龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列

Release time:2025-05-29
author:AMEYA360
source:龙腾半导体
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  随着高效能、紧凑型电源系统的需求日益增长,传统平面MOSFET已逐渐难以满足高压低损耗的要求。龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台,采用先进的多次外延结构设计,在保证高耐压的基础上,有效减少器件内部的寄生电容,进一步优化开关过程中的能量损失。与传统的PN结结构相比,这种新型结构能够有效减小漏电流,提高器件的热稳定性和抗电场能力,确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。

  龙腾 950V 超结MOS

  采用多次外延工艺,通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布,实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升,赋予产品三大核心优势:

  极低导通损耗

  Rsp(比导通电阻)较国际竞品降低22.3%,显著减少导通损耗,可在植物照明电源中实现更高能效。

  超快动态性能

  FOM(Qgd)优化14.5%,开关损耗(Eon/Eoff)分别降低18.5%和43.1%,助力高频电源设计简化。

  卓越可靠性

  Trr(反向恢复时间)缩短13.6%,减少开关噪声,提升系统稳定性;同时,多次外延工艺增强了器件耐压能力,支持950V高压场景下的长期稳定运行。注:数据基于龙腾实验室实测,实际性能因系统设计可能略有差异。

龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列

  龙腾 SJ MOS 800V-950V推荐型号

龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列


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