的开关损耗对比。在器件开通时刻电压压摆率相同的条件下，贝岭 FBL系列产品的开关损耗与竞品接近，其中10A 和30A 产品更具优势，可更好地适配伺服控制器高频开关需求，使得电机启停、转速调节响应更快，设备执行精准动作时更流畅，减少控制偏差。图6 25℃时 IGBT开关损耗对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V/0V，测试电流Ic为各产品标称电流值，相同开通电压压摆率　　抗短路能力强劲——超长耐受　　贝岭650V FBL系列IGBT产品针对伺服控制器应用，着重优化器件的短路耐受能力，器件可在高栅极驱动电压(18V)和高节温(175℃)的双高条件下，依旧维持较长的短路时长，保障伺服控制器的安全运行。图7展示了BLG30T65FBL在420V 母线电压下(栅极驱动电压18V、节温175℃)，器件短路耐受波形。即便在高温、高电压的恶劣工况下，也能避免器件因短路损坏，减少伺服控制器突发停机，降低产线运维成本。图7 BLG30T65FBL高温、高栅压下短路耐受波形　　五、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭针对伺服控制器、通用变频器、工业缝纫机、跑步机、通用风机、园林工具等应用设计有多条650V IGBT产品线，涵盖电流等级8A-80A器件，欢迎垂询!具体型号参考表1。在高压伺服驱动器中，除了核心的功率器件，高效可靠的电源管理和信号处理芯片同样是确保系统稳定、可靠运行的关键，上海贝岭可提供电机控制相关的完整配套解决方案，具体型号参考表2。表1 功率器件选型列表表2 贝岭电机控制系统选型列表
2025-12-02 11:36 reading：331
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